| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | Magnetic thin film, magnetic component that uses this magnetic thin film, manufacturing methods for the same, and a power conversion device | US11012973 | 2004-12-14 | US20050094302A1 | 2005-05-05 | Kazuo Matsuzaki; Taku Furuta; Kazumi Takagiwa; Zenchi Hayashi |
| On top of a silicon substrate, a polyimide film with a thickness of 10 μm is formed. On top of this, a magnetic thin film that is a polyimide film containing Fe fine particles and that has a thickness of 20 μm is formed. On top of this magnetic thin film, a patterned Ti/Au film and a Ti/Au connection conductor are formed. On top of this, a polyimide film with a thickness of 10 μm, and a Cu coil with a height 35 μm, width 90 μm, space 25 μm, and a polyimide layer that fills the spaces in the Cu coil are formed. On top of this, via a polyimide film with a thickness of 10 μm, a magnetic thin film that is a polyimide film containing Fe particles and that has a thickness of 20 μm is formed. This thin film inductor has a small alternating current resistance. The present invention provides a magnetic thin film that is well suited for mass production, can be manufactured easily, can be made into a thick film, has soft magnetic qualities, and is inexpensive. The present invention also provides a magnetic component that uses this magnetic thin film, manufacturing methods for these, and a power conversion device. | ||||||
| 82 | Organic magnetic film and method of manufacturing the same | US25662 | 1993-03-03 | US5552236A | 1996-09-03 | Tadashi Ohtake; Norihisa Mino; Kazufumi Ogawa |
| According to the invention, the surface of a substrate possessing an active hydrogen group is contacted with a chemical adsorbent containing a radical generation precursor group or metal ion capturing group within a molecule--also possessing a reactive functional group such as halosilyl or alkoxy silyl at its end--to form a chemical adsorption film by removing the unreacted chemical adsorbent, radicals are then generated and magnetism is expressed on the chemical adsorption film. | ||||||
| 83 | 스핀-분극 전류 소스 | KR1020147032282 | 2013-04-15 | KR1020150014930A | 2015-02-09 | 보웬마틴; 베버볼프강; 졸리로익; 뷰리페어에릭; 슐러패브리스; 보카리새미; 알로바니메바렉 |
| 본 발명은 다음을 포함하는 스핀 분극 전류 소스(spin-polarisation of a current)(2)에 관한 것으로, 상기 전류 소스는 최소 75%의 전자를 유도하고, 스핀-분극화된 전류 소스(2)와 함께 이용된다:
(a) 분극화된 스핀 인젝션 장치로서, 상기 인젝션 장치는 제1면(11)이 자성 및 유기층(20)을 갖고, 상기 기판의 제1면과 접촉하고 있는 전기 유도 기판(10)을 포함하고; (b) 상기 그라운드(30)으로 불리는 전기 유도 물질로서, 상기 유기층은 상기 그라운드 및 상기 기판 사이에 배열되고; (c) 전류 소스(40)로서, 전기적으로 상기 기판 및 상기 기판의 제1면과 전기적으로 연결되어 있으며; (d) 상기 전류 소스는 -220℃ 보다 높은 온도에서 상기 기판의 제1면과 상기 그라운드 사이에서 전류 소스에 의하여 전자 유도 전류의 순환을 포함하는 방법. |
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| 84 | 탄소함유 스퍼터 타겟 합금 조성물 | KR1020070005428 | 2007-01-17 | KR100774608B1 | 2007-11-09 | 지아니압델로우에햅; 레스랍마이클; 데리프랑소와씨. |
| 본 발명은 스퍼터 타겟 재료를 제공한다. 상기 스퍼터 타겟 재료는 Cr-C, Cr-MC 또는 Cr-M 1 -M 2 -C를 포함하는 합금계를 포함하며, 여기에서 C는 0.5~20원자% 포함되며; M은 0.5~20원자% 포함되고 Ti, V, Y, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이며; M 1 은 0.5~20원자% 포함되고 Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이며, 그리고 M 2 는 0.5~10원자% 포함되고 Li, Mg, Al, Sc, Mn, Y 및 Te로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이다. 기판과 본 발명의 스퍼터 타겟 재료를 포함하는 적어도 하나의 하부층을 포함하는 자기 기록 매체가 또한 제공된다. 또한, 스퍼터 타겟 재료를 제조하는 방법도 제공된다. 상기 방법은 원소들의 조합을 포함하는 분말 재료를 채택할 수 있고, 크롬합금, 탄화물 또는 탄소함유 마스터 합금을 포함할 수 있다. 스퍼터 타겟, 크롬합금, 탄화물, 탄소함유, 분말 재료 | ||||||
| 85 | 탄소함유 스퍼터 타겟 합금 조성물 | KR1020050090556 | 2005-09-28 | KR100731832B1 | 2007-06-25 | 지아니압델로우에햅; 레스랍마이클; 데리프랑소와씨. |
