子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 闪烁体用石榴石型晶体和使用该石榴石型晶体的放射线检测器 | CN201280007244.1 | 2012-01-27 | CN103380194A | 2013-10-30 | 吉川彰; 柳田健之; 镰田圭; 佐藤浩树; 堤浩辅; 远藤贵范; 伊藤繁记 |
| 本发明的闪烁体用石榴石型晶体，其通过下述的通式（1）、通式（2）或通式（3）表示。通式（1）：Gd3-x-yCexREyAl5-zGazO12（1）（式（1）中，0.0001≤x≤0.15，0≤y≤0.1，2＜z≤4.5，RE是选自Y、Yb以及Lu中的至少一种）；通式（2）：Gd3-a-bCeaLubAl5-cGacO12（2）（式（2）中，0.0001≤a≤0.15，0.1＜b≤3，2＜c≤4.5）；或通式（3）：Gd3-p-qCerRE’qAl5-rGarO12（3）（式（3）中，0.0001≤p≤0.15，0.1＜q≤3，1＜r≤4.5；RE’是Y或Yb）。 | ||||||
| 22 | 闪烁器面板 | CN201180066055.7 | 2011-10-21 | CN103339684A | 2013-10-02 | 须山敏康; 杉山元胤 |
| 本发明的闪烁器面板（1）是响应于透过了对象物（A）的放射线的入射而使闪烁光放射的平板状的构件，在对闪烁光进行聚光并摄像的图像取得装置所使用的闪烁器面板中，具备：使放射线透过的平面状的隔板（2）、配置在隔板（2）的一个面（2a）上且将放射线变换成闪烁光的平板状的闪烁器（3）、以及配置在隔板（2）的另一面（2b）上，将放射线变换成闪烁光的平板状的闪烁器（4）。 | ||||||
| 23 | X射线检测器用增光纸、X射线检测器、以及X射线检查装置 | CN201280000323.X | 2012-01-19 | CN103140898A | 2013-06-05 | 小柳津英二; 齐藤昭久; 足达祥卓; 森本一光 |
| 实施方式的X射线检测器(6)具备：设在检测器主体(9)的入射部(9a)的透射式荧光产生部(11)；以及设在检测器主体的除了入射部(9a)的部分(9b)的反射式荧光产生部(13)。透射式荧光产生部(11)及反射式荧光产生部(13)具备如下两种增光纸中的至少一种：一种增光纸包括含有具有中心粒径的±30％以内的粒径的粒子比率为体积的45％以上的镨活化氧硫化钆荧光体粒子、其填充率为体积的60％以上的荧光体层；另一种增光纸包括含有具有中心粒径的±30％以内的粒径的粒子比率为体积的45％以上的铕活化氟化氯化钡荧光体粒子、其填充率为体积的45％以上的荧光体层。 | ||||||
| 24 | 辐射存储荧光体及其应用 | CN200580047953.2 | 2005-12-16 | CN101124296B | 2013-04-17 | H·里森; W·A·卡克兹马雷克 |
| 本发明涉及光激励存储荧光体，该光激励存储荧光体包括至少一种+3价氧化态稀土元素，其中一旦受到X射线、γ射线或紫外线辐射，+3价氧化态降阶为+2价氧化态。本发明还涉及包括本发明的荧光体的放射量测定器和辐射图像存储面板，以及包括科学、医学以及其他成像应用的放射量测定应用。本发明还涉及制备光激励存储荧光体的方法以及记录和再现图像的方法。 | ||||||
| 25 | 闪烁体材料及闪烁检测器 | CN201180029633.X | 2011-06-17 | CN102959038A | 2013-03-06 | 加纳正孝; 若宫章; 山之井航平; 清水俊彦; 猿仓信彦; E·迪尔克; 福田承生 |
| 一种闪烁体材料，由在以C面为主面的板状氧化锌的籽晶的+C面上或-C面上结晶成长的氧化锌单晶构成，所述氧化锌单晶中含有In和Li。该闪烁体材料因放射线的入射而发出荧光寿命低于20ps的荧光。 | ||||||
