矫顽力特定装置
阅读：631发布：2020-05-11
专利汇可以提供矫顽力特定装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供一种能够不破坏 矫顽 力 分布磁 铁 等而作成矫顽力分布 磁铁 的每个分割区域的退磁曲线，并且能够 精度 良好地特定每个分割区域的平均矫顽力的矫顽力特定装置。本 发明 的矫顽力特定装置，具备：具有插入空间的磁轭，该插入空间中可插入矫顽力分布磁铁；励磁线圈；检测对矫顽力分布磁铁施加了 磁场 时的磁化变化的探测线圈；和基于由磁化变化产生的 电压 值作成退磁曲线的描绘器，在所述端面开设有两个以上的环状的沟条，在沟条内配置探测线圈，在矫顽力分布磁铁中规定了两个以上的探测线圈的每个所对应的分割区域，由探测线圈检测出的磁化变化所产生的电压值被发送到描绘器，作成对应的分割区域的退磁曲线，并且特定平均矫顽力。，下面是矫顽力特定装置专利的具体信息内容。
1.一种矫顽力特定装置，至少具备：具有插入空间的磁轭，该插入空间中可插入每个部位矫顽力不同的矫顽力分布磁铁；使该磁轭产生磁场的励磁线圈；检测对矫顽力分布磁铁施加了该磁场时的磁化变化的探测线圈；和基于由该磁化变化产生的电压值作成退磁曲线的描绘器，
在磁轭的与所述插入空间面对的端面，开设有两个以上的环状的沟条，在每个沟条内配置由导线及其周围的绝缘被膜构成的所述探测线圈，在矫顽力分布磁铁中规定了两个以上的探测线圈的每个所对应的分割区域，
由每个探测线圈检测出的磁化变化所产生的电压值被发送到描绘器，作成对应的分割区域的退磁曲线，并且特定平均矫顽力，在全部的分割区域实施上述处理，从而特定矫顽力分布磁铁的矫顽力。
2.根据权利要求1所述的矫顽力特定装置，所述沟条的深度为1mm以下。
3.根据权利要求1或2所述的矫顽力特定装置，所述沟条的宽度为0.3mm以下。
4.一种矫顽力特定装置，至少具备：具有插入空间的磁轭，该插入空间中可插入每个部位矫顽力不同的矫顽力分布磁铁；使该磁轭产生磁场的励磁线圈；检测对矫顽力分布磁铁施加了该磁场时的磁化变化的探测线圈；和基于由该磁化变化产生的电压值作成退磁曲线的描绘器，
在磁轭的与所述插入空间面对的端面，配置树脂薄膜和两个以上的在该树脂薄膜的表面导电性材料图案化成为环状而构成的探测线圈，在矫顽力分布磁铁中，规定了两个以上的探测线圈的每个所对应的分割区域，
由每个探测线圈检测出的磁化变化所产生的电压值被发送到描绘器，作成对应的分割区域的退磁曲线，并且特定平均矫顽力，在全部的分割区域实施上述处理，从而特定矫顽力分布磁铁的矫顽力。
矫顽力特定装置
技术领域
背景技术
[0003] 作用于该永久磁铁的外部磁场，一般在平面地观察埋设有永久磁铁的转子时永久磁铁的定子铁心侧的角落部最大，转子铁心的中央侧较小。
[0004] 另一方面，对于所烧结的永久磁铁，用于提高该永久磁铁的矫顽力性能的金属粒从该永久磁铁的表面进行晶界扩散等，该金属粒使用镝和铽等的稀土类元素，因此从降低永久磁铁的制造成本的观点出发，在保证所希望的矫顽力性能的同时如何能够降低其使用量成为该技术领域中重要的解决课题之一。
