子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 放射线图像检测装置及放射线图像摄影系统 | CN201380005165.1 | 2013-02-05 | CN104040373A | 2014-09-10 | 细井雄一; 中津雅治; 弘中孝史; 能村英幸; 中津川晴康 |
| 放射线图像摄影系统具备放射线源和放射线图像检测装置。放射线图像检测装置从放射线的入射侧起依次配置有固体检测器和波长转换层。波长转换层具有：第一荧光体粒子分散于粘合剂而得到的第一荧光体层及平均粒径比第一荧光体粒子小的第二荧光体粒子分散于粘合剂而得到的第二荧光体层。第一荧光体层配置于比第二荧光体层靠固体检测器侧，并且接合或压靠于固体检测器。第一及第二荧光体层每单位厚度的粘合剂的重量以朝向固体检测器侧逐渐地变小的方式分布。 | ||||||
| 82 | 浸入式中子成像设备以及使用所述设备的成像方法 | CN201280057140.1 | 2012-11-21 | CN103946338A | 2014-07-23 | E·西蒙 |
| 本发明涉及一种浸入在包含分析物的环境中的用于中子成像的设备，其特征在于，其包括第一转换器，所述第一转换器包括能够将热中子辐射转换为剩余贝塔辐射的第一材料，以及第二转换器，所述第二转换器包括能够将剩余贝塔辐射转换为光辐射的第二材料，所述第二转换器与所述第一转换器接触。本发明还涉及使用所述设备的浸入式中子成像方法。 | ||||||
| 83 | 固体闪烁体及使用该固体闪烁体的电子束检测器 | CN201280045309.1 | 2012-10-26 | CN103842471A | 2014-06-04 | 森本一光; 足达祥卓; 齐藤昭久; 小柳津英二; 丰岛正规 |
| 本发明提供了在含有稀土氧化物烧结体的固体闪烁体中，该固体闪烁体的光输出从最大值变为该最大值的1/e需要的时间，即余辉时间为200ns以下的固体闪烁体。所述稀土氧化物烧结体优选具有由下述通式（1）表示的组成：[化1]LnaXbOc：Ce（1）（式中，Ln为选自Y、Gd及Lu的一种以上的元素，X为选自Si、Al及B的一种以上的元素，a、b及c满足1≤a≤5、0.9≤b≤6、2.5≤c≤13）。 | ||||||
| 84 | 辐射成像系统 | CN201280038351.0 | 2012-08-02 | CN103826540A | 2014-05-28 | 张铉晳 |
| 公开了一种辐射成像系统，其包含：辐射转换器层；位于辐射转换器层上的顶部电极；和电耦合至辐射转换器层的像素单元阵列，其中所述辐射转换器层包含：有机基质，其包含电荷传递材料(CTM)；和用于吸收辐射的闪烁粒子，其被分散在有机基质中，其中闪烁粒子与电荷产生材料(CGM)接触。 | ||||||
| 85 | 间接方式的闪烁体面板及其制造方法 | CN201310453419.8 | 2013-09-29 | CN103778988A | 2014-05-07 | 许闰成; 洪兑权; 韩基烈 |
| 本发明涉及间接方式的闪烁体面板及其制造方法，包括基板、反射层、闪烁体层、透射用氧化物层。基板透射X光。反射层是在基板上形成，透射X光，反射可视光线。闪烁体层是在反射层上形成，将X光转换成可视光线。氧化物层密封住闪烁体层，透射可视光线，阻断湿气透过。 | ||||||
| 86 | 基于铽的探测器闪烁体 | CN201280037639.6 | 2012-07-03 | CN103718063A | 2014-04-09 | C·R·龙达; N·康拉茨; H·奥兰德; H·施赖讷马赫尔 |
