专利汇可以提供数据存储介质专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且在一个优选的 实施例 中,数据存储介质包括同质或非同质塑料衬底,其可以在原来 位置 形成,并在其上一面或两面配置有希望的表面特征,诸如磁光材料的数据层也配置在一面或两面,以及可选的保护层、 电介质 层和/或反射层。所述衬底可以具有基本同质的、锥形、凹形、或凸形的几何形状,使用各种类型和几何形状的加强物以增加刚性而不会对表面的完整和光滑有不利影响。,下面是数据存储介质专利的具体信息内容。
1. 数据存储介质,所述介质包括:
i.包括至少一个塑料树脂部分的衬底;
ii.在所述衬底上的至少一个数据层;
其中,所述数据层可至少由一个能量场对其至少部分读、写或读 和写的组合操作;
其中,当能量场接触存储介质时,所述能量场在它能够入射到所 述衬底前入射到所述数据层上。
2.如权利要求1所述存储介质,其中,所述能量场包括电场、 磁场和光场中的至少一个。
3.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有大于大约 6千兆位/英寸2的面密度。
4.如权利要求3所述存储介质,其中,所述衬底具有大于大约 10千兆位/英寸2的面密度。
5.如权利要求4所述存储介质,其中,所述衬底具有大于大约 25千兆位/英寸2的面密度。
6.如权利要求1所述存储介质,另外包括从一组包括凹坑、槽、 边缘特征、不平度、和包括上述至少一种的组合中选择的表面特征。
7.如权利要求6所述存储介质,其中,所述表面特征具有大于 原始主盘90%复制度的复制。
8.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大约 8微米的边缘提升高度。
9.如权利要求8所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大约 5微米的边缘提升高度。
10.如权利要求9所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大约 3微米的边缘提升高度。
11.如权利要求8所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大约 10Ra的表面粗糙度。
12.如权利要求8所述存储介质,其中,所述衬底具有大于在温 度为24℃时大约0.04的机械阻尼系数。℃
13.如权利要求12所述存储介质,其中,所述衬底具有大于在 温度为24℃时大约0.06的机械阻尼系数。
14.如权利要求8所述存储介质,其中,所述衬底具有不大于大 约5.5×10-3斯勒格-英寸2的惯性矩。
15.如权利要求8所述存储介质,其中,所述衬底具有独立的径 向倾斜和切向倾斜,分别为大约1°或更小。
16.如权利要求8所述存储介质,其中,所述衬底的潮湿成分的 变化在4周后在温度为80℃相对湿度为85%的测试条件平衡下小于大 约0.5%。
17.如权利要求8所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大约 1.0的比重。
18.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底在冲击振动激 励下具有小于大约500μ的轴向位移峰值。
19.如权利要求18所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约150μ的轴向位移峰值。
20.如权利要求18所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约8微米的边缘提升高度。
21.如权利要求20所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约5微米的边缘提升高度。
22.如权利要求21所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约3微米的边缘提升高度。
23.如权利要求18所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约10Ra的表面粗糙度。
24.如权利要求18所述存储介质,其中,所述衬底具有大于在 温度为24℃时大约0.04的机械阻尼系数。
25.如权利要求24所述存储介质,其中,所述衬底具有大于在 温度为24℃时大约0.06的机械阻尼系数。
26.如权利要求18所述存储介质,其中,所述衬底具有不大于 大约5.5×10-3斯勒格-英寸2的惯性矩。
27.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有大约5.5× 10-3斯勒格-英寸2或更小的惯性矩。
