1.一种辐射源，包括：
腔室，包括等离子体形成区域；
辐射收集器，被布置在所述腔室中，所述辐射收集器被配置为收集在所述等离子体形成区域处所发射的辐射，并且被配置为将收集到的所述辐射导向至中间焦点区域；
碎片削减系统，被配置为将来自所述中间焦点区域的第一气流朝向所述等离子体形成区域导向；以及
引导装置，被布置在所述腔室中，使得所述第一气流被导向在所述引导装置周围。
2.根据权利要求1所述的辐射源，其中所述引导装置被布置成使得所述第一气流被对称地导向在所述引导装置周围和/或所述第一气流由所述引导装置扩散。
3.根据权利要求1或2所述的辐射源，其中所述碎片削减系统被配置为将来自所述辐射收集器的第二气流朝向所述等离子体生成区域导向。
4.根据权利要求3所述的辐射源，其中所述引导装置被配置为减少所述第一气流与所述第二气流之间的相互作用。
5.根据权利要求3或4所述的辐射源，其中所述引导装置被配置为防止所述第一气流与所述第二气流之间的相互作用。
6.根据前述任何一项权利要求所述的辐射源，其中所述引导装置被配置为防止形成所述第一气流朝向所述辐射收集器的喷射流。
7.根据前述任何一项权利要求所述的辐射源，其中所述引导装置被布置在所述腔室中以至少部分地沿着所述辐射收集器的光轴延伸。
8.根据前述任何一项权利要求所述的辐射源，其中所述引导装置被布置在所述中间焦点区域处或在所述中间焦点区域附近。
9.根据前述任何一项权利要求所述的辐射源，其中所述引导装置被布置为从所述引导装置的第一端朝向所述引导装置的第二端逐渐变细，所述第一端包括扩大部分，以及所述第二端包括尖端部分或圆形部分。
10.根据权利要求9所述的辐射源，其中所述引导装置被布置在所述腔室中，使得所述引导装置的所述第一端被定位成远离所述中间焦点区域，以及所述引导装置的所述第二端被定位在所述中间焦点区域处或邻近所述中间焦点区域。
11.根据前述任何一项权利要求所述的辐射源，其中所述引导装置包括多个开口，所述多个开口被配置为将第三气流朝向所述辐射收集器导向。
12.根据权利要求11所述的辐射源，其中所述多个开口被布置在所述引导装置上，使得来自所述多个开口的所述第三气流与所述第一气流相互作用以将所述第一气流导向或推动到所述腔室的至少一部分附近。
13.根据前述任何一项权利要求所述的辐射源，其中所述引导装置包括被配置为增加所述引导装置的温度的加热元件。
14.根据权利要求13所述的辐射源，其中所述加热元件被配置为将所述引导装置的所述温度增加到第一温度，在所述第一温度，增加量的所述第一气流被导向在所述引导装置周围；和/或被配置为将所述引导装置的所述温度维持到低于第二温度，在所述第二温度或高于所述第二温度，存在于所述引导装置上的碎片的扩散增加。
15.根据前述任何一项权利要求所述的辐射源，其中所述引导装置被配置用于通过冷却剂来进行冷却，所述冷却剂由冷却剂源供应。
16.根据前述任何一项权利要求所述的辐射源，包括碎片接收表面，所述碎片接收表面被布置在所述腔室中，以减少或防止碎片到达所述中间焦点区域。
17.根据权利要求16所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被布置为与所述辐射收集器的所述光轴相交或跨所述辐射收集器的所述光轴延伸。
18.根据权利要求16或17所述的辐射源，其中所述引导装置被布置在所述碎片接收表面与所述中间焦点区域之间。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被布置为在所述引导装置的至少一部分或全部之上延伸或者与所述引导装置的至少一部分或全部重叠，使得在所述等离子体形成区域处所生成的碎片入射在所述碎片接收表面上。
20.根据权利要求16所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被包括在所述引导装置中、是所述引导装置的一部分或由所述引导装置提供。
21.一种辐射系统，包括激光器以及根据权利要求1至20中任一项所述的辐射源。
22.一种光刻系统，包括：光刻设备，所述光刻设备被布置为将图案从图案形成装置投射到衬底上；以及根据权利要求21所述的辐射系统，所述辐射系统被布置为将所述辐射中的至少一些辐射提供至所述光刻设备。
23.一种减少在辐射源中的碎片沉积的方法，所述方法包括：
