技术领域
[0001] 存储模块
背景技术
[0002] 计算系统包括一组相互之间通过总线或类似的通信线路进行通信的部件。计算系统的部件包括处理器、通信
芯片组、存储模块、外围部件以及类似设备。这些设备相互之间通过一组总线进行通信。这些总线可以利用总线上的每个部件都理解的通信协议。有些部件用作总线
控制器以管理总线上的通信业务。
[0003] 计算系统的速度和效率受限于
计算机系统中的总线和通信线路的速度。处理器依赖于
系统总线、
存储器总线以及存储器控制器以检索来自系统存储器的数据和指令。处理器被它通过系统总线和存储器总线从系统存储器接收数据和指令的速度限制在它能够处理这些指令的速度中。
[0004] 总线通常为布置在诸如计算系统的
主板之类的印刷
电路板(PCB)上的通信线路。计算系统中的部件(如存储器)具有连接到总线线路的管脚。这些部件通过驱动
信号穿过总线中的线路而在总线中进行通信。这些信号由接收设备进行
锁存。如果信号没有被正确终止，就可能出现信号的反射或其他噪音可能影响该线路上的后续
信号传输。
附图说明
[0005] 图1是包含至少一个与连接到存储器总线的动态
随机存取存储器(DRAM)设备以及传输信号(TS)线相并联的电容器的存储模 块的一个
实施例的
框图。
[0006] 图2是包含至少一个与连接到存储器总线的至少一个同步
动态随机存取存储器(SDRAM)设备以及TS线相并联的电容器的存储模块的一个实施例的框图。
[0007] 图3是包含至少一个与连接到存储器总线的至少一个SDRAM设备以及子传输信号(STS)线相并联的电容器的存储模块的一个实施例的框图。
[0008] 图4是包含图2所示存储模块的计算系统的一个实施例的框图。
[0009] 图5是产生图1、图2和图3所示存储模块的方法的一个实施例的
流程图。 具体实施方式
[0010] 图1是包含至少一个与连接到存储器总线的动态随机存取存储器(DRAM)设备以及传输信号(TS)线相并联的电容器的存储模块的一个实施例的框图。图1所示实施例中的存储模块100是单列直插存储模块(SIMM)。
[0011] 在一个实施例中，存储模块100在印刷
电路板(PCB)105上形成。PCB 105可由本领域内公知的形成印刷电路板或其他类型电路板的任何方法所形成。在一个实施例中，存储模块100包括在PCB 105上形成的TS线121至129。
[0012] 在图1所示的实施例中，PCB 105上的图案包括连接到TS线121至129的存储器总线175。在其他实施例中，存储模块100可包括任何用于TS线121至129及存储器总线175的图案。
[0013] 在一个实施例中，TS线121至129及存储器总线175由
铜形成。在其他实施例中，TS线121至129及存储器总线175可由本领域内公知的其他传导材料形成。
[0014] 在一个实施例中，存储器总线175包括位于存储器总线130上的TS线129的附着点之后的终止电路185以及相对的连接器195， 它将存储模块100连接到计算系统的其他部件。在一个实施例中，终止电路185连接到
电压源以形成上拉终止电路。在另一实施例中，终止电路185连接到地以形成下拉终止电路。
[0015] 在一个实施例中，存储模块100包括DRAM设备141至149。在一个实施例中，DRAM设备141至149各连接到相应的TS线，如上所述，它们连接到存储器总线175以形成分支131至139。DRAM设备141至149各自可以是本领域公知的、能由计算系统向其写入或从其读出数据的任何DRAM设备或其他存储设备。在图1所示的实施例中，存储模块100包含九个DRAM设备和分支，但是，存储模块100可以包含任意数量的DRAM设备和分支。 [0016] 在一个实施例中，存储模块100还包括电容器165。在实施例中，电容器165与DRAM设备141及TS 121并联。在一个实施例中，电容器165是4皮法(pF)的电容器。在其他实施例中，电容器165是在约1pF至约40pF范围内的电容器。
[0017] 在一个实施例中，存储模块100具有与DRAM设备141及TS线121并联的第二电容器。同样，该第二电容器可具有约1pF至约40pF范围内的电容。