| 본 발명은 스퍼터 타겟 재료를 제공한다. 상기 스퍼터 타겟 재료는 Cr-C, Cr-MC 또는 Cr-M 1 -M 2 -C를 포함하는 합금계를 포함하며, 여기에서 C는 0.5~20원자% 포함되며; M은 0.5~20원자% 포함되고 Ti, V, Y, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이며; M 1 은 0.5~20원자% 포함되고 Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이며, 그리고 M 2 는 0.5~10원자% 포함되고 Li, Mg, Al, Sc, Mn, Y 및 Te로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이다. 기판과 본 발명의 스퍼터 타겟 재료를 포함하는 적어도 하나의 하부층을 포함하는 자기 기록 매체가 또한 제공된다. 또한, 스퍼터 타겟 재료를 제조하는 방법도 제공된다. 상기 방법은 원소들의 조합을 포함하는 분말 재료를 채택할 수 있고, 크롬합금, 탄화물 또는 탄소함유 마스터 합금을 포함할 수 있다. 스퍼터 타겟, 크롬합금, 탄화물, 탄소함유, 분말 재료 | ||||||
| 86 | 중심에 보호층을 포함하는 스핀 주입기 장치 | KR1020147032281 | 2013-04-15 | KR1020150014929A | 2015-02-09 | 보웬마틴; 알로바니메바렉; 보카리새미; 뷰리페어에릭; 베버볼프강; 슐러패브리스; 졸리로익 |
| 다음의 단계를 포함하는 스핀 인젝터 장치(spin injector device)(30)의 제조 방법:
(a) 환경에 의한 산화 및/또는 오염을 방지하기 위하여, 금속 보호층(protection layer)(22)을 형성하는 단계로서, 상기 기판(10)의 표면(11)은 자성(magnetic) 및 전기전도성(electrically conductive)이고, 상기 보호층(22)은 반자성(diamagnetic) 또는 상자성(paramagnetic)이고; (b) 기판의 자성에 의하여 정의된 진폭 및 스핀 기준 좌표계(referential frame)에 따른 보호층(22) 및 상층(32) 사이의 경계면(interface)의 페르미 준위(Fermi level)의 부근의 전자적 상태의 스핀 바이어스(spin bias)를 증진시킬 수 있는 보호층(22) 위에 상층(upper layer)을 형성하는 단계로서, 상기 상층(32)는 하나 이상의 분자적 위치가 갖는 유기층이고, 반자성 모멘트(moment)인 보호층(22)와 접촉하고 있다. |
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| 87 | 강자성 그래핀 및 그를 구비한 스핀밸브 소자 | KR1020110052998 | 2011-06-01 | KR1020120134220A | 2012-12-12 | 이성훈 |
| PURPOSE: Ferromagnetic graphene and a spin valve element including the same are provided to convert a graphene region into a ferromagnetic region and to adjust the ferromagnetism of the ferromagnetic region. CONSTITUTION: Ferromagnetic graphene includes at least one antidot. The antidot is triangular or hexagonal. The hexagonal antidot includes three first sides of pre-determined lengths and three second sides of lengths are shorter than the lengths of the first sides. The first sides and the second sides are alternately arranged. The first sides and the second sides respectively include at least one zigzag edge. The triangular antidot includes a zigzag edge and an arm chair edge at each side. The aperture of the antidot region in the graphene is approximately 20-80%. The graphene includes successively connected first region, second region, and third region, and at least one antidot is respectively formed at the first region and the third region. Ferromagnetism appears in the first region and the third region. The second region is non-ferromagnetic. | ||||||
| 88 | 탄소함유 스퍼터 타겟 합금 조성물 | KR1020070005428 | 2007-01-17 | KR1020070012880A | 2007-01-29 | 지아니압델로우에햅; 레스랍마이클; 데리프랑소와씨. |
| A powder metallurgy method that manufactures a material of a sputter target for sputtering an underlayer of a magnetic recording medium is provided, where the sputter target is comprised of a carbon-containing chromium alloy composition which accomplishes desirable epitaxial growth for optimized match with a cobalt alloy thin film layer. A method of manufacturing a sputter target material comprises the steps of: (a) selecting powder materials of elements for an alloy system comprising Cr-C, or combinations of the elements therefor; (b) mixing the selected powder materials of the elements, or the combinations thereof to prepare an unconsolidated formulation for the alloy system; and (c) densifying the unconsolidated formulation to produce an uniform sputter target material, wherein the sputter target material comprises 0.5 to 20 at.% of C, and wherein the powder materials are selected to have at least a purity level, mesh size and particle morphology effective for the sputter target material. | ||||||
| 89 | 자기 유전기판, 회로 재료 및 이들을 갖는 어셈블리 | KR1020177029330 | 2016-03-17 | KR1020170139519A | 2017-12-19 | 세추마다반,무랄리; 혼,앨런에프.3세; 스프렌탈,칼에드워드; 화이트,마이클 |