将来自所述辐射源的中间焦点区域的第一气流朝向所述辐射源的等离子体生成区域导向；以及将所述第一气流导向在被布置在所述辐射源的腔室中的引导装置周围。
24.一种极紫外(EUV)源，包括：
容器，具有内容器壁和中间焦点(IF)区域；
EUV收集器，被设置在所述容器的内部，所述EUV收集器被连接至所述内容器壁，所述EUV收集器包括反射表面，所述反射表面被配置为定向地面向所述容器的所述IF区域；
喷淋头，被设置为沿着所述内容器壁的至少一部分，所述喷淋头包括被配置为将气体引入所述容器的多个喷嘴，所述喷淋头具有被配置为将所述气体供应到所述喷淋头中的至少一个入口；以及
一个或多个排气口，被配置为去除被引入所述容器的气体，所述一个或多个排气口被定向为沿着所述内容器壁的至少一部分，使得所述气体远离所述EUV收集器流动。
25.根据权利要求24所述的EUV源，还包括：材料目标区域，所述材料目标区域被设置在所述容器内以用于生成等离子体辐射，所述等离子体辐射由所述EUV收集器的所述反射表面收集，并且朝向所述IF区域导向以用于进入光刻设备的至少一部分，其中经由所述多个喷嘴将所述气体引入所述容器使得能够保护所述内容器壁免于材料的沉积。
26.根据权利要求24或25所述的EUV源，其中所述多个喷嘴被定向为沿着所述内容器壁的内表面的至少一部分在背向所述内容器壁的所述内表面的方向上。
27.根据权利要求24至26中任一项所述的EUV源，其中所述内容器壁具有圆锥形、圆柱形或多面体形状。
28.根据权利要求24至27中任一项所述的EUV源，其中所述喷淋头沿着所述内容器壁的至少一部分在周边横向延伸。
29.根据权利要求24至28中任一项所述的EUV源，还包括：外容器壁，所述外容器壁包围所述容器，所述外容器壁包括一个或多个排气孔。
30.根据权利要求24至29中任一项所述的EUV源，其中所述喷淋头包括一个或多个区，所述一个或多个区中的每个区包括所述多个喷嘴中的至少一部分喷嘴，所述一个或多个区中的每个区被单独地供应有气体以使能可单独控制的区以用于将气体引入所述容器。
31.根据权利要求24至30中任一项所述的EUV源，其中所述内容器壁由光滑表面、叶片表面、或者光滑表面和叶片表面的组合限定。
32.一种极紫外(EUV)源，包括：
容器，具有内容器壁和中间焦点(IF)区域；
EUV收集器，被设置在所述容器的内部，所述EUV收集器被连接至所述内容器壁，所述EUV收集器包括被配置为定向地面向所述容器的所述IF区域的反射表面；
第一气体源，被配置为将气体引入所述容器，所述第一气体源包括第一多个入口，所述第一多个入口被设置为邻近所述EUV收集器的所述反射表面；以及
喷淋头，被设置为沿着所述内容器壁的至少一部分，所述喷淋头包括被配置为将气体引入所述容器的多个喷嘴，所述喷淋头具有被配置为将气体供应到所述喷淋头中的至少一个入口；以及
排气口，被设置为沿着所述内容器壁在方位上不对称的位置处，并且被配置为从所述容器排出气体。
33.根据权利要求32所述的EUV源，其中所述排气口被进一步定向为邻近所述内容器壁的第一区域，所述内容器壁的所述第一区域大致与所述内容器壁的第二区域相对，所述内容器壁的第二区域被定位成重力上在所述EUV收集器上方，当所述EUV源操作时，所述排气口使得由所述第一气体源和所述多个喷嘴引入的气体能够远离所述第二区域流动。
34.根据权利要求32或33所述的EUV源，其中所述多个喷嘴至少部分地沿着所述内容器壁的、被定位成重力上在所述EUV收集器上方的区域。
35.根据权利要求32至34中任一项所述的EUV源，其中所述多个喷嘴被定向为沿着所述内容器壁的内表面、在远离所述内容器壁的所述内表面的方向上，所述多个喷嘴的所述定向使得气流被导向为至少部分地远离所述内容器壁的所述内表面的至少一部分。
36.根据权利要求32至35中任一项所述的EUV源，其中所述多个喷嘴被设置为至少部分地沿着所述内容器壁的顶部区域，所述多个喷嘴被定位成重力上在所述EUV收集器上方，所述多个喷嘴被定向在背向所述顶部区域的方向上，通过所述多个喷嘴引入所述气体在所述顶部区域附近提供扩散屏障以用于排除碎片。
37.根据权利要求32至36中任一项所述的EUV源，其中所述喷淋头包括一个或多个区，所述一个或多个区中的每个区包括所述多个喷嘴中的至少一部分喷嘴，所述一个或多个区中的每个区被单独地供应有气体以使能可单独控制的区以用于将气体引入所述容器。
