子分类：
- H03B1/00：零部件
- H03B5/00：利用由输出至输入有正反馈的放大器产生振荡
- H03B7/00：使用两电极间具有负电阻的有源元件产生振荡
- H03B9/00：利用渡越时间效应产生振荡
- H03B11/00：采用冲击激励调谐电路产生振荡
- H03B13/00：利用阴极射线管中电子束的偏转产生振荡
- H03B15/00：利用电—磁器件，例如霍尔效应器件，使用自旋转移效应的器件，使用大型磁致电阻的器件或利用超导效应产生振荡）
- H03B17/00：利用辐射源和检波器
- H03B19/00：用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡
- H03B21/00：由组合不同频率的非调制信号产生振荡
- H03B23/00：周期性地扫描指定的频率范围产生振荡
- H03B25/00：由一个自由激振荡器同时产生不同频率的振荡
- H03B27/00：由多个同频不同相的输出产生振荡，只有两个反相输出的除外
- H03B28/00：用H03B 5/00至H03B 27/00各组中未包含的方法产生振荡，包括为产生正弦振荡而进行的波形修正
- H03B29/00：噪声电流和噪声电压的产生
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | 具有包括振荡检测和幅度控制回路的数字自动增益控制的集成电路晶体振荡器 | CN201780038708.8 | 2017-06-30 | CN109314490B | 2023-09-05 | A·库马尔; 杨贤秀; 李青 |
| 本发明涉及一种晶体振荡器，所述晶体振荡器耦合到具有振荡检测和幅度控制回路的数字自动增益控制(AGC)。所述振荡检测回路可增加所述振荡器晶体管的跨导(gm)，直到检测到来自其的振荡。然后所述幅度控制回路检测来自所述晶体振荡器的振荡的所述幅度，将这些幅度与高电压基准和低电压基准进行比较并生成数字信号，从而得到振荡器放大器的临界跨导(gm)并控制所述gm以保持来自其的恒定的振荡波形幅度。向上/向下计数器根据其更新时钟速率来定义伺服控制回路带宽/更新速率。当所述控制回路带宽小于所述晶体振荡器的振荡包络为振荡而增长所需的启动时间时，即实现了回路稳定性。还可提供振荡器故障检测器。 | ||||||
| 162 | 一种微机电陀螺的幅频控制驱动电路系统 | CN202310590112.6 | 2023-05-24 | CN116683871A | 2023-09-01 | 周怡; 翁双玲; 周同; 苏岩 |
| 本发明公开了一种微机电陀螺的幅频控制驱动电路系统，包括信号放大电路、模数转换电路、数字锁相环电路、数字幅值控制电路、数字频率控制电路、加法器和数模转换电路；信号放大电路与微机电陀螺驱动模态的检测电极相连；模数转换电路与信号放大电路相连；模数转换电路分别与数字锁相环电路、数字幅值控制电路、数字频率控制电路相连；加法器分别与数字幅值控制电路和数字频率控制电路相连；数模转换电路与加法器相连，且与陀螺驱动模态的驱动电极相连。本发明可以通过参数调谐的方案实现陀螺驱动模态的频率闭环控制，避免因外界环境温度变化使频率发生漂移，实现微机电陀螺驱动模态的稳幅稳频振荡。 | ||||||
| 163 | 二进制振幅键控调制电路 | CN202310485430.6 | 2023-04-28 | CN116667792A | 2023-08-29 | 梁欣; 方然; 马小龙; 况立雪; 余力澜; 刘跃; 韩春杰 |
| 一种二进制振幅键控调制电路，包括：振荡器，设置为产生振荡电压信号；跨导单元，所述跨导单元与所述振荡器连接，设置为将所述振荡电压信号转换为振荡电流信号；常开单元，所述常开单元和所述跨导单元连接；设置为常开状态，以使正向振荡电流的路径保持导通；开关控制通断单元，所述开关控制通断单元和所述跨导单元连接；设置为在外部输入的基带数据的控制下，导通或关断反向振荡电流的路径，以对振荡电流信号进行调制；所述常开单元的第一输出端与所述开关控制通断单元的第二输出端连接，所述常开单元的第二输出端与所述开关控制通断单元的第一输出端连接。 | ||||||
| 164 | 振荡电路及其调整方法以及水处理器 | CN202310937268.7 | 2023-07-28 | CN116667788A | 2023-08-29 | 周振洋; 董君永; 钱律求; 曹源; 曹崇亮; 高梦奇; 唐丽; 杜宏峰 |
