子分类：
- H03B1/00：零部件
- H03B5/00：利用由输出至输入有正反馈的放大器产生振荡
- H03B7/00：使用两电极间具有负电阻的有源元件产生振荡
- H03B9/00：利用渡越时间效应产生振荡
- H03B11/00：采用冲击激励调谐电路产生振荡
- H03B13/00：利用阴极射线管中电子束的偏转产生振荡
- H03B15/00：利用电—磁器件，例如霍尔效应器件，使用自旋转移效应的器件，使用大型磁致电阻的器件或利用超导效应产生振荡）
- H03B17/00：利用辐射源和检波器
- H03B19/00：用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡
- H03B21/00：由组合不同频率的非调制信号产生振荡
- H03B23/00：周期性地扫描指定的频率范围产生振荡
- H03B25/00：由一个自由激振荡器同时产生不同频率的振荡
- H03B27/00：由多个同频不同相的输出产生振荡，只有两个反相输出的除外
- H03B28/00：用H03B 5/00至H03B 27/00各组中未包含的方法产生振荡，包括为产生正弦振荡而进行的波形修正
- H03B29/00：噪声电流和噪声电压的产生
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 261 | 一种压控振荡器和频率源 | CN202310107662.8 | 2023-02-10 | CN116111956A | 2023-05-12 | 请求不公布姓名 |
| 本发明公开了一种压控振荡器和频率源。其中，压控振荡器包括交叉耦合结构、驱动缓冲结构和反馈回路LC谐振网络；交叉耦合结构包括对称设置的两个第一晶体管，两个第一晶体管交叉耦合连接；驱动缓冲结构包括对称设置的两个第二晶体管，两个第二晶体管输出相位相反的射频信号；反馈回路LC谐振网络包括第一LC谐振网络和/或第二LC谐振网络；其中，第一LC谐振网络电连接于第二晶体管的源极和第一晶体管的漏极之间，用于扩展三次谐波；第二LC谐振网络电连接于第一晶体管的栅极和漏极之间，用于提升第一晶体管的电压增益。本发明实施例相比于现有技术，在有效降低了相位噪声的同时，降低了功耗。 | ||||||
| 262 | 一种电容内置的晶体振荡电路 | CN202010541004.6 | 2020-06-15 | CN111555717B | 2023-05-12 | 陈艳波; 仵博; 何国坤; 李云杰 |
| 一种电容内置的晶体振荡电路，包括两个单端放大器A23和A24、两个内置电容C21和C22、反相驱动电路I25和限压电路I26；单端放大器A23的输入端连接到晶体管脚XI，输出端连接到内置电容C21的负端，内置电容C21的正端连接到晶体管脚XI；单端放大器A24的输入端连接到晶体管脚XO，输出端连接到内置电容C22的负端，内置电容C22的正端连接到晶体管脚XO；内置电容C21和内置电容C22的电容值相等。本发明所述晶体振荡电路，只需通过集成少量电容，实现了等效的晶体负载电容内置，且能够有效的保证电容容值精度。该发明将有助于降低电子钟表类产品的成本，取得在市场上的优势。 | ||||||
| 263 | 一种双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路 | CN202110363272.8 | 2021-04-02 | CN113131867B | 2023-05-09 | 徐华超; 胡胜发 |
| 本发明涉及一种双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路，包括与供电模块电连接的振荡模块、第一限幅模块及第二限幅模块；所述振荡模块的第一振荡节点与所述第一限幅模块电连接，所述振荡模块的第二振荡节点与所述第二限幅模块电连接；所述第一限幅模块用于对所述第一振荡节点的幅值作第一幅值限定，所述第二限幅模块用于对第二振荡节点的幅值作第二幅值限定。本发明解决了传统单管脚晶体振荡器幅值的最大值受限制于电源电压从而带来大的电源噪声注入和最小值远低于VSS从而带来频繁触发ESD保护电路易导致芯片烧毁的问题，且电路结构简单，面积较小，可以广泛应用于管脚紧张的SoC设计中，满足了实际应用需求。 | ||||||