| 자기유전기판은유전폴리머매트릭스및 상기유전폴리머매트릭스에분산된 500 MHz 초과주파수에서최적의자기및 유전특성을갖는동시에회로제작에최적의열기계적(thermomechanical) 및전기적특성을갖는유전기판용복수의헥사페라이트입자를포함한다. | ||||||
| 90 | 그라핀을 이용한 스핀밸브소자 및 그 제조방법과 스핀밸브소자를 포함하는 자성소자 | KR1020090128333 | 2009-12-21 | KR1020110071702A | 2011-06-29 | 허진성; 서순애; 우윤성; 정현종 |
| PURPOSE: A spin valve device using grapheme, a manufacturing method there, and a magnetic device including the spin valve device are provided to reduce electrical resistance with a very thin grapheme sheet or h-BN between a pinned layer and a free layer. CONSTITUTION: A spin valve device comprises a lower magnetic layer(LM1), an intermediate layer(60), and an upper magnetic layer(UM1). The lower magnetic layer successively comprises a seed layer(30), a pinning layer(40), and a pinned layer(50). The intermediate layer may be a graphene sheet or an h-BN(hexagonal Boron Nitride) sheet. The magnetization direction of the pinned layer is fixed to a given direction. The magnetization direction of a free layer(70) is freely changed by external magnetism or a spin polarization current. | ||||||
| 91 | 탄소함유 스퍼터 타겟 합금 조성물 | KR1020050090556 | 2005-09-28 | KR1020060057999A | 2006-05-29 | 지아니압델로우에햅; 레스랍마이클; 데리프랑소와씨. |
| 본 발명은 스퍼터 타겟 재료를 제공한다. 상기 스퍼터 타겟 재료는 Cr-C, Cr-MC 또는 Cr-M 1 -M 2 -C를 포함하는 합금계를 포함하며, 여기에서 C는 적어도 0.5에서 20원자%까지 포함되며; M은 적어도 0.5에서 20원자%까지 포함되고 Ti, V, Y, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이며; M 1 은 적어도 0.5에서 20원자%까지 포함되고 Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta 및 W로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이며, 그리고 M 2 는 적어도 0.5에서 10원자%까지 포함되고 Li, Mg, Al, Sc, Mn, Y 및 Te로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이다. 기판과 본 발명의 스퍼터 타겟 재료를 포함하는 적어도 하나의 하부층을 포함하는 자기 레코딩 미디엄이 또한 제공된다. 또한, 스퍼터 타겟 재료를 제조하는 방법도 제공된다. 상기 방법은 원소들의 조합을 포함하는 분말 재료를 채택할 수 있고, 크롬합금, 탄화물 또는 탄소함유 마스터 합금을 포함할 수 있다. 스퍼터 타겟, 크롬합금, 탄화물, 탄소함유, 분말 재료 | ||||||
| 92 | SOURCE DE COURANT POLARISEE EN SPINS | EP13715707.9 | 2013-04-15 | EP2839489B1 | 2018-09-26 | BOWEN, Martin; WEBER, Wolfgang; JOLY, Loïc; BEAUREPAIRE, Eric; SCHEURER, Fabrice; BOUKARI, Samy; ALOUANI, Mébarek |
| 93 | DISPOSITIF INJECTEUR DE SPINS COMPORTANT UNE COUCHE DE PROTECTION EN SON CENTRE | EP13715702.0 | 2013-04-15 | EP2839488B1 | 2018-09-26 | BOWEN, Martin; ALOUANI, Mébarek; BOUKARI, Samy; BEAUREPAIRE, Eric; WEBER, Wolfgang; SCHEURER, Fabrice; JOLY, Loïc |
| 94 | DISPOSITIF INJECTEUR DE SPINS COMPORTANT UNE COUCHE DE PROTECTION EN SON CENTRE | EP13715702.0 | 2013-04-15 | EP2839488A1 | 2015-02-25 | BOWEN, Martin; ALOUANI, Mébarek; BOUKARI, Samy; BEAUREPAIRE, Eric; WEBER, Wolfgang; SCHEURER, Fabrice; JOLY, Loïc |
| The invention relates to a method for producing a spin injector device (30), comprising the following steps: a) formation of a metal protection layer (22) on a surface (11) of a substrate (10) such as to limit or prevent the oxidation and/or contamination of the surface by its environment, said surface being magnetic and electroconductive, the protection layer being naturally diamagnetic or paramagnetic; and b) formation of an upper layer (32) on the protection layer, which can stimulate a spin polarization, at close to the Fermi level, of the electronic states of the interface between the protection layer and the upper layer using an amplitude and a spin referential defined by the magnetism of the substrate and/or of the surface of the substrate, the upper layer being an organic layer and at least one of the molecular sites of said organic layer having a paramagnetic moment upon contact with the protection layer. | ||||||
| 95 | Magnetic devices usin composite magnetic components | EP05425014.7 | 2005-01-14 | EP1681687B1 | 2008-03-26 | Perlo, Piero; Pullini, Daniele; Martorana, Brunetto; Zvezdine, Kostantin |
