| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 栅极电压处理方法及装置 | CN201010274237.0 | 2010-09-01 | CN102386854A | 2012-03-21 | 陈化璋; 崔晓俊 |
| 本发明公开了一种栅极电压处理方法及装置，该方法包括：采集Doherty功放的工作频率信息；确定工作频率信息对应的栅极电压；向Doherty功放输出栅极电压。本发明可以实现全频带性能最优，进而提高Doherty功放全频带的效率。 | ||||||
| 82 | 功率放大器 | CN201010177988.0 | 2010-05-11 | CN102045032A | 2011-05-04 | 张德成; 许佑诚 |
| 一种功率放大器，可动态调整栅极偏压，以适应性偏压(adaptive bias)提升功率放大器的效率。该功率放大器，包括放大器、信号耦合器、功率检测电路以及偏压控制电路。信号耦合器连接至放大器的输入端。功率检测电路连接至信号耦合器，以通过信号耦合器检测放大器的输入功率。偏压控制电路连接至功率检测电路的输出端与放大器的输入端。依据功率检测电路的检测结果，偏压控制电路对应改变放大器的栅极偏压。 | ||||||
| 83 | 双重偏置控制电路及其控制方法 | CN200580033933.X | 2005-10-05 | CN101036288B | 2010-12-01 | 德米特里·P·普瑞霍德克; 雷默克·奥伊曼; 皮埃特·鲁克; 耶罗恩·斯勒伊特 |
| 本发明涉及一种偏置控制电路和方法，用于向放大器电路的至少一个级提供偏置信号，其中，通过产生偏置电流，并且附加地使用该偏置电流来得到控制信号，所述控制信号用于响应于控制信号来限制至少一个放大器级的电源电压，来提供双重偏置控制。从而，除了基本电流导引之外，实现由电压限制产生的放大器级的输出信号的抑制。这导致小信号增益的减小，因此减小输出噪声。 | ||||||
| 84 | 用于偏置晶体管的装置及方法 | CN200780008476.8 | 2007-03-08 | CN101401299B | 2010-10-06 | 强纳森·理查·史崔基 |
| 一种用于偏置晶体管的装置，该装置包括：可控偏置生成器、测试电路、数字M阶微分器(66)，测试电路计算晶体管的性能的L阶导数；数字M阶微分器(66)响应于测试电路的输出，以计算该晶体管的性能的更高阶导数；以及控制器(68)响应于数字M阶微分器(66)，控制器(68)用于依据该晶体管的性能的更高阶导数来对可控偏置生成器进行控制。其中，L阶导数被当作提供给该晶体管的偏置的函数。 | ||||||
| 85 | 用于功率放大器的自混合自适应偏置电路的系统和方法 | CN200910261077.3 | 2009-12-22 | CN101764582A | 2010-06-30 | 李洞护; 安奎焕; 李彰浩; 乔伊·拉斯卡尔 |
| 提供了一种用于功率放大器的自混合自适应偏置电路的系统和方法。所述自混合自适应偏置电路包括混合器、低通滤波器或移相器、偏置供给块。自混合自适应偏置电路可根据输入信号功率级产生自适应偏置信号。由于输入功率级升高，所以自适应偏置电路增加偏置电压或偏置电流，以使功率放大器与传统的偏置技术相比在低功率操作水平节省电流消耗，并在高功率操作水平获得更好的线性。此外，可使用自适应偏置输出信号来去除三阶互调谱项(IM3)，以进一步增强线性作为辅助效果。 | ||||||
| 86 | 高频功率放大器 | CN200910178655.7 | 2009-09-24 | CN101741323A | 2010-06-16 | 稻森正彦; 立冈一树; 牧原弘和; 松田慎吾; 海藤淳司 |