38.根据权利要求32至37中任一项所述的EUV源，其中所述内容器壁具有圆锥形、圆柱形或多面体形状。
39.一种极紫外(EUV)源，包括：
容器，具有内容器壁和中间焦点(IF)区域；
EUV收集器，被设置在所述容器的内部，所述EUV收集器被连接至所述内容器壁，所述EUV收集器包括反射表面，所述反射表面被配置为定向地面向所述容器的所述中间焦点区域；
容器壁气体源，被横向设置为至少部分地沿着所述内容器壁，所述容器壁气体源包括多个喷嘴组件，所述多个喷嘴组件中的每个喷嘴组件至少具有被配置为将气体引入所述容器的第一出口和第二出口，所述第一出口被配置为在远离第二方向的第一方向上引入气体，在所述第二方向上，所述第二出口被配置为引入气体；以及
排气口，被配置为排出被引入所述容器的气体，所述排气口邻近所述IF区域以使得由所述容器壁气体源引入的气体能够远离所述EUV收集器流动。
40.根据权利要求39所述的EUV源，其中分别由所述多个喷嘴组件中的每个喷嘴组件的所述第一出口和所述第二出口引入气体的所述第一方向和所述第二方向被定向为至少部分地沿着所述内容器壁的周边以使能气体的幕状流沿着所述内容器壁的所述周边。
41.根据权利要求39或40所述的EUV源，其中所述多个喷嘴组件中的至少一部分喷嘴组件还包括被配置为将气体引入所述容器的第三出口，所述第三出口被配置为将气体引出所述内容器壁。
42.根据权利要求39至41中任一项所述的EUV源，其中所述多个喷嘴组件被分布成至少部分地沿着所述内容器壁的第一区域，所述内容器壁的第一区域在所述EUV源操作时被定位成重力上在所述EUV收集器上方，以及其中所述排气口被定向为邻近所述内容器壁的第二区域，所述内容器壁的所述第二区域与所述内容器壁的所述第一区域相对，以使得被引入所述容器的气体能够远离所述内容器壁的所述第一区域流动。
43.根据权利要求39至42中任一项所述的EUV源，其中所述内容器壁具有圆锥形、圆柱形或多面体形状。
44.一种辐射源，包括：
腔室，包括内壁和材料目标区域；辐射收集器，被布置在所述腔室中，所述辐射收集器被配置为收集在所述材料目标区域处所发射的辐射，并且被配置为将收集到的所述辐射导向至中间焦点区域；
碎片削减系统，被配置为将来自所述中间焦点区域的第一气流朝向所述材料目标区域导向，所述碎片削减系统被配置为将来自所述腔室的所述内壁的一部分的第二气流导向到所述腔室中；
引导装置，被布置在所述腔室中，使得所述第一气流被导向在所述引导装置周围；以及排气口，被配置为从所述腔室中去除由所述碎片削减系统供应的气体。
45.根据权利要求44所述的辐射源，其中所述排气口被布置为在方位上不对称的位置处、从所述腔室的所述内壁的一部分延伸。
46.根据权利要求44或45所述的辐射源，其中所述碎片削减系统包括：喷淋头，所述喷淋头被布置成沿着所述腔室的所述内壁的至少一部分，所述喷淋头包括被配置为将所述第二气流引入所述腔室的多个喷嘴。
47.根据权利要求44至46中任一项所述的辐射源，其中所述引导装置被配置为减少所述第一气流与所述第二气流之间的相互作用。
48.根据权利要求44至47中任一项所述的辐射源，其中所述碎片削减系统被配置为将来自在所述腔室中的所述引导装置处或邻近所述引导装置的位置处的第三气流朝向所述材料目标区域导向。
49.根据权利要求48所述的辐射源，其中所述引导装置被配置为减少所述第一气流与所述第三气流之间的相互作用。
50.根据权利要求44至49中任一项所述的辐射源，其中所述碎片削减系统被配置为将来自所述辐射收集器的第四气流朝向所述材料目标区域导向。
51.根据权利要求50所述的辐射源，其中所述引导装置被配置为减少所述第一气流与所述第四气流之间的相互作用。
52.根据权利要求44至51中任一项所述的辐射源，其中所述引导装置被布置为从所述引导装置的第一端朝向所述引导装置的第二端逐渐变细，所述第一端包括扩大部分，以及所述第二端包括尖端部分或圆形部分。
53.根据权利要求52所述的辐射源，其中所述引导装置被布置在所述腔室中，使得所述引导装置的所述第一端被定位成远离所述中间焦点区域，以及所述引导装置的所述第二端被定位在所述中间焦点区域处或接近所述中间焦点区域。
54.根据权利要求44至53中任一项所述的辐射源，其中所述引导装置被布置在所述腔室中以至少部分地沿着所述辐射收集器的光轴延伸。