28.如权利要求27所述存储介质,其中,所述衬底具有大约4.5 ×10-3斯勒格-英寸2或更小的惯性矩。
29.如权利要求28所述存储介质,其中,所述衬底具有大约4.0 ×10-3斯勒格-英寸2或更小的惯性矩。
30.如权利要求27所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约10Ra的表面粗糙度。
31.如权利要求27所述存储介质,其中,所述衬底具有大于在 温度为24℃时大约0.04的机械阻尼系数。
32.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有大约1° 或更小的径向倾斜。
33.如权利要求32所述存储介质,其中,所述衬底具有大约0.3 °或更小的径向倾斜。
34.如权利要求33所述存储介质,其中,所述衬底具有不大于 大约5.5×10-3斯勒格-英寸2的惯性矩。
35.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有大约1° 或更小的切向倾斜。
36.如权利要求35所述存储介质,其中,所述衬底具有大约0.3 °或更小的切向倾斜。
37.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底的潮湿成分的 变化在4周后在温度为80℃相对湿度为85%的测试条件平衡下小于大 约0.5%。
38.如权利要求37所述存储介质,其中,所述衬底的潮湿成分 的变化在4周后在温度为80℃相对湿度为85%的测试条件平衡下小于 大约0.3%。
39.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大约 10Ra的表面粗糙度。
40.如权利要求39所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约5Ra的表面粗糙度。
41.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有大于在温 度为24℃时大约0.04的机械阻尼系数。
42.如权利要求41所述存储介质,其中,所述衬底具有大于在 温度为24℃时大约0.06的机械阻尼系数。
43.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有大于大约 250Hz的共振频率。
44.如权利要求43所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约10Ra的表面粗糙度。
45.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大约 1.3的比重。
46.如权利要求45所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约1.2的比重。
47.如权利要求46所述存储介质,其中,所述衬底具有小于大 约1.0的比重。
48.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底包括非结晶型、 结晶型、或半结晶型材料、化合物、混合物或包括上述至少一种的组 合物。
49.如权利要求48所述存储介质,其中,所述衬底进一步包括 金属。
50.如权利要求49所述存储介质,其中,所述衬底包括一个金 属核,在所述核的至少一侧的至少一部分上沉积有膜。
51.如权利要求1所述存储介质,其中,所述塑料树脂是至少从 包括下述热固塑料的组中选择的一种树脂:聚氯乙烯,聚烯烃,聚酯, 聚酰亚胺,聚酰胺,聚砜,聚醚亚胺,聚醚砜,硫化聚亚苯基,聚醚 酮,聚乙醚酮,ABS树脂,聚苯乙烯,聚丁二烯,聚丙烯酸盐,聚丙 烯腈,聚缩醛,聚碳酸盐,聚亚苯基醚,乙烯-乙烯基醋酸盐,聚乙烯 醋酸盐,液体结晶聚合物,乙烯-四氟乙烯共聚物,芳香族聚酯,聚氯 乙烯,聚偏二氟乙烯,聚偏二氯乙烯,聚四氟乙烯,和混合物,共聚 物,合剂,和包括至少上述一种树脂的化合物。
52.如权利要求1所述存储介质,其中,所述塑料树脂包括从由 下述材料组成的组中选择的一种树脂:部分氢化聚苯乙烯,聚(环己 基乙烯),聚(苯乙烯共丙烯腈),聚(苯乙烯共顺丁烯二酸酐), 和混合物,和包括至少上述一种树脂的共聚物。
53.如权利要求1所述存储介质,其中,所述塑料树脂包括至少 从由下述材料组成的组中选择的一种材料:硫化橡胶,丙烯酸橡胶, 硅橡胶,聚丁橡胶,异丁烯橡胶,聚醚橡胶,异丁烯-异戊二烯共聚物 和异氰酸脂橡胶,腈橡胶,氯丁二烯橡胶,氯磺化聚乙烯,多硫化橡 胶,和氟橡胶,批共聚物,包括聚苯乙烯-聚异戊二烯共聚物,热塑弹 性体材料,聚氨基甲酸脂,和包括上述至少一种的组合物。