[0005] 该矫顽力性能，如上述那样，作用于永久磁铁的每个部位的外部磁场的大小不同，因此所要求的矫顽力也在永久磁铁的每个部位不同，通过制造包括降低提高矫顽力性能的稀土类元素的使用量在内的、在永久磁铁的每个部位矫顽力不同（有矫顽力分布）的矫顽力分布磁铁，可以满足所要求的矫顽力性能，并且能够力所能及地降低镝等的稀土类元素的使用量，实现能够谋求制造成本的削减的永久磁铁的制造。
[0006] 精度良好地特定该矫顽力分布磁铁的内部的矫顽力分布、即内部的每个部位的平均矫顽力，从矫顽力分布磁铁的品质保证的观点来看是极其重要的。例如，在埋设于上述IPM电动机用转子内的矫顽力分布磁铁中，有时起因于来自定子侧的磁通的流动，进行使得该定子侧侧面部位的磁特性相对地良好的最佳设计。此时，例如在供用开始前的阶段的矫顽力分布磁铁中，精度良好地特定其内部的每个部位的矫顽力，在每个所希望的部位更加精度良好地保证成为特定对象的矫顽力分布磁铁的品质，这对于今后的制品（例如磁铁）开发和对于磁铁制造者、磁铁使用者的信用都是极其重要的。
[0007] 但是，现在只不过应用着破坏矫顽力分布磁铁形成为分割片，从而特定其矫顽力的方法。另外，即使应用作为现有公开技术的专利文献1、2中公开的矫顽力测定方法，也停留在能够测定矫顽力分布磁铁的整体的平均矫顽力，不能够特定矫顽力分布磁铁的每个部位（每个分割区域）的平均矫顽力。
[0008] 这样，在本领域正在探索着：关于一个矫顽力分布磁铁，不破坏磁铁而作成任意地分区了的每个分割区域的退磁曲线，并且能够特定平均矫顽力的装置，来替代破坏磁铁从而特定了每个部位的矫顽力的以往的特定方法。
[0009] 在先技术文献
[0010] 专利文献1：日本特开2001-141701号公报
[0011] 专利文献2：日本特开平5-264704号公报
发明内容
[0012] 本发明是鉴于上述问题完成的，其目的在于提供一种矫顽力特定装置，该矫顽力特定装置能够不破坏矫顽力分布磁铁等而作成可将该矫顽力分布磁铁任意地分区的每个分割区域的退磁曲线，并且能够特定每个分割区域的平均矫顽力，在全部的分割区域实施上述处理，由此可以按每个分割区域精度良好地特定矫顽力分布磁铁的矫顽力。
[0013] 为了实现上述目的，本发明的矫顽力特定装置，至少具备：具有插入空间的磁轭，该插入空间中可插入每个部位矫顽力不同的矫顽力分布磁铁；使该磁轭产生磁场的励磁线圈；检测对矫顽力分布磁铁施加了该磁场时的磁化变化的探测线圈；和基于由该磁化变化产生的电压值作成退磁曲线的描绘器，在磁轭的与上述插入空间面对的端面，开设有两个以上的环状的沟条，在每个沟条内配置由导线及其周围的绝缘被膜构成的上述探测线圈，在矫顽力分布磁铁中规定了两个以上的探测线圈的每个所对应的分割区域，由每个探测线圈检测出的磁化变化所产生的电压值被发送到描绘器，作成对应的分割区域的退磁曲线，并且特定平均矫顽力，在全部的分割区域实施上述处理，从而特定矫顽力分布磁铁的矫顽力。
[0014] 作为本发明的矫顽力特定装置的特定对象的矫顽力分布磁铁，是为了确认制造后的性能，在制造磁铁时、制造内置了该磁铁的IPM电动机时、制造内置了该IPM电动机的车辆时的任一时间中的矫顽力分布磁铁、在被置于车辆进入市场后等的任意环境下后从转子取出的矫顽力分布磁铁等。另外，作为该矫顽力分布磁铁可以举出电动机用的有矫顽力分布的永久磁铁，可举出对钕加入了铁和硼的三元成分系的钕磁铁、由钐和钴的二元成分系的合金构成的钐钴磁铁、以铁氧化物粉末为主原料的铁氧体磁铁、以铝、镍、钴等为原料的铝镍钴永磁体等。