| 本发明提供一种能够同时实现充分的耐损坏性、和低输出时以及高输出时的良好的高频特性的高频功率放大器。高频信号经由电容(C1～Cn)，分别输入晶体管(Q1～Qn)的基极，放大后由晶体管(Q1～Qn)的集电极输出。各晶体管(Q1～Qn)的发射极接地。由偏置电路(B1)提供的偏置电流，在由低输出时过渡为高输出时，经由电阻(Ra1～Ran)，分别提供给晶体管(Q1～Qn)的基极。晶体管(Q1～Qn)的集电极经由阻抗电路(Z)，与偏置电压输入端子(DCIN)连接，高输出时与来自集电极的高频信号输出的一部分一起，由阻抗电路(Z)，产生直流偏移电压，进一步增加偏置电流。 | ||||||
| 87 | 栅地-阴地放大器电路 | CN200910147026.8 | 2009-06-08 | CN101674053A | 2010-03-17 | 金谷康; 后藤清毅; 渡边伸介 |
| 本发明提供栅地-阴地放大器电路，其能够实现在毫米波段能够稳定地工作且高增益或高输出的毫米波器件。该栅地-阴地放大器电路栅地阴地连接有两个晶体管，并且具备：源极被接地的HEMT(1)；源极与HEMT(1)的漏极连接的HEMT(2)；与HEMT(2)的栅极连接，并抑制反射增益的反射增益抑制电阻(3)；和连接于反射增益抑制电阻(3)的与HEMT(2)相反的一侧，并将规定频率附近的高频信号短路的开路短截线(4)。 | ||||||
| 88 | 级联放大电路、使用级联放大电路的半导体集成电路和信号接收装置 | CN200710091686.X | 2007-03-28 | CN100593901C | 2010-03-10 | 滨口睦 |
| 本发明提供一种级联放大电路，具有2个级联连接的晶体管。该级联放大电路具有用于选择是否使输入端的晶体管的集电极接地的开关元件。由此，能够实现一种通过简易的结构就能确保停止级联放大电路的动作，从而改善隔离的级联放大电路。 | ||||||
| 89 | UWB放大器 | CN200780051205.0 | 2007-12-17 | CN101606314A | 2009-12-16 | 邓肯·布雷姆内 |
| 无线通信装置，包括集成电路，集成电路包括用于执行无线控制功能的电子电路系统。外部电路，与集成电路分开，被提供用于执行无线控制功能的预定级，该外部电路包括至少一个离散组件。该外部电路的至少一个离散组件由从集成电路接收的一个或多个控制信号控制。这样，本发明利用低成本外部装置作为集成解决方案中的输入装置，因此受益于无线装置的改进的性能同时获得复杂集成的解决方案的控制和系统利益。 | ||||||
| 90 | RF放大装置 | CN200780050673.6 | 2007-12-19 | CN101595636A | 2009-12-02 | 大西正己; 田中聪; 田中亮一 |
| 本发明提供一种RF放大装置，包括：放大元件(Q11、Q12)，对无线通信的无线频率输入信号(Pin_LB)进行放大；以及传输线变压器(TLT 11、12)，与放大元件的输入电极与输出电极中的一个电极连接。传输线变压器包括：主线路(Lout)，配置在输入与输出之间；以及副线路(Lin)，配置在输入与输出中的某一个与交流接地点之间并与主线路(Lout)耦合。通过对交流接地点施加与接地电压电平(GND)不同的动作电压(Vdd)，从交流接地点经由副线路(Lin)向放大元件(Q11、Q12)的输出电极供给动作电压(Vdd)。可以在RF放大装置中在实现高性能的负载电路时回避RF模块的模块高度增大，并且回避在半导体芯片或多层布线电路基板中构成的高频放大器的负载电路的占有面积增大。 | ||||||
| 91 | 恒电流电路和使用了它的电源装置及发光装置 | CN200680001512.3 | 2006-01-19 | CN100565417C | 2009-12-02 | 千田泰辅 |
