1.使用单晶片湿蚀刻具处理系统湿蚀刻晶片以生产处理后的晶片的方法，在晶片表面下方嵌入有TSV，所述单晶片湿蚀刻具处理系统包括多个台子，每个所述TSV从所述表面突出规定显露高度，所述方法包括以下步骤：
在测量台处测量晶片的初始厚度；
在第一蚀刻台处，根据第一蚀刻配方蚀刻晶片的表面，并使用第一蚀刻剂来薄化晶片材料，并在TSV之上留下具有规定残留基板材料厚度(RST)的残留晶片材料层，其中所述第一蚀刻配方基于所测量的初始厚度；
在第二蚀刻台处，使用第二蚀刻剂根据第二蚀刻配方蚀刻晶片的表面以使晶片材料变薄，使得具有规定显露高度的每个TSV的相应部分从所述表面延伸；以及其中所述第一蚀刻剂和第二蚀刻剂包括不同的化学组成。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻步骤是各向同性湿蚀刻步骤，并且其中所述第二蚀刻步骤是各向异性湿蚀刻步骤，并且其中所述第一蚀刻剂的蚀刻速率比所述第二蚀刻剂的蚀刻速率快至少两倍。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述初始厚度测量，所述第一蚀刻配方专门针对所述晶片定义，并且其中所述第二蚀刻配方是预定义的蚀刻配方。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻剂是非选择性的，并且是适于蚀刻所述晶片材料并蚀刻所述TSV的氧化物衬垫和导电材料的类型。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二蚀刻剂是高碱性蚀刻剂，其被配置为选择性地蚀刻所述晶片材料，使所述TSV的所述氧化物衬垫和导电材料至少基本完整。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻配方被定义为在使用所述第二蚀刻剂的所述第二蚀刻步骤期间，去除所述TSV上方的残留基板材料层，并选择性地去除所述晶片材料，使得所述TSV的具有规定显露高度的相应部分从所述表面突出。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻剂包括氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合物。
8.根据权利要求7所述的方法，其中选择所述第一蚀刻剂以在所述第一蚀刻步骤期间平滑所述基板的表面，并且所述第一蚀刻剂具有适于平滑所述表面的硝酸含量。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻台和所述第二蚀刻台是相同的蚀刻台。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻剂具有高蚀刻速率，并且被选择为将蚀刻定位到所述表面上的位置，所述第一蚀刻剂在所述第一蚀刻步骤期间由喷嘴分配到所述位置。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一蚀刻配方控制在所述第一蚀刻步骤期间所述喷嘴的运动，从而使所述喷嘴选择性地将所述第一蚀刻剂分配到多个径向位置中的每一个上，并且将每个径向位置薄化相应的蚀刻深度以留下具有规定RST的残留晶片材料层，其中，在所述多个径向位置中的每一个处的规定RST大致均匀。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
由包括存储器和处理器的过程控制器接收TSV中的一个或多个的参考高度、规定显露高度和规定RST，所述处理器通过在其中执行代码的形式的指令而配置；
在所述第一蚀刻步骤之前，计算所述晶片表面上的所述多个径向位置中的每一个的初始RST，其中基于在所述特定径向位置处测量的初始厚度以及TSV中的一个或多个的参考高度来计算特定径向位置的初始RST，其中所计算的多个径向位置的初始RST是不均匀的；以及