[0015] 在作为磁性体的磁轭的与插入空间面对的端面设置的环状的沟条、和配置在该沟条内的探测线圈的基数、各探测线圈包含的面积，根据矫顽力分布磁铁的面积和想要特定平均矫顽力的分割区域面积（所谓分割区域是用探测线圈围成的区域，可以采用本发明的矫顽力特定装置求出该各区域的平均矫顽力）等多样地变化，在应用两个环状的探测线圈的情况下，矫顽力分布磁铁被分割成两个分割区域，作成每个分割区域的退磁曲线，并且特定各分割区域的平均矫顽力，在应用三个环状的探测线圈的情况下，作成三个分割区域的退磁曲线，并且特定各分割区域的平均矫顽力。
[0016] 作为作成退磁曲线的描绘器，可以应用例如B-H曲线描绘器，用探测线圈检测基于对矫顽力分布磁铁施加了由励磁线圈产生的磁场时的矫顽力分布磁铁的磁化变化的电压值，该电压值由探测线圈发送到内置于B-H曲线描绘器的积分器，由该磁化变化产生的电压值由积分器进行时间积分，算出磁通密度，基于此作成退磁曲线（B-H曲线、4πI-H曲线）。
[0017] 另外，由该退磁曲线特定到的矫顽力（Hcj）成为各探测线圈所对应的矫顽力分布磁铁的分割区域的平均矫顽力。
[0018] 通过使用上述的矫顽力特定装置，任意地调整探测线圈的基数和其分担面积，由此可以按所希望的范围的各分割区域作成其退磁曲线，特定其平均矫顽力，进而，能够高精度地特定矫顽力分布磁铁的每个部位的平均矫顽力。
[0019] 在此，上述沟条的深度优选为1mm以下。
[0020] 根据本发明人的磁场分析，实证了通过将沟条的深度设为1mm以下，并在其内部配置由导线及其周围的绝缘被膜构成的探测线圈，能够以相对于矫顽力分布磁铁的材料特性值（Hcj）为0.1%以内的误差精度特定对象区域的矫顽力。
[0021] 另外，上述沟条的宽度优选为0.3mm以下。
[0022] 根据本发明人的磁场分析，实证了在将沟条的宽度设为0.3mm以下的情况下，也能够以相对于矫顽力分布磁铁的材料特性值（Hcj）为0.1%以内的误差精度特定对象区域的矫顽力。
[0023] 由以上来看，沟条优选深度为1mm以下、宽度为0.3mm以下的沟条，进而如果考虑配置于其内部的探测线圈的能够制造的尺寸（成为绝缘被膜的漆包线和铜材料的导线等的尺寸），则优选例如深度为1mm且宽度为0.3mm的沟条。
[0024] 此外，本发明的矫顽力特定装置的优选实施方式，至少具备：具有插入空间的磁轭，该插入空间中可插入每个部位矫顽力不同的矫顽力分布磁铁；使磁轭产生磁场的励磁线圈；检测对矫顽力分布磁铁施加了该磁场时的磁化变化的探测线圈；和基于由该磁化变化产生的电压值作成退磁曲线的描绘器，在磁轭的与上述插入空间面对的端面，配置有树脂薄膜和两个以上的在该树脂薄膜的表面导电性材料图案化成为环状而构成的探测线圈，在矫顽力分布磁铁中，规定了两个以上的探测线圈的每个所对应的分割区域，由每个探测线圈检测出的磁化变化所产生的电压值被发送到描绘器，作成对应的分割区域的退磁曲线，并且特定平均矫顽力，在全部的分割区域实施上述处理，从而特定矫顽力分布磁铁的矫顽力。
[0025] 在已述的磁轭的与插入空间面对的端面设置有沟条的方式中，矫顽力分布磁铁插入到插入空间，其表面与磁轭的端面密着（密合）时，矫顽力分布磁铁与交替地显现磁性体（磁轭）和气隙（沟条）的密着面触接，磁导（在磁铁的退磁曲线上的动作点方面，该值越小，则反磁场（在磁铁内与磁铁的磁化方向反向地通过的磁场）越大）容易分布。
