| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 用于生成光的陶瓷材料 | CN201580051645.0 | 2015-09-15 | CN107076863A | 2017-08-18 | H·K·维乔雷克; J·G·博尔里坎普; D·比特纳; A-M·A·范东恩; W·C·科尔; C·R·龙达; S·J·M·P·斯普尔; A·维尔特罗斯卡; O·J·维默斯 |
| 本发明涉及一种用于在被用辐射进行辐照时生成光的陶瓷材料(14)。其中，所述陶瓷材料包括具有不同组分和/或不同掺杂物的层的堆叠(15、16)。所述陶瓷材料可以被使用在谱计算机断层摄影(CT)探测器中，以便在谱方面探测X射线，或者所述陶瓷材料可以被用作激光器的陶瓷增益介质，使得能够减小增益介质内的温度梯度和对应的热机械应力。 | ||||||
| 2 | 放射线图像变换面板及其制造方法和放射线图像检测装置 | CN201180063137.6 | 2011-05-30 | CN103282968B | 2016-05-25 | 金子泰久; 中津川晴康; 佐藤圭一郎; 北田信; 三浦圭 |
| 为了提高放射线图像变换面板的特性，在图像变换面板2中，设置有支持体11和荧光体18，该荧光体18形成在该支持体上并且包含由于放射线曝光发出荧光的荧光物质。荧光体包括柱状部34和非柱状部36，该柱状部34由通过荧光物质的晶体的柱状生长而形成的柱状晶体的群而形成。该柱状部和非柱状部被一体化地形成以在所述柱状晶体的晶体生长方向上重叠，并且在该非柱状部的柱状部侧处的孔隙率高于在该非柱状部的支持体侧处的孔隙率。 | ||||||
| 3 | 辐射探测用的氯化物闪烁体 | CN201110159256.3 | 2011-05-10 | CN102286286B | 2016-04-06 | M·朱拉夫勒瓦; K·杨; C·L·梅彻尔; P·斯祖伊茨恩斯基 |
| 本发明涉及辐射探测用的氯化物闪烁体。具体地，本公开内容在一个方案中，公开了具有式A3MCl6组成的单晶氯化物闪烁体材料，其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成，而M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。在另一方案中，氯化物闪烁体材料是单晶且具有式AM2Cl7的组成，其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成，而M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。这些闪烁体材料的特殊实例包括单晶Cs3CeCl6、CsCe2Cl7、Ce掺杂的KGd2Cl7(KGd2(1-x)Ce2xCl7)和Ce掺杂的CsGd2Cl7(CsGd2(1-x)Ce2xCl7)。在进一步的方案中，能够利用Bridgman方法生长从起始氯化物合成的氯化物闪烁体材料化合物的单晶。 | ||||||
| 4 | 闪烁体及其制造方法 | CN201510423954.8 | 2012-08-17 | CN105062477A | 2015-11-18 | 户塚大辅; 松本进; 吉川彰; 柳田健之 |
| 本发明涉及一种闪烁体及其制造方法，所述闪烁体是在以CsI(碘化铯)作为母体且含有铊(Tl)作为发光中心的结晶材料中掺混铋(Bi)而成的。本发明意在改善以CsI作为母体、其中掺混有铊的碘化铯：铊(CsI：Tl)的余辉特性。通过在这种以CsI(碘化铯)作为母体、含有铊(Tl)作为发光中心的结晶材料中掺混铋(Bi)，可以改善闪烁体的余辉特性。 | ||||||
| 5 | 固体闪烁体、放射线检测器及放射线检查装置 | CN201380014162.4 | 2013-03-14 | CN104169392A | 2014-11-26 | 林诚; 福田幸洋; 泽孝雄 |
| 本发明提供一种固体闪烁体，该实施方式的固体闪烁体(2)具备具有石榴石结构的氧化物多晶体。在固体闪烁体(2)中，波长680nm处的直线透过率为10％以上。构成固体闪烁体(2)的氧化物具有例如由通式：(Gd1-α-β-γTbαLuβCeγ)3(Al1-xGax)aOb(0＜α≤0.55，0＜β≤0.55，0.0001≤γ≤0.1，α+β+γ＜1，0＜x＜1，4.8≤a≤5.2，11.6≤b≤12.4)表示的组成。 | ||||||
| 6 | 用于辐射成像探测器的新型组合物和包含该组合物的辐射成像探测器 | CN201280038352.5 | 2012-08-02 | CN103827254A | 2014-05-28 | 张铉晳 |
| 公开了用于辐射成像探测器的新型组合物。该组合物包含：有机基质，其包含电荷传递材料(CTM)；和用于吸收辐射的闪烁粒子，其被分散在有机基质中，其中闪烁粒子与电荷产生材料(CGM)接触。 | ||||||
