子分类：
- H03B1/00：零部件
- H03B5/00：利用由输出至输入有正反馈的放大器产生振荡
- H03B7/00：使用两电极间具有负电阻的有源元件产生振荡
- H03B9/00：利用渡越时间效应产生振荡
- H03B11/00：采用冲击激励调谐电路产生振荡
- H03B13/00：利用阴极射线管中电子束的偏转产生振荡
- H03B15/00：利用电—磁器件，例如霍尔效应器件，使用自旋转移效应的器件，使用大型磁致电阻的器件或利用超导效应产生振荡）
- H03B17/00：利用辐射源和检波器
- H03B19/00：用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡
- H03B21/00：由组合不同频率的非调制信号产生振荡
- H03B23/00：周期性地扫描指定的频率范围产生振荡
- H03B25/00：由一个自由激振荡器同时产生不同频率的振荡
- H03B27/00：由多个同频不同相的输出产生振荡，只有两个反相输出的除外
- H03B28/00：用H03B 5/00至H03B 27/00各组中未包含的方法产生振荡，包括为产生正弦振荡而进行的波形修正
- H03B29/00：噪声电流和噪声电压的产生
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 晶体振荡器、晶体振荡器的控制方法、设备及存储介质 | CN202211263585.7 | 2022-10-11 | CN117914264A | 2024-04-19 | 程聪 |
| 本申请公开了一种晶体振荡器、晶体振荡器的控制方法、设备及存储介质，晶体振荡器包括：外部晶体，与所述外部晶体连接的电容调谐阵列，与所述外部晶体和所述电容调谐阵列连接的输出缓冲器；所述电容调谐阵列，用于在所述外部晶体产生振荡，且接收到数字频率控制字之后，根据所述数字频率控制字进行奇数偶数行列译码，生成时钟信号，通过所述输出缓冲器输出所述时钟信号，以根据输出的所述时钟信号调整所述振荡对应的频率。本申请实现了晶体振荡器能提供高精度的信号。 | ||||||
| 22 | 一种幅值无级可调的正弦运动发生装置 | CN202011536559.8 | 2020-12-23 | CN112653429B | 2024-04-19 | 于小丽; 张永胜; 张毅治; 杨松涛; 赵玉婷 |
| 本发明公开的一种幅值无级可调的正弦运动发生装置，属于动态性能参数测试领域。本发明圆周运动部件两侧均分别与轴连接，所述两轴不在同一直线上；驱动圆周运动部件工作，将圆周运动转换成直线运动，此时输出的即是幅值无级可调的正弦信号。所述圆周运动部件两侧部分通过滑动方式连接，使得一部分能够沿着滑道相对另一部分移动；所述圆周运动部件通过调整两侧部分相对滑动位移，控制输出正弦运动的幅值大小。圆周运动部件两侧部分通过锁紧机构限制其相互运动。圆周运动部件滑台的侧面装有刻度尺，准确指示其位移。本发明不仅能够提供动态正弦运动源，还能根据需求快速改变运动源的频率和幅值，且幅值无级可调。 | ||||||
| 23 | 晶体振荡器的温度补偿方法和装置、电子设备、存储介质 | CN201910768903.7 | 2019-08-20 | CN112422084B | 2024-04-19 | 吴中臣 |
| 本申请涉及一种晶体振荡器的温度补偿方法，包括：获取电子设备对应的当前温度场景；在所述当前温度场景下，获取单位时间内所述电子设备的晶体振荡器的频率偏移变化量与单位时间内的温度变化量之间的当前对应关系；根据所述当前温度场景以及所述当前对应关系确定所述晶体振荡器的温度补偿频率；根据所述温度补偿频率对所述晶体振荡器的频率进行补偿。本申请还公开了一种晶体振荡器的温度补偿装置、电子设备以及计算机可读存储介质。本申请实现及时对晶体振荡器的频率的进行补偿，从而提高了电子设备的时钟的准确性。 | ||||||