| 26 | 闪烁器面板以及放射线图像传感器 | CN201180027608.8 | 2011-05-16 | CN102934172A | 2013-02-13 | 外山真太郎; 楠山泰; 山下雅典; 大泽弘武; 式田宗功 |
| 本发明提供一种能够容易变更在制造时的特性的闪烁器面板（1）以及放射线图像传感器（10）。闪烁器面板（1）具备：具有放射线入射面（3a）的闪烁器（3）；相对于闪烁器（3）被配置于入射面（3a）的相反侧并传播由闪烁器（3）所产生的光的光学纤维板FOP（2）；以及树脂层（5），相对于闪烁器（3）在入射面（3a）侧由含有颜色材料的树脂形成，并进行由闪烁器（3）所产生的光的吸收和反射的至少一种。 | ||||||
| 27 | 烧结立方卤化物闪烁体材料及其制造方法 | CN200780010451.1 | 2007-01-29 | CN101410346B | 2013-02-13 | 瑟吉奥·P·马丁斯劳里罗; 文卡特·S·文卡塔拉马尼; 卢卡斯·克拉克; 凯文·P·麦克沃伊; 卡尔·J·维斯; 托马斯·麦克纳尔蒂; 斯蒂文·J·达克洛斯; 阿德里安·伊凡; 帕特里夏·A·哈伯德 |
| 一种制造立方卤化物闪烁体材料的方法。该方法包括在有效提供脉冲高度分辨率为约7％-约20％的多晶烧结立方卤化物闪烁体的压力、温度、停留时间和颗粒尺寸条件下，压制立方卤化物和至少一种活化剂的粉末混合物。所述条件包括：从约为环境温度至最高为立方卤化物熔点的约90％的温度，约30,000psi-约200,000psi的压力、约5分钟-约120分钟的压制停留时间以及约60微米-约275微米的立方卤化物平均颗粒尺寸。 | ||||||
| 28 | 含Pr的闪烁体用单晶及其制造方法和放射线检测器以及检查装置 | CN201210270265.4 | 2005-11-07 | CN102888653A | 2013-01-23 | 吉川彰; 荻野拓; 镰田圭; 青木谦治; 福田承生 |
| 本发明提供一种用于X射线CT、放射线透过检查装置的，具有极高发光量的氧化物闪烁体单晶，具体地说，提供含Pr的柘榴石型氧化物单晶、含Pr的钙钛矿型氧化物单晶以及含Pr的硅酸盐氧化物单晶，其特征在于，它们均能够检测出被推测为伴随Pr的5d－4f之间的迁移而引起的发光。 | ||||||
| 29 | 增强铈掺杂正硅酸钇镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体 | CN200580006294.8 | 2005-01-05 | CN1926218B | 2012-12-19 | B·柴 |
| 增强铈掺杂正硅酸钇镥(LYSO)单晶体响应高能辐照的光输出的方法，包括通过在含氧环境中加热晶体一段时间将氧扩散到晶体中。这种晶体的热氧化方法可有效提供氧填充LYSO单晶体中的至少一些氧空位。闪烁检测器包含通过在晶体中扩散氧增强的LYSO单晶体。 | ||||||
| 30 | 辐射探测用的氯化物闪烁体 | CN201110159256.3 | 2011-05-10 | CN102286286A | 2011-12-21 | M·朱拉夫勒瓦; K·杨; C·L·梅彻尔; P·斯祖伊茨恩斯基 |
| 本发明涉及辐射探测用的氯化物闪烁体。具体地，本公开内容在一个方案中，公开了具有式A3MCl6组成的单晶氯化物闪烁体材料，其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成，而M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。在另一方案中，氯化物闪烁体材料是单晶且具有式AM2Cl7的组成，其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成，而M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。这些闪烁体材料的特殊实例包括单晶Cs3CeCl6、CsCe2Cl7、Ce掺杂的KGd2Cl7(KGd2(1-x)Ce2xCl7)和Ce掺杂的CsGd2Cl7(CsGd2(1-x)Ce2xCl7)。在进一步的方案中，能够利用Bridgman方法生长从起始氯化物合成的氯化物闪烁体材料化合物的单晶。 | ||||||
