子分类：
- H03B1/00：零部件
- H03B5/00：利用由输出至输入有正反馈的放大器产生振荡
- H03B7/00：使用两电极间具有负电阻的有源元件产生振荡
- H03B9/00：利用渡越时间效应产生振荡
- H03B11/00：采用冲击激励调谐电路产生振荡
- H03B13/00：利用阴极射线管中电子束的偏转产生振荡
- H03B15/00：利用电—磁器件，例如霍尔效应器件，使用自旋转移效应的器件，使用大型磁致电阻的器件或利用超导效应产生振荡）
- H03B17/00：利用辐射源和检波器
- H03B19/00：用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡
- H03B21/00：由组合不同频率的非调制信号产生振荡
- H03B23/00：周期性地扫描指定的频率范围产生振荡
- H03B25/00：由一个自由激振荡器同时产生不同频率的振荡
- H03B27/00：由多个同频不同相的输出产生振荡，只有两个反相输出的除外
- H03B28/00：用H03B 5/00至H03B 27/00各组中未包含的方法产生振荡，包括为产生正弦振荡而进行的波形修正
- H03B29/00：噪声电流和噪声电压的产生
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 81 | 自动识别晶体类型的方法、时钟模块及装置 | CN202311289929.6 | 2023-09-28 | CN117353663A | 2024-01-05 | 元恒敏; 冒小建; 张培卓; 邱汉安 |
| 本发明提供一种自动识别晶体类型的时钟模块，包括：振荡电路，所述振荡电路具有第一晶振引脚、第二晶振引脚和输出引线，所述第一晶振引脚和所述第二晶振引脚用于与目标晶振连接；所述振荡电路具有将负载与所述输出引线断开的第一开关；上拉电阻，所述上拉电阻的第一端与所述振荡电路的输出引线通过第二开关电连接，所述上拉电阻的第二端与供电电压源电连接；比较器，所述比较器的第一输入端与所述上拉电阻的第一端电连接，所述比较器的第二输入端与参考电压源电连接。本发明提供的自动识别晶体类型的方法、时钟模块及装置，能够有效节省芯片引脚，减少晶体类型识别功能所需的面积。 | ||||||
| 82 | 一种频率可调的RC振荡器电路及其工作方法 | CN202311108705.0 | 2023-08-29 | CN117353661A | 2024-01-05 | 许庆; 李曦晴; 朱文瑾; 罗路欣; 童魁 |
| 本发明涉及一种频率可调的RC振荡器电路及其工作方法。该电路包括开关管M3～M14，充放电电容C11、C12、C21和C22，比较器comp，反相器INV、D触发器、运算放大器amp、NMOS管M0、电流镜、外接电阻R和逻辑单元Logic；所述电流镜包括MOS管M1和MOS管M2。本发明针对可设占空比的RC振荡器提出了消除比较器输入端失调电压VOS的方法，在比较器的两端交替连接充放电电容电压和参考电压，并将得到的输出波形送入D触发器，最终得到占空比可设的不受失调电压影响的输出矩形波。本发明消除了比较器失调电压的影响，且得到的矩形波占空比可设和频率可调。 | ||||||
| 83 | 一种消除比较器延时影响的RC振荡器电路 | CN202311634243.6 | 2023-12-01 | CN117335750A | 2024-01-02 | 谢鹏; 阮庆瑜 |