54.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底进一步包括从 由下述材料组成的组中选择的一种材料:金属,玻璃,陶瓷,或合金, 化合物,或包括上述至少一种的组合物。
55.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底进一步包括加 强物。
56.如权利要求55所述存储介质,其中,所述加强物包括纤维, 细丝、小纤维、微粒、微管、或包括上述至少一种的组合。
57.如权利要求55所述存储介质,其中,所述加强物是金属, 矿物,塑料,陶瓷,玻璃,或包括上述至少一种的组合。
58.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有厚度,所 述衬底厚度基本恒定。
59.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有厚度,所 述衬底厚度是变化的。
60.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有厚度几何 形状,所述衬底厚度几何形状为凹形,凸形,锥形,或包括上述至少 一种的组合。
61.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有外直径和 另外包括一个核。
62.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核具有厚度,所 述核厚度基本恒定。
63.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核具有厚度,所 述核厚度是变化的。
64.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核具有几何形状, 所述核几何形状为凹形,凸形,锥形,或包括上述至少一种的组合。
65.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核具有外直径, 所述核外直径基本等于所述衬底外直径。
66.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核具有几何形状, 所述核几何形状至少是一个径向臂,至少一个环,类星形或包括上述 几何形状中至少一种的组合。
67.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核包括至少一个 中空腔。
68.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核包括至少一个 填充腔。
69.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核包括多个部分。
70.如权利要求69所述存储介质,其中,所述多个部分包括不 同材料。
71.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核被预先成形。
72.如权利要求61所述存储介质,其中,所述核用所述衬底在 原来位置成形。
73.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底另外包括至少 一个插入物。
74.如权利要求73所述存储介质,其中,所述插入物包括多个 部分,这些部分连接到衬底相对于所述数据层的所述衬底的表面上。
75.如权利要求73所述存储介质,其中,所述插入物包括单一 部件,其具有基本均匀的厚度,所述插入物连接到所述衬底相对于所 述数据层的所述衬底的表面上。
76.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有大于操作 频率的第一众数频率。
77.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底只有一个小于 所述操作频率的众数频率。
78.如权利要求1所述存储介质,其中,所述衬底具有一个第二 操作频率和大于第一操作频率的第一众数频率。
79.如权利要求1所述存储介质,其中,所述塑料树脂部分是沉 积在核的至少一部分上的膜。
80.如权利要求79所述存储介质,其中,所述核从包括金属, 陶瓷,玻璃,或包括上述至少一种的组合的组中选择。
81.如权利要求80所述存储介质,其中,所述金属是铝。
82.如权利要求79所述存储介质,其中,所述膜具有大约50μ 或更小的厚度。
83.如权利要求82所述存储介质,其中,所述厚度大约为20μ 或更小。
84.如权利要求1所述存储介质,其中,所述塑料树脂部分是具 有厚度大约为50μ或更小的膜。
85.如权利要求84所述存储介质,其中,所述厚度大约为20μ 或更小。