| 31 | 闪烁装置以及用于生产陶瓷闪烁体本体的方法 | CN200980152563.X | 2009-12-24 | CN102265183A | 2011-11-30 | B·C·拉克色; A·B·哈迪; H·莱特; Q·陈; X·彭 |
| 一种闪烁装置包括一个陶瓷闪烁体本体，该本体包括一种含钆的多晶的陶瓷闪烁材料。该多晶的陶瓷闪烁材料的特征为一种烧绿石结晶学结构。一种用于制备陶瓷闪烁体本体的方法包括制备含有一种稀土元素前体、一种铪前体和一种活化剂(Ac)前体的一种前体溶液。该方法还包括从该溶液中得到一种沉淀物并且煅烧该沉淀物以生产一种多晶的陶瓷闪烁材料，该闪烁材料包括该稀土元素、铪、以及该活化剂，并且具有一种烧绿石结构。 | ||||||
| 32 | 辐射检测器以及用于制造辐射检测器的方法 | CN201110159344.3 | 2011-05-16 | CN102243317A | 2011-11-16 | 迈克尔·米斯; 斯蒂芬·沃思 |
| 本发明涉及一种辐射检测器(1)，包括闪烁器(2)，其带有用于分开彼此并排设置的闪烁器元件(4)的间隔(3)；以及包括准直器(5)，其带有用于构成侧面包围辐射通道的隔板(6)，其中该隔板(6)为了避免相邻闪烁器元件(4)之间的串扰而被设置在间隔(3)内。由此，在同时简单的结构和高的机械稳定性的条件下，极为有效地抑制了相邻的像素之间的通过光或者二次量子引起的串扰，其结果能够提高辐射检测器(1)的位置分别率和量子效率。此外，本发明涉及一种用于制造这样的辐射检测器(1)的方法。 | ||||||
| 33 | 获得用于具有非常短余辉的CT的Gd2O2S:Pr的方法 | CN200680013000.9 | 2006-04-13 | CN101163774B | 2011-09-07 | C·R·朗达; G·泽特勒; D·沃多; H·韦科雷克; H·施赖尼马彻 |
| 本发明涉及具有非常短余辉的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其中M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，Gd2O2S:M荧光陶瓷材料进一步包括：铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。 | ||||||
| 34 | 闪烁材料 | CN200980130526.9 | 2009-07-14 | CN102137913A | 2011-07-27 | C·龙达; H·施赖讷马赫尔; G·蔡特勒; N·康拉茨; S·莱韦内 |
| 本发明提供主晶格改性的GOS闪烁材料和主晶格改性的GOS闪烁材料的使用方法。所述的主晶格改性的GOS闪烁材料具有比常规的GOS闪烁材料更短的余辉。此外，本发明还提供包括主晶格改性的GOS闪烁材料的辐射检测器和成像装置。可将滤光片与所述GOS闪烁材料联合使用。 | ||||||
| 35 | 闪烁器、闪烁器的制造方法以及放射线检测器 | CN200980116517.4 | 2009-03-13 | CN102017010A | 2011-04-13 | 森谷隆广; 山下贵司; 挂川诚 |
| 本发明的放射线检测器，其特征在于：具备包含多个改质区域(21)的闪烁器(2A)以及与闪烁器(2A)的表面进行光学结合的多个光检测器或者位置检测型光检测器。多个改质区域(21)通过将激光照射至成为闪烁器(2A)的结晶块的内部而形成，在闪烁器(2A)的内部具有与周围不同的折射率且以三维进行散布。 | ||||||
