半导体封装件
阅读：1028发布：2020-05-18
专利汇可以提供半导体封装件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型提供了 半导体 封装件，该半导体封装件的实施方式可以包括：管芯，该管芯具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面；第一金属层，该第一金属层耦接到管芯的第一侧面； 锡 层，该锡层耦接到第一金属层，该第一金属层位于管芯与锡层之间；背侧金属层，该背侧金属层耦接到管芯的第二侧面；以及模塑料，该模塑料耦接到管芯。模塑料可以 覆盖 第一金属层的多个 侧壁 和锡层的多个侧壁，并且模塑料的表面与锡层的表面共面。，下面是半导体封装件专利的具体信息内容。
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：
管芯，所述管芯具有第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面；
第一金属层，所述第一金属层耦接到所述管芯的所述第一侧面；
锡层，所述锡层耦接到所述第一金属层，所述第一金属层位于所述管芯与所述锡层之间；
背侧金属层，所述背侧金属层耦接到所述管芯的所述第二侧面；
模塑料，所述模塑料耦接到所述管芯，其中所述模塑料覆盖所述第一金属层的多个侧壁和所述锡层的多个侧壁；并且
其中所述模塑料的表面与所述锡层的表面共面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体封装件还包括第二金属层，所述第二金属层耦接在所述管芯与所述第一金属层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体封装件还包括多个凸块，所述多个凸块包括在所述第一金属层和所述锡层中。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述模塑料覆盖所述多个凸块中的每个凸块的第一侧面和第二侧面。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述管芯的第三侧面、第四侧面、第五侧面和第六侧面被所述模塑料覆盖。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述背侧金属层包括铜。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述背侧金属层包括金属合金，所述金属合金包括钛、镍、银、钒和铜。
8.一种半导体封装件，其特征在于，包括：
管芯，所述管芯具有第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面；
多个凸块，所述多个凸块耦接到所述管芯的所述第一侧面，所述多个凸块包括：
第一金属层，所述第一金属层耦接到所述管芯的所述第一侧面；
第二金属层，所述第二金属层耦接在所述管芯与所述第一金属层之间；和锡层，所述锡层耦接到所述第一金属层，所述第一金属层位于所述管芯与所述锡层之间；
背侧金属层，所述背侧金属层耦接到所述管芯的所述第二侧面；
模塑料，所述模塑料耦接到所述管芯，其中，所述模塑料覆盖所述多个凸块的多个侧壁；并且
其中所述模塑料的表面与所述锡层的表面共面。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述管芯的第三侧面、第四侧面、第五侧面和第六侧面被所述模塑料覆盖。
10.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述第一金属层包括铜，并且所述第二金属层包括铝和锡中的一者。