86.一种制造权利要求1的衬底的方法,其中,所述方法包括至 少从由下述方法组成的组中选择的一种:注塑成形,泡沫生成处理, 注射-压缩,溅射,等离子蒸气沉积,真空沉积,电沉积,旋转涂敷, 喷射涂敷,凹凸涂敷,数据冲压,压印,表面抛光,固定,层压,旋 转成形,双步成形,微多孔成形,和包括上述方法至少一种的组合。
87.如权利要求86所述方法,其中,所述方法基本由注塑成形 组成。
88.如权利要求86所述方法,其中,所述方法基本由注塑成形- 压缩组成。
89.如权利要求86所述方法,其中,所述方法包括在原来位置 生产具有希望的凹坑和槽的衬底,并具有大于大约90%的原始母盘的 凹坑/槽复制。
90.一种检索数据的方法,包括:
转动具有衬底的存储介质,该介质包括一个塑料树脂部分和至少 一个在所述衬底的至少一个表面上沉积的数据层;
向所述存储介质引导能量场,使得所述能量场在它能够入射到衬 底之前入射数据层;和
通过能量场从数据层检索。
91.如权利要求90所述检索数据的方法,进一步包括把至少一 部分所述能量场通过数据层,并把所述能量场的所述部分反射回来通 过数据层。
92.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述存储介质 以可变速转动。
93.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述能量场入 射数据存储层而不入射到衬底。
94.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 大于大约6千兆位/英寸2的面密度。
95.如权利要求94所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 大于大约10千兆位/英寸2的面密度。
96.如权利要求95所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 大于大约25千兆位/英寸2的面密度。
97.如权利要求90所述检索数据的方法,进一步包括配置在所 述衬底的至少一个表面、在所述衬底和所述数据层之间的表面特征。
98.如权利要求97所述检索数据的方法,其中,所述表面特征 从包括下述特征的组中选择:凹坑,槽,边缘特征,不平度,以及包 括上述至少一种的组合。
99.如权利要求97所述检索数据的方法,其中,所述表面特征 具有大于大约90%的原始母盘的复制。
100.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 小于大约8微米的边缘提升高度。
101.如权利要求100所述检索数据的方法,其中,所述衬底具 有小于大约5微米的边缘提升高度。
102.如权利要求101所述检索数据的方法,其中,所述衬底具 有小于大约3微米的边缘提升高度。
103.如权利要求100所述检索数据的方法,其中,所述衬底在 温度为24℃时具有大于大约0.04的机械阻尼系数。
104.如权利要求103所述检索数据的方法,其中,所述衬底在 温度为24℃时具有大于大约0.06的机械阻尼系数。
105.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底在冲 击或振动激励下具有小于大约500μ的轴向位移。
106.如权利要求105所述检索数据的方法,其中,所述衬底具 有小于大约150μ的轴向位移。
107.如权利要求106所述检索数据的方法,其中,所述衬底具 有小于大约8微米的边缘提升高度。
108.如权利要求105所述检索数据的方法,其中,所述衬底在 温度为24℃时具有大于大约0.04的机械阻尼系数。
109.如权利要求108所述检索数据的方法,其中,所述衬底在 温度为24℃时具有大于大约0.06的机械阻尼系数。
110.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 不大于大约5.5×10-3斯勒格-英寸2的惯性矩。
111.如权利要求110所述检索数据的方法,其中,所述衬底具 有不大于大约4.5×10-3斯勒格-英寸2的惯性矩。
112.如权利要求111所述检索数据的方法,其中,所述衬底具 有不大于大约4.0×10-3斯勒格-英寸2的惯性矩。
113.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 小于大约10Ra的表面粗糙度。
114.如权利要求113所述检索数据的方法,其中,所述衬底具 有小于大约5Ra的表面粗糙度。
115.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底在温 度为24℃时具有大于大约0.04的机械阻尼系数。
116.如权利要求105所述检索数据的方法,其中,所述衬底在 温度为24℃时具有大于大约0.06的机械阻尼系数。