| 本发明公开了一种振荡电路及其调整方法以及水处理器，振荡电路包括：信号发生器、电感线圈、电容和多个可控开关，信号发生器、电感线圈和部分可控开关组成感性负载支路，信号发生器、电感线圈、电容和部分可控开关组成振荡支路，电感线圈对应水传输部件设置，用于产生电磁场信号，以实现对水传输部件的电磁防垢除垢；其中，通过接通感性负载支路，得到电感线圈的电感参数，以便得到振荡支路的谐振频率；通过接通振荡支路，利用谐振频率调节信号发生器所输出信号的频率，实现对电磁场信号强度的调节。该振荡电路可实现水处理器功耗的调节，使水处理器输出电磁场信号强度一致，进而可提升水处理器的稳定性，提高水处理器的使用效果。 | ||||||
| 165 | 电路装置以及振荡器 | CN202310159887.8 | 2023-02-23 | CN116667787A | 2023-08-29 | 野宫崇; 泽田光章 |
| 提供电路装置以及振荡器，能够抑制无用的电流消耗而实现低耗电化。电路装置包含：振荡电路，其生成振荡信号；以及温度补偿电路，其进行振荡信号的振荡频率的温度补偿。温度补偿电路包含：第1基准电流生成电路，其生成第1基准电流；第2基准电流生成电路，其生成第2基准电流；第1补偿电路，其根据第1基准电流，在第1温度范围内进行振荡频率的温度补偿；以及第2补偿电路，其根据第2基准电流，在高于第1温度范围的第2温度范围内进行振荡频率的温度补偿。并且，第1基准电流生成电路随着温度的上升而使第1基准电流减小，或者第2基准电流生成电路随着温度的下降而使所述第2基准电流减小。 | ||||||
| 166 | 一种抗干扰X波段压控振荡器 | CN202110712030.5 | 2021-06-25 | CN113595505B | 2023-08-29 | 何婷; 华熙; 张敏; 史广芹; 王必辉; 董作典; 王蓉 |
| 一种抗干扰X波段压控振荡器，利用构建的增加电路，从电路结构上的提高了X波段压控振荡器的抗干扰能力，进行压控振荡器电路改造，通过改造电路抑制了低频信号传导到变容二极管，使低频信号无法被调制到振荡器的工作频率上，不会被正反馈放大器放大；并且由于增加电路的阻抗在振荡频率为低阻，不引入额外的电路损耗，保证振荡器的功能性能不受影响；并且保证了振荡器的敏感参数相位噪声不受影响，从而从根本上提高了压控振荡器的抗干扰能力，提高整个频率源系统以及通信系统的稳定性。 | ||||||
| 167 | 用于测量装置的动态传感器 | CN201911021311.5 | 2019-10-25 | CN111102998B | 2023-08-29 | T·库恩; J·法瑟; C·布朗曼 |
| 本公开涉及一种用于感测由可测量的物理效应引起的动态衰减变化的振荡传感器装置(2)，该振荡传感器装置(2)特别地用于接近传感器，该述振荡传感器装置(2)包括：包括谐振电路(21)的振荡器和反馈至该谐振电路(21)的放大器(22)，该放大器(22)被配置成保持该振荡器的振荡，其中该放大器(22)包括用于将操作点定义在振荡的预设幅度的非线性增益特性；以及控制单元(3)，被配置成控制振荡器的开环增益；其中，该控制单元(3)被配置成控制振荡器的开环增益以使操作点被定在振荡的预设幅度。 | ||||||
| 168 | 一种基于多振荡核心的太赫兹压控振荡器 | CN202110812836.1 | 2021-07-19 | CN113507266B | 2023-08-25 | 李芹; 冯可瞧 |
| 本发明公开了一种基于多振荡核心的太赫兹压控振荡器，利用多个振荡核心并联，降低负阻，根据振荡器的指标要求设计连接各VCO振荡核心的传输，最后将振荡信号输入缓冲放大器电路与倍频器电路。该结构在工艺受限的情况下，可以有效地降低无源器件的值，实现较好的相位噪声，为太赫兹频段收发前端提供高品质本振信号。 | ||||||
| 169 | 布线基板、电子装置以及电子模块 | CN201980007302.2 | 2019-01-23 | CN111566808B | 2023-08-22 | 木佐木拓男; 泽田惠佑 |
| 本公开的布线基板具备：具有主面的绝缘基板；以及一部分位于绝缘基板的内部且另一部分露出于所述主面侧的外部连接导体，绝缘基板包括具有绝缘性并且咬入外部连接导体的咬入部。 | ||||||
| 170 | 一种谐振器的制作方法 | CN202110235858.6 | 2021-03-03 | CN112953388B | 2023-08-18 | 王友良; 魏涛; 王家友; 赖志国; 唐兆云; 杨清华 |