半导体封装件
技术领域
[0001] 本实用新型的各方面整体涉及半导体封装件。更具体的实施方式涉及具有双侧金属化结构的减薄的功率半导体封装件以及制造此类减薄的功率半导体封装件的方法。
背景技术
[0002] 半导体封装件制造工艺可能涉及许多步骤。在一些工艺中，晶圆接纳一个或多个层，诸如导电层。导电层可用于提供从晶圆切割的各个半导体器件的电接触区域。可以使用溅射操作、蒸发操作或电镀操作来形成导电层。此外，在一些工艺中，可以将半导体封装件的整体尺寸设计为最小化，这可以产生经济效益以及技术益处。实用新型内容
[0003] 在一种实施方式中，半导体封装件可以包括：管芯，该管芯具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面；第一金属层，该第一金属层耦接到管芯的第一侧面；锡层，该锡层耦接到第一金属层，该第一金属层位于管芯与锡层之间；背侧金属层，该背侧金属层耦接到管芯的第二侧面；以及模塑料，该模塑料耦接到管芯。模塑料可以覆盖第一金属层的多个侧壁和锡层的多个侧壁，并且模塑料的表面与锡层的表面共面。
[0004] 半导体封装件可以包括第二金属层，该第二金属层可以耦接在管芯与第一金属层之间。
[0006] 模塑料可以覆盖多个凸块中的每个凸块的第一侧面和第二侧面。
[0007] 管芯的第三侧面、第四侧面、第五侧面和第六侧面可以被模塑料覆盖。
[0008] 背侧金属层可以包括铜。
[0010] 在另一种实施方式中，半导体封装件可以包括：管芯，该管芯具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面；多个凸块，该多个凸块耦接到管芯的第一侧面；背侧金属层，该背侧金属层耦接到管芯的第二侧面；以及模塑料，该模塑料耦接到管芯，该模塑料覆盖多个凸块的多个侧壁。该多个凸块包括：耦接到管芯的第一侧面的第一金属层；耦接到管芯与第一金属层之间的第二金属层；以及耦接到第一金属层的锡层。该第一金属层位于管芯与锡层之间。模塑料的表面与锡层的表面共面。
[0011] 管芯的第三侧面、第四侧面、第五侧面和第六侧面被模塑料覆盖。
附图说明
[0014] 将在下文中结合附图来描述各实施方式，其中类似标号表示类似元件，并且：
[0015] 图1是半导体封装件的第一实施方式的横截面侧视图；
[0016] 图2是半导体封装件的第二实施方式的横截面侧视图；
[0017] 图3A至图3G是示出遵循用于形成图1的半导体封装件的方法的各个步骤的半导体器件的横截面侧视图；并且
[0018] 图4A至图4C是遵循用于形成图2的半导体封装件的方法的各个步骤的半导体器件的横截面侧视图。
具体实施方式
[0019] 本公开、其各方面以及实施方式并不限于本文所公开的具体部件、组装工序或方法元素。本领域已知的符合预期半导体封装件的许多附加部件、组装工序和/或方法元素将显而易见地能与本公开的特定实施方式一起使用。因此，例如，尽管本实用新型公开了特定实施方式，但是此类实施方式和实施部件可包括符合预期操作和方法的本领域已知用于此类半导体封装件以及实施部件和方法的任何形状、尺寸、样式、类型、模型、版本、量度、浓度、材料、数量、方法元素、步骤，和/或类似的。