| 264 | 一种基于开关电容的频率综合器 | CN202310266131.3 | 2023-03-20 | CN116073823A | 2023-05-05 | 请求不公布姓名 |
| 本发明属于单片机技术领域，本发明提供了一种基于开关电容的频率综合器，包括：第一开关电容电路、第二开关电容电路、放大器、压控振荡器；所述第一开关电容电路与电源、所述放大器的同相端连接；所述第二开关电容电路与所述电源、所述放大器的反相端连接；所述放大器与所述压控振荡器连接；其中，通过控制所述第二开关电容电路中电容的数量，使得频率综合器合成产生输入时钟频率任意整数倍频的输出时钟。通过选取不同的开关电容数量，可以让本频率综合器合成产生输入时钟频率任意整数倍频的输出时钟。 | ||||||
| 265 | 一种用于毫米波超宽带低功耗自混频架构的三倍频器 | CN202211441147.5 | 2022-11-17 | CN116054745A | 2023-05-02 | 林中卡; 李俊; 王彦杰 |
| 本发明公开了一种用于毫米波超宽带低功耗自混频架构的三倍频器，涉及5G通信技术，针对现有技术中功率增益低、寄生电容高等问题提出本方案。包括集成在芯片内并且依次电性连接的输入驱动电路、三倍频电路和输出驱动电路；输入驱动电路、三倍频电路和输出驱动电路在信号传输方向上直线分布，所述三倍频电路包括用于连接二倍频单元和自混频单元的第三变压器TR3，所述第三变压器TR3通过金属线连接，垂直于信号传输方向摆放，使电路布局更加紧凑。优点在于，第三变压器TR3其初级线圈和次级线圈可以分别吸收前级二倍频单元中NMOS管漏极和自混频单元中NMOS管源级的寄生电容，可以极大改善三倍频器在毫米波波段的功率增益和工作带宽。 | ||||||
| 266 | 振荡器结构及包括振荡器结构的模数转换系统 | CN202211664152.2 | 2022-12-23 | CN116032217A | 2023-04-28 | 张俊; 吴永一; 徐炜罡 |
| 本申请涉及集成电路领域，公开一种振荡器结构及包括振荡器结构的模数转换系统，该结构包括：比较器，其第一输入端连接第一电容的一端和第一电源端并通过开关连接地端；参考电压生成电路，其包括第一电阻，第一电阻的一端连接第二电源端并提供参考电压；电压反馈环路，其包括运算放大器、第二电阻和第二电容，运算放大器的第一输入端接收参考电压，运算放大器的输出端连接比较器的第二输入端，第二电阻的一端连接运算放大器的第二输入端，第二电阻的另一端连接比较器的第一输入端，第二电容的一端连接运算放大器的第二输入端，第二电容的另一端连接比较器的第二输入端。本申请可以消除比较器延时和失调，以较小功耗实现高精度。 | ||||||
| 267 | 基于纳米空气沟道二极管的混频及倍频源 | CN202310017314.1 | 2023-01-06 | CN116015215A | 2023-04-25 | 李沫; 黄瑞涵; 张健; 陈飞良; 赵海全; 魏亚洲 |
| 本发明涉及微波、毫米波、太赫兹波技术领域，具体涉及基于纳米空气沟道二极管的混频及倍频源。本发明是利用纳米空气沟道二极管作为非线性器件实现混频及倍频功能，使混频/倍频源具有了低损耗、高频率、高效率、高功率等优点。由于纳米空气沟道二极管的电子在空气沟道中稳定性好，电子输运不受材料的影响，因此其温度稳定性好、抗辐射性能优异，使得基于该器件提的混频/倍频源能在严苛环境工作。解决了传统晶体管载流子在固态沟道中输运时由于散射、载流子复合等引起的损耗以及饱和迁移率等问题，能显著降低损耗并提高工作频率和工作效率，具有极强的应用价值。 | ||||||
| 268 | 一种基于占空比检测的晶体振荡器 | CN202310046966.8 | 2023-01-31 | CN115800927B | 2023-04-25 | 王子轩; 王鑫; 蔡志匡; 殷允金; 谢祖帅; 姚佳飞; 郭宇锋 |