| 本发明实施例公开了一种谐振器的制作方法。该方法包括：依次形成第一电极层、压电层和第二电极层；在第二电极层远离压电层的一侧形成牺牲层；牺牲层包括第一凹槽，第一凹槽的深度等于牺牲层的厚度，第一凹槽包括第一区域和第二区域，沿与第一凹槽的延伸方向垂直的方向，第一区域和第二区域并排排列；在牺牲层远离第二电极层的一侧形成框架层，框架层覆盖牺牲层以及第一凹槽；去除牺牲层表面的框架层、位于第一区域的框架层以及位于第一区域的部分第二电极层，以在第二区域形成框架结构，在第一区域形成位于第二电极层上的第二凹槽；第二凹槽的深度小于第二电极层的厚度；去除牺牲层。本发明实施例避免了光刻胶残留，提升了谐振器性能。 | ||||||
| 171 | 振动器件、电子设备和移动体 | CN201810678177.5 | 2018-06-27 | CN109217823B | 2023-08-18 | 堤昭夫; 仓科隆; 小松史和 |
| 振动器件、电子设备和移动体。提供小型振动器件等，能够紧凑地收纳多个振子和集成电路装置。该振动器件包含第1振子、第2振子和集成电路装置，集成电路装置包含：第1振荡电路、第2振荡电路，它们使第1振子、第2振子振荡；第1端子、第2端子，它们与第1振荡电路连接；以及第3端子、第4端子，它们与第2振荡电路连接。集成电路装置的第1端子和第1振子的一侧电极进行凸块连接，第3端子和第2振子的一侧电极进行凸块连接。在与集成电路装置的基板正交的方向上的俯视时，第1振子和第1振荡电路至少一部分重叠，第2振子和第2振荡电路至少一部分重叠。 | ||||||
| 172 | 乘时钟倍数跟随的高线性度正弦波发生器 | CN201610675501.9 | 2016-08-16 | CN106656048B | 2023-08-18 | 李荣宽 |
| 本发明涉及一种乘时钟倍数跟随的高线性度正弦波发生器,包括基准电压输入端、接地端、全差分放大器及多个串联的分压电阻；还包括与外部时钟信号连接的除M锁相环，与所述除M锁相环连接的不门及计数器，与所述计数器连接的种子逻辑发生器，与所述种子逻辑发生器连接的移位寄存器，所述移位寄存器的时钟信号输入端与所述不门的输出端连接；所述移位寄存器通过逻辑开关依次控制第1+H正开关及第N+1‑H负开关打开，H为小于等于N且大于等于0的整数，以使所述全差分放大器输出正弦波。采用本发明，可解决频率稳定性低和线性度差的问题。 | ||||||
| 173 | 一种基于130nmGeSi工艺的压控振荡器 | CN202310298521.9 | 2023-03-24 | CN116599466A | 2023-08-15 | 蒋理足; 杨涛; 夏鑫琳; 刘宇; 彭浩; 周翼鸿 |
| 本发明属于射频电子学领域，具体提供一种基于130nmGeSi工艺的压控振荡器。本发明对传统的差动形式的Colpitts型压控振荡器进行创造性改进，在振荡器两个异质结双极型晶体管的集电极与发射极之间加入了耦合电容C0，用来增加压控振荡器输出信号的振幅；同时，在异质结双极型晶体管的发射极和电容节点之间加入了电感L0，用以变相增大晶体管的跨导，从而放宽了压控振荡器的起振条件；并且，本发明谐振回路中的电感Lp使用了类八边形环状对称电感结构，以便于增大Q值减小相位噪声；最终，本发明实现了较低相位噪声、较宽调谐范围、较大振幅和较好启动条件等效果；并且，器件工作频率较高，对高性能压控振荡器的实现具有重要意义。 | ||||||
| 174 | 具有热匹配结构的太赫兹倍频器 | CN201910837993.0 | 2019-09-05 | CN110719067B | 2023-08-15 | 宋旭波; 张立森; 梁士雄; 吕元杰; 冯志红 |
| 本发明提供了一种具有热匹配结构的太赫兹倍频器，属于太赫兹器件领域，包括金属外壳、设于金属外壳内腔中的金刚石基板、设于金刚石基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，金刚石基板的上板面与倍频芯片对应的第一类压点处设有第三热膨胀适配层，金刚石基板的下板面与金属外壳内腔对应的第二类压点处设有第四热膨胀适配层。本发明提供的具有热匹配结构的太赫兹倍频器，第三热膨胀适配层和第四热膨胀适配层均选用具有较低热膨胀系数的材质，有效改善金刚石基板与倍频芯片及金刚石基板与金属外壳之间的热膨胀失配，使金刚石基板能够用于太赫兹倍频器中。 | ||||||
| 175 | 一种抑制闪烁噪声上变频过程的压控振荡器 | CN201811516669.0 | 2018-12-12 | CN111313836B | 2023-08-11 | 邓晓东; 丁万新; 杨峰; 陶晶晶; 陈东坡 |
| 本发明提供一种抑制闪烁噪声上变频过程的压控振荡器，涉及集成电路领域，所述振荡器包括与数字控制字输出端口连接的数字控制负阻单元、并联开关变容管阵列、谐振腔并联电容阵列，与数字控制负阻单元连接的固定负阻单元、谐振腔并联电感，所述数字控制负阻单元还与谐振腔并联电容阵列连接。本发明解决了现有技术中压控振荡器的近频相位噪声恶化的问题，使得本发明的压控振荡器与传统的传统压控振荡器相比近频相位噪声至少提高了6dB。 | ||||||