| 本发明提供一种能在低电压下工作的恒电流电路。在对与电流输出端子(102)相连的电路提供恒电流(Ic)的恒电流电路(100)中，第1晶体管(M1)设置在恒电流(Ic)的电流路径上。第2晶体管(M2)与第1晶体管的控制端子、即栅极端子共连。第1电流电压转换部(14)将第2晶体管中流过的电流(Im2)转换成电压。恒电流源(10)生成基准电流(Iref)。第2电流电压转换部(16)将基准电流转换成电压。第1误差放大器(12)被输入电压(Vx1、Vx2)，调节第1晶体管和第2晶体管的栅极电压。电压调节部(20)调节第3晶体管的栅极端子的电压，使得第2晶体管的一端的电压接近预定的基准电压。 | ||||||
| 92 | 射频放大器电路及其操作方法 | CN200610169487.1 | 2006-12-15 | CN100555844C | 2009-10-28 | 罗时峰; 范一平; 李虹宇; 赵介元 |
| 本发明提供一种适用于放大输入信号的射频放大器电路及其操作方法。所述放大器电路包括：具有功率晶体管的放大晶体管电路以及直流偏压电路，其中上述直流偏压电路具有复数个电流镜电路以及放电晶体管，其中上述放电晶体管以及上述功率晶体管是形成用以控制上述功率晶体管中静态电流的组合电流镜电路。本发明的偏压电路可作为串联电流镜、传统电流镜或是上述两者的组合，因此，本发明具有适用于特定设计需求的弹性。 | ||||||
| 93 | 高输出放大器 | CN200480042604.7 | 2004-07-14 | CN100536324C | 2009-09-02 | 森一富; 新庄真太郎; 服部公春; 高桥利成; 关博昭; 太田彰; 末松宪治 |
| 一种高输出放大器，根据放大元件(3)的输出功率，变更连接在最末级的放大元件(3)和输出端子(8)之间的输出匹配电路(5)的匹配条件。由此，无需降低最大输出时的效率，即可大幅度提高低输出时的效率。并且，不需要安装DC-DC转换器，所以能够防止大型化和高成本的产生。 | ||||||
| 94 | 具有脉冲检测和偏置控制的RF放大器 | CN200710112046.2 | 2007-06-22 | CN101098125A | 2008-01-02 | S·汉帕里安 |
| 一种RF放大器，包括：至少一个RF放大级，具有RF输入信号和RF输出信号；具有电源的电源信号电路，与所述放大级耦合，用于向所述放大级提供电源信号；偏置电路，用于偏置所述放大级以控制其操作；脉冲检测电路，与所述电源信号电路和所述偏置电路耦合，所述脉冲检测电路检测所述电源信号的电压。所述脉冲检测电路分析所检测的电源信号的电压，并确定所述RF输入信号呈现脉冲信号状态还是非脉冲信号状态，以及根据所确定的状态来控制所述偏置电路以偏置所述放大级。 | ||||||
| 95 | 恒电流电路和使用了它的电源装置及发光装置 | CN200680001512.3 | 2006-01-19 | CN101091144A | 2007-12-19 | 千田泰辅 |
| 本发明提供一种能在低电压下工作的恒电流电路。在对与电流输出端子(102)相连的电路提供恒电流(Ic)的恒电流电路(100)中，第1晶体管(M1)设置在恒电流(Ic)的电流路径上。第2晶体管(M2)与第1晶体管的控制端子、即栅极端子共连。第1电流电压转换部(14)将第2晶体管中流过的电流(Im2)转换成电压。恒电流源(10)生成基准电流(Iref)。第2电流电压转换部(16)将基准电流转换成电压。第1误差放大器(12)被输入电压(Vx1、Vx2)，调节第1晶体管和第2晶体管的栅极电压。电压调节部(20)调节第3晶体管的栅极端子的电压，使得第2晶体管的一端的电压接近预定的基准电压。 | ||||||