| 7 | 闪烁体 | CN201280039480.1 | 2012-08-17 | CN103732722A | 2014-04-16 | 户塚大辅; 松本进; 吉川彰; 柳田健之 |
| 本发明意在改善以CsI作为母体、其中掺混有铊的碘化铯：铊(CsI：Tl)的余辉特性。通过在这种以CsI(碘化铯)作为母体、含有铊(Tl)作为发光中心的结晶材料中掺混铋(Bi)，可以改善闪烁体的余辉特性。 | ||||||
| 8 | 具有相分离结构的闪烁体和使用闪烁体的放射线检测器 | CN201280036274.5 | 2012-07-27 | CN103687927A | 2014-03-26 | 大桥良太; 安居伸浩; 田透 |
| 提供一种用于X射线CT扫描仪等中的放射线检测的闪烁体，该闪烁体具有单向相分离结构，该单向相分离结构具有光学波导功能，这消除了形成用于防止串扰的间隔物的需要。闪烁体而不是间隔物等具有波导功能。该闪烁体包含：第一晶相，其包含具有单向性的多个柱晶；以及第二晶相，用于覆盖第一晶相的侧面。第一晶相包含钙钛矿型氧化物材料和作为发射中心的稀土元素，该钙钛矿型氧化物材料包含从由Lu和Gd组成的组中选择的至少一种元素。第一晶相通过放射线激励发光。 | ||||||
| 9 | 辐射存储荧光体及其应用 | CN201310090415.8 | 2005-12-16 | CN103396790A | 2013-11-20 | H·里森; W·A·卡克兹马雷克 |
| 本发明涉及光激励存储荧光体，该光激励存储荧光体包括至少一种+3价氧化态稀土元素，其中一旦受到X射线、γ射线或紫外线辐射，+3价氧化态降阶为+2价氧化态。本发明还涉及包括本发明的荧光体的放射量测定器和辐射图像存储面板，以及包括科学、医学以及其他成像应用的放射量测定应用。本发明还涉及制备光激励存储荧光体的方法以及记录和再现图像的方法。 | ||||||
| 10 | 荧光材料及采用该荧光材料的闪烁器和放射线检测器 | CN200880003871.1 | 2008-02-04 | CN101617023B | 2013-09-25 | 中村良平; 上田俊介 |
| 本发明提供一种在放射线检测器中，发光强度高、且停止照射X射线后经1～10ms短时间后残光小的荧光材料。以Ce作为发光元素，至少包含Gd、Al、Ga、O及Fe，M为Mg、Ti、Ni中的至少一种，可以用下述通式表示。(Gd1-x-zLuxCez)3+a(Al1-u-sGauScs)5-aO12，其中0≤a≤0.15，0≤x≤0.5，0.0003≤z≤0.0167，0.2≤u≤0.6，0≤s≤0.1，Fe、M的浓度为：0.05≤Fe浓度质量ppm≤1，0≤M浓度质量ppm≤50。 | ||||||
| 11 | 放射线图像变换面板及其制造方法和放射线图像检测装置 | CN201180063084.8 | 2011-05-30 | CN103299376A | 2013-09-11 | 金子泰久; 中津川晴康; 佐藤圭一郎; 北田信; 三浦圭 |
| 为了提高放射线图像变换面板的强度，在放射线图像变换面板2中，设置有包含由于放射线照射发出荧光的荧光物质的荧光体18，该荧光体包括柱状部34和非柱状部36，该柱状部34由通过所述荧光物质的晶体的柱状生长而形成的柱状晶体的群形成，并且该柱状部和非柱状部被一体化地形成以在该柱状晶体的晶体生长方向上重叠，并且该非柱状部沿着晶体生长方向的厚度在该非柱状部的至少一部分的区域中是不均匀的。 | ||||||
| 12 | 闪烁体 | CN201080024303.7 | 2010-06-01 | CN102459508A | 2012-05-16 | 福田健太郎; 石津澄人; 河口范明; 须山敏尚; 吉川彰; 柳田健之; 横田有为 |
| 本发明的目的是提供一种闪烁体，其能够以高灵敏度检测硬X射线或γ射线等高能量的光子。该闪烁体的特征在于，由化学式LiLu1-xNdxF4所示的、含有钕作为发光中心的氟化镥锂形成，优选由氟化镥锂的单晶形成，其中，x为0.00001～0.2，优选为0.0001～0.05的范围。 | ||||||
| 13 | 放射线图像转换面板以及其制造方法 | CN201080011711.9 | 2010-03-10 | CN102349114A | 2012-02-08 | 山下雅典; 楠山泰; 外山真太郎; 白川和广; 式田宗功 |
| 放射线图像转换面板(10)，在基板(1)上形成将入射了的放射线转换为光的放射线转换层(2)。放射线转换层(2)具有在射出光的光出射面(2a)的相反侧使光向出射面(2a)侧反射的反射层(3)，反射层(3)具有使荧光体的结晶以螺旋状层叠的螺旋构造。这样，根据放射线图像转换面板(10)，不形成由金属薄膜等构成的反射层而提高反射率，而且能够比由球状的结晶粒子形成反射层的情况发挥更高的反射率。 | ||||||