| 一种成像系统（100）包括辐射源（110）和辐射敏感探测器阵列（116），所述辐射敏感探测器阵列包括闪烁体阵列（118）和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列（120），其中，所述闪烁体阵列包括Gd2O2S：Pr，Tb，Ce。一种方法，包括利用成像系统（100）的辐射敏感探测器阵列（116）探测辐射，其中，所述辐射敏感探测器阵列包括基于Gd2O2S：Pr，Tb，Ce的闪烁体阵列（118）。一种辐射敏感探测器阵列（116）包括闪烁体阵列（118）和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列（120），其中，所述闪烁体阵列包括Gd2O2S：Pr，Tb，Ce，并且Gd2O2S：Pr，Tb，Ce中Tb3+的量等于或小于200摩尔百万分率。 | ||||||
| 87 | 闪烁体、放射线检测装置及放射线检测方法 | CN201280011894.3 | 2012-04-02 | CN103403126A | 2013-11-20 | 福田健太郎; 河口范明; 吉川彰; 柳田健之; 横田有为 |
| 本发明的目的在于提供在高温环境下发光特性良好的高温环境用闪烁体以及高温环境下的放射线的测定方法。具体而言，本发明涉及一种高温环境用闪烁体以及使用该闪烁体的高温环境下的放射线测定方法，该高温环境用闪烁体是以LiCaAlF6等为代表的、用化学式LiM1M2X6表示的氟铝酸钙锂型晶体，并且根据需要含有Ce、Eu等镧系元素，其中，M1是选自Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种碱土金属元素，M2是选自Al、Ga和Sc中的至少一种金属元素，X是选自F、Cl、Br和I中的至少一种卤素元素。 | ||||||
| 88 | 用于CT应用中的Gd2O2S材料 | CN200980128751.9 | 2009-07-13 | CN102105557B | 2013-11-13 | C·R·龙达; G·蔡特勒; H·施赖讷马赫尔; N·康拉茨; D·U·维歇特 |
| 本发明涉及用于CT应用中的Gd2O2S材料。具体地说，本发明涉及Gd2O2S:Nd荧光材料以及Nd3+在合适的材料中作为发射体的用途。 | ||||||
| 89 | 放射线图像变换面板及其制造方法和放射线图像检测装置 | CN201180063137.6 | 2011-05-30 | CN103282968A | 2013-09-04 | 金子泰久; 中津川晴康; 佐藤圭一郎; 北田信; 三浦圭 |
| 为了提高放射线图像变换面板的特性，在图像变换面板2中，设置有支持体11和荧光体18，该荧光体18形成在该支持体上并且包含由于放射线曝光发出荧光的荧光物质。荧光体包括柱状部34和非柱状部36，该柱状部34由通过荧光物质的晶体的柱状生长而形成的柱状晶体的群而形成。该柱状部和非柱状部被一体化地形成以在所述柱状晶体的晶体生长方向上重叠，并且在该非柱状部的柱状部侧处的孔隙率高于在该非柱状部的支持体侧处的孔隙率。 | ||||||
| 90 | 密闭地密封的辐射检测器和制作方法 | CN201210317543.7 | 2012-08-31 | CN103091697A | 2013-05-08 | J.J.肖; C.P.加里甘 |
| 本发明的名称是“密闭地密封的辐射检测器和制作方法”。本文公开包含X线面板（102）和放置于X线面板（102）的第一表面上的闪烁体层（104）的平板X线检测器（100）。平板X线检测器（100）还包含覆盖闪烁体层（104）的密闭盖（108）。密闭盖（104）包含顶面（108-1）和从顶面（108-1）伸出的至少一个侧壁（108-2）。平板X线检测器（100）还包含放置于密闭盖（108）与X线面板（102）之间的焊料密封物（110）。侧壁（108-2）的边缘大体上嵌入到焊料密封物（110）中，以致边缘不直接接触X线面板（102）。还公开了用于制作平板X线检测器（100）的方法。 | ||||||
| 91 | 闪烁器面板和放射线图像传感器 | CN201180027617.7 | 2011-05-16 | CN102934173A | 2013-02-13 | 外山真太郎; 楠山泰; 山下雅典; 大泽弘武; 式田宗功 |