117.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 不大于大约5.5×10-3斯勒格-英寸2的惯性矩。
118.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底的潮 湿成分的变化在4周后在温度为80℃相对湿度为85%的测试条件下平 衡后小于大约0.5%。
119.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 大于大约250Hz的共振频率。
120.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 小于大约1.5的比重。
121.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底是非 结晶型、结晶型、或半结晶型材料,化合物,或混合物或其组合。
122.如权利要求120所述检索数据的方法,其中,所述衬底另 外包括金属。
123.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底包括 由下述材料组成的组中的一种树脂:聚氯乙烯,聚烯烃,聚酯,聚酰 亚胺,聚酰胺,聚砜,聚醚亚胺,聚醚砜,硫化聚亚苯基,聚醚酮, 聚乙醚酮,ABS树脂,聚苯乙烯,聚丁二烯,聚丙烯酸盐,聚丙烯腈, 聚缩醛,聚碳酸盐,聚亚苯基醚,乙烯-乙烯基醋酸盐共聚物,聚乙烯 醋酸盐,液体结晶聚合物,乙烯-四氟乙烯,芳香族聚酯,聚氯乙烯, 聚偏二氟乙烯,聚偏二氯乙烯,聚四氟乙烯,和混合物,共聚物,合 剂,和包括至少上述一种树脂的化合物。
124.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底是氢 化聚苯乙烯,聚(环己基乙烯),聚(苯乙烯共丙烯腈),聚(苯乙 烯共顺丁烯二酸酐),或混合物,或包括至少上述一种树脂的共聚物。
125.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底另外 包括金属。
126.如权利要求125所述检索数据的方法,其中,所述塑料树 脂部分是具有大约50μ或更小的膜。
127.如权利要求126所述检索数据的方法,其中,所述厚度大 约20μ或更小。
128.如权利要求126所述检索数据的方法,其中,所述加强物 包括纤维,细丝、小纤维、微管、微粒、或包括上述树脂至少一种的 组合。
129.如权利要求126所述检索数据的方法,其中,所述加强物 包括金属,塑料,矿物,陶瓷,玻璃,和包括上述至少一种树脂的组 合中的至少一种。
130.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底另外 包括加强物。
131.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 厚度,所述衬底厚度基本恒定。
132.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 厚度,所述衬底厚度可变。
133.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 厚度几何形状,所述衬底厚度几何形状为凹形,凸形,锥形,或其组 合。
134.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述底衬具有 外直径,并另外包括一个核。
135.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核具有 厚度,所述核厚度基本恒定。
136.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核具有 厚度,所述核厚度可变。
137.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核具有 几何形状,所述核几何形状为凹形,凸形,锥形,或包括上述几何形 状至少一种的组合。
138.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核具有 外直径,所述核外直径基本等于所述衬底外直径。
139.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核具有 几何形状,所述几何形状至少是一个径向臂,至少一个环,类星形或 包括上述几何形状中至少一种的组合。
140.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核包括 至少一个中空腔。