| 96 | 带宽约束信号调节 | CN200480044684.X | 2004-12-21 | CN101088218A | 2007-12-12 | R·赫尔伯格 |
| 通过在至少2个连续步骤(10)中的信号处理提供非线性信号调节。在每一步骤(10)中提供插入源信号(41)，其被非线性地处理来实现带宽和/或频谱屏蔽方面的某些约束。使用再插入因子(k1－kn)将插入信号与主信号(21)组合，作为主信号(21)的校正。至少一个步骤的再插入因子大于在前步骤的再插入因子。在特定实施例中，对于至少2个步骤的每一步骤，再插入因子增大。这个原理可以应用于大多数非线性信号处理，例如在PAR降低系统、动态漏偏压PA系统、Doherty和Chireix PA系统中和在动态栅偏压系统中。 | ||||||
| 97 | 双重偏置控制电路 | CN200580033933.X | 2005-10-05 | CN101036288A | 2007-09-12 | 德米特里·P·普瑞霍德克; 雷默克·奥伊曼; 皮埃特·鲁克; 耶罗恩·斯勒伊特 |
| 本发明涉及一种偏置控制电路和方法，用于向放大器电路的至少一个级提供偏置信号，其中，通过产生偏置电流，并且附加地使用该偏置电流来得到控制信号，所述控制信号用于响应于控制信号来限制至少一个放大器级的电源电压，来提供双重偏置控制。从而，除了基本电流导引之外，实现由电压限制产生的放大器级的输出信号的抑制。这导致小信号增益的减小，因此减小输出噪声。 | ||||||
| 98 | 用于优化射频放大器的栅极偏压的装置及其方法 | CN200610064110.X | 2006-11-06 | CN1992549A | 2007-07-04 | 李钟成 |
| 所公开的是用于保持射频放大器的线性的装置，其包括：耦合器，用于耦合向功率放大器输入的信号；栅极偏压控制器，用于确定耦合信号电平，以根据该信号电平确定栅极偏压；以及功率放大器，用于利用从栅极偏压控制器接收的栅极偏压，对输入信号进行放大，同时保持输入信号的线性，其使得可以改善整个输出范围内的功率放大器输出的线性，并且当使用预定失真器时，还可以增强内部调制失真(IMD)消除。尽管功率放大器的输出信号电平降低了，但由于对功率放大器的线性特性进行了优化，所以可以在高输出的单频率分配(FA)条件和低输出的多频率分配条件下使用一个功率放大器。 | ||||||
| 99 | 用于DOHERTY放大器偏置的方法与装置 | CN200580009120.7 | 2005-01-26 | CN1965472A | 2007-05-16 | 恩维尔·克尔瓦瓦茨; 詹姆斯·E·米茨拉夫; 马克·I·冯霍恩 |
| 描述了一种用于偏置具有多个输出的放大器的装置和方法。半导体管芯(100)可包括集成至该半导体管芯上并且耦合至放大器(116)的场效应晶体管(FET)(112)，其中该放大器(116)集成至该半导体管芯上。电压偏移电路(114)还可集成至该半导体管芯(100)上，用于确定操作该放大器(116)所需的电压。 | ||||||
| 100 | 放大器的自适应偏置电流电路及该电流产生方法 | CN200580006396.X | 2005-02-14 | CN1934784A | 2007-03-21 | 文森特·W·勒昂; 普拉萨德·S·古德姆; 劳伦斯·E·拉森 |
| 用于放大器的自适应偏置方法和电路，其提供至少部分地基于检测的放大器电路输入功率的大幅电流提升。本发明的方法和电路提供基于检测的输入功率的附加偏置电流。本发明的电路可以是简单、节省面积、低功率、稳定和数字可编程的。此外，本发明的方法和电路可以结合包括具有电感和/或电阻负反馈的放大器的多个放大器电流配置使用。 | ||||||
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