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一种超高功率陶瓷基板LED封装结构

阅读:1发布:2022-03-05

专利汇可以提供一种超高功率陶瓷基板LED封装结构专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种超高功率陶瓷 基板 LED封装结构,包括基板和设置在基板中间的反射腔,所述反射腔底部为设有用于安装LED芯片的发光面,其中发光面分为四个区域。本实用新型的基板采用高导热氮化 铝 导热陶瓷材料,导热系数高, 热膨胀 系数小,基本和芯片属于一个数量级,热稳定效果好,可以耐更高的 温度 ,发光面分成四个区域,避免胶 水 面积过大热膨胀张 力 损害金线,可以做更大的功率。,下面是一种超高功率陶瓷基板LED封装结构专利的具体信息内容。

1.一种超高功率陶瓷基板LED封装结构,包括基板和设置在基板中间的反射腔,其特征是,所述反射腔底部为设有用于安装LED芯片的发光面,其中发光面分为四个区域,且每个区域设有隔层;所述隔层将发光面分成四个模,其中每个模块各自独立。
2.根据权利要求1所述的一种超高功率陶瓷基板LED封装结构,其特征是,所述基板为高导热氮化陶瓷,其中基板分为四个模块,各模块之间通过电路连接,实现串、并联组合。
3.根据权利要求1所述的一种超高功率陶瓷基板LED封装结构,其特征是,所述发光面为发光度为90~140度球形结构。

说明书全文

一种超高功率陶瓷基板LED封装结构

技术领域

[0001] 本实用新型涉及LED光源技术领域,尤其是涉及一种超高功率陶瓷基板LED封装结构。

背景技术

[0002] LED作为一种新型光源,由于具有节能、环保、寿命长、启动速度快、能控制发光光谱使彩度更高等传统光源无可比拟的优势得到了空前发展。伴随着LED电流强度和发光量的增加,LED芯片的发热量也随之上升,随着LED灯具的应用面越来越广,市场对更大功率的LED灯具需要呼声越来越高,传统的基、基板因其膨胀系数与LED芯片差异很大已经远远不能满足超高功率的LED的散热要求。当高温环境使用或温差变化大时,能引发芯片发光率降低,芯片底部黏结材料劣化或开裂导致死灯。发明内容
[0003] 本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足,提供一种超高功率陶瓷基板LED封装结构,用以解决上述技术问题。
[0004] 为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:一种超高功率陶瓷基板LED封装结构,包括基板和设置在基板中间的反射腔,所述反射腔底部为设有用于安装LED芯片的发光面,其中发光面分为四个区域,且每个区域设有隔层;所述隔层将发光面分成四个模,其中每个模块各自独立。
[0005] 作为优选,所述基板为高导热氮化铝导热陶瓷,其中基板分成四个单独模块,各模块间通过电路连接,实现串、并联组合。
[0006] 作为优选,所述发光面为发光度为90~140度球形,提高LED取光效率,减少因全发射或散射产生的热量。
[0007] 本实用新型的基板采用高导热氮化铝导热陶瓷材料,导热系数高,热膨胀系数小,基本和芯片属于一个数量级,热稳定效果好,可以耐更高的温度,发光面分成四个区域,避免胶面积过大热膨胀张损害金线,可以做更大的功率。
[0008] 与现有技术相比本实用新型具有以下特点:
[0009] 1)基板采用高导热氮化铝材料,氮化铝热膨胀系数小,和LED芯片同属一个数量级,高温情况下产品稳定性好。
[0010] 2)氮化铝陶瓷材料本身绝缘,铺设及电路设计比较灵活。
[0011] 3)发光面分成四个区域,胶水附着面积加大,有效的避免因为热膨胀导致胶水鼓起拉断金线造成产品失效。
[0012] 4)胶水面角度小,取光效率高,照度强。附图说明
[0013] 图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

[0014] 下面通过实施例,并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步具体说明。 [0015] 图1是本实用新型的结构示意图。由图1可知,一种超高功率陶瓷基板LED封装结构,主要由基板1和设置在基板1中间的反射腔3组成,其中基板1为高导热氮化铝导热陶瓷材料制成,导热系数高,热膨胀系数小,该基板1和LED芯片属于一个数量级,热稳定效果好,可以耐更高的温度。基板分成四个单独模块使胶水分立,避免含荧光粉的胶水因高温劣化,其中各模块间通过电路连接,实现串、并联组合。
[0016] 反射腔3底部为设有用于安装LED芯片的发光面2,其中发光面2分为四个区域,每个区域有隔层,这样将整灯分成四个模块。发光面为发光角度为90~140度球形,提高LED取光效率,减少因全发射或散射产生的热量。其中每个模块各自独立,有效的避免了因热量过高胶水膨胀引起的胶水开裂或拉断金线,从而可以做更大的功率。 [0017] 发光面2的角度提高后,LED芯片的取光效率将大大提升,因此可以大大减少光能转化为热能的损耗,用其制成的LED灯其安全性能好,不导电,不易碎使用寿命也大大提高。
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