专利汇可以提供一种等离子体电解氧化电源专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种 等离子体 电解 氧 化电源,三相交流电经变压整流、滤波后分正负两组直流脉冲,直流脉冲可由控制单元控制,包括三相 变压器 、三相可控 硅 整流桥 、电解电容、IGBT单元、控制单元,三相可控硅整流桥包括可控硅1K1~1K6、可控硅2K1~2K6;电解电容包括电解电容C11、电解电容C12;IGBT单元包括IGBT器件VT1、IGBT器件VT2以及与之配套的驱动核。优点是:本电源将三相交流电经变压整流、滤波后分正负两组直流脉冲,其单组连续脉冲个数、脉冲宽度、脉冲间隔、脉冲 频率 、脉冲幅值均可设置,可实现恒压、恒流、恒功率控制。本电源在等离子体电解氧化工艺中可使 铝 基金属表面形成刚玉陶瓷层。,下面是一种等离子体电解氧化电源专利的具体信息内容。
1.一种等离子体电解氧化电源,其特征在于,三相交流电经变压整流、滤波后分正负两组直流脉冲,直流脉冲可由控制单元控制,包括三相变压器、三相可控硅整流桥、电解电容、IGBT单元、控制单元,三相可控硅整流桥包括可控硅1K1~1K6、可控硅2K1~2K6;电解电容包括电解电容C11、电解电容C12;IGBT单元包括IGBT器件VT1、IGBT器件VT2以及与之配套的驱动核;具体电路结构为:
三相交流电经断路器QF1与三相变压器一次侧相连,三相变压器二次侧有三相AC540V和三相AC220V两个绕组,AC540V绕组的A21端与可控硅1K1阳极、可控硅1K4阴极相连;
AC540V绕组的B21端与可控硅1K3阳极、可控硅1K6阴极相连;AC540V绕组的C21端与可控硅
1K5阳极、可控硅1K2阴极相连;AC220V绕组A31端与可控硅2K1阳极、可控硅2K4阴极相连;
AC220V绕组B31端与可控硅2K3阳极、可控硅2K6阴极相连;AC220V绕组C31端与可控硅2K5阳极、可控硅2K2阴极相连;
IGBT器件VT1的集电极与可控硅1K1阴极、可控硅1K3阴极、可控硅1K5阴极电解电容C11正极、熔断器FU10一端相连,IGBT器件VT1的发射极与IGBT器件VT2的集电极通过镀件与电解液相连;
可控硅2K4阳极、可控硅2K6阳极、可控硅2K2阳极、电解电容C12正极、熔断器FU11一端与IGBT器件VT2的发射极相连;
电解电容C12负极、熔断器FU11另一端、电解电容C11负极、熔断器FU10另一端、可控硅
1K4阳极、可控硅1K6阳极、可控硅1K2阳极、可控硅2K1阴极、可控硅2K3阴极、可控硅2K5阴极与0V端相连接;电解液容器壁与0V端相连接;
所述的控制单元包括触摸屏、PLC控制器、1#单片机、2#单片机,PLC控制器与触摸屏、1#单片机、2#单片机相连接,PLC控制器将信号通过RS485接口发送到1#单片机、2#单片机,1#控制IGBT单元的脉冲输出,2#单片机控制三相可控硅整流桥;触摸屏用以显示工艺画面并与PLC通讯并通过PLC向单片机下发设定参数,进行各项数据的显示。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体电解氧化电源,其特征在于,所述的三相变压器为角形入、星形出的三相干式电源变压器,起到电源隔离和升压、降压的作用。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体电解氧化电源,其特征在于,所述的三相变压器的电流、电压通过电压表、电流表测量,电压表、电流表与2#单片机相通讯,电压表、电流表将所测数值发送到2#单片机上。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体电解氧化电源,其特征在于,还包括脉冲控制板,所述的三相可控硅整流桥的可控硅脉冲触发由脉冲控制板完成,脉冲触发板由2#单片机控制。
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