专利汇可以提供具有硬偏磁结构的读磁头专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了具有硬偏磁结构的读磁头。用于读磁头的一种硬偏磁结构包括一个由CrMo构成的晶种层,一个在晶种层上面、由CoPt构成的硬偏 磁层 ,以及晶种层下面的一个传导层。为了在提高该结构的磁 矫顽 力 时降低其阻抗,在传导层和晶种层之间配置了由Ta构成的第一过渡层和由CoPt构成的第二过渡层。,下面是具有硬偏磁结构的读磁头专利的具体信息内容。
1. 一种用于读磁头的硬偏磁结构,包括: 至少一个晶种层,该晶种层包括CrxMo1-x,其中x为0.1到0.3; 至少一个传导层; 至少一个硬偏磁层,该硬偏磁层包括CoyP1-y,其中y为0.25到0.90,晶种层置于硬偏磁层和传导层之间;以及传导层和晶种层之间的至少一个过渡层。
2. 根据权利要求1的硬偏磁结构,其中传导层由Au、 Rh、 W、 Cu中的至少一种构成。
3. 根据权利要求1的硬偏磁结构,其中过渡层由Ta、 CoPt、 Co中的至少一种构成。
4. 根据权利要求1的硬偏磁结构,包括晶种层和传导层之间的 第一和第二过渡层,第一过渡层由Ta构成,第二过渡层由CoPt或Co构成。
5. 根据权利要求4的硬偏磁结构,其中第一过渡层位于第二过 渡层和晶种层之间。
6. 根据权利要求1的硬偏磁结构,还包括至少一个底层,该底 层被配置得使传导层位于底层和过渡层之间。
7. 根据权利要求6的硬偏磁结构,还包括第一和第二底层,至 少第一底层由CoPt或Co构成,第二底层由Ta构成。
8. 根据权利要求4的硬偏磁结构,其中第一过渡层限定不超过3 毫微米(3nm)的厚度。
9. 根据权利要求1的硬偏磁结构,与至少一个读磁头自由传感 器结构相结合。
10. —种制造用于读磁头的硬偏磁结构的方法,包括: 提供至少一个晶种层;提供至少 一 个硬偏磁层;在晶种层和硬偏磁层下面提供至少一个埋藏的导体;以及在所述导体与晶种层之间提供至少一个过渡层,其中,所述晶种层包括CrxMo^,其中x为0.1到0.3。
11. 根据权利要求10的方法,其中硬偏磁层包括CoyPt,-y,其中 y为0.25到0.90。
12. 根据权利要求10的方法,其中埋藏导体由Au、 Rh、 W、 Cu中的至少一种构成。
13. 根据权利要求10的方法,其中过渡层由Ta、 CoPt和Co中 的至少一种构成。
14. 根据权利要求10的方法,包括将硬偏磁结构配置为与至少 一个读磁头自由传感器结构相邻。
15. —种读磁头,包括:一个传感器堆,包括一个固定铁磁层,在所讨论的范围内存在所 应用磁场时,其磁矩基本上防止出现旋转; 一个自由铁磁层,在不存 在所应用的磁场时,其磁矩定向于优选的方向,且在所讨论的范围内 存在所应用磁场时基本上自由旋转;以及一个位于固定和自由铁磁层 之间的间隔层;位于自由铁磁层每一端的硬偏磁堆,每个硬偏磁堆包括至少一个 埋藏导体,它在至少一个晶种层和至少一个硬偏磁层下面;置于导体 与晶种层、和提供所述优选方向中自由层磁矩的偏置的硬偏磁层中的 至少一个之间的至少一个过渡层,其中晶种层包括至少一个体心立方 (bcc)(200)定向金属,它的C轴晶格失配范围为0%到3%,其中该晶 种层至少包括CrxMoh,其中x为0.1到0.3。
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