| 176 | 一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路 | CN201810440960.8 | 2018-05-10 | CN108631728B | 2023-08-11 | 张梁堂; 蔡志猛; 李志阳; 杨静; 汤丽华 |
| 一种可单片集成的正温度系数补偿振荡器电路包括启动电路、偏置电路、温度补偿电路和振荡器电路。振荡器电路中的充放电电容为MIM电容，其电容值具有负温度特性，即随着温度的上升，电容值减小，为补偿该电容的负温度特性，本发明采用正温度系数的偏置电路和温度补偿电路，选用不同正温度系数的电阻组合对电容的充放电电流进行温度补偿，以抵消电容的负温度特性，实现振荡器时钟频率的精确输出。 | ||||||
| 177 | 一种YTO驱动系统及电流补偿方法 | CN202310348804.X | 2023-04-04 | CN116131763B | 2023-08-08 | 刘国超; 刘畅; 王明 |
| 本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种YTO驱动系统及电流补偿方法，YTO驱动系统包括YTO，其中还包括H桥驱动模块、控制模块和温度传感器；H桥驱动模块用于驱动YTO；控制模块用于调节H桥驱动模块的输出电压或输出电流；温度传感器用于采集YTO温度信息，并将YTO温度信息传递至控制模块。电流补偿方法则通过设置的温度传感器，在使用中能够读取YTO外表的温度，从而可以配合YTO驱动系统电流补偿方法，对YTO的磁滞以及温度引起的非线性误差进行补偿修正，通过使用H桥驱动模块来驱动YTO，相较与传统的YTO驱动电路，电流精度更高。 | ||||||
| 178 | 振动器件、电子设备以及移动体 | CN202310693769.5 | 2020-03-23 | CN116545384A | 2023-08-04 | 西泽龙太; 小仓诚一郎; 山口启一 |
| 提供振动器件、电子设备以及移动体，能够降低不必要振动。振动器件具有振动结构体，在将彼此垂直的三个轴设为A轴、B轴以及C轴时，该振动结构体具有：振动元件，其具有沿与A轴和B轴平行的平面且沿A轴弯曲振动的第一振动臂和第二振动臂；以及支承基板，其与所述振动元件沿所述C轴排列配置，所述支承基板具有：基部，其支承所述振动元件；支承部，其支承所述基部；以及梁部，其连接所述基部与所述支承部，在设所述振动结构体沿所述B轴振动的共振频率为f0，设所述振动元件的驱动频率为f1时，f0＜f1。 | ||||||
| 179 | 一种振荡器自我锁定电路 | CN202310469439.8 | 2023-04-24 | CN116545380A | 2023-08-04 | 张峻荣 |
| 一种振荡器自我锁定电路包括：克拉泼振荡电路、与克拉泼振荡电路连接的相移器、与克拉泼振荡电路连接的并进行最终频率输出的隔直电容C0，克拉泼振荡电路包括：振荡器的LC谐振器、三极管Q1，相移器包括：与振荡器的LC谐振器连接的电感SL2、与电感SL2连接的电感SL1、一端接入电感SL2与电感SL1的公共端的可调电容SC1，相移器从克拉泼振荡电路中取得振荡器的振荡信号经过相位变化后，反馈到述振荡器的LC谐振器中；上述振荡器自我锁定电路利用注入锁定、相移器对固定频率的固定相移，通过电路的结构巧妙结合，实现振荡器的自我锁定自我稳定，从而达到电路简单、成本低、体积小、工作温宽大的优势特点。 | ||||||
| 180 | 一种带有三次谐波增强的毫米波压控振荡器 | CN202110276281.3 | 2021-03-15 | CN112953392B | 2023-08-04 | 唐路; 张薇; 张有明; 唐旭升 |
| 本发明公开了一种带有三次谐波增强的毫米波压控振荡器，该压控振荡器包括谐振腔和有源电路两部分；谐振腔初级谐振腔和次级谐振腔：初级谐振腔为三次谐波谐振腔，包括多峰值变压器初级线圈和第一开关电容阵列；次级谐振腔为基频谐振腔，包括多峰值变压器次级线圈、第二开关电容阵列以及压控可变电容。有源部分采用基于变压器耦合的负阻管。本发明实现三次谐波的增强，在拥有高频输出信号的同时也能保证良好的相位噪声，且频率调谐范围更大、版图占用芯片面积更小。 | ||||||
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