| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 单个磁性层微波振荡器 | CN201980040794.5 | 2019-04-23 | CN112335063B | 2024-04-02 | 卡斯滕·罗德; 普拉曼·斯塔梅诺夫; 约翰·迈克尔·大卫·科伊; 刘永昌; 大卫·贝托; 阿恩·布拉塔斯; 罗伯托·特龙科索 |
| 提供了用于在单个磁性层中生成电压和/或电流振荡的方法和系统。方法包括在纵向方向上向层施加直流电压/电流；以及形成在一对纵向电压引线之间的纵向电压和/或在一对横向电压引线之间的横向电压。磁性层包括具有第一磁性亚晶格和第二磁性亚晶格的亚铁磁性或反亚铁磁性材料，其中，第一亚晶格是主导亚晶格，使得费米能级处的载流子主要来源于主导亚晶格，并且费米能级处的载流子是自旋极化的。在一些实施例中，主导载流亚晶格可以缺乏反演对称性。 | ||||||
| 2 | 一种声表面波可调磁斯格明子微波振荡器频率转换器 | CN202310471686.1 | 2023-04-27 | CN116722820A | 2023-09-08 | 南天翔; 杨扬 |
| 本申请提供了一种声表面波可调磁斯格明子微波振荡器频率转换器，其中包括一种驱动磁斯格明子圆周运动的装置，所述装置包括：复合薄膜和弹性波产生模块；所述弹性波产生模块被配置成所述弹性波产生模块产生的弹性波在所述复合薄膜中传播；所述复合薄膜垂直于基底的横截面为圆形、椭圆形和圆环形中的任意一种或多种。本申请提供的微波振荡器频率转换器输出频率范围宽，微波振荡器频率转换器的输出频率可通过调节声表面波的功率和频率参数进行调节，实现倍频，具有微波频率转换的功能，不需要输入额外电流调控磁性薄膜的磁化状态，避免了磁性薄膜上产生电流引起的焦耳热，具有功耗低、频率可调、稳定性好等优点。 | ||||||
| 3 | 自旋流磁化反转元件和自旋轨道转矩型磁阻效应元件 | CN201880008927.6 | 2018-08-08 | CN110268530B | 2022-07-26 | 佐佐木智生; 盐川阳平 |
| 该自旋流磁化反转元件(10)具备：自旋轨道转矩配线(2)，其沿第一方向(X)延伸；和第一铁磁性层(1)，其设置在与所述自旋轨道转矩配线的所述第一方向交叉的第二方向(Z)上，其中，所述自旋轨道转矩配线具有位于设置有所述第一铁磁性层一侧的第一表面(2a)和与所述第一表面相反的一侧的第二表面(2b)，所述自旋轨道转矩配线在所述第一表面具有：设置有所述第一铁磁性层的第一区域(2A)；和比所述第一区域更向所述第二表面侧凹陷的第二区域(2B)。 | ||||||
| 4 | 频率传感器 | CN201880077051.0 | 2018-11-28 | CN111417858B | 2022-07-01 | 亚历克斯·詹金斯; 里卡多·费雷拉 |
| 提供了一种频率传感器。频率传感器可以包括：磁阻纳米振荡器，其包括至少磁性自由层、磁性参考层和布置在所述磁性自由层和所述磁性参考层之间的非磁性中间层的磁性异质结构；耦合装置，其用于将输入信号耦合到磁性自由层的至少一个磁模式；和频率估计器。频率估计器可以被配置为：随着时间执行所述磁阻纳米振荡器两端的多个电压测量；基于所述多个电压测量，计算所述磁阻纳米振荡器两端的时间平均电压；在有限的频率范围内、基于所计算的时间平均电压来估计所述输入信号的频率，并且输出表示所估计的频率的信号。还提供了一种估计输入信号的频率的方法。 | ||||||
| 5 | 用于产生具有各自频率的多个电流的方法 | CN201780063117.6 | 2017-10-11 | CN109804517B | 2022-06-17 | 保罗·博尔托洛蒂; 朱利安·科莫凡特; 文森特·克罗; 布鲁诺·马西尔哈克; 罗曼·勒布伦 |
| 本发明涉及一种用于由第一电流(C1)产生多个第二电流(C2)的方法，第一电流包括具有第一频率，每个第二电流具有第二频率分量，所述方法包括以下步骤：提供频率分配器(10)，该频率分配器包括第一组(E1)支柱(40)，该第一组支柱包括由第一磁性材料制成并具有谐振频率的层；第一组(E1)的每个柱(40)由具有第一频率的电磁场激励，第一组(E1)的每个柱(40)的谐振频率的两倍与第一频率的比率等于第一个自然整数，误差在10％以内；并且，第一组(E1)的每个柱(40)在第二电流(C2)中产生第二频率分量。 | ||||||
| 6 | 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器 | CN201680068769.4 | 2016-11-25 | CN108292703B | 2022-03-29 | 盐川阳平; 佐佐木智生 |
