子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 辐射探测用的碘化物闪烁体 | CN201110159547.2 | 2011-05-10 | CN102277170A | 2011-12-14 | 杨侃; M·朱拉夫勒瓦; C·L·梅彻尔; P·斯祖伊茨恩斯基 |
| 本发明涉及辐射探测用的碘化物闪烁体。具体地，在一个方案中，本公开内容公开了具有式AM1-xEuxI3、A3M1-xEuxI5和AM2(1-x)Eu2xI5组成的碘化物闪烁体材料单晶，其中A基本由任何碱金属元素(如Li、Na、K、Rb、Cs)或其任意组合组成，和M基本由Sr、Ca、Ba或其任意组合组成，且0≤x≤1。在另一方案中，上述单晶碘化物闪烁体材料能够通过首先合成具有上述组成的化合物，然后通过例如垂直梯度凝固法由合成的化合物形成单晶。碘化物闪烁体材料的应用包括辐射探测和它们用于医学和安全成像的用途。 | ||||||
| 182 | 用于CT应用中的Gd2O2S材料 | CN200980128751.9 | 2009-07-13 | CN102105557A | 2011-06-22 | C·R·龙达; G·蔡特勒; H·施赖讷马赫尔; N·康拉茨; D·U·维歇特 |
| 本发明涉及用于CT应用中的Gd2O2S材料。具体地说，本发明涉及Gd2O2S:Nd荧光材料以及Nd3+在合适的材料中作为发射体的用途。 | ||||||
| 183 | 具有立方晶体结构的活性电光陶瓷,其制备方法和用途 | CN201010111078.2 | 2010-02-02 | CN101811868A | 2010-08-25 | U·普彻特; Y·门克 |
| 本发明涉及具有立方晶体结构的活性电光陶瓷，其制备方法和用途。具体地，本发明涉及具有高透射率、高密度和高有效原子序数的电光陶瓷。该电光陶瓷经活化剂元素掺杂。所述材料适合于吸收高能辐照并将其转化为可见光的光子。因此，所述材料例如适合作为诸如医学成像(CT、PET、SPECT或组合的PET/CT体系)、安全(X射线检测装置)的闪烁介质或者可以用于目标跟踪和勘测(勘察，资源勘探)。由本发明材料形成的晶粒具有立方晶体结构(点和空间群以及原子层与烧绿石或萤石矿物的那些是同型的)或者就晶体结构而言可由上述二者明确导出，并具有下面化学计量学：A2+xByDzE7，且其中0≤x≤1.1且0≤y≤3且0≤z≤1.6，以及3x+4y+5z＝8，A是至少一种选自稀土离子的三价阳离子，B是至少一种四价阳离子，D是至少一种五价阳离子和E是至少一种二价阴离子。 | ||||||
| 184 | 一种具有提高的亮度的X射线荧光屏及其方法 | CN200910000451.4 | 2009-01-13 | CN101777480A | 2010-07-14 | 陈醉 |
| 本发明涉及具有提高的亮度的X射线荧光屏及其方法。根据本发明的X射线荧光屏包括具有相对的第一面和第二面的第一层，所述第一层包括均匀分布在所述第一层中的荧光材料，所述第一面包括由多个向内凹的微镜单元构成的微镜阵列。通过采用本发明，可以使用现有的荧光材料，制造出一种亮度更高、散射光线较少、成本较低的荧光屏。 | ||||||
| 185 | 荧光材料及采用该荧光材料的闪烁器和放射线检测器 | CN200910162281.X | 2009-07-31 | CN101638578A | 2010-02-03 | 中村良平; 上田俊介 |
| 本发明涉及一种荧光材料及采用该荧光材料的闪烁器和放射线检测器。所述荧光材料的特征在于，以Ce作为发光元素，至少含有Gd、Al、Ga、O及Si，M为Mg、Ti、Ni中的至少一种，以下面的通式表示：(Gd<sub>1-x-z</sub>Lu<sub>x</sub>Ce<sub>z</sub>)<sub>3+a</sub>(Al<sub>1-u-s</sub>Ga<sub>u</sub>Sc<sub>s</sub>)<sub>5-a</sub>O<sub>12</sub>。其中：0≤a≤0.15，0≤x≤0.5，0.0003≤z≤0.0167，0.2≤u≤0.6，0≤s≤0.1，Si、M的浓度为：0.5≤Si浓度质量ppm≤10，0≤M浓度质量ppm≤50。该荧光材料具有发光强度高并且在X射线停止照射1-300ms后残光低的特点。 | ||||||
| 186 | 闪烁器板和射线检测器 | CN200880000249.5 | 2008-03-26 | CN101542635A | 2009-09-23 | 吉田笃也; 堀内弘 |