| 24 | 一种随机数生成电路及相应的安全芯片 | CN202110801071.1 | 2021-07-15 | CN113434114B | 2024-04-16 | 李立; 王韩 |
| 本发明公开了一种随机数生成电路及相应的安全芯片。该电路包括随机电压生成单元、高速压控振荡单元、高速振荡单元、逻辑异或单元、低速振荡单元和触发单元。本发明利用随机电压生成单元为高速压控振荡单元提供随机变化电压，使其生成频率相应变化的第一高频时钟信号，该第一高频时钟信号和与其独立不相关的由高速振荡单元生成的第二高频时钟信号进行异或后，一方面增加了异或后的第三高频时钟信号与低频时钟信号的不相干性，另一方面增加了除了高速压控振荡单元的有源器件引入的电流噪声和热噪声外，还增加了由随机电压生成单元为高速压控振荡单元提供的随机变化电压，作为其控制电压所产生的随机噪声，从而提高了本发明生成随机数的随机性。 | ||||||
| 25 | 具有宽频带频率温漂补偿的数控振荡器、芯片及通信终端 | CN202211358768.7 | 2022-11-01 | CN115996024B | 2024-04-12 | 胡锦瑞; 杨磊; 李立; 王东旺; 王韩; 杜洪立; 马洪祥; 吕晓鹏; 方舒悦 |
| 本发明公开了一种具有宽频带频率温漂补偿的数控振荡器、芯片及通信终端。该数控振荡器包括振荡器电路、调谐电容阵列和补偿电容阵列。其中，调谐电容阵列和补偿电容阵列分别与振荡器电路的两个差分输出端并联连接。本发明通过采用OTW控制码检测电路和参考电压控制阵列，以及PTAT模块和温补电压控制阵列两个部分，共同控制补偿电容陈列的端电压值从而得到补偿电容值的技术方案，实现了在宽频带范围内，高精度补偿数控振荡器输出频率随温度变化引起的频率漂移，在宽频带范围内提高了数控振荡器输出频率的稳定性。 | ||||||
| 26 | 温度补偿晶体振荡器 | CN201710914920.8 | 2017-09-30 | CN107733369B | 2024-04-12 | 牟端 |
| 本发明公开了一种温度补偿晶体振荡器，包含两个同样切型的晶体谐振器，它们的参考点温度不同分别为T01、T02，其中T01＜T02，在温度小于设定温度Ts时，用晶体谐振器A输出频率F1，温度大于设定温度Ts时，用晶体谐振器B输出频率F1。频率F1通过基于锁相环技术的频率合成器生成频率F2。基于锁相环技术的频率合成器可选择压控振荡器VCO或压控晶体振荡器VCXO。用1PPS信号对频率F1、频率F2的老化进行补偿。本发明极大提高了系统的精度和长期可靠性。 | ||||||
| 27 | 一种双模分频器及其设计方法、多模分频器 | CN202311776590.2 | 2023-12-21 | CN117856784A | 2024-04-09 | 周春元; 罗俊; 刘文冬; 高伟; 张慧 |
| 本发明公开了一种双模分频器及其设计方法、多模分频器，双模分频器包括：依次连接的信号调节电路以及双模分频电路；信号调节电路，用于接收时钟信号，调节时钟信号占空比为50％，并输出倍频系数对应的倍频信号；双模分频电路，用于对倍频信号进行分频处理，得到分频模式对应的分频信号；其中，本发明可以通过确定对应的倍频系数和分频模式，以使得双模分频器能将分频步长降至低于0.5的目标分频步长，例如0.25，以解决受限于0.5的分频步长，导致噪声贡献大，影响分数锁相环整体噪声性能的技术问题，满足双模分频器在高性能分数锁相环的应用需求。 | ||||||
| 28 | 工作频率调节方法、工作频率控制电路及射频电源设备 | CN202311754223.2 | 2023-12-20 | CN117439544B | 2024-04-09 | 王树晓; 陈亚梯 |