[0020] 参照图1，示出了半导体封装件的第一实施方式的横截面侧视图。在各种实施方式中，本文公开的半导体封装件可以包括功率半导体器件，然而，在其他实施方式中，其他半导体器件类型(晶体管、微处理器、无源部件等)可以包括在半导体封装件中。在各种实施方式中，半导体封装件2包括管芯4。管芯4可以是硅管芯，并且在此类实施方式中，硅管芯可以是任何类型的硅管芯，作为非限制性示例，包括外延硅管芯、绝缘体上硅、多晶硅、它们的任何组合、或任何其他含硅管芯材料。此外，还应理解，在各种实施方式中，可以使用除含硅管芯之外的管芯，作为非限制性示例，诸如砷化镓、碳化硅、砷化镓或含金属的管芯。管芯4具有第一侧面6和与第一侧面相对的第二侧面8。在各种实施方式中，管芯4的厚度小于50微米(μm)，然而，在其他实施方式中，管芯的厚度可以是50μm或大于50μm。
[0021] 在各种实施方式中，半导体封装件2可以包括第一金属层10，该第一金属层耦接到管芯4的第一侧面6。在此类实施方式中，作为非限制性示例，第一金属层10可以是铜、铝、锡、银、金、钛、镍或任何其他金属或金属合金。在各种实施方式中，第一金属层10可以直接地耦接到管芯4的第一侧面6，而在其他实施方式中，如图1所示，第一金属层可以间接地耦接到管芯4。在各种实施方式中，半导体封装件2可以包括锡层12，该锡层耦接到第一金属层10。虽然本公开主要涉及耦接在第一金属层上方的锡层，但是应理解，可以使用任何其他导电材料和/或导热材料(包括本文公开的任何金属或金属合金)来代替锡。在各种实施方式中，并且如图1所示，锡层12可以直接地耦接到第一金属层10，其中第一金属层10位于锡层与管芯4之间。在其他实施方式中，锡层12可以间接地耦接到第一金属层10。
[0022] 在各种实施方式中，半导体封装件2可以包括第二金属层14，该第二金属层耦接在管芯4与第一金属层10之间。在此类实施方式中，半导体封装件2包括在管芯4上方的至少三个金属层。第二金属层14可以是本文公开的任何类型的金属或金属合金。在特定实施方式中，第二金属层可包括锡或锡合金，作为非限制性示例，诸如锡/银、锡/银/铜、锡/锑和锡/铅。在其他特定实施方式中，第二金属层14可以包括铝，第一金属层10可以包括铜，并且锡层12可以在铜层上方并耦接到该铜层。
[0023] 在各种实施方式中，锡层12和第一金属层10可以形成为多个凸块/螺柱16并包括多个凸块/螺柱。在包括位于第一金属层10与管芯4之间的第二金属层14的实施方式中，第二金属层14也可以被图案化以形成多个凸块16的一部分。在特定实施方式中，并非所有三个金属层都被图案化以形成多个凸块，而是仅两个最外侧金属层(在具有在管芯4上方的三个或更多个金属层的实施方式中)包括多个凸块。在又其他实施方式中，可以仅图案化锡层12以形成多个凸块或包括多个凸块。在各种实施方式中，并且如图1所示，多个凸块16可以包括两个凸块，然而，在其他实施方式中，多个凸块可以包括多于两个凸块。
[0024] 在各种实施方式中，不是如图1所示使多个金属层形成凸块，而是单个金属或金属合金层(作为非限制性示例，包括铜、铝、锡、焊料或其任何组合)可以形成多个凸块并可以直接地耦接到管芯4。在其他实施方式中，并且如图1所示，多个凸块16中的每个凸块可以包括多个层，其中锡层12耦接在铜层上方。在此类实施方式中，半导体封装件2可以具有能够通过锡层12结合到外部连接的益处，同时还保持具有铜凸块或螺柱的益处。在各种实施方式中，锡层12可以比第一金属层10薄得多，而在其他实施方式中，锡层12可以与第一金属层10一样厚或可以比第一金属层厚。在第二金属层14耦接在第一金属层10与管芯4之间的实施方式中，当在管芯4的剖视图中观察时，第二金属层可以比第一金属层薄、与第一金属层一样厚或比第一金属层厚。