| 本发明提供一种自旋流磁化反转元件，具备：第一铁磁性金属层，可改变磁化方向；自旋轨道转矩配线，沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向延伸，且与第一铁磁性金属层接合，上述自旋轨道转矩配线的材料为以式AxB1‑x表示的二元合金、金属碳化物或金属氮化物，上述A为选自Al、Ti、及Pt的元素，上述B为选自Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及Ir的元素，且为具有空间群Pm‑3m或Fd‑3m的对称性的立方晶结构，或上述A为选自Al、Si、Ti、Y、及Ta的元素，上述B为选自C、N、Co、Pt、Au及Bi的元素，且为具有空间群Fm‑3m的对称性的立方晶结构。 | ||||||
| 7 | 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件和磁存储器 | CN201680068776.4 | 2016-11-25 | CN108292704B | 2021-09-07 | 盐川阳平; 佐佐木智生 |
| 该自旋流磁化反转元件包括：磁化方向可变的第一铁磁性金属层；和在与所述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向上延伸，并与所述第一铁磁性金属层(1)的第一面接合的自旋轨道转矩配线，自旋轨道转矩配线由与第一铁磁性金属层接合的纯自旋流产生部，和与第二方向的纯自旋流产生部(2A)的两端连接，并由电阻率比纯自旋流产生部小的材料形成的低电阻部构成，纯自旋流产生部以与第一方向正交的截面的面积随着在第一方向上远离与第一铁磁性金属层接合的接合面而连续地和/或阶梯地变大的方式而形成。 | ||||||
| 8 | 自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法 | CN201611019774.4 | 2016-11-18 | CN107070408B | 2021-06-15 | D.阿帕尔科夫; R.彻普尔斯凯; V.尼基丁 |
| 本发明涉及自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法。自旋扭矩振荡器包括：具有固定磁化的驱动参比层；非磁性隔离层；和呈现易锥磁各向异性的具有可变磁化的自由层，所述非磁性隔离层在所述参比层和所述自由层之间，所述自由层的磁各向异性能量具有沿着轴的局部最大值、在与该轴所成的角度处的局部最小值、和不同于所述局部最大值的全局最大值，所述角度大于0度，其中所述自旋扭矩振荡器配置为使得所述自由层的可变磁化围绕所述轴旋进。 | ||||||
| 9 | 天线装置及高频发送器 | CN201580070565.X | 2015-12-22 | CN107112950B | 2021-04-02 | 水沼广太朗; 渡边祐; 河野欣; 奥野英一; 布施卓哉; 大薮弘和 |
| 天线装置具有多条天线(1)、将电能转换为高频功率的多个磁性振荡元件部(2)、和调制器(6)，该调制器(6)通过设计时间差，将从电能向所述多个磁性振荡元件部中至少两个磁性振荡元件部输出，使通过所述至少两个磁性振荡元件部(2‑1、2‑2)从电能转换而得的高频功率的相位成为彼此不同的相位。所述多个磁性振荡元件部包括一对电极(11、18)，在所述一对电极之间具有钉扎层(14)、自由层(16)和中间层(15)。由所述钉扎层、所述中间层、所述自由层构成的元件的电阻值，根据所述钉扎层的磁化方向和所述自由层的磁化方向之间的角度而变化。所述多条天线通过被供给高频功率而向所述磁性振荡元件部的外部的空间发送电磁波。 | ||||||
| 10 | 磁耦合层、包括磁耦合层的结构及其制造和/或使用它们的方法 | CN201780090353.7 | 2017-11-24 | CN110603618A | 2019-12-20 | Z·R·纳恩; E·格特 |
| 提供一种磁性结构。该磁性结构可以具有带有第一磁化方向的第一磁性层、带有第二磁化10方向的第二磁性层和插置在第一和第二磁性层之间的耦合层。耦合层可包括至少一种非磁性元素和至少一种磁性元素。该至少一种非磁性元素与该至少一种磁性元素的原子比为(100-x):x，其中x是原子浓度参数。原子浓度参数x可以使得第一磁性层非共线地耦合1到第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，第一磁化方向定向为相对于第二磁化方向成非共线角度。 | ||||||