| 本发明公开了一种基于占空比检测的晶体振荡器，包括第一反相器，电阻，第一、第二负载电容，第一~四开关，石英晶体，缓冲器，采样保持模块，第一、第二比较器，相位转换模块，数字控制模块和能量注入模块。所述石英晶体一端用于信号注入，对石英晶体的另一端信号通过采样处理，经第一比较器获得表征相位误差累积的信息，即占空比在不断变化的信号，最终通过相位转化模块和第二比较器对占空比进行检测，得到相位切换的准确时刻。本发明在实现低功耗的基础上，通过检测占空比和精准地切换相位，保证了能量可持续性地注入，实现了晶体振荡器的快速启动。 | ||||||
| 269 | 一种高斯白噪声背景下功放模型参数精确提取系统及方法 | CN202110140183.7 | 2021-02-02 | CN112968681B | 2023-04-25 | 胡明; 杨昌睿 |
| 本发明公开了一种高斯白噪声背景下功率放大器模型参数精确提取系统及方法，由信号源模块产生的测试信号是周期信号，可以保证回传信号也是周期信号，便于后续进行统计平均。在参数提取模块，首先进行周期信号的统计平均，有利于减弱高斯白噪声对信号的影响，使平均后的信号更接近于未受噪声影响的PA实际输出。通过此种方式，以功率放大器数字预失真系统为应用场景，在信道噪声为高斯白噪声的情况下，提供了一种减少噪声影响、获取高精确度PA模型参数的方法。 | ||||||
| 270 | 具有宽频带频率温漂补偿的数控振荡器、芯片及通信终端 | CN202211358768.7 | 2022-11-01 | CN115996024A | 2023-04-21 | 胡锦瑞; 杨磊; 李立; 王东旺; 王韩; 杜洪立; 马洪祥; 吕晓鹏; 方舒悦 |
| 本发明公开了一种具有宽频带频率温漂补偿的数控振荡器、芯片及通信终端。该数控振荡器包括振荡器电路、调谐电容阵列和补偿电容阵列。其中，调谐电容阵列和补偿电容阵列分别与振荡器电路的两个差分输出端并联连接。本发明通过采用OTW控制码检测电路和参考电压控制阵列，以及PTAT模块和温补电压控制阵列两个部分，共同控制补偿电容陈列的端电压值从而得到补偿电容值的技术方案，实现了在宽频带范围内，高精度补偿数控振荡器输出频率随温度变化引起的频率漂移，在宽频带范围内提高了数控振荡器输出频率的稳定性。 | ||||||
| 271 | 振荡器电路 | CN202211650940.6 | 2022-12-21 | CN115987218A | 2023-04-18 | 柴军营; 杨书山 |
| 本申请提供了一种振荡器电路，包括：第一电流模块、第二电流模块、温漂抵消模块、第一比较模块和第二比较模块。第一子电流模块和第二子电流模块交替提供第一预设电流，产生第一子电流模块的第一电压和第二子电流模块的第二电压。第三子电流模块和第四子电流模块交替提供第二预设电流，产生第三电压和第四电压。第一预设电流为第二预设电流的2倍。温漂抵消模块在接收到启动信号后，通过第一电流源为第一电阻和第一电容提供电流，得到第五电压。通过第一电压、第二电压、第三电压和第四电压分别与第五电压的比较，交替使用2倍电流在一段时间内对电路进行加压，弥补后续因比较器延时超出的时间达到不延时的效果，输出稳定的时钟信号。 | ||||||
| 272 | 一种高稳定度表贴石英晶体振荡器 | CN202211194800.2 | 2022-09-29 | CN115276565B | 2023-04-18 | 汪靖涛 |
| 本发明属于压电晶体技术领域，具体公开了一种高稳定度表贴石英晶体振荡器，包括陶瓷基座，安装于陶瓷基座内的高稳定度晶振芯片和镀有电极的石英晶片，以及与陶瓷基座连接用于封装的金属盖板；所述高稳定度晶振芯片包括温度补偿电路，与温度补偿电路相连的压控振荡电路和程序存储电路，与程序储存电路相连的控温电路，以及用于为温度补偿电路、压控振荡电路、程序存储电路和控温电路相连的电源管理电路；其中，所述石英晶片与压控振荡电路相连。本发明的石英晶体振荡器加电3分钟后可达到高稳定度指标，同时最大功耗可控制在0.3W以内。该表贴石英晶体振荡器开机特性、功耗优于传统的恒温晶体振荡器，频率精度、稳定度优于传统的晶体振荡器。 | ||||||