| 提供能够谋求高分辨率化和高辉度化的闪烁器面板（1）以及放射线图像传感器（10）。闪烁器面板（1）具备：放射线透过基板（3），具有放射线的入射面（3a）和出射面（3b），并使放射线透过；闪烁器（4），由在出射面（3b）上结晶生长而成的多个柱状体构成，通过放射线的入射而产生光；FOP（6），相对于闪烁器（4）配置在与出射面（3b）的相反侧，使在闪烁器（4）产生的光传播；以及两面胶带（5），设置在闪烁器（4）与FOP（6）之间，将闪烁器（4）和FOP（6）粘结固定，并且使在闪烁器（4）产生的光透过。 | ||||||
| 92 | 含Pr的闪烁体用单晶及其制造方法和放射线检测器以及检查装置 | CN201210270147.3 | 2005-11-07 | CN102888652A | 2013-01-23 | 吉川彰; 荻野拓; 镰田圭; 青木谦治; 福田承生 |
| 本发明提供一种用于X射线CT、放射线透过检查装置的，具有极高发光量的氧化物闪烁体单晶，具体地说，提供含Pr的柘榴石型氧化物单晶、含Pr的钙钛矿型氧化物单晶以及含Pr的硅酸盐氧化物单晶，其特征在于，它们均能够检测出被推测为伴随Pr的5d－4f之间的迁移而引起的发光。 | ||||||
| 93 | 闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法 | CN201210143595.7 | 2012-05-08 | CN102779565A | 2012-11-14 | 鞠润奉; 洪兑权; 宋在福 |
| 本发明披露了一种闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法。本发明的闪烁体面板包括基底，在该基底上形成的并且包括多个柱状晶体的闪烁体层，以使辐射转化成预定波长的光，在该基底上形成的挡板结构用来与该闪烁体层的周围边缘分隔开预定间隔，在该闪烁体层表面、该闪烁体层与该挡板结构之间限定的基底的表面以及该挡板结构表面的一部分上形成的保护层，在该保护层上形成的第一涂层位于该闪烁体层外周表面与该挡板结构之间的空间中；以及在该第一涂层和保护层上形成的第二涂层。 | ||||||
| 94 | 闪烁体组合物以及相关制造方法和制品 | CN200610064013.0 | 2006-12-20 | CN101016454B | 2012-11-14 | A·M·斯里瓦斯塔瓦; S·J·杜克洛斯; L·L·克拉克; H·A·科曼佐; Q·邓 |
| 闪烁体组合物以及相关制造方法和制品，本发明描述了一种基于某种镧系元素卤化物基体材料的闪烁体材料。其中一个实施方式中，该基体材料包括镧系元素卤化物的混合物，即至少两种所述卤化物的固溶液，例如氯化镧和溴化镧。另外一个实施方式中，该基体材料基于单独的碘化镧，其必须基本不含碘氧化镧。该闪烁体材料可以是单晶体或者多晶体的形式，其还包括用于该基体材料的活化剂，比如铈。为了进一步改进这些卤化物闪烁体的阻止本领和闪烁效率，公开了向其中添加铋。本发明还描述了利用该闪烁体的辐射探测器，以及探测高能辐射的相关方法。 | ||||||
| 95 | 发光材料板 | CN201210130451.8 | 2012-04-28 | CN102760506A | 2012-10-31 | M.富克斯; K.洛瓦克 |
| 本发明涉及发光材料板，其具有基底(1)和位于其上的附加层(2)，在所述附加层(2)上涂覆有发光材料层，其中所述附加层(2)以如下方式格栅化，由此通过沟槽(3-7)生成分离的突起(8)，形成发光材料层的发光材料的发光材料针状物生成在突起(8)的表面上，其中第一突起(8)形成第一结构，第二突起(9)形成几何上不同于第一结构的第二结构，并且所述第二结构设置在第一结构之间。这种发光材料板即使在厚度大的发光材料层时也具有好的成像质量。 | ||||||
