极紫外（EUV）光刻掩模
专利汇可以提供极紫外（EUV）光刻掩模专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及极紫外(EUV) 光刻 掩模。本公开涉及 半导体 结构，更具体地，涉及极紫外(EUV)光刻掩模及其制造方法。该EUV掩模结构包括：反射层；位于所述反射层上的 覆盖 材料；位于所述 覆盖层 上的 缓冲层 ；位于所述缓冲层上交替吸收体层；以及位于所述交替吸收体层顶部上的覆盖层。，下面是极紫外（EUV）光刻掩模专利的具体信息内容。
1.一种极紫外掩模结构，包括：
反射层；
位于所述反射层上的覆盖材料；
位于所述覆盖层上的缓冲层；
位于所述缓冲层上交替吸收体层；以及
位于所述交替吸收体层的顶部上的覆盖层。
2.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中所述反射层为Mo/Si，所述覆盖材料为Ru。
3.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中所述缓冲层是Ta材料的吸收体层。
4.根据权利要求3所述的极紫外掩模结构，其中所述缓冲层是TaN或TaBN材料。
5.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层包括基于Ni和Ta的材料。
6.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中Ni直接沉积在所述缓冲层上，并且所述缓冲层直接沉积在所述覆盖材料上。
7.根据权利要求1所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层中的每一个具有约
1nm至10nm的厚度。
8.根据权利要求7所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层中的每一个具有约
2nm至4nm的厚度。
9.一种极紫外掩模结构，包括：
Mo/Si的多层反射层；
直接位于所述多层反射层上的覆盖材料；
直接位于所述反射层上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的基于Ni的材料和基于Ta的材料的交替吸收体层；以及位于所述交替吸收体层的顶部上的覆盖层。
10.根据权利要求9所述的极紫外掩模结构，其中所述覆盖材料是Ru。
11.根据权利要求9所述的极紫外掩模结构，其中所述缓冲层是基于Ta的材料。
12.根据权利要求9所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层包括与所述Ni层交替的基于Ta的层。
13.根据权利要求12所述的极紫外掩模结构，其中Ni直接沉积在所述缓冲层上。
14.根据权利要求9所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层中的每一个具有约
1nm至10nm的厚度。
15.根据权利要求14所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层中的每一个具有约2nm至4nm的厚度。
16.根据权利要求15所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层是成对的层。
17.根据权利要求15所述的极紫外掩模结构，其中所述交替吸收体层和所述缓冲层的总厚度为约25nm至约45nm。
18.一种方法，包括：
直接在反射层上形成覆盖材料；
直接在所述覆盖材料上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成基于Ni的材料和基于Ta的材料的交替吸收体层；
在最上面的基于Ta的吸收体层上形成抗蚀剂；以及
选择性地蚀刻所述缓冲层和所述交替吸收体层以形成图案。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述最上面的基于Ta的吸收体层防止镍扩散到所述抗蚀剂中。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述缓冲层在Ni的所述交替吸收体层的选择性蚀刻期间保护所述反射层。
极紫外(EUV)光刻掩模
技术领域
背景技术
附图说明
具体实施方式
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 极紫外光刻工艺和掩膜 | 2020-05-12 | 567 |
| 极紫外光刻光源收集镜车削加工刀架 | 2020-05-21 | 630 |
| 一种极紫外光刻投影物镜设计方法 | 2020-05-22 | 536 |
| 一种用于极紫外光刻机的动态气体锁 | 2020-05-16 | 285 |
| 一种极紫外投影光刻物镜 | 2020-05-18 | 572 |
| 一种用于极紫外光刻的衍射光学装置 | 2020-05-19 | 235 |
| 极紫外光刻胶曝光检测装置与方法 | 2020-05-14 | 127 |
| 极紫外光刻工艺和掩模 | 2020-05-11 | 557 |
| 用于极紫外光刻的反射掩模 | 2020-05-15 | 920 |
| 极紫外（EUV）光刻掩模 | 2020-05-11 | 239 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