[0018] 在其他实施例中，存储模块100包括多个类似于电容器165、与相应的连接到存储器总线175的DRAM设备及TS线的子组相并联的电容器。在此情况下，子组是一个或多个具有与连接到存储器总线175的各DRAM设备(如DRAM设备141，142)以及TS线相并联的电容器的TS线(如TS线121，122)。在一个实施例中，该子组包括TS线121至129，各具有至少一个类似于电容器165并与它以及DRAM设备141至149中的每个相并联的电容器，从而形成多个类似于分131的分支。在一个实施例中，该多个电容器都具有相同大小。在其他实施例中，该多个电容器中的至少两个具有不同大小。
[0019] 图2是包含至少一个与连接到存储器总线的至少一个同步动态 随机存取存储器(SDRAM)设备以及TS线相并联的电容器的存储模块的一个实施例的框图。在图2所示的实施例中，存储模块200是双列直插存储模块(DIMM)。
[0020] 在一个实施例中，类似于关于上面图1中所述的实施例，存储模块200在印刷电路板(PCB)205上形成。同样，在一个实施例中，存储模块200在PCB 205上包括TS线221至229以及含有终止电路285及电容器295的存储器总线275。
[0021] 在一个实施例中，存储模块200包括SDRAM设备241至258。SDRAM设备241至258可以是本领域公知的能由计算系统向其写入或从其读出数据的任何SDRAM设备。在其他实施例中，SDRAM设备241至258可以由类似于上面所讨论的DRAM设备141至149的DRAM设备或者本领域公知的能由计算系统向其写入或从其读出数据的其他存储设备所取代。在一个实施例中，SDRAM设备241至258被划分成对(如SDRAM设备241，242；SDRAM设备243，244等)，每一对分别与TS线221至229中的一个信号线相连，以形成包括两个SDRAM设备及单个TS线的分支231至239。
[0022] 在图2所示的实施例中，存储模块200包括18个SDRAM设备，形成九个分支，但是，存储模块200可以包含任意数量的SDRAM设备和分支。此外，在其他实施例中，一个分支可以包括多于两个的SDRAM设备。
[0023] 在一个实施例中，存储模块包括电容器265。在一个实施例中，电容器265与SDRAM设备241、242以及TS线221并联。另外，在一个实施例中，电容器265是4皮法(pF)的电容器。在其他实施例中，电容器265是电容值在约1pF至约40pF范围内的电容器。 [0024] 在一个实施例中，存储模块200可具有多于一个的与TS线221及SDRAM设备241、242并联的电容器。例如，TS线221可具有两个与SDRAM设备241、242以及TS线221并联的电容器。同样，该第二电容器可以具有约1pF至约40pF范围内的电容。
[0025] 在其他实施例中，存储模块200包括多个类似于电容器265、与连接到存储器总线275的一对DRAM设备及TS线的子组相并联的电容器。在这里，子组是一个或多个具有至少一个在每个连接到存储器总线275的TS线上与一对SDRAM设备(如SDRAM设备241、242以及SDRAM设备243、244)相并联的电容器的TS线(如TS线221及TS线222)。此外，在一个实施例中，子组包括各具有一个类似于电容器265、在各TS线上与各相应的SDRAM设备对相并联的电容器的TS线，从而形成多个类似于分支231、232的分支。在一个实施例中，该多个电容器都具有相同大小。在其他实施例中，该多个电容器中的至少两个具有不同大小。
[0026] 图3是包含至少一个与连接到存储器总线的至少一个SDRAM设备以及至少一个子传输(STS)线相并联的电容器的存储模块的一个实施例的框图。类似于关于上面图2中所讨论的实施例，在图3所示的实施例中，存储模块300是DIMM，包括连接到存储器总线385的分支331至339(包括分别连接到SDRAM设备341至358的TS线321至329)，并包括终止电路390以及连接器395。
[0027] 在一个实施例中，存储模块300包括分别连接到TS线321至329以及SDRAM设备331至339的STS线321A、321B至329A、329B。在图3所示的实施例中，存储模块300包括类似于上面所讨论的电容器265、分别连接到STS线321A、321B的电容器365、370。在一个实施例中，电容器365、370具有相同大小。在其他实施例中，电容器365、370具有不同大小。