[0025] 在各种实施方式中，半导体封装件2可以包括耦接到管芯4的第二侧面8的背侧金属层18。背侧金属层18可以是本文公开的任何金属，并且在各种实施方式中，可以包括铜。在特定实施方式中，作为非限制性示例，背侧金属层可以包括Ti/Ni/Cu、Ti/Cu、TiW/Cu、或包括铜的任何其他类型的金属叠堆或金属合金。在各种实施方式中，并且如图1所示，背侧金属层18的长度可以小于管芯4的长度。在此类实施方式中，管芯4可以悬于背侧金属层18之上。在其他实施方式中，背金属层18的长度可以与管芯4的长度基本上相同，其中背金属层的侧面与管芯的侧面/周边共延伸。在又其他实施方式中，背金属层可以延伸超过管芯4的侧面/周边。在各种实施方式中，背金属层可以被图案化。
[0026] 仍然参照图1，在各种实施方式中，半导体封装件2可以包括模塑料20。模塑料20可以耦接到管芯4。在各种实施方式中，作为非限制性示例，模塑料可以包括环氧模塑料、丙烯酸模塑料、或能够硬化并为半导体器件提供物理支撑和保护的任何其他类型的模塑料或保护性覆盖物。在各种实施方式中，模塑料20可以覆盖第一金属层10的多个侧壁22和锡层的多个侧壁24。在具有多个凸块16的实施方式中，模塑料可以覆盖每个凸块的第一侧面26和第二侧面28。在各种实施方式中，模塑料的表面30可以与锡层12的表面32基本上共面和齐平。在各种实施方式中，并且如图1所示，模塑料20可以覆盖管芯的侧面。具体地，模塑料20可以覆盖管芯4的第三侧面34、管芯4的第四侧面36、管芯的第五侧面(被定向为向图1中的页面内)和管芯的第六侧面(被定向为向图1中的页面外)。在图1所示的实施方式中，管芯的整个侧面被模塑料20覆盖，然而，在其他实施方式中，管芯4的侧面可以仅部分地被模塑料20覆盖，而在又其他实施方式中，模塑料20可以不覆盖管芯4的侧面。在各种实施方式中，管芯的第二侧面8的一部分可以被模塑料覆盖。覆盖管芯4的第二侧面的模塑料可以是与模塑料20相同的模塑料或与模塑料20分开的模塑料。在此类实施方式中，在其中背金属层的长度与管芯4的长度相同或背金属层的长度比管芯的长度短的实施方式中，模塑料20也可以覆盖背金属层18的侧面。
[0027] 参照图2，示出了半导体封装件的第二实施方式的横截面侧视图。图2的半导体封装件可以类似于图1的半导体封装件，不同之处在于背侧金属层40可以延伸超过管芯42的长度并可以与半导体封装件38的侧面/周边共延伸。此外，如图2所示，背侧金属层40可以包括多个层，并且在特定实施方式中，可以包括三个层。作为非限制性示例，背侧金属层可以包括金属或金属合金，该金属或金属合金包括钛、镍、银、钒、铜及其任何组合。在特定实施方式中，背金属层40可以包括含钛层、含镍层、以及含银铜合金层。在其他特定实施方式中，背金属层可以包括含钛层、含镍钒合金层和含银铜合金层。
[0028] 参照图3A-图3G，示出了遵循用于形成图1的半导体封装件的方法的实施方式的各个步骤的半导体器件的横截面侧视图。具体地参照图3A-图3B，用于形成图1的半导体封装件的方法可以包括在晶圆48的第一侧面46上形成多个凸块/螺柱44。更具体地，该方法可以包括在晶圆48的第一侧面46上形成第三金属50。第三金属层50可以是本文公开的任何金属，并且在特定实施方式中，可以包括铝。第三金属层50可以被图案化，如图3A所示，然而，在其他实施方式中，第三金属层可以不必被图案化。
[0029] 参照图3B，该方法可以包括在第三金属层50上方形成第一金属层52。第一金属层52可以是本文公开的任何金属，并且在特定实施方式中，包括铜。第一金属层52可以被图案化，如图3B所示，然而，在其他实施方式中，第一金属层可以未被图案化。在各种实施方式中，该方法还可以包括在第一金属层52上方形成第二金属层54。第二金属层54可以是本文公开的任何金属，并且在特定实施方式中，包括锡。第二金属层54还可以包括焊料材料。第二金属层54可以被图案化，如图3B所示，然而，在其中附加导电层覆盖第二金属层54的其他实施方式中，第二金属层可以不必被图案化。