[0026] 与此相对，根据本实施方式的装置，通过在磁轭的与插入空间面对的端面设置了树脂薄膜和两个以上的在该树脂薄膜的表面导电性材料图案化成为环状而构成的探测线圈，来替代设置沟条，在与其密着的矫顽力分布磁铁的表面触接均匀材料的树脂薄膜等，能够对矫顽力分布磁铁施加更均匀的磁场。并且，由此能够使磁导难以分布。
[0027] 再者，上述的导电性材料（铜等金属）的图案化的形态是任意的，可以举出由印刷得到的形态和由蚀刻得到的形态等。
[0028] 能够将上述的本发明的矫顽力特定装置应用于例如以下所示的矫顽力分布磁铁的矫顽力特定方法。
[0029] 该矫顽力分布磁铁的矫顽力特定方法，是在矫顽力分布磁铁之中，在沿易磁化方向的方向切断而形成的平面内矫顽力不同，在该平面中呈现从其中心朝向外周侧矫顽力变大的矫顽力分布的矫顽力分布磁铁中，特定该平面中的任意部位的矫顽力的矫顽力分布磁铁的矫顽力特定方法，该方法包括下述步骤：对于矫顽力分布磁铁的上述平面，假想地设定在易磁化方向上延伸的多个分割区域，将该矫顽力分布磁铁配置在反磁场赋予装置中，并且在对应于各个的上述分割区域的位置配置探测线圈，由各个探测线圈的测定结果作成各分割区域所固有的退磁曲线的第1步骤；从作成的各个的上述退磁曲线特定最低矫顽力Hmin和平均矫顽力Hcj，并且以分割区域的中心位置为x1，从中心位置向左右的外周侧设定想要特定矫顽力的位置±×2、±×3的第2步骤；利用以下（1）～（3）的假定事项，在以从分割区域的中心到外周侧的距离为X轴，以各距离下的矫顽力为Y轴的坐标系中作成矫顽力分布曲线的第3步骤，（1）在矫顽力分布曲线中，将中心位置x1的矫顽力Hx1作为最低矫顽力Hmin，（2）在将位置±×2、±×3各自的矫顽力设为H-x2、H+x2、H-x3、H+x3时，（H-x3+H-x2+Hx1+H+x2+H+x3）/5＝平均矫顽力Hcj，（3）H+x2-Hx1＝H+x3-H+x2；利用每个上述分割区域所特定的上述矫顽力分布曲线，特定矫顽力分布磁铁内的上述平面内的任意位置的矫顽力的第4步骤。
[0030] 该矫顽力特定方法，是能够精确地特定矫顽力分布磁铁的平面内的任意位置的矫顽力的矫顽力特定方法，所述矫顽力分布磁铁是在易磁化方向切断矫顽力分布磁铁时的平面、即该磁铁配置于转子槽内时在相对于该槽轴正交的方向切断了磁铁时的截面（平面）中，呈现从其中心朝向外周侧矫顽力变大的矫顽力分布的磁铁。
[0031] 就俯视为矩形的矫顽力分布磁铁而言，在上述的平面中，其一侧成为定子侧的侧面，与其相对的另一侧成为转子中央侧的侧面。
[0032] 一般地讲，对于被烧结而形成的永久磁铁，镝和铽等的提高磁铁矫顽力的重稀土类元素从永久磁铁的表面进行晶界扩散，因此成为从磁铁的外周朝向中心矫顽力降低的矫顽力分布磁铁。
[0033] 因此，即使是长方体形状的永久磁铁，也可以说将其在高度方向的任意水平面切断而形成的平面中的矫顽力的分布状态，不论以哪个水平面切断都显示大致相同程度的倾向，即显示从平面的中心朝向外周侧矫顽力呈同心状地变高的倾向。
[0034] 因此，在将镝等进行了晶界扩散而形成的矫顽力分布磁铁以某个高度水平面切断而形成的平面中，通过特定该平面内的矫顽力分布，将其在磁铁的高度方向展开，也能够三维地特定在任意的位置（任意的高度的平面内的任意的位置）的矫顽力。
