一种无机氧化物量子点发光二极管
专利汇可以提供一种无机氧化物量子点发光二极管专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种无机 氧 化物 量子点 发光 二极管 及其制备方法。该无极氧化物量子点 发光二极管 包括相邻设置的 阳极 、空穴传输层、量子点 发光层 、 电子 传输层、 阴极 ，其中空穴传输层和电子传输层均由无机 半导体 材料组成，对于所述空穴传输层的无机半导体材料可以通过调控 退火 温度 控制其中的氧离子空位数量，少量的氧离子空位有类似于N型掺杂的效果，可以大幅度提高空穴的注入和传输。本发明使得量子点发光二极管能够长期稳定工作，改善了器件中空穴和电子的注入和传输速率，尤其是空穴的注入效率，平衡了电子和空穴的数量，提高了量子点发光二极管的外 量子效率 。，下面是一种无机氧化物量子点发光二极管专利的具体信息内容。
1.一种无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，包括相邻设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极，其中空穴注入层和电子传输层均由无机半导体金属氧化物组成。
2.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料为氧化锌或二氧化钛。
3.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层为Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族的红色或绿色或蓝色的核壳量子点，厚度为20 50nm。
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4.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层选自PVK、TPD、poly-TPD、TFB、CBP、TCTA、NPB中的一种或者多种。
5.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料为氧化钼或氧化钒，材料必须存在少量的氧离子空位，形成类似于P型掺杂的效果。
6.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的无机半导体金属氧化物材料中的氧离子空位数量可以通过退火温度调控。
7.氧化钼或氧化钒无机半导体金属氧化物制备方法：
1）将氧化钼或氧化钒与过氧化氢反应；
2）添加乙醇溶液作为缓冲剂，控制反应速度。
8.一种无机氧化物量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、准备一衬底；
B、在所述衬底上制作阳极；
C、在所述阳极上沉积空穴注入层，并通过退火处理形成氧离子空位；
D、在所述阳极上沉积空穴传输层；
E、在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；
F、在所述量子点发光层上沉积电子传输层；
G、在所述电子传输层上沉积阴极；
其中空穴注入层和电子传输层均由无机半导体金属氧化物组成，对于所述空穴传输层的无机半导体金属氧化物可以通过调控退火温度控制其中的氧离子空位数量，少量的氧离子空位有类似于P掺杂的效果，可以大幅度提高空穴的注入和传输。
9.根据权利要求8所述的无机氧化物量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层及电子传输层使用纳米粒子，并且由水热法、溶胶凝胶以及离子交换法中的一种或者多种方法制备。
10.根据权利要求8所述的无机氧化物量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层及电子传输层均由旋涂、印刷或者喷墨打印。
一种无机氧化物量子点发光二极管
技术领域
背景技术
发明内容
B、在所述衬底上制作阳极；
C、在所述阳极上沉积空穴注入层，并通过退火处理形成氧离子空位；
D、在所述阳极上沉积空穴传输层；
E、在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；
F、在所述量子点发光层上沉积电子传输层；
G、在所述电子传输层上沉积阴极。
图3为实施例1的无机氧化物量子点发光二极管的亮度示意图；
图4为实施例1的无机氧化物量子点发光二极管的外量子效率示意图。
具体实施方式
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