[0028] 在一个实施例中，存储模块300可具有多于一个的、与STS线321A、321B之一或每一个相耦合并与SDRAM设备341、342并联的电容器。例如，STS线221A可具有两个与SDRAM设备341以及STS线321A并联的电容器。同样，该第二电容器可具有约1pF至约40pF范围内的电容值。在一个实施例中，每个电容器都是相同大小的。在其他实施例中，至少有两个电容器是不同大小的。
[0029] 在一个实施例中，存储模块300包括多个类似于电容器365及370、在单个分支内与STS线的一个子组并联的电容器，每个电容器同样与相应的SDRAM设备并联。在这里，一个子组是具有至少一个连接到每个STS线的电容器的至少一对STS线(如STS线321A、321B以及STS线322A、322B)，每个电容器均与SDRAM设备(如SDRAM设备341、342、343、
344)并联。此外，在一个实施例中，一个子组包括各具有类似于电容器365及370、与各相应的SDRAM设备及STS线相并联的电容器的各STS线(如STS线321A、321B至329A、329B)，从而形成多个类似于分支331的分支。在一个实施例中，该多个电容器都是相同大小的。在其他实施例中，该多个电容器中的至少两个是不同大小的。
[0030] 另外，在一个实施例中，单个分支(如分支331)具有仅仅一个与其中一个STS线(如STS线321A)并联的电容器(如电容器365)，而其他的STS线(如STS线321B)并没有与之相连的电容器。另外，有可能存储模块300具有位于至少一个STS线或至少一个TS线上的多个电容器的组合，不论上述STS线或TS线是在同一分支内或是不同分支内。例如，在一个实施例中，STS线321A、321B各具有至少一个与它们相并联的电容器，且TS线322也具有至少一个与之相并联的电容器。
[0031] 另外，既然STS线“A”和“B”是并列的，例如，在一个实施例中，电容器365、370的电容量是例如上面所讨论的电容器265的一半，以使得分支331内具有与分支221内所含有电容量相似的电容量。这同样适用于上面讨论的与STS线并联的任意一对电容器。 [0032] 图4是包括图2所示存储模块的计算系统的一个实施例的框图。在图4所示的实施例中，计算系统400包括与上面讨论的存储模块200相类似的、连接到芯片组410的存储模块405。在其他实施例中，存储模块405类似于上面讨论的存储模块100或存储模块300。
[0033] 芯片组410可以是本领域公知的能够便于计算事务的任何通信 集线器。在一个实施例中，芯片组410连接到系统总线420。系统总线420可以是任何本领域公知的能够传输计算事务的系统总线。
[0034] 在一个实施例中，系统总线420连接到处理器430。在一个实施例中，处理器430是由位于加利福尼亚圣克拉拉市(Santa Clara，California)的英特尔公司所制造的“奔腾4”处理器。在其他实施例中，处理器430可能是本领域公知的任何处理器。 [0035] 图5是产生图1、图2、以及图3所示的存储模块的方法的一个实施例的流程图。在一个实施例中，该方法500开始于制造含有多个TS线和/或STS线的PCB(方块510)。TS线和STS线可以在PCB上形成任何图案。
[0036] 在一个实施例中，多个DRAM设备或SDRAM设备被连接到多个TS线和/或STS线上，TS线和/或STS线也连接到存储器总线，一个TS线和/或STS线包括一个与第一DRAM设备或第一SDRAM设备并联的电容器(方块520)。在一个实施例中，方法500也包括将至少一个附加电容器连接至附加的TS线和/或STS线的一个子组，类似于上面所讨论的实施例，与TS线和/或STS线以及DRAM设备和SDRAM设备相并联(方块530)。
[0037] 在前述各段落中描述了特定的实施例。但是很显然，除此之外可以进行各种
修改和改变而不背离
权利要求书中的更广泛的精神和范围。因此，应从说明意义上而非限制意义上来看待本
说明书和附图。