| 在透射射线的支承基片(12)的一个面粘合树脂反射片(13)，在支承基片(12)的另一个面粘合材质与树脂反射片(13)相同的树脂片(14)。支承基片(12)的一个面的树脂反射片(13)上形成将射线变换成可见光的荧光体层(15)。利用覆盖荧光体层(15)的防湿层(17)和树脂反射片(13)包围荧光体层(15)。通过将树脂反射片(13)配置在支承基片(12)与荧光体层(15)之间，取得灵敏度特性良好、获得稳定的质量且能改善成本的闪烁器板(11)。 | ||||||
| 187 | 非对称双屏数字X射线照相装置 | CN200780026414.X | 2007-07-12 | CN101506905A | 2009-08-12 | J·约克斯顿; K·叶; T·沃奇克 |
| 本发明涉及用于对对象摄取X射线图像的X射线照相成像装置。各种双屏X射线照相成像装置配置中，正面屏和背面屏均具有基板，信号检测元件和读出器件的阵列，以及钝化层。正面屏和背面屏均具有闪烁荧光层，其响应通过对象的X射线而产生光，该光对信号检测元件进行照射从而提供表示X射线图像的信号。该X射线装置具有用于将各X射线图像的信号组合以生成复合X射线图像的装置。此外，闪烁荧光层的成分和厚度被彼此相对选择以改善复合X射线图像的诊断功效。 | ||||||
| 188 | 闪烁组合物及其制造方法 | CN200710185754.9 | 2007-12-04 | CN101348718A | 2009-01-21 | A·M·斯里瓦斯塔瓦; H·A·科曼佐; S·P·M·洛雷罗 |
| 本发明涉及闪烁组合物及其制造方法。本文公开了一种含有铈卤化物和钡、锶和/或钙卤化物的固溶体的组合物。本文还公开了一种制造组合物的方法，包括将铈卤化物和钡、锶和/或钙卤化物混合；并且煅烧铈卤化物和钡卤化物以形成铈卤化物和钡、锶和/或钙卤化物的固溶体。 | ||||||
| 189 | 稀土类激活的碱土类金属氟化卤化物辉尽性荧光体、及使用该荧光体的放射线图像转换板 | CN200680007270.9 | 2006-03-01 | CN101137736A | 2008-03-05 | 萩原清志 |
| 本发明提供所得到的放射线图像的图像质量为高品质，循环使用引起的X射线损伤所导致的亮度降低少的稀土类激活的碱土类金属氟化卤化物辉尽性荧光体、及使用了该荧光体的放射线图像转换板。所述稀土类激活的碱土类金属氟化卤化物辉尽性荧光体，由下述通式(1)表示，相对于最大发光强度为80％的强度的光谱宽为23.0nm以下。所述通式(1)为：Ba(1－x)M2(x)FBr(y)I(1－y):aM1，bLn，cO，其中，M1是Li、Na、K、Rb、Cs，M2是Be、Mg、Sr、Ca，Ln是Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Tm、Dy、Ho、Nd、Er、Yb，另外，x等分别为0≤x≤0.3、0≤y≤0.9、0≤a≤0.05、0＜b≤0.2、0≤c≤0.1。 | ||||||
| 190 | 高计数率的闪烁器 | CN200680004893.0 | 2006-01-27 | CN101120073A | 2008-02-06 | 越水正典; 渋谷宪悟; 斋藤晴雄; 浅井圭介; 本多庸郎 |
| 本发明提供能保持BaF2的高速性和高检测效率，而且适应高计数率的闪烁器，还提供使用了该闪烁器的具有高时间分辨率的放射线检测装置。在BaF2中掺杂一定量的稀土类元素(Eu)，将BaF2发光的高速成分(0.6～0.8纳秒)残留，同时使长寿命成分(600～620ns)减少。本发明是一种在BaF2中掺杂了稀土类元素(Eu)的闪烁器，该闪烁器是掺杂量为0.02～1.0mol％的放射线检测用高计数率闪烁器。 | ||||||
| 191 | 基于镧系元素卤化物的闪烁剂组合物和相关方法及制品 | CN200710137966.X | 2007-06-29 | CN101096595A | 2008-01-02 | A·M·斯里瓦斯塔瓦; S·J·杜克洛斯; L·L·克拉克; H·A·科曼佐; 邓群 |
| 描述了一种闪烁剂组合物，其包括基质材料和活化剂。所述基质材料包括至少一种镧系元素卤化物化合物。所述基质也可以含有至少一种碱金属，在一些实施方案中，也可以含有至少一种碱土金属。所述组合物也含有用于所述基质的镨活化剂。公开了含有该闪烁剂的辐射检测器。还公开了用辐射检测器检测高能辐射的方法。 | ||||||
| 192 | X射线图像检测器的制造方法和制造装置及X射线图像检测器 | CN02816856.9 | 2002-08-29 | CN1333421C | 2007-08-22 | 山岸城文 |
| 一种X射线图像检测器的制造方法，在构成X射线图像检测输入部的输入基板(21)上，形成将X射线变换成光的CsI膜等X射线发光荧光膜(22)。对X射线发光荧光膜(22)的表面部分照射具有波长500nm以下的高能光。利用照射高能光，使X射线发光荧光膜(22)的表面部分局部升华及/或熔融而平整。通过利用激光那样的高能光，从而能有效并均匀地使X射线发光荧光膜的表面部分变得平坦。 | ||||||