| 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种消除比较器延时影响的RC振荡器电路，利用周期性的RC充放电信号在一个周期内的积分电压不变，则振荡频率也不变的原理。通过将RC振荡器的两路充放电信号进行积分，将比较器的延时时间转化为电压信号，等效为比较器参考电压的一部分，从而将传统RC张弛振荡比较器的固定参考电压改为自适应的参考电压，根据比较器的延时变化自动调节比较器的参考电压，通过采用自适应比较器参考电压，能消除比较器延时时间随温度和电源电压变化对输出频率造成的影响，从而直接输出高精度的高频时钟频率，不需要额外增加锁相环PLL电路，实现简化电路结构，减少芯片成本和功耗的目的。 | ||||||
| 84 | 直流拉弧信号生成电路、直流拉弧检测设备及用电设备 | CN202311253371.6 | 2023-09-26 | CN117335748A | 2024-01-02 | 黄文极; 柳奇凡 |
| 本申请提供一种直流拉弧信号生成电路、直流拉弧检测设备及用电设备，包括：第一电源、第一开关单元、文氏电桥振荡电路，文氏电桥振荡电路包括运算放大器。第一电源通过第一开关单元分别与运算放大器的正向输入端、供电端电连接。文氏电桥振荡电路被配置为响应于第一开关单元导通，输出直流拉弧检测信号。 | ||||||
| 85 | 应用于卫星通讯的X波段与Ku波段Class-C电容电感压控振荡器 | CN202311255118.4 | 2023-09-26 | CN117335747A | 2024-01-02 | 朱丹玥; 谢雨欣; 谢妙兴 |
| 本发明公开了一种应用于卫星通讯的X波段与Ku波段Class‑C电容电感压控振荡器，包括：栅极偏置电路，用于调整振荡器工作在Class‑C模式；电容电感谐振腔，用于形成稳定的振荡波形；交叉耦合负阻电路，用于抵消谐振腔中寄生电阻消耗的能量以保持等幅振荡；开关电容阵列，用于实现宽频带调谐范围；两个MOS管，用于增大交叉耦合管的跨导；两个尾电容，用于容纳寄生电容并滤除高频噪声。其中，根据不同类型的负阻结构可分为N型交叉耦合电容电感压控振荡器结构和P型交叉耦合电容电感压控振荡器结构。本发明提供的Class‑C电容电感压控振荡器克服了起振困难的缺点，并且无需把两个电感做成变压器的耦合形式，避免了CMOS工艺中变压器耦合度低和耦合衰减大的问题。 | ||||||
| 86 | 使用带有三个串联逆变器的Pierce振荡器 | CN202310394006.0 | 2023-04-13 | CN117335746A | 2024-01-02 | 大卫A霍夫曼 |
| 本发明公开了使用带有三个串联逆变器的Pierce振荡器，属于振荡器领域；包括：第一逆变器、第二逆变器、第三逆变器，第一逆变器与第二逆变器之间串联有第一耦合电容，第二逆变器与第三逆变器之间串联有第二耦合电容；第一逆变器、第二逆变器、第三逆变器串联后，并联连接有晶体，晶体的两端接入比较器的2个输入端，比较器的输出端连接CLK端子。本发明振荡器由三个反相器级构成，由于直流电压和电流被耦合电容和晶体阻挡，反馈电阻允许每个级独立自偏置。由于每级都有独立的偏置，因此不需要在第三级逆变器的输出端和第一级逆变器的输入端连接偏置电阻，从而防止寄生振荡的可能性。 | ||||||
| 87 | 一种高防护性片式补偿石英晶体振荡器 | CN201810856084.7 | 2018-07-31 | CN108574458B | 2024-01-02 | 周利明 |
| 本发明公开了一种高防护性片式补偿石英晶体振荡器，包括安装基板、防护罩、集成电路裸片，所述集成电路裸片的表面边缘处固定安装有金属护圈，所述防护罩的表面安装有配合滑槽，所述防护罩的顶端设置有预留槽，所述防护罩的内壁表面安装有导向柱，所述金属护圈内侧的集成电路裸片表面固定安装有振荡器主体，所述振荡器主体一侧的集成电路裸片表面安装有三个片式电容，所述安装基板的底端表面安装有金属块，所述金属块两侧的安装基板底端表面皆安装有电子线路条。本发明通过设置有一系列的结构，使得该振荡器可便于安装的同时，具备一定的防拆卸功能，并提高结构稳定性，利于后续的使用。 | ||||||