| 本申请提供一种射频电路的工作频率调节方法、工作频率控制电路及射频电源设备，涉及射频技术领域，射频电路的工作频率调节方法包括：控制射频电路以不同的工作频率向负载输出；检测射频电路在每个工作频率输出时的电路参数；基于射频电路在每个工作频率输出时的电路参数，计算得到射频电路的谐振频率；将射频电路的工作频率调节为谐振频率。本申请可快速确定射频电路的谐振频率，并调节射频电路的工作频率为谐振频率。 | ||||||
| 29 | 一种快速皮尔斯型晶体振荡器电路 | CN202410003832.2 | 2024-01-03 | CN117833828A | 2024-04-05 | 相立峰; 张国贤; 孙俊文; 张勋; 崔明辉; 吕广维; 李娜; 连莲; 姚文平; 王星; 徐晓斌; 赵霁 |
| 本发明公开一种快速皮尔斯型晶体振荡器电路，属于集成电路领域，包括直流偏置电路、LDO、自适应振幅控制单元、快速皮尔斯型晶体振荡器核心电路以及输出驱动模块；其中所述自适应振幅控制单元由检波器、比较器、数字逻辑单元以及电平移位电路组成。本发明增加振幅控制电路，降低振荡输出波形的幅度，提高振幅的稳定性，同时降低电路的功耗，具有精度高、低相位噪声、启动快等优点。 | ||||||
| 30 | 二级差动环形压控振荡器及射频芯片模组 | CN202410006226.6 | 2024-01-03 | CN117498804B | 2024-04-05 | 李鹏浩; 郭嘉帅 |
| 本发明适用于集成电路技术领域，尤其涉及一种二级差动环形压控振荡器及射频芯片模组，所述二级差动环形压控振荡器包括第一级差动对、第一级负载电容、第一级负载正阻、第二级差动对、第二级负载电容、第二级负载负阻以及电压‑电流转换模块。本发明通过减少环形压控振荡器中差动对的结构数量，能够减少环形压控振荡器的实际面积，并且降低环形压控振荡器电路产生的功耗；另一方面，本发明通过在二级差动环形压控振荡器设计的电压‑电流转换模块对差动对和负载电阻的增益和振荡频率进行控制，在简化环形压控振荡器电路的同时能够确保振荡器本身的时序逻辑功能。 | ||||||
| 31 | 烘箱控制的MEMS振荡器以及用于校准MEMS振荡器的系统和方法 | CN201880062284.3 | 2018-05-23 | CN111133675B | 2024-04-05 | 维莱·卡亚卡里 |
| 提供了一种用于烘箱控制的MEMS振荡器的校准系统。该校准系统包括控制电路系统，该控制电路系统分别选择预先确定的目标设定点值并且基于所选择的目标设定点值中的每一个来控制烘箱控制的MEMS振荡器内的加热器，以调整烘箱控制的MEMS振荡器的设定点。该系统还包括振荡测量电路，该振荡测量电路测量在与所选择的预先确定的目标设定点值中的每一个对应的每个调整的设定点处的相应振荡频率。所测量的振荡频率然后可以被用于确定用于烘箱控制的MEMS振荡器的目标设定点操作值，该目标设定点操作值可以被用于校准烘箱控制的MEMS振荡器。 | ||||||
| 32 | 多相信号发生器、倍频器、混合信号电路和方法 | CN201780089030.6 | 2017-03-29 | CN110495101B | 2024-04-05 | M·卡谢尔; D·格吕贝尔; F·孔扎蒂; P·格雷科 |
| 多相信号发生器包括输入端口。多相信号发生器还包括多个移相器。多个移相器中每个配置为提供相同相移#imgabs0#至少一个移相器连接到输入端口。多相信号发生器还包括第一相位内插器和至少第二相位内插器。每个相位内插器具有相应输出端。每个相位内插器配置为用相应第一加权因子wi,1加权相位内插器相应第一输入端处的信号相位并用相应第二加权因子wi,2加权相位内插器相应第二输入端处的另一信号相位，以在相位内插器相应输出端产生内插相位信号。多个移相器第一子集包括n>1个串联连接移相器。移相器第一子集耦合在第一相位内插器第一和第二输入端间。多个移相器不同第二子集包括n个串联连接移相器。移相器第二子集耦合在第二相位内插器第一和第二输入端间。 | ||||||
