一种制备单壁碳纳米管的方法
专利汇可以提供一种制备单壁碳纳米管的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 是一种制备单壁 碳 纳米管 的方法，该方法包括以下步骤，1.)使用粘附在衬底上或者是悬空的周围支持的双层 石墨 烯材料，将该双层 石墨烯 材料置入 真空 室抽真空至真空度2*10-3Pa以下；2.)开启 电子 枪，将电子束汇聚至双层石墨烯材料表面，使用汇聚的电子束 刻蚀 石墨烯，产生一条石墨烯窄带，石墨烯窄带的取向通过观察石墨烯的晶面取向，通过控制电子束刻蚀的方向来进行控制，双层石墨烯 纳米带 的宽度小于10纳米；3.)使用电子束辐照双层 石墨烯纳米带 边缘，促使双层石墨烯纳米带边缘的结构修复，上、下层边缘的碳 原子 成键，根据不同的电子束辐照强度，经过10-60分钟的辐照，生成单壁 碳纳米管 结构，此时停止辐照即可。，下面是一种制备单壁碳纳米管的方法专利的具体信息内容。
1.一种制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于该方法包括以下步骤，
1.)使用粘附在衬底上或者是悬空的周围支持的双层石墨烯材料，将该双层石墨烯材-3
料置入真空室抽真空至真空度2×10 Pa以下；
2.)开启电子枪，将电子束汇聚至双层石墨烯材料表面，使用汇聚的电子束刻蚀石墨烯，产生一条石墨烯窄带，石墨烯窄带的取向通过观察石墨烯的晶面取向，通过控制电子束刻蚀的方向来进行控制，双层石墨烯纳米带的宽度小于10纳米；
3.)使用电子束辐照双层石墨烯纳米带边缘，促使双层石墨烯纳米带边缘的结构修复，上、下层边缘的碳原子成键，根据不同的电子束辐照强度，经过10-60分钟的辐照，生成单壁碳纳米管结构，此时停止辐照即可；
其中
5 8 -1 -2
步骤2)中的电子枪的加速电压为60-100kV；电子束的束流强度为10-10e·s ·nm 。
2.根据权利要求1所述的一种制备单壁碳纳米管的方法，其特征在于，步骤3)中使用
3 4 -1 -2
10-10e·s ·nm 的电子束辐照双层石墨烯纳米带边缘。
一种制备单壁碳纳米管的方法
技术领域
发明内容
束的束流强度为10-10e*s^(-1)*nm^(-2)。使用汇聚的电子束刻蚀石墨烯，产生一条石墨烯窄带(见图1B)。石墨烯窄带的取向可以通过观察石墨烯的晶面取向，通过控制电子束刻蚀的方向来进行控制。石墨烯带的宽度小于10纳米。
具体实施方式
10e*s^(-1)*nm^(-2)。其双层石墨烯结构特征可以通过观察其边缘的形貌得知。随后使用
3
强度为10e*s^(-1)*nm^(-2)的电子束进行辐照。电子束辐照后石墨烯纳米带的宽度逐渐减小，而长度保持不变(图4(b))。经过约30分钟的电子束辐照后双层石墨烯带的边缘开始成键连接(图4(c))。随着电子束辐照时间的增加，这一过程逐渐完善(图4(d),(e))。
并最后形成一结构良好的碳纳米管结构(图4(f))。碳纳米管结构的直径为0.8纳米，长度为5纳米。
10e*s^(-1)*nm^(-2)。石墨烯纳米带有局部的弯折。其双层石墨烯结构特征可以通过观察其边缘的形貌得知。部分边缘已经在刻蚀的过程中连接起来了。随后使用强度为
4
10e*s^(-1)*nm^(-2)的电子束进行辐照。电子束辐照后石墨烯纳米带的宽度稍减小，而长度保持不变(图5(c))。经过约60分钟的电子束辐照后双层石墨烯带的边缘基本连接起来，初步形成碳纳米管结构(图5(d))。其中，碳纳米管结构存在弯折。随着电子束辐照时间的增加，碳纳米管结构逐渐完善(图5(e),(f))。并最后形成一结构良好的弯折形状的碳纳米管结构(图5(g))。碳纳米管结构的直径为1.2纳米，总长度为8纳米。
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