利用过程控制器基于所计算的初始RST和规定RST来生成第一蚀刻配方。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一蚀刻配方控制所述喷嘴在所述第一蚀刻步骤期间的移动以选择性地将所述第一蚀刻剂分配到所述相应的径向位置上，并且将相应的所述径向位置薄化相应的第一蚀刻深度以产生具有具有规定大致均匀的RST的残留基板材料层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中生成所述第一蚀刻配方包括：
使用所述处理器计算所述多个径向位置中的每一个的相应的第一蚀刻深度，其中针对所述特定径向位置，基于特定径向位置的所述初始RST和所述规定RST计算所述特定径向位置的相应的第一蚀刻深度；
根据相应的第一蚀刻深度和第一蚀刻剂的蚀刻速率，利用所配置的处理器生成用于第一蚀刻步骤的蚀刻配方。
15.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述第一蚀刻步骤之后，重复测量所述晶片的初始厚度的步骤；以及
将重新测量的初始厚度与规定RST进行比较。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
如果重新测量的初始厚度和规定RST差异大于规定量，则基于重新测量的初始厚度来调整第二蚀刻配方。
17.根据权利要求15所述的方法，还包括：
如果重新测量的初始厚度和规定RST差异大于规定量，
基于所述比较来调整第一蚀刻配方；以及
重复在第一蚀刻台处蚀刻晶片的步骤。
18.使用单晶片湿蚀刻工艺系统湿蚀刻晶片以生产处理的晶片的方法，导体填充的TSV嵌入在残留基板材料层下面，所述单晶片湿蚀刻工艺系统包括多个台子，TSV的至少相应部分从晶片的表面突出规定显露高度，所述方法包括以下步骤：
在包括存储器和处理器的过程控制器处提供一个或多个TSV的参考高度、规定显露高度和规定的残留基板材料厚度(RST)，所述处理器是通过在其中执行代码形式的指令来配置的，其中规定的RST是在第一蚀刻步骤之后在多个径向位置的每一个处的残留晶片材料层的目标厚度的量度；
在测量台处测量所述晶片的初始厚度；
由所述过程控制器计算所述多个径向位置中的每一个的相应的第一蚀刻深度，其中特定径向位置的相应第一蚀刻深度是在所述第一蚀刻步骤期间在所述特定径向位置处被去除的材料的量并且是所测量的特定径向位置的初始厚度、一个或多个TSV的参考高度和规定的RST的函数，并且其中相应的第一蚀刻深度是不均匀的；
利用所述过程控制器基于所计算的相应的第一蚀刻深度生成第一蚀刻配方，其中所述第一蚀刻配方控制在所述第一蚀刻步骤期间喷嘴的运动，从而使所述喷嘴选择性地将第一蚀刻剂分配到所述多个径向位置中的每一个上，从而在每个径向位置使晶片薄化相应的第一蚀刻深度；
在第一蚀刻台处，根据第一蚀刻配方并使用第一蚀刻剂来蚀刻晶片的表面；
在第二蚀刻台处，根据第二蚀刻配方使用第二蚀刻剂蚀刻晶片的表面以使晶片材料变薄，使得每个TSV的具有规定显露高度的各个部分从所述表面延伸；以及其中所述第一蚀刻剂和第二蚀刻剂包括不同的化学组成。
19.根据权利要求18所述的方法，其中每个径向位置是所述晶片表面上的在距所述中心的给定径向距离或径向距离的范围内围绕所述中心的环形区域。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一蚀刻步骤是各向同性湿蚀刻步骤，并且其中所述第二蚀刻步骤是各向异性湿蚀刻步骤，并且其中所述第一蚀刻剂具有比所述第二蚀刻剂显著更高的蚀刻速率。
21.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二蚀刻配方是预定义的蚀刻配方。
22.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一蚀刻剂是非选择性的，并且是适用于蚀刻所述晶片材料并且能够蚀刻TSV的氧化物衬垫和导电材料的类型。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述第二蚀刻剂是高碱性蚀刻剂，其被选择为选择性地蚀刻晶片材料，使所述TSV的氧化物衬垫和导电材料至少基本上完整。