| 273 | 一种动态温度校正的振荡电路 | CN201811414790.2 | 2018-11-26 | CN109586673B | 2023-04-14 | 陈培腾; 陈敏 |
| 本发明提供的动态温度校正的振荡电路，适用于半导体技术领域，包括振荡电路和动态温度校正电路，振荡电路包括电容电路，电容电路的下级连接有对时钟频率的温度特性进行补偿的补偿电路，补偿电路会随温度的变化而引起电容电路的充电区间发生变化进而影响充电时间，以利用对电容电路引起的充电时间变化来补偿因温度变化而导致的逻辑门延迟问题；进一步通过动态温度校正电路中的温度传感器读取当前的环境温度，根据当前的环境温度对时钟频率的温度特性进行校正，提升时钟频率随温度变化的稳定性；以实现对在动态温度环境下工作的振荡电路进行校正，使得振荡电路运行更稳定性，适用性更广泛。 | ||||||
| 274 | 一种高性能低噪声晶体振荡器电路 | CN202310237799.5 | 2023-03-14 | CN115955196A | 2023-04-11 | 田培洪; 徐爽 |
| 本发明公开了一种高性能低噪声晶体振荡器电路，其目的是获得较宽的频率牵引范围、极低的相位噪声、更高的频率稳定性等技术指标。该电路包括主振激励电路，与主振激励电路相连的晶体谐振器电路，与晶体谐振器电路相连的频率调谐网络，与频率调谐网络相连的射频放大电路，以及与主振激励电路和射频放大电路均相连的选频网络。通过上述设计，本发明在采用一个晶体谐振器的情况下，依然可以获得底部相噪更优的本底相位噪声，近载频段的相噪也有较大改善，可以获得更好的相噪指标，同时可以有更大的压控频率调整范围和频率稳定性，可以提高测试测量设备、通信系统、雷达系统、时间同步系统等电子信息装备的性能。 | ||||||
| 275 | 基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统 | CN201911301656.6 | 2019-12-17 | CN111130458B | 2023-04-11 | 徐淑壹; 王占奎; 刘兰坤; 陈中平; 牛占鲁; 孟昭建; 戴文涛; 朱晴; 李运慈; 王立亚; 唐彦鹏; 杨海利 |
| 本发明适用于晶体振荡器技术领域，提供了一种基于加速度补偿技术的晶体振荡器的频率补偿系统，包括：加速度传感器、初始补偿模块、方向补偿模块和相位噪声检测模块；通过加速度传感器对晶体振荡器的加速度进行检测，然后通过初始补偿模块对加速度电压信号进行初始补偿电压，再通过方向补偿模块根据频率补偿后的晶体振荡器的相位噪声以及初始补偿电压确定晶体振荡器最终的补偿电压，该补偿电压作用于晶体振荡器能够抵消晶体振荡器振动时产生的频率，从而减小晶体振荡器的频率变化，优化晶体振荡器的近端动态相位噪声。 | ||||||
| 276 | 一种高平坦度的宽带高斯白噪声产生方法及高斯白噪声源 | CN202211423346.3 | 2022-11-15 | CN115940820A | 2023-04-07 | 林海川; 白曜华; 许凡; 闫力; 邓彦东; 肖鹏 |
| 本发明实施例提供了一种高平坦度的宽带高斯白噪声产生方法及高斯白噪声源，该方法：获取拟产生高斯白噪声的带宽后，生成第一高斯白噪声数据；将基于第一高斯白噪声数据而生成的第一高斯白噪声信号经信号链路输出，由于信号链路的不平坦响应，造成输出的第一高斯白噪声信号平坦度较低；通过获取第一高斯白噪声信号的轨迹文件，计算出校正滤波器calibr_fir(n)，再利用校正滤波器calibr_fir(n)对第一高斯白噪声数据进行处理，得到第二高斯白噪声数据，从而使基于第二高斯白噪声数据所生成第二高斯白噪声信号能够补偿后级信号链路的不平坦响应，保证最终输出信号具有较高平坦度。 | ||||||