| 33 | 一种基于DDS的LEU用C6信号产生装置 | CN201710570773.7 | 2017-07-13 | CN107332515B | 2024-04-05 | 居礼; 李晓光; 诸葛晓钟; 王勇; 蒋耀东; 唐俊; 徐先良; 潘雷 |
| 本发明涉及一种基于DDS的LEU用C6信号产生装置，包括DDS芯片、I‑V信号转换电路、有源放大器、FPGA，所述的DDS芯片的输入端与FPGA连接，所述的DDS芯片的输出端与I‑V信号转换电路的输入端连接，所述的I‑V信号转换电路的输出端与所述的有源放大器的输入端连接。与现有技术相比，本发明能够提供更加准确稳定、可靠无误的C6信号，使得与LEU连接的有源应答器能将能量传递给信标，进而正确地激活信标。 | ||||||
| 34 | 双通道毫米波高线性上变频集成装置和毫米波高线性功率放大器的测试系统 | CN202311832323.2 | 2023-12-27 | CN117811505A | 2024-04-02 | 蔡宗棋; 吕安如; 陈义强; 黄健城; 张小龙; 唐莎; 方栓柱; 方来旺; 刘昌; 李幸 |
| 本申请提供一种双通道毫米波高线性上变频集成装置和毫米波高线性功率放大器的测试系统，其中，双通道毫米波高线性上变频集成装置包括第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器、功分器、第一倍频放大链路、第二倍频放大链路、第一混频器、第二混频器、第一滤波放大链路和第二滤波放大链路。本申请的双通道毫米波高线性上变频集成装置用于为待测毫米波高线性功率放大器提供可用于测试IM3、ACPR及EVM指标的输入信号。进一步地，本申请的双通道毫米波高线性上变频集成装置至少具有可降低测试成本、提高测试准确性的优点。 | ||||||
| 35 | 低闪烁噪声的低温压控振荡器电路、芯片及量子测控系统 | CN202211072965.2 | 2022-09-02 | CN115549587B | 2024-04-02 | 王成; 张耕南阳 |
| 本发明实施例提供了一种低闪烁噪声的低温压控振荡器电路、芯片及量子测控系统，在该低闪烁噪声的低温压控振荡器电路中，通过采用双层电感耦合结构和变压器结构，能够同时构建双二次谐波谐振点以及三次谐波谐振点，在低温下谐波调谐技术维持有效，使谐波可准确对齐，进而成功抑制低温闪烁噪声；同时，利用第一差模电容调节电路和第二差模电容调节电路分别实现振荡器频率的细调和粗调，实现宽带低温闪烁噪声的抑制。 | ||||||
| 36 | 压控振荡装置和锁相环 | CN202410045790.9 | 2024-01-11 | CN117792285A | 2024-03-29 | 袁泽心 |
| 本申请公开了一种压控振荡装置和锁相环，压控振荡装置包括压控振荡器、缓冲器和抑制噪声电路，压控振荡器中第一开关管的栅极与第二开关管的漏极相连后接入电源，第二开关管的栅极与第一开关管的漏极相连后接入电源，第一开关管的源极与第二开关管的源极相连并接地。抑制噪声电路中第三开关管的栅极、第四开关管的栅极分别与第一开关管的漏极、第二开关管的漏极相连，第三开关管的漏极与第一缓冲器的输入端相连，第四开关管的漏极与第二缓冲器的输入端相连。第一缓冲器的输出端、第二缓冲器的输出端分别作为压控振荡装置的第一频率输出端和第二频率输出端。采用本申请，可阻止来自缓冲器的噪声进入压控振荡器。 | ||||||