24.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二蚀刻配方被定义为在使用所述第二蚀刻剂的所述第二蚀刻步骤期间，去除所述TSV上方的残留基板材料层并选择性地去除所述TSV周围的晶片材料，以显露所述TSV的具有规定显露高度的相应部分。
25.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一蚀刻剂包括氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合物。
26.根据权利要求25所述的方法，其中选择所述第一蚀刻剂以在所述第一蚀刻步骤期间平滑所述基板的表面，并且所述第一蚀刻剂具有适于平滑所述表面的硝酸含量。
27.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一蚀刻剂具有适于定位蚀刻到所述表面上的位置的蚀刻速率，所述第一蚀刻剂在所述第一蚀刻步骤期间直接由所述喷嘴分配到所述位置。
28.根据权利要求18所述的方法，其中，所述喷嘴在由所述蚀刻配方控制的所述第一蚀刻步骤期间的移动使得所述喷嘴选择性地将相应量的所述第一蚀刻剂分配到所述多个径向位置中的每一个上。
29.根据权利要求18所述的方法，还包括：
使用所述处理器确定所述晶片表面上的所述多个径向位置中的每一个的初始RST，其中基于在所述特定径向位置处测量的初始厚度和RST中的一个或多个的参考高度来计算特定径向位置的初始RST，并且其中所计算的初始RST是不均匀的；以及
其基于所计算的特定径向位置的初始RST和规定的RST来计算特定径向位置的相应的第一蚀刻深度。
30.根据权利要求18所述的方法，还包括：
在所述第一蚀刻步骤之后，重复测量晶片的初始厚度的步骤；以及
利用所述处理器将重新测量的初始厚度与规定的RST进行比较。
31.根据权利要求30所述的方法，还包括：
如果重新测量的初始厚度和规定的RST差异大于规定的程度，则利用所述处理器基于重新测量的初始厚度来调整所述第二蚀刻配方。
32.根据权利要求30所述的方法，还包括：
如果重新测量的初始厚度和规定的RST差异大于规定的程度，
基于所述比较调整所述第一蚀刻配方；以及
重复在所述第一蚀刻台蚀刻所述晶片的步骤。
33.一种使用单晶片湿蚀刻工艺系统湿蚀刻晶片的方法，该单晶片湿蚀刻工艺系统包括多个台子以产生具有目标最终晶片厚度轮廓的晶片，包括以下步骤：
在包括存储器和通过在其中执行代码形式的指令而配置的处理器的过程控制器处提供晶片轮廓数据，晶片轮廓数据包括规定的蚀刻偏移和目标最终晶片厚度轮廓，所述目标最终晶片厚度轮廓限定了在第二蚀刻步骤之后的晶片表面上的多个径向位置中的每一个的目标最终厚度参数；
在测量台处测量晶片表面上的多个点处的晶片的初始厚度；
利用所配置的处理器计算符合蚀刻偏移的第一蚀刻轮廓、每个径向位置的目标最终晶片厚度参数和每个径向位置的测量的初始厚度；
利用所配置的处理器根据所述第一蚀刻轮廓生成用于所述第一蚀刻步骤的蚀刻配方；
使用具有第一蚀刻速率的第一蚀刻剂来蚀刻晶片，其中根据第一蚀刻配方蚀刻晶片；
在所述测量台处测量所述晶片上的多个点处的晶片的蚀刻后厚度；
使用所配置的处理器确定晶片的蚀刻后厚度与最终晶片厚度轮廓匹配；
使用具有第二蚀刻速率的第二蚀刻剂来蚀刻晶片，其中根据第二蚀刻配方蚀刻所述晶片；
其中所述第一蚀刻剂和第二蚀刻剂包括不同的化学组成。
34.根据权利要求33所述的方法，还包括：
使用所配置的处理器，生成所述第二蚀刻轮廓作为所述最终晶片厚度参数以及在所述径向位置的每个处测量的第一蚀刻后厚度的函数；
使用所配置的处理器，根据所述第二蚀刻轮廓生成用于所述第二蚀刻步骤的第二蚀刻配方；
在所述第二蚀刻步骤之后在所述测量台处测量所述晶片上的多个点处的最终晶片厚度；以及
使用所配置的处理器确定每个径向位置的测量的最终晶片厚度与最终晶片厚度轮廓匹配达到规定的程度。
35.根据权利要求33所述的方法，其中测量所述基板的厚度包括在每个所述径向位置处光学扫描所述基板的表面并且记录所述径向位置中的每一个的测量厚度。
36.根据权利要求33所述的方法，其中所述晶片轮廓数据包括嵌入在残留基板材料层下面的一个或多个TSV的参考高度，并且其中所述最终厚度参数是在所述第二蚀刻步骤之后的所述TSV的规定显露高度，并且其中所述蚀刻偏移限定了所述第一蚀刻步骤之后的所述晶片的相应径向位置的厚度与以下之一或多个之间的差：所述TSV中的一个或多个在相应径向位置处的参考高度与所述最终厚度参数。