[0035] 首先，在第1步骤中，对于矫顽力分布磁铁的上述平面，假想地设定在易磁化方向上延伸的多个分割区域，将该矫顽力分布磁铁配置在本发明的矫顽力特定装置中，并且在与各个上述分割区域对应的位置配置探测线圈，由各个探测线圈的测定结果作成各个分割区域所固有的退磁曲线。
[0036] 例如通过对于俯视矩形的磁铁平面，假想地设定沿易磁化方向的带状的分割区域，将该磁铁平面临时分割为多个带状区域。所谓该易磁化方向是例如如已述那样该矫顽力分布磁铁配置在转子槽内时，从转子中心侧朝向定子侧的方向。
[0037] 使用本发明的矫顽力特定装置，对作为被特定对象的矫顽力分布磁铁施加外部的反磁场使其退磁，能够在由矫顽力坐标和剩余磁通密度（磁化）坐标构成的坐标系（的第二象限）作成退磁曲线。
[0038] 在该特定方法中，在上述的假想地分割出的每个分割区域配置探测线圈，作成与各探测线圈对应的分割区域的退磁曲线。
[0039] 再者，如果例示在上述的平面中形成五个分割区域的情况，则显示：其中央的分割区域的矫顽力较低，与其相邻的上下的分割区域矫顽力相同程度地变高，并且与它们相邻的上下的分割区域矫顽力同样相同程度地进一步变高的倾向。即，在以中央的分割区域为BA1，以与其相邻的相对于易磁化方向垂直的方向的上下的分割区域为BA2、BA3，进而以与它们相邻的上下的分割区域为BA4、5时，矫顽力的大小为BA1＜BA2＝BA3＜BA4＝BA5。
[0040] 因此，在该实施方式中，只要在与中央的分割区域对应的位置（BA1）、例如与其相邻的上方的分割区域（BA2）、和进而与其相邻的上方的分割区域（BA4）的合计三个部位设置探测线圈即可（BA3、BA5的退磁曲线可分别使用BA2、BA4的退磁曲线）。
[0041] 接着，作为第2步骤，从作成的各个上述退磁曲线特定最低矫顽力Hmin和平均矫顽力Hcj，并且，以分割区域的中心位置为x1，在其左右的外周侧设定想要特定矫顽力的位置±x2、±x3。更具体地讲，从中心位置x1向其定子侧设定+x2、+x3，并且向转子中央侧同样地设定-x2、-x3，在各分割区域中，设定五个部位的平面位置（x1、±x2、±x3）。
[0042] 在此，由作成的退磁曲线，能够以剩余磁通密度降低的拐点（或者从最大磁通密度退磁了数%的时点）的矫顽力作为最低矫顽力，能够以进一步退磁该退磁曲线与矫顽力坐标相交的点作为平均矫顽力。
[0043] 例如在利用三个探测线圈作成三个分割区域的退磁曲线的情况下，对各个退磁曲线的每一个设定最低矫顽力和平均矫顽力。
[0044] 毫无疑问中心位置x1的矫顽力最小，朝向位置±x2、±x3和分割区域的左右的外周侧矫顽力变大。
[0045] 接着，作为第3步骤，利用以下（1）～（3）的假定事项，在以从分割区域的中心向外周侧的距离为X轴，以各距离下的矫顽力为Y轴的坐标系中作成矫顽力分布曲线。在此，所谓三个假定事项，包括：（1）在矫顽力分布曲线中，将中心位置x1的矫顽力Hx1作为最低矫顽力Hmin；（2）在将位置±×2、±×3各自的矫顽力设为H-x2、H+x2、H-x3、H+x3时，（H-x3+H-x2+Hx1+H+x2+H+x3）/5＝平均矫顽力Hcj；（3）H+x2-Hx1＝H+x3-H+x2。