| 37 | 一种输出频率与温度无关的RC振荡器 | CN202011086135.6 | 2020-10-12 | CN112187216B | 2024-03-29 | 徐冰妍; 黄继成 |
| 本发明涉及CMOS集成电路设计技术领域，尤其涉及一种输出频率与温度无关的RC振荡器，包括：参考电压电源，用于形成一参考电压，参考电压电源的第一输出端连接一电阻，参考电压电源的第二输出端连接一电容；温度系数校准电源，温度系数校准电源的输出端连接于参考电压电源的第二输出端和电容之间，以对参考电压电源输出的第一电流进行校准，并向电容输出校准后的充电电流；比较器，比较器的第一输入端连接于参考电压电源的第一输出端与电阻之间，比较器的第二输入端连接电容的一端。有益效果：提供一种输出频率与温度无关的RC振荡器电路，改变充电电流的温度特性，降低温度对振荡信号的频率产生的影响。 | ||||||
| 38 | 一种宽带增强型注入锁定四倍频器 | CN201811555037.5 | 2018-12-19 | CN109510597B | 2024-03-29 | 唐攀; 宋柏; 章圣长; 吴沁阳; 陈小浪; 刘秋实 |
| 本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种应用于毫米波雷达、通信等系统中的宽带增强型注入锁定四倍频器，包含两个注入锁定压控振荡器和两个谐波发生器，所述谐波发生器和所述注入锁定振荡器通过变压器网络实现连接和注入，通过宽带匹配网络选频后输出最终频率。本专利采用压控振荡器电路结构，利用晶体管非线性特性和注入锁定技术实现倍频功能，本申请的电路功耗大幅低于传统结构、芯片面积更小，具有低成本、低功耗、高集成度优势，更适合用于毫米波雷达、通信等系统中的高集成度SOC芯片。 | ||||||
| 39 | 一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容 | CN202311542327.7 | 2023-11-20 | CN117277968B | 2024-03-26 | 邓建元; 李虹; 阮庆瑜 |
| 本发明属于射频芯片技术领域，具体涉及一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容，包括PMOS管、NMOS管、电感L1以及可变电容阵列Var。通过MOS管在饱和区和截至区产生两个不同的电容值，通过分割方法得到一系列工作在两个电容值的单元电容通过对这些单元电容设置不同的偏置电压，得到线性化的可变电容。可变电容阵列Var中的两个电容阵列是互补型阵列组成的差分可变电容，其对可变电容两端的共模噪声调制是互相抵消的，有效地提高了可变电容的线性度，及线性调节电压的范围，减小可变电容两端的共模干扰产生的调制相位噪声，在射频芯片中极大提高了通信系统能够的抗干扰能力。 | ||||||
| 40 | 一种无磁智能水表电子采集模块 | CN202311602094.5 | 2023-11-28 | CN117740096A | 2024-03-22 | 王瑞吉; 蔡学飞; 曾一彬; 张斌 |
| 本发明涉及一种无磁采样水表，目的是提供一种无磁智能水表电子采集模块，该模块应具有结构简单、性能优良的特点。技术方案是一种无磁智能水表电子采集模块，包括可转动地定位在基表中的转盘、设置在转盘上方的传感器、连接传感器的采样电路；其特征在于：所述采样电路包括并联的三条采样支路、负载驱动电路、峰值检测电路、电压放大电路、模数转换器；每条采样支路带有一个感应线圈，三个感应线圈均设置在传感器上并且布置在传感器中心轴周围。 | ||||||
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