专利汇可以提供半导体元件的金属层直接图案化制作方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种于 半导体 元件中的金属层直接 图案化 的制作方法,是用于解决以全面 基板 沉积 薄膜 、黄光 光刻 (Photolithography)技术制作晶体管结构时造成的材料耗费与时程,其主要步骤包括催化反应层(种晶层)材料的图案化定义、以及选择性薄膜沉积(成长),其中更使用直接图案化种晶技术与化学 镀 浴沉积技术,提供一非 真空 、选择性沉积的薄膜成长制程,可应用半导体元件中的 导线 、 电极 ,或于大面积晶体管数组或大面积功能性(如反射层)薄膜的沉积、制造。,下面是半导体元件的金属层直接图案化制作方法专利的具体信息内容。
1. 一种半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于包括有下列步骤:备置一基础结构;借一掩膜于该基础结构上定义图案;浸泡该已定义图案的基础结构于一溶液中,形成一种晶层;移除该掩膜;进行化学镀浴沉积,是将该已移除掩膜的图案化种晶层置于一化学镀浴沉积溶液中;以及形成一金属薄膜。
2. 如权利要求1所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于该浸泡溶液的步骤后,进行一活化步骤。
3. 如权利要求1所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的浸泡该已定义图案的基础结构的溶液为一包含该种晶层金属成4分的;容液。
4. 如权利要求1所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的金属薄膜为 一光学反射层薄膜。
5. 如权利要求1所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的金属薄膜的材料为银。
6. 如权利要求1所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于镀浴时使用的化学镀浴溶液含有该金属薄膜的成份。
7. 如权利要求1所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于该基础结构的金属层直接图案化制作方法是运用于一半导体元件中。
8. 如权利要求1所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于该基础结构的金属层直接图案化制作方法是制作于一基板上。
9. 一种半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于包括以下步骤:备置一基础结构;涂布 一 前驱物于该基础结构上;以一直接书写方式于该基础结构上产生图案;同时进行活化该前驱物表面,而形成一种晶层;移除该基础结构表面上未活化区域的物质;进行化学镀浴沉积,是将该种晶层的结构置于一化学镀浴沉积溶液中;以及形成一金属薄膜。
10. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的涂布方式为旋镀、浸泡、喷墨、网印方式之一。
11. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的前驱物为锡、柏、钯、银的有机金属化合物之一。
12. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的前驱物为混合两种以上锡、钿、钇、银的有机金属化合物。
13. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于是以 一激光直接书写而产生图案。
14. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于是以单一或多波长的混合光线直接书写产生图案。
15. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于是以热压印的接触方式直接书写产生图案。
16. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的金属薄膜的材料为银。
17. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的金属薄膜为一光学反射层薄膜。
18. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于镀浴时使用的化学镀浴溶液含有该金属薄膜的成份。
19. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于该基础结构的金属层直接图案化制作方法是运用于一半导体元件中。
20. 如权利要求9所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于该基础结构的金属层直接图案化制作方法是制作于 一基板上。
21. —种半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于包括以下步骤:备置一基础结构;涂布一感旋光性前驱物于该基础结构上;以 一光源配合掩膜对该感旋光性前驱物进行曝光;形成图案;以加热方式对已曝光的感光性前躯物进行活化,形成一种晶层;进行化学镀浴沉积,是将该种晶层的结构置于一化学镀浴沉积溶液中;以及形成一金属薄膜。
22. 如权利要求21所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的光源为单波长或多波长的光源。
23. 如权利要求21所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的掩膜为光掩膜、光刻胶之一。
24. 如权利要求21所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的感旋光性前驱物为锡、柏、把、银的有机金属化合物之一。
25. 如权利要求21所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的感旋光性前驱物为混合两种以上锡、鉑、把、银的有机金属化合物。
26. 如权利要求21所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的金属薄膜的材料为银。
27. 如权利要求21所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的金属薄膜为一光学反射层薄膜。
28. 如权利要求21所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于镀浴时使用的化学镀浴溶液含有该金属薄膜的成份。
29. 如权利要求21所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于该基础结构的金属层直接图案化制作方法是运用于一半导体元件中。
30. 如权利要求21所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于该基础结构的金属层直接图案化制作方法是制作于一基板上。
31. —种半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于包括以下步骤:备置一基础结构;于该基础结构上,形成一直接图案化种晶层前驱物;以加热方式活化该图案化后的前驱物,形成该种晶层;进行化学镀浴沉积,是将该种晶层的结构置于一化学镀浴沉积溶液中;以及形成一金属薄膜。
32. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的直接图案化的步骤是以一喷墨印刷方式将该前驱物材料直接喷印于该基础结构上。
33. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的直接图案化步骤是使用 一微触印刷方法。
34. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的直接图案化步骤是使用 一激光静电吸附纳米粉末的方式。
35. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的前驱物为锡、鉑、把、银金属的纳米粉末之一。
36. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的前驱物为锡、钿、钇、银的有机金属化合物之一。
37. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述前驱物为混合两种以上锡、钿、4巴、银的有机金属物。
38. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的金属薄膜的材料为银。
39. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于所述的金属薄膜为一光学反射层薄膜。
40. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于镀浴时使用的化学镀浴溶液含有该金属薄膜的成份。
41. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于该基础结构的金属层直接图案化制作方法运用于一半导体元件中。
42. 如权利要求31所述的半导体元件的金属层直接图案化制作方法,其特征在于该基础结构的金属层直接图案化制作方法制作于 一基板上。
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