55.根据权利要求44至54中任一项所述的辐射源，其中所述引导装置包括多个开口，所述多个开口被配置为将第五气流朝向所述辐射收集器导向。
56.根据权利要求55所述的辐射源，其中所述多个开口被布置在所述引导装置上，使得来自所述多个开口的所述第五气流与所述第一气流相互作用，以将所述第一气流导向或推动到所述腔室的所述内壁的至少一部分附近。
57.根据权利要求44至56中任一项所述的辐射源，其中所述引导装置包括被配置为增加所述引导装置的温度的加热元件。
58.根据权利要求57所述的辐射源，其中所述加热元件被配置为将所述引导装置的所述温度增加到第一温度，在所述第一温度，增加量的所述第一气流被导向在所述引导装置周围；和/或被配置为将所述引导装置的所述温度维持到低于第二温度，在所述第二温度，存在于所述引导装置上的碎片的扩散增加。
59.根据权利要求44至58中任一项所述的辐射源，其中所述引导装置被配置用于通过冷却剂来进行冷却，所述冷却剂由冷却剂源供应。
60.根据权利要求44至59中任一项所述的辐射源，其中所述辐射源包括碎片接收表面，所述碎片接收表面被布置在所述腔室中，以减少或防止碎片到达所述中间焦点区域。
61.根据权利要求60所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被包括在所述引导装置中、是所述引导装置的一部分或由所述引导装置提供。
62.一种辐射系统，包括激光器以及根据权利要求24至61中任一项所述的源。
63.一种光刻系统，包括：光刻设备，被布置为将图案从图案形成装置投射到衬底上；以及根据权利要求62所述的辐射系统，所述辐射系统被布置为将所述辐射中的至少一些辐射提供至所述光刻设备。
64.一种减少在辐射源中的碎片沉积的方法，所述方法包括：
将来自所述辐射源的中间焦点区域的第一气流朝向所述辐射源的材料目标区域导向；
将来自所述辐射源的腔室的内壁的一部分的第二气流导向到所述腔室中；
将所述第一气流导向在引导装置周围，所述引导装置被布置在所述辐射源的所述腔室中；以及
从所述腔室中去除气体。
65.一种辐射源，包括：
腔室，包括内壁和材料目标区域；
辐射收集器，被布置在所述腔室中，所述辐射收集器被配置为收集在所述材料目标区域处所发射的辐射，并且被配置为将收集到的所述辐射的辐射束导向至中间焦点区域；
碎片削减系统，包括第一气体供应系统和第二气体供应系统；
排气口，被配置为从所述腔室中去除由所述碎片削减系统供应的气体；
其中所述第一气体供应系统被配置为将来自所述中间焦点区域的第一气流朝向所述材料目标区域或所述等离子体形成区域导向，所述第一气体供应系统包括被布置为在基本上与所述辐射束的传播方向相反的方向上将所述第一气流导向到所述腔室中的一个或多个开口；以及
其中所述第二气体供应系统包括被布置为在基本上与所述第一气流的传播方向垂直或成某一角度倾斜的方向上导向所述第二气流的一个或多个开口。
66.根据权利要求65所述的辐射源，其中所述第二气体供应系统包括一对反气流喷射流。
67.根据权利要求65所述的辐射源，其中所述第一气流和所述第二气流经由其他们的动量交换相互作用，使得朝向所述排气口建立有基本上单向的气流场。
68.根据权利要求65所述的辐射源，其中所述第二气体供应系统被布置在所述中间焦点区域附近，在所述第一气流的下游。
69.根据权利要求65所述的辐射源，其中所述第一气体供应系统和所述第二气体供应系统被布置成使得：在所述第一流和第二流的截取点附近，所述第一气流的速度基本上等于所述第二气流的所述速度。
70.根据权利要求65所述的辐射源，其中引导装置被布置在所述腔室中，使得所述第一气流被导向在所述引导装置周围。
71.根据权利要求65所述的辐射源，包括：喷淋头，被设置成沿着所述内容器壁的至少一部分，所述喷淋头包括被配置为将气体引入所述容器的多个喷嘴，所述喷淋头具有被配置为将所述气体供应到所述喷淋头中的至少一个入口；以及
一个或多个排气口，所述一个或多个排气口被配置为去除被引入所述容器的气体，所述一个或多个排气口被导向为沿着所述内容器壁的至少一部分，使得所述气体远离所述EUV收集器流动。
72.根据权利要求65所述的辐射源，其中所述排气口被设置为沿着所述内容器壁在方位上不对称的位置处，并且被配置为从所述容器中排出气体。