[0030] 在各种实施方式中，用于形成图1的半导体封装件的方法包括在晶圆48的第一侧面46上方形成非图案化金属层。该方法然后可以包括蚀刻穿过任何数量的金属层，包括耦接在晶圆48的第一侧面46上方的所有金属层，以便形成多个凸块44。在各种实施方式中，可以将少于三个金属层耦接在晶圆48的第一侧面46上方，并且在特定实施方式中，可以仅形成单个金属层并使其直接地耦接到晶圆48的第一侧面46。在其他实施方式中，可以在晶圆48的第一侧面46上方形成多于三个金属层。耦接到晶圆48的第一侧面46的金属层可以用于在晶圆上方形成任何数量的凸块。
[0031] 具体地参照图3B，用于形成图1的半导体封装件的方法可以包括向晶圆48的第一侧面46中形成达晶圆的期望深度的多个凹槽56。在特定实施方式中，多个凹槽56中的每个凹槽的深度可以小于50μm，而在其他实施方式中，取决于晶圆的厚度，深度可以是50微米或更大。在各种实施方式中，可以使用锯、激光、等离子体蚀刻、化学蚀刻或用于在晶圆中形成凹槽的任何其他方法来形成多个凹槽56。在其中使用蚀刻的实施方式中，蚀刻可以是由德国斯图加特的罗伯特博世有限公司(Robert Bosch GmbH,Stuttgart,Germany)以商品名(“Bosch工艺”)销售的蚀刻工艺，可以用于在晶圆48中形成多个凹槽56。在此类实施方式中，多个凹槽56的侧壁可以略微被图案化或呈脊状，这可以促成模塑料到多个凹槽56的侧壁的粘附。在各种实施方式中，多个凹槽56可以定位在晶圆48中，使得该多个凹槽位于晶圆中的半导体器件之间。
[0032] 参照图3C，用于形成图1的半导体封装件的方法包括将模塑料58施用到晶圆48的第一侧面46。模塑料可以包括本文公开的任何类型的模塑料，并且作为非限制性示例，可以使用液体分配技术、传递模塑技术、真空模塑技术、滴胶模塑技术或压缩模塑技术来施用模塑料。在各种实施方式中，并且如图3C所示，模塑料58可以包封多个凸块44并填充多个凹槽56。在其他实施方式中，模塑料58可以仅施用在多个凹槽56内并施用在多个凸块44之间，而不流过多个凸块44的外表面60。
[0033] 参照图3D，用于形成图1的半导体封装件的方法可以包括将晶圆48的第二侧面62减薄到多个凹槽56的期望深度。在特定实施方式中，该方法可以包括背面研磨晶圆48的第二侧面62以到达多个凹槽56并从晶圆切割多个管芯64。在其中晶圆48的第二侧面62是背景的实施方式中，背面研磨可以使用由日本东京的DISCO以商品名TAIKO销售的工艺。背面研磨沿着晶圆的周边留下一圈未去除的材料(TAIKO环)，这有助于防止晶圆在处理期间卷曲、翘曲或以其他方式弯曲，同时去除晶圆48的第二侧面62或背面的厚度和材料的大部分。在形成半导体器件的方法的其他实施方式中，可以不使用TAIKO工艺，但是可以使用一些其他背面研磨或其他材料去除技术，诸如通过湿法蚀刻来去除材料。在各种实施方式中，减薄的晶圆48或多个管芯64可以小于50μm厚，而在其他实施方式中，减薄的晶圆或多个管芯可以为50μm或更厚。耦接到晶圆48的第一侧面46并在多个凹槽56内的模塑料58可以通过为晶圆提供结构支撑来促成晶圆48的减薄。在其他实施方式中，可以不将晶圆的第二侧面62减薄到期望凹槽56的深度。以此方式，在切割晶圆48时，每个半导体封装件的管芯可以是阶梯状的。
[0034] 参照图3E，用于形成图1的半导体封装件的方法可以包括将背侧金属层66耦接到晶圆48的第二侧面62或耦接到多个管芯64的第二侧面。背侧金属层66可以是本文公开的任何类型的金属，并且在特定实施方式中，可以包括铜。在各种实施方式中，背侧金属层可以通过电镀工艺来耦接到晶圆的第二侧面。在其他实施方式中，背侧金属层可以通过溅射工艺来耦接到晶圆的第二侧面。在又其他实施方式中，作为非限制性示例，背侧金属层可以是通过烧结、焊接或熔融结合耦接到晶圆的金属框架。在各种实施方式中，背侧金属层66可以是厚的背侧金属层，并且在特定实施方式中，可以与减薄的晶圆48一样厚或更厚。在各种实施方式中，用于形成图1的半导体封装件的方法可以包括在背侧金属层66中形成多个开口68。在其他实施方式中，背侧金属层66可以不包括在其中的任何开口。在其中在背侧金属层