| 193 | 低余辉的紧凑快速闪烁体材料 | CN200580027017.5 | 2005-08-08 | CN101001936A | 2007-07-18 | B·弗兰德; B·威阿纳; L·皮多尔; P·多伦博斯 |
| 本发明涉及式Lu(2－y)Y(y－z－x)CexMzSi(1－v)M’vO5的无机闪烁体材料，式中：M代表二价碱金属离子，M’代表三价金属，(z+v)大于或等于0.0001而小于或等于0.2；z大于或等于0而小于或等于0.2；v大于或等于0而小于或等于0.2；x大于或等于0.0001并小于0.1；和y是(x+z)至1。特别地，这种材料可以装备这些闪烁探测器应用于工业、医疗领域(扫描仪)和/或石油钻探探测中。晶体中存在的Ca减少了余辉，同时保持高能辐射的高阻止本领。 | ||||||
| 194 | 增强铈搀杂正硅酸钇镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体 | CN200580006294.8 | 2005-01-05 | CN1926218A | 2007-03-07 | B·柴 |
| 增强铈搀杂正硅酸钇镥(LYSO)单晶体响应高能辐照的光输出的方法，包括通过在含氧环境中加热晶体一段时间将氧扩散到晶体中。这种晶体的热氧化方法可有效提供氧填充LYSO单晶体中的至少一些氧空位。闪烁检测器包含通过在晶体中扩散氧增强的LYSO单晶体。 | ||||||
| 195 | 卤化铈的闪烁体组合物、相关制品和方法 | CN200610051589.3 | 2006-03-06 | CN1834201A | 2006-09-20 | A·M·斯里瓦斯塔瓦; S·J·杜克洛斯; H·A·科曼佐; Q·邓; L·L·克拉克 |
| 本发明公开了包括至少两种卤化铈的固溶体的闪烁体组合物。本发明还公开了用于探测高能辐射的辐射探测器。该探测器包括上述闪烁体组合物，以及光耦合到所述闪烁体上的光探测器。还公开了用闪烁探测器探测高能辐射的方法，其中所述闪烁晶体基于卤化铈的混合物。 | ||||||
| 196 | 闪烁体面板 | CN200410002794.1 | 1999-06-18 | CN1272639C | 2006-08-30 | 本目卓也; 高林敏雄; 佐藤宏人 |
| 一种闪烁体面板，其特征在于具备：基板；由上述基板支撑的闪烁体；以及覆盖上述闪烁体和上述基板的除形成有上述闪烁体的部分之外的大致整个表面的有机膜。 | ||||||
| 197 | 闪烁体面板 | CN200410061793.4 | 1999-06-18 | CN1260580C | 2006-06-21 | 佐藤宏人; 本目卓也; 高林敏雄 |
| 一种具备在FOP(10)上边形成的具有潮解性的闪烁体(12)和覆盖闪烁体(12)的聚对二甲苯膜(14)的闪烁体面板(2)，其特征是：FOP(10)在该FOP上边的聚对二甲苯膜(14)所接触的侧壁上具备防止保护膜剥落的凹凸(10a)。 | ||||||
| 198 | 制造X射线检测器闪烁器层的方法和闪烁器层 | CN200510126899.2 | 2005-11-25 | CN1779867A | 2006-05-31 | 凯恩·费姆贾; 沃尔夫冈·罗斯纳 |
| 本发明涉及一种用于位置分辨的X射线检测器的闪烁器层，其中设置在平板(P)中的、按照光栅形式构成的冲孔(D)用由聚合物和荧光粉制成的填料(F)填充。 | ||||||
| 199 | 闪烁体面板 | CN200410061793.4 | 1999-06-18 | CN1558254A | 2004-12-29 | 佐藤宏人; 本目卓也; 高林敏雄 |
| 一种具备在FOP(10)上边形成的具有潮解性的闪烁体(12)和覆盖闪烁体(12)的聚对二甲苯膜(14)的闪烁体面板(2)，其特征是：FOP(10)在该FOP上边的聚对二甲苯膜(14)所接触的侧壁上具备防止保护膜剥落的凹凸(10a)。 | ||||||
| 200 | 闪烁体面板和放射线图象传感器 | CN99808672.X | 1999-06-18 | CN1163762C | 2004-08-25 | 佐藤宏人; 本目卓也; 高林敏雄 |
| 一种具备在FOP(10)上边形成的具有潮解性的闪烁体(12)和覆盖闪烁体(12)的聚对二甲苯膜(14)的闪烁体面板(2)，其特征是：FOP(10)在该FOP上边的聚对二甲苯膜(14)所接触的侧壁上具备防止保护膜剥落的凹凸(10a)。 | ||||||
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