| 36 | 中子检测用闪烁体和中子检测装置 | CN200980105899.0 | 2009-03-17 | CN101945974A | 2011-01-12 | 吉川彰; 柳田健之; 福田健太郎; 石津澄人; 河口范明; 须山敏尚 |
| 本发明提供一种对于中子射线的灵敏度高、且来源于γ射线的背景噪音少的中子检测用闪烁体。一种中子检测用闪烁体，其由以LiCaAlF6、LiSrAlF6、LiYF4等为代表的金属氟化物结晶构成，该金属氟化物结晶含有钙、铝、钇等II价以上的金属；锂；和氟作为构成元素，每单位体积含有1.1～20原子(atom/nm3)的6Li，有效原子序数为10～40，含有铈、镨、铕等镧系元素。 | ||||||
| 37 | 荧光材料及采用该荧光材料的闪烁器和放射线检测器 | CN200880003871.1 | 2008-02-04 | CN101617023A | 2009-12-30 | 中村良平; 上田俊介 |
| 本发明提供一种在放射线检测器中，发光强度高、且停止照射X射线后经1～10ms短时间后残光小的荧光材料。以Ce作为发光元素，至少包含Gd、Al、Ga、O及Fe，M为Mg、Ti、Ni中的至少一种，可以用下述通式表示。(Gd1－x－zLuxCez)3+a(Al1－u－sGauScs)5－aO12，其中0≤a≤0.15，0≤x≤0.5，0.0003≤z≤0.0167，0.2≤u≤0.6，0≤s≤0.1，Fe、M的浓度为：0.05≤Fe浓度质量ppm≤1，0≤M浓度质量ppm≤50。 | ||||||
| 38 | 闪烁体组合物及其制备方法 | CN200710194499.4 | 2007-12-04 | CN101200639A | 2008-06-18 | A·M·斯里瓦斯塔瓦; S·J·杜克洛斯; H·A·科曼佐; S·P·M·洛雷罗 |
| 本发明公开了一种含有与卤化铈和/或卤化镨相混合的前闪烁体组合物的闪烁体组合物。所述闪烁体组合物包含与卤化铈和/或卤化镨相混合并且最后加以烧制的前闪烁体组合物的固溶体。本发明也公开了所述闪烁体组合物的制备方法。 | ||||||
| 39 | 放射线图像转换板及其制法 | CN200580041094.6 | 2005-11-29 | CN101069243A | 2007-11-07 | 工藤伸司; 庄子武彦 |
| 本发明涉及放射线图像转换板的制造方法，其包括：通过气相沉积法在规定的基板上形成辉尽性荧光体层的荧光体板形成工序、在卤化溶剂的气体氛围气下加热上述荧光体板的加热工序、在上述加热工序之后，将上述荧光体板配置在2片树脂制的膜之间，对上述各膜的周边部分施加最低热封温度150℃以上的热将上述各膜的周边部分彼此加热/熔合的热封工序。 | ||||||
| 40 | 闪烁体组合物以及相关制造方法和制品 | CN200610064013.0 | 2006-12-20 | CN101016454A | 2007-08-15 | A·M·斯里瓦斯塔瓦; S·J·杜克洛斯; L·L·克拉克; H·A·科曼佐; Q·邓 |
| 本发明描述了一种基于某种镧系元素卤化物基体材料的闪烁体材料。其中一个实施方式中，该基体材料包括镧系元素卤化物的混合物，即至少两种所述卤化物的固溶液，例如氯化镧和溴化镧。另外一个实施方式中，该基体材料基于单独的碘化镧，其必须基本不含碘氧化镧。该闪烁体材料可以是单晶体或者多晶体的形式，其还包括用于该基体材料的活化剂，比如铈。为了进一步改进这些卤化物闪烁体的阻止本领和闪烁效率，公开了向其中添加铋。本发明还描述了利用该闪烁体的辐射探测器，以及探测高能辐射的相关方法。 | ||||||
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