66中形成多个开口68的实施方式中，该方法可以包括(虽然未示出)将第二模塑料施用到晶圆48的填充多个开口68的第二侧面62。第二模塑料可以与第一模塑料58相同或不同。在各种实施方式中，第二模塑料还可以包封背侧金属层66。在此类实施方式中，该方法可以包括背面研磨第二模塑料以暴露背侧金属层。在将第二模塑料施用到晶圆48的第二侧面62的实施方式中，切割的半导体的整个管芯可以在管芯的所有六个侧面上至少部分地被模塑料覆盖。在其中使用Taiko工艺来使晶圆48的第二侧面62作为背景的实施方式中，可以在背侧金属耦接到晶圆的第二侧面之后去除Taiko环。
66中形成多个开口68的实施方式中，该方法可以包括(虽然未示出)将第二模塑料施用到晶圆48的填充多个开口68的第二侧面62。第二模塑料可以与第一模塑料58相同或不同。在各种实施方式中，第二模塑料还可以包封背侧金属层66。在此类实施方式中，该方法可以包括背面研磨第二模塑料以暴露背侧金属层。在将第二模塑料施用到晶圆48的第二侧面62的实施方式中，切割的半导体的整个管芯可以在管芯的所有六个侧面上至少部分地被模塑料覆盖。在其中使用Taiko工艺来使晶圆48的第二侧面62作为背景的实施方式中，可以在背侧金属耦接到晶圆的第二侧面之后去除Taiko环。
[0035] 参照图3F，用于形成图1的半导体封装件的方法可以包括：通过研磨模塑料58使多个凸块44的外表面60通过模塑料58而暴露。在各种实施方式中，可以仅研磨模塑料，直到其与表面60共延伸，然而，在其他实施方式中，可以将多个凸块44的一部分和模塑料一起研磨。以此方式，该方法可以包括用模塑料58的外表面70来使多个凸块44的外表面60平面化。背金属层66可以通过向晶圆48和多个管芯64添加结构支撑来促成模塑料58的减薄。在各种实施方式中，并且如图3C-图3F的顺序所示，在模塑料58被研磨以暴露多个凸块44之前，可以将晶圆48的第二侧面62减薄，然而，在其他实施方式中，该方法可以包括在将晶圆48的第二侧面62减薄之前研磨模塑料58以暴露多个凸块。
[0036] 参照图3G，用于形成图1的半导体封装件的方法包括通过多个凹槽56来将模塑料58切割成多个半导体封装件71。可以使用锯、激光、等离子体蚀刻、水射流切割、化学蚀刻或用于切割或去除模塑料的任何其他方法来切割模塑料。在各种实施方式中，与多个凹槽56中的每个凹槽的宽度相比，切割线(或用于切割模塑料的切割/蚀刻的宽度)可以不那么宽。
在此类实施方式中，多个半导体封装件中的每个管芯的侧壁可以被模塑料58覆盖。在其中背侧金属未被图案化的实施方式中，背侧金属可与模塑料一起切割以形成多个半导体封装件。
在此类实施方式中，多个半导体封装件中的每个管芯的侧壁可以被模塑料58覆盖。在其中背侧金属未被图案化的实施方式中，背侧金属可与模塑料一起切割以形成多个半导体封装件。