| 88 | 一种对偶规范蔡氏振荡器的电路 | CN202311172746.6 | 2023-09-12 | CN117318623A | 2023-12-29 | 王宁; 徐单; 徐权; 俞希洪 |
| 本发明涉及混沌电路技术领域，尤其涉及一种对偶规范蔡氏振荡器的电路，包括蔡氏二极管电路、第一微分电路、第三微分电路、第二微分电路和负电阻电路；其中，蔡氏二极管电路与第一微分电路串联后两端与第三微分电路并联，第二微分电路与负电阻电路串联后两端也与第三微分电路并联；通过调整对偶规范蔡氏振荡器的电路参数，产生不同的混沌动力学行为。本发明寻找拓扑结构简单且与现有蔡氏电路结构不同的混沌电路，形成具有显著特点与优点、可靠实用的新型混沌信号源，可以丰富蔡氏电路族的形式。 | ||||||
| 89 | 具有可编程注入时间和自适应启动时间以实现高幅度振荡的快速启动晶体振荡器电路 | CN202310755190.7 | 2023-06-25 | CN117318622A | 2023-12-29 | 穆罕默德·M·埃尔克霍利; 弗朗西斯科·巴拉莱; 蒂亚戈·平托·吉亚·马克斯; 史蒂芬·斯考格; 哈康·伯利 |
| 第一三态驱动器在晶体振荡器的启动阶段期间通过输入节点将第一时钟信号注入晶体中，并且第二三态驱动器在启动阶段期间通过输出节点将第二信号注入晶体中。第一信号和第二信号是反相信号。晶体振荡器电路包括在启动和稳态操作期间使用的第一放大器，并且包括第二放大器。在固定时间之后，禁用通过输入节点和输出节点的注入。在注入结束之后，如果输出节点上的电压已经达到期望电压，则第二放大器接通，否则关断。如果第二放大器接通，则当输出节点上的电压达到期望电压时，第二放大器关断。 | ||||||
| 90 | 集成有肖特基二极管的三倍频器及功率合成装置 | CN202311027022.2 | 2023-08-15 | CN117294256A | 2023-12-26 | 南建军; 赵元春 |
| 本申请公开了集成有肖特基二极管的三倍频器及功率合成装置。该三倍频器包括：衬底；以及位于衬底上的第一微带电路和第一肖特基二极管阵列，其中，该第一肖特基二极管阵列包括正向串联连接在第一焊盘和第二焊盘之间的至少一个第一肖特基二极管以及反向串联连接在第一焊盘和第二焊盘之间的至少一个第二肖特基二极管，第一微带电路包括输入探针、输出探针、以及低通滤波器，该低通滤波器与输入探针相连接，第一肖特基二极管阵列的第一焊盘和第二焊盘分别连接至低通滤波器和输出探针，用于将输入信号转换成三倍频的输出信号。通过采用片上的肖特基二极管阵列直接提取三倍频的谐波，以提高该三倍频器的倍频系数，以及倍频器的设计一致性和工作稳定性。 | ||||||
| 91 | 振荡器及其制作方法、电子设备 | CN202210698003.1 | 2022-06-20 | CN117294254A | 2023-12-26 | 伍伟; 陈聪; 黄林海; 徐景辉 |
| 本申请公开了一种振荡器及其制作方法、电子设备，属于振荡器领域。该振荡器包括基座、第一基板和谐振器，所述基座包括底座和第一支撑件；所述第一基板与所述底座之间具有间隔，所述第一支撑件与所述第一基板和所述底座分别相连；所述谐振器位于所述第一基板的上表面或下表面，所述第一基板在所述谐振器的同一侧具有隔离槽，所述隔离槽至少分布在所述第一支撑件与所述第一基板的连接处和所述谐振器之间。热量在向谐振器传导时，需要绕过隔离槽，传导的路径更长，谐振器所在位置的温度变化也就更小，这样就能够降低环境温度变化对位于谐振器的影响，使振荡器的输出频率更稳定。 | ||||||
| 92 | 放大电路、分频电路及包括其的半导体装置和半导体系统 | CN201811022815.4 | 2018-09-03 | CN109951167B | 2023-12-26 | 郑海康; 赵善起; 崔容硕 |