141.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核包括 至少一个填充腔。
142.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核包括 多个部分。
143.如权利要求142所述检索数据的方法,其中,所述多个部 分包括不同材料。
144.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核预先 形成。
145.如权利要求134所述检索数据的方法,其中,所述核用所 述衬底在原来位置形成。
146.如权利要求90所述检索数据的方法,另外包括至少一个连 接在所述衬底上的插入物。
147.如权利要求146所述检索数据的方法,其中,所述插入物 包括多个部分,这些部分连接到所述衬底相对于所述数据层的所述衬 底的一个表面上。
148.如权利要求146所述检索数据的方法,其中,所述插入物 包括单一部件,其具有基本均匀的厚度,所述插入物连接到所述衬底 相对于所述数据层的所述衬底的一个表面上。
149.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 大于操作频率的第一众数频率。
150.如权利要求149所述检索数据的方法,其中,所述衬底具 有一个弯曲模数和比重,它把第一众数频率放在所述操作频率之外。
151.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底只有 一个小于操作频率的众数频率。
152.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 一个第二操作频率和大于第一操作频率的第一众数频率。
153.如权利要求90所述检索数据的方法,其中,所述衬底具有 至少大约250kpsi的弯曲模数。
154.一种压印衬底的方法,所述衬底具有玻璃化温度,包括:
a.加热第一衬底到高于玻璃化温度的温度;
b.预热并维持模具到低于玻璃化温度的模铸温度;
c.把预热的衬底放入预热的模具中;
d.在模具中压缩衬底;
e.冷却衬底;
f.从模具中取出冷却的衬底。
155.如权利要求154所述压印方法,其中,所述衬底在其表面 具有一个塑料部分,其中,在模具中压缩衬底把希望的表面特征印在 塑料上。
156.如权利要求155所述压印方法,其中,所述塑料是热塑材 料,热固材料,或其组合。
157.如权利要求155所述压印方法,其中,所述塑料是从包括 下述材料的组中选择的一种热塑材料:聚氯乙烯,聚烯烃,聚酯,聚 酰亚胺,聚酰胺,聚砜,聚醚亚胺,聚醚砜,硫化聚亚苯基,聚醚酮, 聚乙醚酮,ABS树脂,聚苯乙烯,聚丁二烯,聚丙烯酸盐,聚丙烯腈, 聚缩醛,聚碳酸盐,聚亚苯基醚,乙烯-乙烯基醋酸盐共聚物,聚乙烯 醋酸盐,液体结晶聚合物,乙烯-四氟乙烯,芳香族聚酯,聚氯乙烯, 聚偏二氟乙烯,聚偏二氯乙烯,和聚四氟乙烯;从包括下述材料的组 中选择的一种热固树脂:环氧的,酚的,醇酸树脂,聚酯,聚酰亚胺, 聚氨酯,矿物填充的硅有机树脂,双顺丁烯二酰亚胺,氰酸酯,乙烯 树脂,和苯并环丁烯树脂,或混合物,共聚物,合剂,或包括至少上 述一种塑料的化合物。
158.如权利要求154所述压印方法,其中,所述第一衬底具有 粗糙度和所述冷却的衬底具有小于所述第一衬底粗糙度的粗糙度。
159.一种压印衬底的方法,所述衬底具有玻璃化温度,包括:
a.加热衬底到高于玻璃化温度的温度;
b.预热模具到超过玻璃化温度30℃的模铸温度;
c.把预热的衬底放入预热的模具中;
d.在模具中压缩衬底;
e.冷却衬底;
f.从模具中取出冷却的衬底。
160.如权利要求159所述压印方法,另外包括冷却所述衬底低 于玻璃化温度。
161.如权利要求159所述压印方法,另外包括冷却模具低于玻 璃化温度。
162.如权利要求159所述压印方法,其中,模具温度超过玻璃 化温度大约20℃或更低。
163.如权利要求162所述压印方法,其中,模具温度超过玻璃 化温度大约5℃或更低。
164.如权利要求159所述压印方法,另外包括在冷却衬底时维 持模铸温度在玻璃化温度的30℃之内。
165.如权利要求158所述压印方法,其中,所述第一衬底具有 粗糙度和所述冷却的衬底具有小于所述第一衬底粗糙度的粗糙度。
166.一种数据存储介质,所述介质包括:
a)包括至少一个塑料树脂部分的衬底;
b)配置在所述衬底上的至少一个数据层;
其中,在冲击或振动激励下所述衬底具有小于500μ的轴向位移。
167.如权利要求166所述存储介质,其中,所述衬底具有一个 操作频率,其中,所述衬底具有大于所述操作频率的第一众数频率。
168.如权利要求166所述存储介质,其中,所述塑料树脂部分 是厚度为大约50μ或更小的膜。
169.如权利要求168所述存储介质,其中,所述厚度为大约20 μ或更小。
