一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法
专利汇可以提供一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种高 荧光 产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式 量子点 的制备方法。本发明制备的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点选择CdSe作为发射层，以ZnSe作为核和最 外壳 层材料，减少CdSe发射层的表面 缺陷 和悬键，有效抑制了量子点的闪烁，提高了ZnSe/CdSe/ZnSe 量子阱 量子点的荧光产率。本发明制备ZnSe/CdSe/ZnSe量子阱量子点的步骤包括：首先制备Zn、Se、Cd的前驱体溶液，然后使用高温注入法制备ZnSe量子点溶液，ZnSe量子点溶液通过控制反应条件如 温度 、浓度、时间等调节各层的晶格常数，减少量子点内由于晶格应 力 而产生的缺陷，从而制备出量子产率高、发光波段可控且 稳定性 好的阱式量子点。，下面是一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在三口瓶中加入4mmol的ZnO、3mL的OA和7mL的1-ODE，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至310℃停止反应，得到0.4mmol/mL的Zn(OA)2溶液；
步骤2：在三口瓶中加入1mmol的ZnO、3mL的OA和7mL的1-ODE，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至310℃停止反应，得到0.1mmol/mL的Zn(OA)2溶液；
步骤3：在三口瓶中加入1mmol的CdO、3mL的OA和7mL的1-ODE，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至310℃停止反应，得到0.1mmol/mL的Cd(OA)2溶液；
步骤4：在三口瓶中加入2mmol的Se和20ml的1-ODE，抽真空半小时，然后通入惰性气体加热至220℃，保持180分钟后停止反应，得到0.1mmol/mL的Se-ODE溶液；
步骤5：将1mmol的Se，直接溶于1mL的TOP，得到1mmol/mL的Se-TOP，
步骤6：向三口瓶中加入15mL的1-ODE和4mL的0.4mmol/mL的Zn(OA)2溶液，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至310℃，快速注入2mL的0.1mmol/mL的Se-ODE溶液，降温至300℃，保温10分钟，停止反应，反应后的溶液进行离心去掉沉淀，取清液，加入清液等量的正己烷和三倍量的乙醇，溶液完全浑浊后，将此时的溶液进行离心，取出沉淀，用
2mL甲苯将所得沉淀进行溶解，得到ZnSe量子点溶液；
步骤7：向三口瓶中加入2mL的ZnSe量子点溶液和6mL的1-ODE，升温至150℃，抽气真空半小时，然后通入惰性气体升温至280℃，以5mL/h的速率滴加按照摩尔比1:1混合的
0.1mmol/mL的Cd(OA)2和0.1mmol/mL的Se-ODE，保持10分钟结束反应，反应后的溶液进行离心去掉沉淀，取清液，加入清液等量的正己烷和三倍量的乙醇，溶液完全浑浊后，将此时的溶液进行离心，取出沉淀，用2mL甲苯将所得沉淀进行溶解，得到ZnSe/CdSe量子点溶液；
步骤8：向三口瓶中加入2mL的ZnSe/CdSe量子点溶液和6mL的1-ODE，升温至150℃，抽真空半小时，然后通入惰性气体升温至300℃，以1mL/h的速率分别滴加0.1mmol/mL的Zn(OA)2和1mmol/mL的Se-TOP，保持十分钟停止反应，反应后的溶液进行离心去掉沉淀，取清液，加入清液等量的正己烷和三倍量的乙醇，溶液完全浑浊后，将此时的溶液进行离心，取出沉淀，用2mL甲苯将所得沉淀进行溶解，得到ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点溶液。
2.根据权利要求书1所述的一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法，其特征在于，所述的惰性气体为氮气或氩气中的一种。
一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
2mL甲苯将所得沉淀进行溶解，得到ZnSe量子点溶液；
2mL甲苯将所得沉淀进行溶解，得到ZnSe量子点溶液；
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