一种发光显示结构的制作方法
专利汇可以提供一种发光显示结构的制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种发光显示结构的制作方法。采用表面不导电的基片作为衬底，采用微加工技术和 镀 膜 技术在基片上依次制作 种子 层、 电极 层和 荧光 材料层堆叠而成的平行阵列图案。采用 种子层 诱导生长技术，在图案 侧壁 生长场发射材料团簇；对阵列中的平行排列图案施加 偏压 ，诱导位于低压端( 阴极 )侧壁的场发射材料团簇发射 电子 ；发射电子可轰击高压端( 阳极 )表面的荧光材料层，实现发光显示功能。本发明获得的发光显示结构具有制备工艺简单、阴阳极间距精确可控以及阴阳极可实现自对准等优点，可避免立体式发光显示结构微加工工艺复杂、对准 精度 要求高的问题。，下面是一种发光显示结构的制作方法专利的具体信息内容。
1.一种发光显示结构的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
a)采用表面不导电的衬底作为基片；
b)结合微加工图形化技术以及镀膜技术在基片上制作种子层、电极层和荧光材料层堆叠而成的平行阵列图案；
c)在图案侧壁生长场发射材料团簇；
d)对阵列中的平行图案施加偏压，诱导位于低压端(阴极)侧壁的场发射材料团簇发射电子；
e)发射电子可轰击高压端(阳极)表面的荧光材料层，实现发光显示。
2.根据权利要求1所述的发光显示结构的制作方法，其特征在于：所述表面不导电的衬底可以是玻璃片、陶瓷片、柔性绝缘基片、表面镀有绝缘薄膜的金属或半导体基片，或者其它绝缘材料基片。
3.根据权利要求1所述的发光显示结构的制作方法，其特征在于：所述微加工图形化技术可以是光刻技术、剥离技术、激光辐照技术、离子束加工技术、纳米压印、自组装技术，或其它可以获得微形图形的技术方法；所述镀膜技术可以是磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发、化学气相沉积、原子层沉积、沉淀法沉积、电泳沉积、真空弧沉积，或其它可以制作薄膜的沉积技术。
4.根据权利要求1所述的发光显示结构的制作方法，其特征在于：所述种子层可以是锌、掺铝的氧化锌(AZO)、氧化锌、铜、金、银、金银合金、铁及其氧化物薄膜，或其它可以用于诱导材料生长的材料；所述电极层可以是金属薄膜、半导体薄膜或石墨烯；所述荧光材料层可以是荧光粉或其它可通过电子轰击实现发光的材料。
5.根据权利要求4所述的发光显示结构的制作方法，其特征在于：所述金属薄膜可以是铜、铬、铝、钼，或多种金属材料构成的合金；所述半导体薄膜可以是铟锡氧化物(Indium Tin Oxide)薄膜或者其它半导体薄膜。
6.根据权利要求1所述的发光显示结构的制作方法，其特征在于：步骤c）中，在图案侧壁生长场发射材料团簇所使用的技术可以是热氧化法、水热法、化学气相沉积法、高温退化法、外延法，也可以是其它可诱导材料生长的方法。
7.根据权利要求1所述的发光显示结构的制作方法，其特征在于：步骤d）中，场发射材料团簇可以是纳米线、纳米管、石墨烯、纳米棒、纳米锥、纳米片，或其它可实现场致电子发射的材料。
8.根据权利要求1所述的发光显示结构的制作方法，其特征在于：种子层可以是单层也可以是2-5层，金属层可以是单层也可以是2-5层，荧光材料层可以是单层也可以是2-5层。
9.根据权利要求4所述的发光显示结构的制作方法，其特征在于：可以通过调节种子层薄膜厚度在1nm～100μm范围，控制场发射材料团簇生长方向与基片表面形成0～90°；
可以通过调节种子层薄膜的结晶程度，即非晶、多晶、晶体，控制场发射材料团簇生长方向与基片表面形成0～90°。
10.根据权利要求1所述的发光显示结构的制作方法，其特征在于：如果电极层同时具有荧光特性，或荧光材料层可以导电，也可仅使用电极层而无需再制作荧光材料层；如果荧光材料层可以导电，也可仅使用荧光材料层而无需再制作电极层。
一种发光显示结构的制作方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
9.33μA的最大场发射电流(对应阴极发射电流密度为6.22A/cm)。在测试过程中，随着阳极电压逐步升高，阴极发射电子轰击阳极ITO表面，可以在器件结构的阳极位置观察到发光亮点。图5为不同阳极电压条件下，器件结构的发光亮点图。从图中可以看出，发光点面积随着阳极电压的升高而逐渐增大。发光亮点的形状与电极条长方形形状相吻合。方形亮点长度约为500μm(与电极条长度相同)，宽度分别为100μm(对应阳极电压为450V)、
215μm(对应阳极电压为463V)以及250μm(对应阳极电压为477V)。
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