半导体器件
专利汇可以提供半导体器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本披露涉及 半导体 器件。一种半导体器件可以包括多层互连板，该多层互连板以堆叠关系具有下部导电层、 电介质 层以及上部导电层。该电介质层可以具有形成的凹陷，该凹陷具有底部以及从该底部向上延伸的倾斜 侧壁 。该上部导电层可以包括跨该倾斜侧壁延伸的多条上部导电迹线，并且该下部导电层可以包括多条下部导电迹线。该半导体器件可以包括在该下部导电层与该上部导电层之间延伸的多个过孔、在该凹陷中由该多层互连板承载的IC、将该多条上部导电迹线耦接至该IC的多条键合接线以及与该IC相邻并与该多层互连板的多个部分相邻的包封材料。，下面是半导体器件专利的具体信息内容。
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
多层互连板，所述多层互连板以堆叠关系包括下部导电层、至少一个电介质层以及上部导电层；
所述至少一个电介质层具有在其中形成的凹陷，所述凹陷具有底部以及从所述底部向上延伸的倾斜侧壁；
所述上部导电层包括跨所述倾斜侧壁延伸的多条上部导电迹线；
所述下部导电层包括多条下部导电迹线；
多个过孔，所述多个过孔在所述下部导电层与所述上部导电层之间延伸；
至少一个集成电路，所述至少一个集成电路在所述凹陷中由所述多层互连板承载；
多条键合接线，所述多条键合接线将所述多条上部导电迹线耦接至所述至少一个集成电路；以及
包封材料，所述包封材料与所述至少一个集成电路相邻并且与所述多层互连板的多个部分相邻。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多条上部导电迹线各自在其中具有一对相邻的弯头以由此与所述倾斜侧壁共形。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多层互连板包括与所述下部导电层相邻的下部电介质掩模层以及与所述上部导电层相邻的上部电介质掩模层。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述下部电介质掩模层限定多个下部开口；并且其中，所述下部导电层包括多个触点，所述多个触点耦接至所述多条下部导电迹线并且通过所述多个下部开口是可达的。
5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述上部电介 质掩模层限定多个上部开口；并且其中，所述上部导电层包括多个接触焊盘，所述多个接触焊盘耦接至所述多条下部导电迹线并且通过所述多个上部开口是可达的。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个电介质层包括键合在一起的上部和下部电介质层。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述上部电介质层是在其中具有限定所述凹陷的开口的环形形状。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述倾斜侧壁具有在30度至60度范围内的倾斜角度。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个集成电路包括在其上表面上耦接于所述多条上部导电迹线中的对应导电迹线的多个键合焊盘。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
多层互连板，所述多层互连板以堆叠关系包括
下部电介质掩模层，
下部导电层，
至少一个电介质层，
上部导电层，以及
上部电介质掩模层；
所述至少一个电介质层具有在其中形成的凹陷，所述凹陷具有底部以及从所述底部向上延伸的倾斜侧壁；
所述上部导电层包括跨所述倾斜侧壁延伸的多条上部导电迹线；
所述多条上部导电迹线各自在其中具有一对相邻的弯头以由此与所述倾斜侧壁共形；
所述下部导电层包括多条下部导电迹线；
多个过孔，所述多个过孔在所述下部导电层与所述上部导电层之间延伸；
至少一个集成电路，所述至少一个集成电路在所述凹陷中由所 述多层互连板承载；
多条键合接线，所述多条键合接线将所述多条上部导电迹线耦接至所述至少一个集成电路；以及
包封材料，所述包封材料与所述至少一个集成电路相邻并且与所述多层互连板的多个部分相邻。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述下部电介质掩模层限定多个下部开口；并且其中，所述下部导电层包括多个触点，所述多个触点耦接至所述多条下部导电迹线并且通过所述多个下部开口是可达的。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述上部电介质掩模层限定多个上部开口；并且其中，所述上部导电层包括多个接触焊盘，所述多个接触焊盘耦接至所述多条下部导电迹线并且通过所述多个上部开口是可达的。
13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个电介质层包括键合在一起的上部和下部电介质层。
14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述上部电介质层是在其中具有限定所述凹陷的开口的环形形状。
15.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述倾斜侧壁具有在30度至60度范围内的倾斜角度。
半导体器件
技术领域
背景技术
实用新型内容
具体实施方式
21a-21b。
29b可以包括多条下部导电迹线24a-24b。该方法可以包括形成在下部导电层29a-29b与上部导电层28a-28b之间延伸的多个过孔21a-21b、耦接在多层互连板27的凹陷26中的IC 13、将多条键合接线12a-12b耦接于多条上部导电迹线23a-23b与IC之间、并且形成与IC相邻且与多层互连板的多个部分相邻的包封材料11。
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