| 93 | 一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容 | CN202311542327.7 | 2023-11-20 | CN117277968A | 2023-12-22 | 邓建元; 李虹; 阮庆瑜 |
| 本发明属于射频芯片技术领域，具体涉及一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容，包括PMOS管、NMOS管、电感L1以及可变电容阵列Var。通过MOS管在饱和区和截至区产生两个不同的电容值，通过分割方法得到一系列工作在两个电容值的单元电容通过对这些单元电容设置不同的偏置电压，得到线性化的可变电容。可变电容阵列Var中的两个电容阵列是互补型阵列组成的差分可变电容，其对可变电容两端的共模噪声调制是互相抵消的，有效地提高了可变电容的线性度，及线性调节电压的范围，减小可变电容两端的共模干扰产生的调制相位噪声，在射频芯片中极大提高了通信系统能够的抗干扰能力。 | ||||||
| 94 | 具有共模瞬态噪声消除的低电流振荡器结构 | CN202310742195.6 | 2023-06-21 | CN117277967A | 2023-12-22 | M·努博林 |
| 本公开的各实施例涉及具有共模瞬态噪声消除的低电流振荡器结构。本发明公开了一种用于针对可影响振荡器输出的共模干扰自动补偿差分输出振荡器电路的电路系统。对于任何差分振荡器，该共模电压偏移可减小该振荡器输出，这在一些示例中可以对接收该振荡器输出的电路产生负面影响。添加具有自动增益控制例如以调节该差分输出电压的反馈电路系统可以在存在共模电压的情况下进一步减小该振荡器的增益。相比之下，本公开的振荡器电路的反馈电路可以包括增益控制电路系统，以在该共模干扰的持续时间内增加该差分输出端子处的输出电压幅度。 | ||||||
| 95 | 晶体校准的方法、芯片和蓝牙耳机 | CN202080001624.9 | 2020-01-03 | CN111819787B | 2023-12-15 | 林飞 |
| 提供了一种晶体校准的方法、芯片和蓝牙耳机。所述方法包括：获取至少一个脉冲信号的计数差值，所述至少一个脉冲信号包括所述晶体基于多个参数中的至少一个参数生成的脉冲信号，所述至少一个脉冲信号中每一个脉冲信号的计数差值为利用由参考脉冲信号触发的两次外部中断获取的基于相应脉冲信号的系统滴答计数值之间的差值；基于所述至少一个脉冲信号的计数差值确定目标参数；将基于所述目标参数生成的脉冲信号确定为晶体校准后的脉冲信号。通过所述至少一个脉冲信号的计数差值确定所述目标参数，不仅能够实现脉冲信号的自动校准降低了人力成本，还能够在降低校准机制的复杂度的同时提高校准效率。 | ||||||
| 96 | 基于皮尔斯振荡器的低功耗晶振电路及其工艺角测试方法 | CN202311196509.3 | 2023-09-18 | CN117220608A | 2023-12-12 | 张智超; 刘宏宇; 季心洁; 王志亮; 谭庶欣 |
| 一种基于皮尔斯振荡器的低功耗晶振电路的工艺角测试方法，IPC分类号为G01R31/28，其特征在于：所述低功耗晶振电路包括上电复位电路、稳压电路、Pierce‑CMOS晶振电路、输出缓冲整形电路；将奇数个Pierce‑CMOS晶振电路串联构成环形振荡器，每一个Pierce‑CMOS晶振电路的输出端口作所述环形振荡器的输出端口，以输出振荡信号；在每个周期中以高电平和低电平测量振荡信号的周期和振荡信号的持续时间；和基于所述振荡信号的周期和所述振荡信号在每个周期中处于高电平和低电平的持续时间，确定所述Pierce‑CMOS晶振电路的工艺角，工艺角包括快NFET和快PFET(ff)、慢NFET和慢PFET(ss)、慢NFET和快PFET(sf)及快PFET和慢NFET(fs)。 | ||||||
