专利汇可以提供一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种高 荧光 量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS 量子阱 的制备方法,属于 纳米晶 材料制备技术领域;具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在4.0nm左右的CdZnS核 量子点 ,CdZnS量子点沉淀与相应配位 溶剂 混合,通过连续离子层 吸附 的方法,即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体,制备得到包覆有CdSe壳层为0.7nm的CdZnS/CdSe量子点;继续滴加混合的阴阳离子前驱体合成CdZnS/CdSe/CdZnS量子点量子阱;该发明方法可以缓解CdZnS核与CdSe 发光层 之间的晶格适配度,使得CdSe相干 应变层 很好的结晶,有效改进了传统的 核壳结构 的量子点的 荧光量子产率 ;制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱使得CdSe发光层很好的被厚的 外壳 层修饰表面 缺陷 ,最终使得 发光效率 达到100%。,下面是一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)首先合成CdZnS核材料:氧化镉CdO和无水醋酸锌Zn(Ac)2作为Cd和Zn来源的原材料,在三口瓶中将0.5mmol CdO(0.064g)与5mmol Zn(Ac)2(0.917g)混合5ml油酸OA,加热升温至150℃,形成油酸锌和油酸镉,期间抽真空40分钟,在进行下一步之前,需要对主反应进行抽气充气3次,以确保抽真空完全;随后充氩气,在氩气环境下注入10ml十八烯1-ODE,加热至300℃,当温度到达300℃时注入S源:高纯硫溶解于十八烯1-ODE,最后12分钟内将反应温度升高至310℃,此时反应结束去掉加热套并降温,即形成CdZnS核材料;
(2)CdZnS核材料:在进行最终材料的合成前,对步骤(1)中合成的CdZnS进行提纯处理,去除多余的Zn元素和其他杂质,然后用甲苯将所得沉淀进行溶解;
(3)进行主反应的配制:取步骤(2)中所得的CdZnS-甲苯溶液2ml放置于三口瓶中,加入十八烯1-ODE 6ml加热至120℃抽真空40分钟,同步骤(1)中所述,在填氩气之前需要抽气充气反复三次,保证主反应中完全处在氩气环境下;随后在氩气环境下将反应温度升高至300℃;
(4)准备Cd前驱体:使用的Cd前驱体需要单独置于另外的三口瓶中制备合成;即取
10mmol的CdO,加入10ml的油酸和10ml的十八烯,升温至150℃抽真空40分钟,随后充入惰性气体氩气进行保护同时升温至250℃合成Cd(AO)2,随后降温至80℃保温,即合成0.5M浓度的Cd(AO)2前驱体;CdSe层和外壳层的CdZnS全部使用上述Cd(AO)2;
(5)制备Zn前驱体:使用的Zn前驱体,需要单独置于另外的三口瓶中制备合成;即取
10mmol的Zn(Ac)2,加入10ml的油酸和10ml的十八烯,升温至150℃抽真空40分钟,随后充入惰性气体氩气进行保护同时升温至300℃合成Zn(AO)2,随后降温至110℃保温,即合成0.5M浓度的Zn(AO)2前驱体;外壳层CdZnS中Zn源的使用全部使用上述Zn(AO)2;
(6)制备S前驱体:S前驱体需要在实验步骤需要前的5分钟提前准备好,具体制备方法即使用S单质,并溶于定量TBP三丁基膦配成1M浓度的S前驱体,将温度提升至120℃完全溶解S单质后,降至室温即可;
(7)当步骤(3)中温度达到300℃时,准备注入Se和滴加Cd前驱体进行CdSe壳层的包覆;
(8)当步骤(7)中所取样品第一吸收峰的位置在595nm左右,即可进行下一层CdZnS比例为Cd:Zn:S=1:3:2的包覆;
(9)当步骤(8)中所取样在紫外灯照射下有明显颜色变化,即可进行下一层CdZnS比例为Cd:Zn:S=1:2:3的包覆;
(10)上述步骤(9)中的合成可灵活调整,对于不同量但同比例的S前驱体,Zn前驱体和Cd前驱体,会合成每一层不同厚度CdZnS外壳层的CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱,这样对应的则是不同波段的量子阱。
2.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率且近似球形量子阱CdZnS/CdSe/CdZnS的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中需要多次改变S前体的量和成核的保温时间来获得粒径为4.0nm左右的CdZnS核量子点。
3.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的氧化镉CdO和无水醋酸锌Zn(Ac)2作为Cd和Zn来源的原材料,其摩尔比Zn:Cd=10:1。
4.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)得到0.7nm厚度的CdSe壳层的前驱体量,所制备得的CdZnS/CdSe量子点的荧光发射位置在595nm。
5.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)所述的提纯处理,其方法为:首先原液进行离心,去沉淀,上清液中加入适量正己烷后多次离心,直到离心后的溶液中没有沉淀,然后取上清液加入过量乙醇直至溶液完全浑浊,将此时的溶液进行离心,取沉淀去掉上清液即得。
6.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法,其特征在于:步骤(7)所述的包覆的具体的实施方法为:首先将称量好的Se前驱体:硒粉+TBP三丁基膦+1-ODE十八烯与过量的Cd(AO)2前驱体混合,Cd过量,用于下层CdZnS比例为Cd:Zn:s=1:3:2的包覆,滴加速率为5ml/h,滴加完毕保温10分钟后取样,同时测试材料的吸收,实时监控量子点的生长。
7.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法,其特征在于:步骤(8)所述的包覆的具体的实施方法为:保温时间过后,取符合比例的S-TBP(单质S溶解于三丁基磷中)前驱体和Zn前驱体混合滴加,速率为8ml/h,滴加过程温度保持在300℃,滴加完毕后在300℃保温10min后取样,即包覆了第一层CdZnS壳层,所述的S-TBP为单质S溶解于三丁基磷中所得。
8.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法,其特征在于:步骤(9)所述的包覆具体的实施方法为:保温时间过后,取符合比例的S-TBP,Cd前驱体(Cd(OA)2)和Zn前驱体(Zn(OA)2)混合滴加,速率为8ml/h,滴加完毕后保温10min后取样。
9.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率且近似球形量子阱CdZnS/CdSe/CdZnS的制备方法,其特征在于:步骤(7)所述的包覆CdSe壳层时的温度选择在300℃,滴加速率为
5mL/h,具体保温时间是10min。
制备方法
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