[0046] 在此，H-x3和H+x3、H-x2和H+x2是距中心位置相同距离处的矫顽力，因此各自的值相等。
[0047] 因此，实质上变量为H+x2和H+x3，可从上式（2）、（3）特定H+x2和H+x3。
[0048] 另外，考虑到在（1）中设定的中心位置x1的矫顽力Hx1＝Hmin，在以从分割区域的中心向外周侧的距离为X轴，以各距离下的矫顽力为Y轴的X-Y坐标系中能够作成一次函数（例如H＝kx+Hmin（x是距离中心的距离））的矫顽力分布曲线。
[0049] 从以上的说明能够理解，根据本发明的矫顽力特定装置，能够不破坏矫顽力分布磁铁而作成被任意地分区了的各分割区域的退磁曲线，并且能够精度良好地特定各自的平均矫顽力，还能够以高精度特定矫顽力分布磁铁分布的矫顽力。附图说明
[0050] 图1是说明了本发明的矫顽力特定装置的一实施方式的模式图。
[0051] 图2是图1的Ⅱ-Ⅱ向视图。
[0052] 图3（a）是图1的Ⅲ部的放大图，（b）是对应于（a）的图，是表示探测线圈的配置形态的另一实施方式的图。
[0053] 图4是说明了本发明的矫顽力特定装置的另一实施方式的模式图。
[0054] 图5是表示由本装置得到的励磁磁场（横轴）和由探测线圈得到的磁铁的磁化变化（纵轴）的图。
[0055] 图6表示改变沟条的沟深度，关于由具备各沟深度的沟条的装置求出的磁铁矫顽力与由磁铁材料特性值特定的矫顽力之差的磁场分析结果的曲线图。
[0056] 图7表示改变沟条的沟宽度，关于由具备各沟宽度的沟条的装置求出的磁铁矫顽力与由磁铁材料特性值特定的矫顽力之差的磁场分析结果的曲线图。
具体实施方式
[0057] 以下，参照附图说明本发明的实施方式。再者，在图示例中，将矫顽力分布磁铁临时分割为三个分割区域，作成各分割区域的退磁曲线，示出特定平均矫顽力的实施方式，但不用说该分割区域的数量也可以是2个、4个以上等。
[0058] 图1是说明本发明的矫顽力特定装置的一实施方式的模式图，图2是图1的Ⅱ-Ⅱ向视图，图3a是图1的Ⅲ部的放大图。
[0059] 图示的矫顽力特定装置10，由以下部分概略构成：具有插入空间1a的俯视为大致C字状的磁轭1，该插入空间1a中可插入各部位矫顽力不同的矫顽力分布磁铁M；使磁轭1产生磁场的（磁流X方向）励磁线圈2；对励磁线圈2流通电流的未图示的电源；检测对矫顽力分布磁铁M施加了磁场时的磁化变化的探测线圈3；和基于由该磁化变化产生的电压值作成退磁曲线的描绘器4（B-H曲线描绘器）。
[0060] 在磁轭1的与插入空间1a面对的端面1b，从图2中所示的平面图可明确，开设有三个环状的沟条1c、1c、1c，在每个沟条1c内配置有由铜制的导线3a及其周围的绝缘被膜3b构成的探测线圈3。
[0061] 在矫顽力分布磁铁M中，规定与各探测线圈3对应的矫顽力分布磁铁的分割区域M1、M2、M3，从各探测线圈3延伸的导线与内置于描绘器4内的积分器4a连接。
[0062] 如果由励磁线圈2产生的磁场施加于矫顽力分布磁铁M，则在矫顽力分布磁铁M内产生磁化变化，基于该磁铁变化的电压值由探测线圈3检测出。
[0063] 被检测出的电压值，从探测线圈3被发送到所内置的积分器，在积分器4a中进行时间积分从而算出磁通密度，基于此作成各分割区域M1、M2、M3（被各探测线圈围成的区域）的退磁曲线（B-H曲线、4πI-H曲线）。
