专利汇可以提供一种微纳米的位移侦测器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种微纳米位移侦测器,包含有:一磁气面板,用以设于待侦测物上,可随待侦测物在一平面上位移,且其表面平行于可位移平面,表面上并具有随平面坐标而变化的预定磁气特性;一感测装置,可感测该磁气面板的磁气特性,并利用磁阻现象随 磁场 变化而改变 输出 电压 ;一处理单元,可接收该感测装置的输出电压,并由以判知该磁气面板相对该感测装置的位移方向及位移量。,下面是一种微纳米的位移侦测器专利的具体信息内容。
1.一种微纳米位移侦测器,其特征在于,包含有:一磁气面板,设于待侦测物上,随该待侦测物在一平面上位移,且其表面平行于前述可位移平面;该磁气面板的表面具有预定的磁气特性,其磁气特性随该磁气面板的表面座标变化;一感测装置,具有至少一磁阻头,随其周围磁场变化而改变输出电压;工作时各该磁阻头与该磁气面板维持适当距离;以及一处理单元,接收该感测装置的输出电压。
2.依据权利要求1所述的微纳米位移侦测器,其特征在于,其中:该磁气面板为人工铸形磁区阵列。
3.依据权利要求2所述的微纳米位移侦测器,其特征在于,其中:该磁气面板具有一硅基板,该硅基板上具有一氧化硅层,该氧化硅层上具有若干呈矩阵状排列的凸起,该等凸起及该氧化硅层的表面具有一铁钴材料的磁光记录层,该磁光记录层上具有一保护层。
4.依据权利要求1所述的微纳米位移侦测器,其特征在于,其中:该磁气面板为铁磁性或陶铁磁性的颗粒薄膜。
5.依据权利要求1所述的微纳米位移侦测器,其特征在于,其中:该磁气面板为具有磁性的晶粒晶界。
6.依据权利要求1所述的微纳米位移侦测器,其特征在于,其中:该感测装置的各该磁阻头于一硅基板上依序叠合一反铁磁层、一钉扎层、一隔离层及一自由层所构成。
7.依据权利要求6所述的微纳米位移侦测器,其特征在于,其中:该反铁磁层的材料为锰化铁;该隔离层的材料为铜或氧化铝;该钉扎层及该自由层均为铁、镍、钴三种金属元素或其合金及其氧化物晶系结构。
8.依据权利要求1所述的微纳米位移侦测器,其特征在于,其中:该感测装置具有二磁阻头,该二磁阻头形成差动式结构。
9.依据权利要求1所述的微纳米位移侦测器,其特征在于,其中:该感测装置具有若干磁阻头,该等磁阻头形成桥式结构。
10.依据权利要求1所述的微纳米位移侦测器,其特征在于,其中:该感测装置具有若干磁阻头,该等磁阻头形成阵列结构。
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