| 11 | 自旋振荡器装置和相互同步的自旋振荡器装置阵列 | CN201780068307.7 | 2017-10-27 | CN109906549A | 2019-06-18 | 约翰·阿克曼; 艾哈迈迪·阿阿瓦德; 菲利普·迪伦费尔德; 阿夫申·胡桑; 米科拉·德沃尔尼克 |
| 一种自旋振荡器装置(1)，包括第一自旋霍尔效应纳米振荡器SHNO(2)，其具有延伸的多层磁性薄膜堆叠(2)，其中，纳米收缩NC(6)被提供在所述磁性膜堆叠(2)中，所述磁性膜堆叠(2)提供包括磁性自由层(3)和自旋霍尔效应层的SHNO(2，6)并且具有纳米级区，其中，NC(6)被配置为向纳米区集中电流(Idc)，被配置为在磁性自由层(3)中生成对激发磁化自动振荡MAO需要的必要电流密度，其中，周向磁场(HOe)围绕NC(6)，其中，具有基本上平面外的分量的外部施加的应用场(Hext)被配置为控制MAO朝向第二自旋振荡器装置(NCn)的空间扩展，该第二自旋振荡器装置被布置在MAO通信中并且与第一NC(NC1)同步。 | ||||||
| 12 | 磁阻效应器件及高频器件 | CN201811036497.7 | 2018-09-06 | CN109473545A | 2019-03-15 | 山根健量 |
| 本发明提供作为高频滤波器等的高频设备发挥功能的磁阻效应器件。该磁阻效应器件包括：磁阻效应元件、第一信号线路、直流施加端子以及独立磁性体；所述磁阻效应元件具有：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及夹在所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层之间的间隔层；所述第一信号线路通过高频电流的流动产生高频磁场；所述直流施加端子能够连接用于向所述磁阻效应元件的层叠方向流入直流电流的电源；所述独立磁性体通过接收第一信号线路产生的高频磁场而磁化振动，将该磁化产生的磁场施加到所述磁阻效应元件。 | ||||||
| 13 | 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器 | CN201680068794.2 | 2016-11-25 | CN108292705A | 2018-07-17 | 佐佐木智生; 及川亨 |
| 本发明的自旋流磁化反转元件中，具备：磁化方向可变的第二铁磁性金属层(1)；向相对于上述第二铁磁性金属层(1)的垂直于平面的方向交叉的方向延伸，且接合于上述第二铁磁性金属层(1)的自旋轨道力矩配线(2)，上述自旋轨道力矩配线层(2)的、接合于上述第二铁磁性金属层(1)的接合部分的自旋电阻比上述第二铁磁性金属层(1)的自旋电阻大。 | ||||||
| 14 | 磁阻效应元件、磁存储器、磁化反转方法及自旋流磁化反转元件 | CN201680068515.2 | 2016-11-25 | CN108292702A | 2018-07-17 | 佐佐木智生 |
| 本发明提供一种磁阻效应元件，在该磁阻效应元件中，具备：磁阻效应元件，其具有固定了磁化方向的第一铁磁性金属层、和磁化方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与上述第二铁磁性金属层接合，在上述磁阻效应元件和上述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于上述磁阻效应元件的电流和流通于上述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配。 | ||||||
| 15 | 频率可变磁电阻效应元件以及使用该元件的振荡器、检波器及滤波器 | CN201710914552.7 | 2017-09-30 | CN107919434A | 2018-04-17 | 柴田龙雄 |
| 本发明旨在提供一种频率特性稳定且工作能量被大幅度降低了的频率可变磁电阻效应元件及利用该元件的器件。本发明的频率可变磁电阻效应元件包括：磁电阻效应元件、对所述磁电阻效应元件施加磁场的磁场施加机构、对所述磁电阻效应元件施加电场的电场施加机构、及与所述电场施加机构连接并向所述电场施加机构供给大小及/或极性不同的电压的控制端子。所述磁电阻效应元件包含具有电磁效应的反铁磁性物质或亚铁磁性物质。所述磁电阻效应元件通过改变从所述控制端子供给的电压的大小及/或极性，控制所述磁电阻效应元件的自旋扭矩振荡频率或自旋扭矩共鸣频率。 | ||||||