| 96 | 放射线检测器及其制造方法 | CN201080052460.9 | 2010-12-15 | CN102667525A | 2012-09-12 | 榛叶勇一; 本间克久 |
| 本发明提供一种能改善具有光电转换元件的阵列基板与闪烁体层的密合力、不易发生由闪烁体层的剥离引起的特性劣化、可靠性高的放射线检测器。放射线检测器(11)包括：阵列基板(12)，该阵列基板(12)在基板上具有将荧光转换成电信号的光电转换元件(21)，并且在基板的最表层形成有保护膜(26)；基于CsI的闪烁体层(13)，该闪烁体层(13)设置于保护膜(26)上，将入射的放射线转换成荧光；反射层(14)，该反射层(14)设置于闪烁体层(13)上，使来自闪烁体层(13)的荧光向阵列基板(12)侧反射；其特征在于，由作为热塑性树脂的丙烯酸类有机树脂材料形成保护膜(26)。 | ||||||
| 97 | 卤化铈的闪烁体组合物、相关制品和方法 | CN200610051589.3 | 2006-03-06 | CN1834201B | 2012-06-13 | A·M·斯里瓦斯塔瓦; S·J·杜克洛斯; H·A·科曼佐; Q·邓; L·L·克拉克 |
| 卤化铈的闪烁体组合物、相关制品和方法。本发明公开了包括至少两种卤化铈的固溶体的闪烁体组合物。本发明还公开了用于探测高能辐射的辐射探测器。该探测器包括上述闪烁体组合物，以及光耦合到所述闪烁体上的光探测器。还公开了用闪烁探测器探测高能辐射的方法，其中所述闪烁晶体基于卤化铈的混合物。 | ||||||
| 98 | 闪烁装置以及用于生产陶瓷闪烁体本体的方法 | CN200980151435.3 | 2009-12-24 | CN102326097A | 2012-01-18 | A·B·哈迪; Q·陈; X·彭; N·派特尼; B·维阿纳; A·坎-哈拉利 |
| 一种闪烁装置，包括一个独立式陶瓷闪烁体本体，该闪烁体本体包括一种多晶的陶瓷闪烁材料，该闪烁材料包括一种稀土元素，其中，该多晶的陶瓷闪烁材料实质上的特征为一种阳离子不足的钙钛矿结构。一种用于生产独立式陶瓷闪烁体本体的方法包括：制备含一种稀土元素前体、一种铪前体和一种活化剂(Ac)前体的一种前体溶液，从该溶液得到一种沉淀物，并且煅烧该沉淀物以得到一种多晶的陶瓷闪烁材料，该闪烁材料包括一种掺杂有该活化剂的稀土铪酸盐并且具有一种阳离子不足的钙钛矿结构。 | ||||||
| 99 | 单晶闪烁体材料及其制造方法、放射线检测器和PET装置 | CN200980138423.7 | 2009-09-28 | CN102165107A | 2011-08-24 | 奥田裕之; 冈本直之; 伊藤进朗 |
| 本发明的单晶闪烁体材料的制造方法包括：在含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂中混合Ce化合物和Lu化合物，在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使上述化合物熔融的工序；和通过对熔融的上述化合物进行冷却，使组成式(CexLu1-x)BO3所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。 | ||||||
| 100 | 闪烁体板 | CN200910139692.7 | 2009-07-02 | CN101630010A | 2010-01-20 | 马丁·霍海塞尔; 克劳斯·洛瓦克 |
| 本发明涉及一种具有允许射线透射的基片(2)的闪烁体板(1)，在所述基片(2)上敷设了闪烁体层(3)，其中所述基片(2)由蜂窝式金属材料组成，并具有光滑、封闭的外表面。这种闪烁体板(1)兼具良好的射线透射性和较高的机械稳定性。 | ||||||
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