[0064] 由作成的各分割区域M1、M2、M3的退磁曲线所特定的矫顽力（Hcj），成为各分割区域中的平均矫顽力。
[0065] 在此，关于开设于端面1b的环状的沟条1c的沟深度h和沟宽度w（参照图3a），根据后述的磁场分析结果，优选沟深度h为1mm以下、沟宽度w为0.3mm以下，进而如果考虑配置于其内部的探测线圈的能够制造的尺寸（成为绝缘被膜的漆包线和铜坯料的导线等的尺寸），则优选例如深度为1mm且宽度为0.3mm的沟条。再者，在本图中，在沟条1c内收容有探测线圈3，在其上部（矫顽力分布磁铁侧）形成有气隙A。
[0066] 另外，线圈的配置形态除了图3a以外，也可以是如图3b所示，以在一个沟条1c内重叠两个线圈3的方式收容的形态。
[0067] 在此，作为被特定对象的矫顽力分布磁铁M，是以下述方式形成的磁铁：从埋设于构成例如IPM电动机的未图示的转子内的烧结永久磁铁的表面使镝和铽等晶界扩散等并且矫顽力按所希望来分布。并且，作为该永久磁铁，有：对钕加入了铁和硼的三元成分系的钕磁铁、由钐与钴的二元成分系的合金构成的钐钴磁铁、以铁氧化物粉末为主原料的铁氧体磁铁、以铝、镍、钴等为原料的铝镍钴永磁体等。
[0068] 通过使用矫顽力特定装置10，能够不破坏矫顽力分布磁铁等而作成将该矫顽力分布磁铁任意地分区了的每个分割区域的退磁曲线，并且能够精度良好地特定每个分割区域的平均矫顽力，在全部的分割区域实施上述处理，由此能够按各分割区域精度良好地特定矫顽力分布磁铁的矫顽力。
[0069] 图4是说明本发明的矫顽力特定装置的另一实施方式的模式图。
[0070] 图示的矫顽力特定装置10A，在磁轭1的与插入空间1a面对的端面1b上的、树脂薄膜5a的表面，配置有导电性材料图案化成为环状而构成的三个探测线圈3A、3A、3A，而且配置有与树脂薄膜5a一同夹持这些探测线圈3A的另外的树脂薄膜5b，在矫顽力分布磁铁M中，规定三个探测线圈3A、3A、3A的每个所对应的分割区域M1、M2、M3，由各探测线圈3A检测出的磁化变化所产生的电压值被发送到描绘器中。
[0071] 在此，作为铜等导电性材料的图案化形态，可以举出由印刷得到的形态和由蚀刻得到的形态等。
[0072] 在图1所示的矫顽力特定装置10中，在矫顽力分布磁铁M插入到插入空间1a其表面与磁轭1的端面1b密着时，矫顽力分布磁铁M与交替地显现磁性体（磁轭1）和气隙A（沟条1c）的密着面触接，磁导容易分布。
[0073] 因此，通过应用矫顽力特定装置10A，通过在磁轭1的端面1b设置配置有树脂薄膜5a、5b和在该树脂薄膜的表面导电性材料图案化成为环状而构成的三个探测线圈3A、3A、
3A的结构，来替代设置沟条，在与它密着的矫顽力分布磁铁M的表面，均匀材料的树脂薄膜
5b触接，能够对矫顽力分布磁铁M施加更均匀的磁场。并且，由此能够使磁导难以分布。
3A的结构，来替代设置沟条，在与它密着的矫顽力分布磁铁M的表面，均匀材料的树脂薄膜
5b触接，能够对矫顽力分布磁铁M施加更均匀的磁场。并且，由此能够使磁导难以分布。
[0074] [磁场分析及其结果]
[0075] 本发明人对图1所示的矫顽力特定装置10进行了用于特定沟条的最佳的沟深度范围和沟宽度范围的磁场分析。
