专利汇可以提供制造含有凹陷栅极的半导体器件的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种制造 半导体 器件的方法,包括:蚀刻衬底以形成第一沟槽图案;在第一沟槽图案的 侧壁 上形成隔离物;利用该隔离物作为阻挡层蚀刻第一沟槽图案的底部,以形成第二沟槽图案;在第二沟槽图案上实施 各向同性蚀刻 以圆化第二沟槽图案的侧壁并形成球形图案;以及在包括第一沟槽图案、圆化的第二沟槽图案和球形图案的凹陷图案上形成栅极。,下面是制造含有凹陷栅极的半导体器件的方法专利的具体信息内容。
1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:
蚀刻衬底以形成第一沟槽图案;
在所述第一沟槽图案的侧壁上形成隔离物;
利用所述隔离物作为阻挡层蚀刻所述第一沟槽图案的底部,以形成第 二沟槽图案;
对所述第二沟槽图案实施各向同性蚀刻以圆化所述第二沟槽图案的侧 壁并形成球图案;和
在包括所述第一沟槽图案、所述圆化的第二沟槽图案和所述球图案的 凹陷图案上形成栅极。
2.根据权利要求1所述的方法,其中利用包括CF4、He和O2气体的混合 气体对所述第二沟槽图案实施各向同性蚀刻。
3.根据权利要求2所述的方法,其中CF4的流量为30sccm~80sccm、He 的流量为50sccm~300sccm以及O2的流量为10sccm~50sccm。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述CF4、He和O2以12份CF4∶100 份He∶30份O2的比例混合。
5.根据权利要求1所述的方法,其中对所述第二沟槽图案实施各向同性蚀 刻包括利用选自变压器耦合等离子体(TCP)型源、安装有法拉第屏蔽的 电感耦合等离子体(ICP)型源、微波下游(MDS)型等离子体源、电子 回旋共振(ECR)型等离子体源以及螺旋型等离子体源的蚀刻机。
6.根据权利要求5所述的方法,其中利用TCP型源实施各向同性蚀刻包 括施加20mTorr~100mTorr的压力和500W~1500W的源功率。
7.根据权利要求2所述的方法,其中将氯(Cl2)或溴化氢(HBr)加入所 述包括CF4、He和O2的气体混合物中,所述氯(Cl2)或溴化氢(HBr) 的流量为CF4流量的1/5~1/3。
8.根据权利要求1所述的方法,其中最初形成的所述第一沟槽图案和第二 沟槽图案的每一个均具有垂直侧壁剖面。
9.根据权利要求8所述的方法,其中最初形成的所述第一沟槽图案的宽度 大于所述第二沟槽图案的宽度,并且最初形成的所述第一沟槽图案的深度 大于所述第二沟槽图案的深度。
10.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述第一沟槽图案和所述第二 沟槽图案包括使用加入有O2的包括Cl2和HBr的气体混合物。
11.根据权利要求10所述的方法,其中Cl2的流量为30sccm~100sccm, 以及HBr的流量为30sccm~100sccm。
12.根据权利要求10所述的方法,其中形成所述第一沟槽图案和所述第二 沟槽图案包括应用使用TCP和ICP型源中的一种的蚀刻机、20mTorr~ 80mTorr的压力、400W~1000W的源功率和100W~400W的偏压功率。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述隔离物含有氧化物基材料。
14.根据权利要求13所述的方法,还包括在形成所述球图案之后实施清洗 以去除所述隔离物。
15.根据权利要求1所述的方法,其中蚀刻所述衬底包括使用硬掩模图案 作为蚀刻掩模,所述硬掩模图案包括氧化物基材料和多晶硅基材料。
16.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:
蚀刻衬底以形成第一沟槽图案;
在所述第一沟槽图案的侧壁上形成隔离物;
利用所述隔离物作为阻挡层蚀刻所述第一沟槽图案底部,以形成第二 沟槽图案;
在所述第二沟槽图案的表面上实施等离子体氧化,以圆化所述第二沟 槽图案的侧壁;
形成通过所述圆化的第二沟槽图案连接至所述第一沟槽图案的球图 案;和
在包括所述第一沟槽图案、所述圆化的第二沟槽图案和所述球图案的 凹陷图案上形成栅极。
17.根据权利要求16所述的方法,其中实施所述等离子体氧化包括使用包 括CF4、He和O2的气体混合物。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述CF4、He和O2以1份CF4∶10 份He∶250份O2的比例混合。
19.根据权利要求16所述的方法,其中实施所述等离子体氧化包括利用选 自安装有法拉第屏蔽的电感耦合等离子体(ICP)型源、微波下游(MDS) 型等离子体源、电子回旋共振(ECR)型等离子体源以及螺旋型等离子体 源的蚀刻机。
20.根据权利要求16所述的方法,其中最初形成的所述第一沟槽图案和第 二沟槽图案的每一个均具有垂直侧壁剖面。
21.根据权利要求20所述的方法,其中最初形成的所述第一沟槽图案的宽 度大于所述第二沟槽图案的宽度,并且最初形成的所述第一沟槽图案的深 度大于所述第二沟槽图案的深度。
22.根据权利要求16所述的方法,其中形成所述第一沟槽图案和第二沟槽 图案包括使用加入有O2的包括C12和HBr的气体混合物。
23.根据权利要求22所述的方法,其中Cl2的流量为30sccm~100sccm, 以及HBr的流量为30sccm~100sccm。
24.根据权利要求22所述的方法,其中形成所述第一沟槽图案和第二沟槽 图案包括应用使用TCP型源和TCP型源中的一种的蚀刻机、20mTorr~ 80mTorr的压力、400W~1000W的源功率以及100W~400W的偏压功率。
25.根据权利要求16所述的方法,其中所述隔离物包含氧化物基材料。
26.根据权利要求25所述的方法,还包括在形成所述球图案之后实施清洗 以去除所述隔离物。
27.根据权利要求16所述的方法,其中蚀刻所述衬底包括使用硬掩模图案 作为蚀刻掩模,所述硬掩模图案包括氧化物基材料和多晶硅基材料。
本发明涉及制造半导体器件的方法,更具体而言,涉及制造半导体 器件的凹陷栅极的方法。
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