| 97 | 一种基于自激振荡的无线充电异物检测系统及方法 | CN202311189107.0 | 2023-09-14 | CN117220426A | 2023-12-12 | 龚文兰; 王智慧; 肖静; 李小飞; 林浩男; 吴晓锐; 韩帅; 陈绍南; 吴宁; 郭敏; 郭小璇 |
| 本发明公开一种基于自激振荡的无线充电异物检测系统及方法，属于无线充电技术领域，系统包括受控电压源、起振电容、异物检测线圈，在所述受控电压源上配置有自激反馈电路，在所述异物检测线圈上连接有频率检测电路，所述受控电压源、所述起振电容和所述异物检测线圈构成检测线圈振荡回路，利用所述自激反馈电路使得所述异物检测线圈和所述起振电容处于谐振状态，通过所述频率检测电路检测谐振频率从而确定是否存在异物。其效果是：将其配合对应的自激振荡电路工作时，不需要设置特定的谐振频率，避免传统阻抗法中由于配谐电容偏差导致检测精度的下降。除此之外，无需对每一个线圈进行配谐，只需要有起振电容即可，减少了阵列化线圈的工作量。 | ||||||
| 98 | 一种宽带高转换增益倍频器电路 | CN202310925893.X | 2023-07-26 | CN117200705A | 2023-12-08 | 李振荣; 滕天; 彭浩轩; 余立艳; 李聪 |
| 本发明公开了一种宽带高转换增益倍频器电路，该宽带高转换增益倍频器电路包括倍频模块、选频模块和负阻模块，倍频模块的输入端连接输入信号INP和INN，倍频模块的输出端连接选频模块和负阻模块的输入端，选频模块和负阻模块对输入的信号进行注入振荡后再输出相位相反的输出信号OUTN和OUTP。本发明的倍频模块对输入信号INP和INN进行倍频，输出信号进入选频模块和负阻模块进行注入振荡，信号最后转化为两路相位相反的信号OUTN和OUTP输出，在保证电路功耗低、面积小的前提下实现了高输出功率和转换增益。 | ||||||
| 99 | 具有自动振幅控制的低功率晶体振荡器 | CN202310666479.1 | 2023-06-07 | CN117200704A | 2023-12-08 | N·贾因; A·库玛; K·查特杰 |
| 本公开涉及具有自动振幅控制的低功率晶体振荡器。低功率晶体振荡器电路具有高功率部分和低功率部分。使用高功率部分初始化晶体振荡。自动振幅控制电路包括电流减法器，当晶体振荡的振幅增大时，该减法器减小高功率部分中的电流。电流限制电路可以限制低功率部分中的电流，以便进一步降低低功率晶体振荡器电路的功耗。另外，自动振幅检测电路可以在晶体振荡的振幅达到预定水平之后关断高功率部分以进一步降低低功率晶体振荡电路的功耗，并且可以在晶体振荡振幅达到第二预定水平之后重新接通高功率部分以维持晶体振荡。 | ||||||
| 100 | 一种毫米波压控振荡器 | CN202311343459.7 | 2023-10-17 | CN117200703A | 2023-12-08 | 王翔; 王晨光; 吴文; 宗志园; 钱嵩松; 李黄炎; 司马博羽 |
| 本发明公开了一种毫米波压控振荡器，包括大频比双工器、电控移相器、微波有源放大单元、毫米波有源增强电路，大频比双工器、电控移相器、微波有源放大单元依次连接构成环路；微波有源放大单元用于将第一信号放大后输入至电控移相器；电控移相器用于对放大后的第一信号进行移相；大频比双工器用于对移相后的信号依次进行低频、高频滤波，低频滤波后的信号作为第一信号输入微波有源放大单元，高频滤波后的信号输入毫米波有源增强电路；毫米波有源增强电路用于对高频滤波后的信号进行放大后输出。本发明有效降低了毫米波压控振荡器的设计难度，显著提高了调控范围，实现了良好的相位噪声性能。 | ||||||
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