| 96 | Carbon containing sputter target alloy compositions | EP07001965.8 | 2005-08-25 | EP1780300A3 | 2008-03-05 | Ziani, Abdelouahab; Dary, Francois C.; Lathrop, Michael |
The invention provides a sputter target material. The sputter target material comprises an alloy system comprising homogeneous, densified Cr-Ti-C, wherein Ti comprises at least 0.5 and as much as 20 atomic percent, and C comprises at least 0.5 and as much as 20 atomic percent. A magnetic recording medium comprising a substrate and at least an underlayer comprising the sputter target material of the invention also is provided. A method of manufacturing a sputter target material further provided. The method can employ powder materials comprising a combination of elements can include a chromium alloy, a carbide or carbon containing master alloy.
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| 97 | Carbon containing sputter target alloy compositions | EP07001965.8 | 2005-08-25 | EP1780300A2 | 2007-05-02 | Ziani, Abdelouahab; Dary, Francois C.; Lathrop, Michael |
The invention provides a sputter target material. The sputter target material comprises an alloy system comprising homogeneous, densified Cr-Ti-C, wherein Ti comprises at least 0.5 and as much as 20 atomic percent, and C comprises at least 0.5 and as much as 20 atomic percent. A magnetic recording medium comprising a substrate and at least an underlayer comprising the sputter target material of the invention also is provided. A method of manufacturing a sputter target material further provided. The method can employ powder materials comprising a combination of elements can include a chromium alloy, a carbide or carbon containing master alloy.
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| 98 | A SPINTRONIC DEVICE HAVING A CARBON NANOTUBE ARRAY-BASED SPACER LAYER AND METHOD OF FORMING SAME | EP05807396.6 | 2005-03-22 | EP1735821A2 | 2006-12-27 | EPSTEIN, Arthur, J.; ETZKORN, Stephen, J. |
| This invention relates to spintronic devices -- and electronic devices comprising them, such as spin valves, spin tunnel junctions and spin transistors -- which utilize a layer comprised of an array of aligned carbon nanontubes. A spintronic device includes, a bottom electrode, a first ferromagnetic layer, a CNT array, a second ferromagnetic layer and a top electrode. | ||||||
| 99 | Composite magnetic component and magnetic devices | EP05425014.7 | 2005-01-14 | EP1681687A1 | 2006-07-19 | Perlo, Piero; Pullini, Daniele; Martorana, Brunetto; Zvezdine, Kostantin |
A composite magnetic component, comprising a body made of non-magnetic material (2), in which an organized arrangement of elementary magnetic elements (4) is englobed, is used for producing magnetic devices of various types, for example springs-shock absorbers, push-pull devices, and high-efficiency movement devices in general.
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| 100 | PROCESS FOR OBTAINING SPATIALLY-ORGANISED NANOSTRUCTURES ON THIN FILMS | EP03812168.7 | 2003-12-02 | EP1569866A2 | 2005-09-07 | Biscarini, Fabio; Cavallini, Massimiliano; Leigh, David A.; Zerbetto, Francesco |
| A process for forming nanostructures comprising the step of applying on localised regions of a smooth thin film of bistable or multistable molecules an external perturbation with preset magnitude thereby said film undergoes a collective morphological transformation and nanostructures are formed by selforganisation of said molecules, said nanostructures having preset number, size, interspacing and shape. The nanostructures can be used as storage medium in storage devices. | ||||||
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