37.根据权利要求36所述的方法，还包括：
其中生成所述第一蚀刻轮廓包括：
计算每个径向位置的第一蚀刻深度，其中相应径向位置的第一蚀刻深度是在相应径向位置测量的初始厚度与在第一蚀刻步骤之后的相应径向位置的目标厚度之间的差。
38.根据权利要求36所述的方法，还包括：
利用所述处理器基于测量的初始厚度和晶片在每个径向位置处的目标厚度，来确定所述晶片的厚度变化特性；以及
其中生成第一蚀刻配方包括：
计算作为在第一蚀刻步骤期间使用的第一蚀刻剂的相应第一蚀刻深度和第一蚀刻速率的函数的第一蚀刻时间；
基于厚度变化特性从蚀刻配方数据库中选择蚀刻配方；以及
根据计算的蚀刻时间来调整所选择的蚀刻配方。
39.根据权利要求38所述的方法，其中所述厚度变化特性包括以下中的一个或多个：均匀，边缘重，边缘轻中心重，以及中心轻。
40.根据权利要求38所述的方法，其中生成蚀刻配方还包括：
基于所述蚀刻轮廓生成臂扫描轮廓；
41.根据权利要求40所述的方法，其中生成臂扫描轮廓还包括：
设置臂扫描路径，所述臂扫描路径控制在蚀刻期间所述喷嘴的运动，以使所述喷嘴选择性地将蚀刻剂分配到所述多个径向位置中的每一个上；和
限定在所述多个径向位置中的每一个处的臂扫描速度作为在相应径向位置处的蚀刻深度的函数，其中，所述臂扫描路径、臂扫描速度和蚀刻时间控制在蚀刻期间分配到多个径向位置中的每个径向位置上的蚀刻剂的量。
42.根据权利要求38所述的方法，还包括：使用所配置的处理器在显示器上显示所述晶片轮廓数据并且显示所测量的初始厚度、一个或多个TSV的参考高度、所述通孔高度和蚀刻偏移之和以及晶片的每个相应径向位置的最终目标晶片厚度轮廓的图形表示。
43.根据权利要求38所述的方法，还包括：
使用配置的处理器，根据作为第一蚀刻时间、所测量的初始晶片厚度的平均值和所测量的蚀刻后厚度的平均值的函数的算法来调整所述第一蚀刻速率。
44.根据权利要求38所述的方法，其中，根据作为先前处理的晶片的测量的蚀刻后厚度和先前处理的晶片的测量的初始厚度的函数的算法来细化所述第一蚀刻配方。
45.根据权利要求33所述的方法，还包括：
在所述测量台处测量所述晶片上的多个点处的晶片的最终厚度；
其中根据作为先前处理的晶片的测量的蚀刻后厚度和先前处理的晶片的测量的最终厚度的函数的算法来细化晶片的第二蚀刻轮廓。
46.根据权利要求33所述的方法，其中蚀刻所述晶片的步骤包括：根据相应的蚀刻配方，通过位于所述蚀刻台处的单个晶片湿蚀刻装置将化学蚀刻剂分配到所述晶片的表面上。
47.根据权利要求37所述的方法，还包括：
在测量的晶片的蚀刻后厚度与最终目标晶片厚度轮廓不匹配的情况下，
基于在所述第一蚀刻步骤之后的测量的蚀刻后厚度和相应的径向位置的目标厚度，重新计算所述第一蚀刻深度；
生成更新的第一蚀刻配方；以及
根据更新的第一蚀刻配方来重新蚀刻所述晶片。
48.根据权利要求33所述的方法，其中所述蚀刻配方包括臂扫描轮廓，其中所述臂扫描轮廓控制所述臂在所述第一蚀刻步骤期间的运动，从而使喷嘴选择性地将第一蚀刻剂分配到所述多个径向位置中的每一个上，从而在每个径向位置选择性地使晶片变薄，并且还包括：
由所述处理器在显示器上显示所述臂扫描轮廓的交互式图形表示，其中所述臂扫描轮廓被表示为包括多个点的图表，所述多个点在第一轴上具有对应于相应径向位置参数的第一值以及在第二轴上具有对应于相应的径向位置处的相应的臂扫描速度参数的第二值；
在所述处理器处接收与所述臂扫描轮廓的图形表示上的特定点的用户交互，其中所述用户交互包括对所述第一值和所述第二值中的一个或多个的操纵；
根据对第一值和第二值中的一个或多个的操作，利用所述处理器更新臂扫描轮廓中的相应径向位置参数和所述臂扫描速度参数中的一个或多个；以及
其中使用所述单晶片湿蚀刻装置根据更新的臂扫描轮廓蚀刻晶片。
49.根据权利要求33所述的方法，其中所述臂扫描轮廓使所述喷嘴选择性地将相应量的所述第一蚀刻剂分配到所述多个径向位置上，其中分配到特定径向位置上的所述第一蚀刻剂的相应量是相应的臂扫描速度参数的函数。