[0076] 作为分析条件，励磁线圈的匝数为140，以0.1安培/步幅（安培/梯级；A/step）施加向励磁线圈的施加电流直到达到想要施加的磁场（参照表示由本装置得到的励磁磁场（横轴）和由探测线圈得到的磁铁的磁化变化（纵轴）的图5），作为磁铁施加磁场利用分析设定了输入的磁铁的矫顽力（Hcj）以上的磁场值（参照图5）。
[0077] 在特定最佳的沟深度范围的分析中，将沟宽度设定为0.3mm，使沟深度变化到0mm～7mm，求出由具有各沟深度的沟条的装置求出的磁铁矫顽力，并且求出所求出的磁铁矫顽力与从磁铁材料特性值特定的矫顽力（真值）之差，将其结果示于图6。
[0078] 另一方面，在特定最佳的沟宽度范围的分析中，将沟深度设定为0.8mm，使沟宽度变化到0.15mm～0.45mm，求出由具有各沟宽度的沟条的装置求出的磁铁矫顽力，并且求出所求出的磁铁矫顽力与从磁铁材料特性值特定的矫顽力（真值）之差，将其结果示于图7。
[0079] 再者，图6、7都利用位于磁铁的中央和端部的两个部位的探测线圈求得与矫顽力（真值）之差。再者，所谓磁铁的中央是例如图1所示的矫顽力分布磁铁M之中的中央的分割区域M2，所谓磁铁的端部，是该图1所示的分割区域M1或分割区域M3。
[0080] 由图6实证了，关于沟深度，如果超过1mm，则呈现与磁铁材料特性值之差增加的倾向，沟深度1mm成为其拐点，基于该结果将最佳的沟深度范围规定为1mm以下。
[0081] 另一方面，由图7实证了，关于沟宽度，如果超过0.3mm，则呈现与磁铁材料特性值之差显著增加的倾向，沟宽度0.3mm成为其拐点，基于该结果将最佳的沟宽度范围规定在0.3mm以下。
[0082] 以上，使用附图详述了本发明的实施方式，但具体的构成不限定于该实施方式，即使有不脱离本发明的主旨的范围内的设计变更等，它们也包含在本发明中。
[0083] 附图标记说明
[0084] 1...磁轭；1a...插入空间；1b...与插入空间面对的端面；1c...沟条；2...励磁线圈；3、3A...探测线圈；3a...导线；3b...绝缘被膜；4...描绘器；4a...积分器；5a、5b...树脂薄膜；10、10A...矫顽力特定装置；M...矫顽力分布磁铁（永久磁铁）；M1、M2、M3...分割区域。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 提高钕铁硼磁体矫顽力的方法 | 2020-05-12 | 278 |
| 一种制备高矫顽力磁体的方法 | 2020-05-13 | 632 |
| 智能矫顽力计 | 2020-05-11 | 57 |
| 一种高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法 | 2020-05-14 | 97 |
| 一种高矫顽力锰镓磁粉的制备方法 | 2020-05-15 | 559 |
| 矫顽力分布磁铁的矫顽力确定方法 | 2020-05-11 | 47 |
| 智能矫顽力计 | 2020-05-11 | 96 |
| 高矫顽力高剩磁防伪磁粉的制备方法 | 2020-05-13 | 337 |
| 一种提高稀土磁体矫顽力的方法 | 2020-05-15 | 611 |
| 一种提高磁体矫顽力的装置和方法 | 2020-05-13 | 609 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