| 16 | 自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法 | CN201611019774.4 | 2016-11-18 | CN107070408A | 2017-08-18 | D.阿帕尔科夫; R.彻普尔斯凯; V.尼基丁 |
| 本发明涉及自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法。自旋扭矩振荡器包括：具有固定磁化的驱动参比层；非磁性隔离层；和呈现易锥磁各向异性的具有可变磁化的自由层，所述非磁性隔离层在所述参比层和所述自由层之间，所述自由层的磁各向异性能量具有沿着轴的局部最大值、在与该轴所成的角度处的局部最小值、和不同于所述局部最大值的全局最大值，所述角度大于0度，其中所述自旋扭矩振荡器配置为使得所述自由层的可变磁化围绕所述轴旋进。 | ||||||
| 17 | 具有自旋极化电流的射频振荡器 | CN200680040970.8 | 2006-10-31 | CN101300735A | 2008-11-05 | 贝纳德·迪耶尼; 阿利娜-马里亚·德亚克-伦纳 |
| 本发明公开了一种射频振荡器，包括自旋极化电流在其中流动的磁阻器件。该器件包括至少如下层的叠层：第一所谓的“锚定”磁层(1)，其具有固定的磁化方向；第二磁层(2)；非磁层(3)，其插入在上述两个层之间，旨在保证所述层的磁去耦合。该振荡器还包括使所述层中电子的流动垂直于这些层、并且如果可应用对该结构施加外部磁场的装置。对于波长等于或小于流过构成磁阻器件的叠层的电流的圆锥或圆柱范围的磁激励，第二磁层(2)具有比在具有相同几何形状的相同材料的单一层中测得的阻尼因子至少大10％的高激励阻尼因子。 | ||||||
| 18 | 一种自旋纳米振荡器 | CN202011136345.1 | 2020-10-22 | CN113452324B | 2023-04-07 | 王旻; 王昭昊; 赵巍胜 |
| 本发明提供一种自旋纳米振荡器，依次包括：强自旋轨道耦合层、第一自由层、探测器的第一势垒层以及探测器的参考层，自旋轨道矩电流通过所述强自旋轨道耦合层输入，在所述强自旋轨道耦合层与所述第一自由层之间的界面交互作用的辅助下，诱导所述第一自由层磁矩发生进动，引发磁畴壁周期性振荡，所述探测器检测磁矩变化并通过所述探测器输出周期性信号，读写路径分离，防止击穿。 | ||||||
| 19 | 一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器 | CN202110540745.7 | 2021-05-18 | CN113363377B | 2022-12-06 | 张雪峰; 陈文潮; 胡成龙; 刘先国 |
| 本发明涉及纳米自旋电子器件领域，针对铁磁斯格明子的纳米振荡器振荡频率低的问题，提供一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器，微波振荡器为柱状多层膜结构，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层，设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述自由层为承载斯格明子的铁磁纳米盘，磁矩方向与多层纳米磁盘所在平面垂直。本发明以斯格明子的手性转换及呼吸模式输出振荡信号，振荡信号到达几十GHz；运算器以能发生手性转换的斯格明子为基础，极大地缩小了器件的尺寸，提高了输出频率；输出频率可通过调控电流密度或自由层的材料参数进行调节。 | ||||||
| 20 | 一种基于滤波器的自旋纳米振荡器同步方法 | CN202010804256.3 | 2020-08-12 | CN111969954B | 2022-10-21 | 曾琅; 徐小珺; 张德明; 赵巍胜 |
| 本发明公开了一种基于滤波器的自旋纳米振荡器同步方法，包括磁性薄膜组成的耦合薄膜和位于耦合薄膜之上的非磁性重金属薄膜，至少两组以上所述自旋纳米振荡器以并联的形式连接并在所述自旋纳米振荡器的信号输出端设置带通滤波器，将多个所述自旋纳米振荡器发射出的信号进行滤波，所述带通滤波器的输出端通过电磁线圈产生平行于自旋纳米振荡器固定层磁矩的磁场，通过该磁场对分别对所述自旋纳米振荡器产生反馈作用，实现多个自旋纳米振荡器的同步。本发明通过设置滤波器可以对不同频率的信号产生稳定的相移，不需要产生很强的反馈磁场即可使自旋纳米振荡器同步，由于相移对于同步的影响较大，产生稳定的相移可以极大的降低热噪声的影响。 | ||||||
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