| 277 | 一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器 | CN202310009442.1 | 2023-01-03 | CN115940818A | 2023-04-07 | 张立森; 宋旭波; 徐鹏; 顾国栋; 梁士雄; 吕元杰; 冯志红 |
| 本发明提供一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器。该芯片包括：衬底。对称集成于所述衬底上的第一微带探针、第二微带探针、第一倍频支路和第二倍频支路。第一肖特基二极管模块的输入端连接第一微带探针，第一肖特基二极管模块的输出端连接第一微带线的输入端。第二肖特基二极管模块的输入端连接第二微带探针，第二肖特基二极管模块的输出端连接第二微带线的输入端。连接第一微带线的输出端和第二微带线的输出端的第三微带探针。本发明能够基于半导体制造工艺将两路倍频支路制备在同一个衬底上，并通过衬底表面的微带线实现两路倍频支路功率合成，基于同一衬底制备倍频电路并实现功率合成方式，相位一致性高，功率合成效率高。 | ||||||
| 278 | 压控振荡电路及锁相环电路 | CN202211706952.6 | 2022-12-27 | CN115940815A | 2023-04-07 | 王润华; 杨海玲; 黄耀; 王亚宁; 连夏梦 |
| 本发明提供了一种压控振荡电路及锁相环电路，压控振荡电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电感、可调电容和分压单元，第一MOS管的栅极、第三MOS管的栅极均与可调电容的一端电连接，第二MOS管的栅极和第四MOS管的栅极均与可调电容的另一端电连接，第一MOS管的漏极和第三MOS管的漏极均与第一电感一端电连接，第二MOS管的漏极和第四MOS管的漏极均与第一电感的另一端电连接，分压单元包括第二电感和第三电感，第二电感两端分别与第四MOS管的栅极、第三MOS管的漏极电连接，第三电感两端分别与第三MOS管的栅极、第四MOS管的漏极电连接。本发明提高了压控振荡电路中差分负阻对的栅极信号振荡摆幅，以提高相位噪声性能。 | ||||||
| 279 | 一种太赫兹压控振荡器、通信设备及通信系统 | CN202211486356.1 | 2022-11-24 | CN115940814A | 2023-04-07 | 何进; 邓冬琴; 石德辉; 徐霄龙; 赵雅欣 |
| 本发明公开了一种太赫兹压控振荡器、通信设备及通信系统，涉及压控振荡器技术领域，所述太赫兹压控振荡器包括：基频振荡电路和非线性缓冲电路，所述基频振荡电路产生一对差分基频信号：第一基频信号和第二基频信号，所述非线性缓冲电路与所述基频振荡电路连接，所述非线性缓冲电路对所述第一基频信号和所述第二基频信号进行非线性增强处理，以产生太赫兹频段的三次谐波信号。本发明可以产生太赫兹频段的三次谐波信号，且产生的三次谐波信号具备一定的调谐范围、低相位噪声以及高输出功率等特点。 | ||||||
| 280 | 用于跨电容耦合通道进行通信的设备 | CN202211439219.2 | 2018-02-08 | CN115940813A | 2023-04-07 | S·玛克赫吉; K·A·什里瓦斯塔瓦; S·S·南苏 |
| 本申请公开了用于跨电容耦合通道进行通信的设备。示例电路包括基本上平行于基板(117)的第一板(610)，从而在第一板(610)和基板(117)中间形成第一电容。第二板(620)基本上平行于基板(117)和第一板(610)。第一板(610)位于基板(117)和第二板(620)中间。第三板(615)基本上平行于基板(117)，从而在第三板(615)和基板(117)中间形成第二电容。第四板(625)基本上平行于基板(117)和第三板(615)。第三板(615)位于基板(117)和第四板(625)中间。电感器(509)连接到第一板(610)和第三板(615)，以与第一电容和第二电容组合形成LC放大器。 | ||||||
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