一种多壁碳纳米管阵列的制备方法
专利汇可以提供一种多壁碳纳米管阵列的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 公开了一种多壁 碳 纳米管 阵列的制备方法，包括步骤：(1)、将催化剂和碳源溶液搅拌均匀，制备浓度为0.03～0.04g/ml的混合溶液；(2)、将混合溶液涂覆在衬底表面；(3)、将混合溶液加入 电阻 炉中，在氩气或氮气的保护气体下，升温至800～950℃；(4)、通入流量为150～200sccm的氢气，保温20～40分钟，将 碳纳米管 阵列生长在衬底表面；(5)、停止通入氢气，炉冷，取出样品。本 发明 所获得的 多壁碳纳米管 长度在毫米级别，定向性良好，管径平均在80纳米左右，管径分布均匀。，下面是一种多壁碳纳米管阵列的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括步骤：
(1)、将催化剂和碳源溶液搅拌均匀，制备浓度为0.03～0.04g/ml的混合溶液；
(2)、将混合溶液涂覆在衬底表面；
(3)、将混合溶液加入电阻炉中，在氩气或氮气的保护气体下，升温至800～950℃；
(4)、通入流量为150～200sccm的氢气，保温20～40分钟，将碳纳米管阵列生长在衬底表面；
(5)、停止通入氢气，炉冷，取出样品。
2.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述催化剂为铁、钴、镍或其任意组合的合金之一。
3.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述碳源为二甲苯溶液。
4.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述衬底为P型或N型硅基底，或选用形成有氧化层的硅基底。
5.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述保护气体为氩气或氮气。
6.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，在保护气体下，升温至900℃。
一种多壁碳纳米管阵列的制备方法
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