[0037] 参照图4A-图4C，示出了在用于形成图2的半导体封装件的方法的实施方式的步骤之后的半导体器件的横截面侧视图。具体地参照图4A，用于形成图2的半导体封装件的方法可以类似于图3A-图3G中所示的方法，不同之处在于该方法可以包括将背侧金属层72耦接到晶圆76的第二侧面74(或将背侧金属层耦接到多个管芯的第二侧面)，其中背侧金属层包括多个背侧金属层。在图4A所示的实施方式中，该方法包括耦接背侧金属层72，该背侧金属层包括三个不同的背侧金属层。在各种实施方式中，背侧金属层72可以包括多于或少于三个背侧金属层。作为非限制性示例，可以通过溅射或蒸发技术来将背侧金属层中的每个层沉积到晶圆。在各种实施方式中，作为非限制性示例，背侧金属层可以包括钛、镍、银、铜、钒或任何其他金属。在特定实施方式中，背侧金属层可以包括钛层、镍层和银铜层。在其他特定实施方式中，背侧金属层可以包括钛层、镍钒层和银铜层。在各种实施方式中，并且如图4A所示，背侧金属层72可以被图案化或可以未被图案化。
[0038] 参照图4B，用于形成图2的半导体封装件的方法可以包括：通过研磨模塑料使多个凸块78通过模塑料80而暴露。可以使用与上面关于图3F描述的相同的方法或类似的方法来暴露多个凸块。
[0039] 参照图4A和图4C，用于形成图2的半导体封装件的方法包括：通过多个凹槽82和背侧金属层72来将模塑料80切割成多个半导体封装件84。可以使用本文公开的任何方法来切割模塑料80和背侧金属层72。由于背侧金属层未被图案化，因此背侧金属层的侧壁可以与相应的半导体封装件84的侧面共延伸。
[0040] 用于形成本文公开的半导体封装件的方法出于应力平衡目的可以允许形成薄管芯而不需要双金属化工艺。模塑料和背侧金属层可以提供在半导体封装件形成期间处理减薄的管芯和晶圆所需的必要支撑。
[0041] 在各种实施方式中，形成半导体封装件的方法可以包括：在晶圆的第一侧面上形成多个凸块；向晶圆的第一侧面中形成达该晶圆中的期望深度的多个凹槽；以及将模塑料施用到晶圆的第一侧面。模塑料可以包封多个凸块并填充多个凹槽。该方法还可以包括：将晶圆的第二侧面减薄到多个凹槽的期望深度；将背侧金属层耦接到晶圆的第二侧面，该背侧金属层可以包括铜；通过研磨模塑料来使多个凸块通过模塑料而暴露；以及通过多个凹槽将模塑料切割成多个半导体封装件。在各种实施方式中，多个凸块中的每个凸块可以包括第一金属层和第二金属层。第二金属层可以包括锡。第一金属层可以位于第二金属层与晶圆之间。在各种实施方式中，该方法可以包括在背侧金属层中形成多个开口。该方法还可以包括用模塑料的外表面来使多个凸块的外表面平面化。在特定实施方式中，多个凸块中的每个凸块还可以包括第三金属层，其中第一金属层包括铜，第二金属层包括锡，并且第三金属层包括铝。
[0042] 形成半导体封装件的方法的实施方式可以包括：在晶圆的第一侧面上形成多个凸块；向晶圆的第一侧面中形成多个凹槽；以及将模塑料施用到晶圆的第一侧面。模塑料可以包封多个凸块并填充多个凹槽。用于形成半导体封装件的方法还可以包括：背面研磨晶圆的第二侧面以到达多个凹槽并从晶圆切割多个管芯；将背侧金属层耦接到多个管芯的第二侧面；通过研磨模塑料使多个凸块通过模塑料而暴露；以及在多个凹槽处切割模塑料以形成多个半导体封装件。
[0043] 在各种实施方式中，多个凸块中的每个凸块可以包括第一金属层和第二金属层。第二金属层可以包括锡。第一金属层可以位于第二金属层与晶圆之间。在特定实施方式中，多个凸块中的每个凸块可以包括第三金属层，并且作为非限制性示例，第三金属层可以包括铝、锡或其任何合金。在各种实施方式中，背侧金属层可以包括金属，该金属包括钛、镍、银、钒、铜及其任何组合中的一种。在各种实施方式中，该方法可以包括用模塑料的外表面来使多个凸块的外表面平面化。
[0044] 在以上描述中提到半导体封装件的具体实施方式以及实施部件、子部件、方法和子方法的地方，应当显而易见的是，可在不脱离其实质的情况下作出多种修改，并且这些实施方式、实施部件、子部件、方法和子方法可应用于其他半导体封装件。
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