170.如权利要求166所述存储介质,其中,所述衬底具有小于 大约10Ra的表面粗糙度。
171.如权利要求170所述存储介质,其中,所述衬底具有小于 大约5Ra的表面粗糙度。
172.如权利要求170所述存储介质,其中,所述塑料树脂部分 是厚度为大约50μ或更小的膜。
173.如权利要求171所述存储介质,其中,所述厚度为大约20 μ或更小。
174.如权利要求166所述存储介质,其中,所述衬底具有大约 为1°或更小的径向倾斜。
175.如权利要求174所述存储介质,其中,所述衬底具有大约 为0.3°或更小的径向倾斜。
176.如权利要求174所述存储介质,其中,所述塑料树脂部分 是厚度为大约50μ或更小的膜。
177.如权利要求176所述存储介质,其中,所述厚度为大约20 μ或更小。
178.一种数据存储介质,所述介质包括:
a)包括至少一个塑料树脂部分和核的衬底,其中,所述核具有变 化的厚度;
b)配置在所述衬底上的至少一个数据层。
179.如权利要求178所述存储介质,其中,所述塑料树脂部分 是厚度为大约50μ或更小的膜。
180.如权利要求179所述存储介质,其中,所述厚度为大约20 μ或更小。
181.一种数据存储介质,所述介质包括:
a)一个刚性衬底;
b)至少一个塑料膜;
c)配置在所述塑料膜上的至少一个数据层;
其中,所述数据层可以通过至少一个能量场从至少其部分读、对 其写、或读和写的组合操作。
其中,所述能量场包括电场、磁场、和光场中的至少一个。
182.如权利要求181所述存储介质,其中,所述刚性衬底具有 至少大约7Gpa的杨氏模数。
183.如权利要求182所述存储介质,其中,所述杨氏模数至少 大约70Gpa。
184.如权利要求183所述存储介质,其中,所述杨氏模数至少 大约200Gpa。
185.如权利要求181所述存储介质,其中,所述刚性衬底包括 金属、玻璃、陶瓷、增强塑料、或其组合中的至少一种。
186.如权利要求181所述存储介质,其中,所述塑料膜包括压 印的表面特征。
187.如权利要求181所述存储介质,其中,所述塑料模包括从 由下述特征组成的组中选择的压印的表面特征:凹坑,槽,边缘特征, 不平度,以及包括上述至少一种特征的组合。
188.如权利要求181所述存储介质,其中,所述刚性衬底包括 一个涂敷的铝衬底。
189.如权利要求181所述存储介质,其中,所述刚性衬底包括 一个玻璃-陶瓷衬底。
190.如权利要求181所述存储介质,其中,所述刚性衬底包括 一个玻璃衬底。
191.如权利要求181所述存储介质,其中,包括至少一个塑料 膜的存储介质的头拍击特征基本等于不包括该至少一个塑料膜的存储 介质的头拍击特征。
192.如权利要求181所述存储介质,其中,所述存储介质具有 矫顽力至少大约1500奥斯特的数据层。
193.如权利要求181所述存储介质,其中,所述存储介质具有 矫顽力至少大约3000奥斯特的数据层。
194.如权利要求181所述存储介质,包括至少一个旋转涂敷的、 溅射涂敷的、或旋转和溅射涂敷的塑料膜。
195.如权利要求181所述存储介质,其中,所述塑料膜包括具 有至少140℃的玻璃化温度的热塑树脂。
196.如权利要求181所述存储介质,其中,所述塑料膜包括由 下述材料组成的组中的至少一种热塑树脂:聚醚亚胺,聚醚酮醚,聚 砜,聚醚砜,聚醚醚砜,聚亚苯基,热塑聚酰亚胺,和聚碳酸盐。
197.如权利要求181所述存储介质,其中,所述塑料膜由至少 一种包含压印的表面特征的热固树脂组成。
198.如权利要求181所述存储介质,其中,所述塑料膜至少由 一种热固树脂组成,其中,在处理期间对至少一种热固树脂的至少部 分进行加工以压印表面特征到至少一种热固树脂上。
199.如权利要求181所述存储介质,其中,所述塑料膜包括由 下述材料组成的组中选择的至少一种热固树脂:环氧树脂,酚树脂, 醇酸树脂,聚酯,聚酰亚胺,聚氨酯,矿物填充的硅有机树脂,双顺 丁烯二酰亚胺,氰酸酯,乙烯树脂,和苯并环丁烯树脂。
200.如权利要求181所述存储介质,其中,所述存储介质具有 大于大约6千兆位/英寸2的面密度。
201.如权利要求181所述存储介质,其中,所述塑料膜具有小 于大约10Ra的表面粗糙度。
202.如权利要求181所述存储介质,其中,所述介质包括:
a)具有顶面和底面的刚性衬底;
b)在所述顶面和所述底面的每一面的至少一个塑料膜;
c)在所述顶面和所述底面的每一面的至少一个塑料膜上配置的至 少一个数据层;
其中,所述数据层可至少通过一个能量场从至少其部分读、向其 上写或读和写的组合操作;
其中,所述能量场包括电场、磁场、光场中的至少一个。
本发明涉及数据存储介质,特别涉及制造数据存储介质的方法和 涉及部分或全部聚合的数据存储介质。
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