| 14 | 具有立方晶体结构的活性电光陶瓷,其制备方法和用途 | CN201010111078.2 | 2010-02-02 | CN101811868A | 2010-08-25 | U·普彻特; Y·门克 |
| 本发明涉及具有立方晶体结构的活性电光陶瓷，其制备方法和用途。具体地，本发明涉及具有高透射率、高密度和高有效原子序数的电光陶瓷。该电光陶瓷经活化剂元素掺杂。所述材料适合于吸收高能辐照并将其转化为可见光的光子。因此，所述材料例如适合作为诸如医学成像(CT、PET、SPECT或组合的PET/CT体系)、安全(X射线检测装置)的闪烁介质或者可以用于目标跟踪和勘测(勘察，资源勘探)。由本发明材料形成的晶粒具有立方晶体结构(点和空间群以及原子层与烧绿石或萤石矿物的那些是同型的)或者就晶体结构而言可由上述二者明确导出，并具有下面化学计量学：A2+xByDzE7，且其中0≤x≤1.1且0≤y≤3且0≤z≤1.6，以及3x+4y+5z＝8，A是至少一种选自稀土离子的三价阳离子，B是至少一种四价阳离子，D是至少一种五价阳离子和E是至少一种二价阴离子。 | ||||||
| 15 | 闪烁组合物及其制造方法 | CN200710185754.9 | 2007-12-04 | CN101348718A | 2009-01-21 | A·M·斯里瓦斯塔瓦; H·A·科曼佐; S·P·M·洛雷罗 |
| 本发明涉及闪烁组合物及其制造方法。本文公开了一种含有铈卤化物和钡、锶和/或钙卤化物的固溶体的组合物。本文还公开了一种制造组合物的方法，包括将铈卤化物和钡、锶和/或钙卤化物混合；并且煅烧铈卤化物和钡卤化物以形成铈卤化物和钡、锶和/或钙卤化物的固溶体。 | ||||||
| 16 | 制造X射线检测器闪烁器层的方法和闪烁器层 | CN200510126899.2 | 2005-11-25 | CN1779867A | 2006-05-31 | 凯恩·费姆贾; 沃尔夫冈·罗斯纳 |
| 本发明涉及一种用于位置分辨的X射线检测器的闪烁器层，其中设置在平板(P)中的、按照光栅形式构成的冲孔(D)用由聚合物和荧光粉制成的填料(F)填充。 | ||||||
| 17 | 改善含氧硫化钆X射线荧光粉的荧光屏亮度的方法 | CN99105229.3 | 1999-04-22 | CN1232856A | 1999-10-27 | R·T·麦斯威奈伊 |
| 本发明提供一种改进散聚的含氧硫化钆X射线荧光粉的X射线荧光屏亮度的方法。该方法按特定的顺序在荧光粉散聚之后进行退火和酸洗步骤,以补偿由散聚引起的亮度损失。 | ||||||
| 18 | X射线图像管及其制造方法 | CN97191267.X | 1997-09-18 | CN1205113A | 1999-01-13 | 丹野一敏; 关岛义信; 山田均; 野地隆司 |
| 本发明做成用铝或铝合金制成的输入基板面,保留压延成型时所产生的无方向性的平缓凹凸,通过抛光处理消除基板材料上的微细凹凸,以保证X射线图像管输入屏足够的附着强度、输出图像的高分辨率,和根据需要保证亮度均匀性。输入基板的平缓凹凸,较好是相邻谷底间的平均距离为50μm～300μm范围,而且峰顶至谷底的平均落差为0.3μm～4.0μm范围。按照本发明,抑制输入基板表面上光的杂散,提高分辨率,而且减小因微细凹凸所产生的图像噪声。 | ||||||
| 19 | 荧光体、阴极射线管、荧光灯及辐射增感纸 | CN94119597.X | 1994-12-17 | CN1108681A | 1995-09-20 | 松田直寿; 玉谷正昭; 惠子; 奥村美和; 高原武; 伊藤武夫 |
| 本发明公开了一种荧光体，该荧光体由平均粒径0.5-20μm、且各个粒子的长、短径之比为1.0-1.5的透明球状粒子和，5％(重量)以下的粒径小于0.2μm的超细微粒组成。本发明的荧光体适用于阴极射线管、荧光灯及辐射增感纸等。 | ||||||
| 20 | 放射线检测器及其制造方法 | CN201580068168.9 | 2015-11-24 | CN107110984A | 2017-08-29 | 本间克久; 鹰取幸司 |
| 实施方式所涉及的放射线检测器具备：阵列基板，其具有基板以及设置在所述基板的一面侧的多个光电转换元件；闪烁层，其设置在所述多个光电转换元件的上方，并且含有第1荧光体材料；壁体，其设置在所述基板的一面侧，并且包围所述闪烁层；以及填充部，其设置在所述闪烁层与所述壁体之间，并且含有第2荧光体材料。所述闪烁层在周缘部分具有倾斜部，其厚度尺寸随着朝向所述闪烁层的外侧而逐渐减少。所述填充部设置在所述倾斜部的上方。 | ||||||
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