存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件
专利汇可以提供存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了 存储电容器 及包括存储电容器的 半导体 存储器 件。一种存储电容器包括：第一供电单元和第二供电单元，以及 串联 在第一供电单元和第二供电单元之间的至少两个大容量电容器。，下面是存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件专利的具体信息内容。
1.一种半导体存储器件，包括：
具有单元电容器的存储单元；以及
具有存储电容器的外围电路，其中所述存储电容器包括：
串联在第一供电单元与第二供电单元之间的至少两个大容量电容器，以及其中所述大容量电容器中的每个大容量电容器具有基本上与所述单元电容器的电容相同的电容，
其中所述大容量电容器具有在μF范围内的电容。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述存储电容器还包括：与所述至少两个大容量电容器相并联的MOS电容器。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述单元电容器在基板上的位线上方形成。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述单元电容器包括：存储节点，在存储节点上方形成的第一电介质，以及在第一电介质上方形成的板电极，其中所述两个大容量电容器中的每个大容量电容器包括：与所述存储节点具有相同的材料和相同的表面积的第一电极，在第一电极上方形成的、具有与第一电介质相同的材料的第二电介质，以及在第二电介质上方形成的、具有与所述板电极相同的材料的第二电极。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中至少两个大容量电容器包括：
第一大容量电容器，所述第一大容量电容器具有与第一供电单元相连接的第一电极、在第一电极上方形成的第一电介质、以及在第一电介质上方形成的第二电极；以及第二大容量电容器，所述第二大容量电容器具有与第二供电单元相连接的第三电极、在第三电极上方形成的第二电介质、以及在第二电介质上方形成的第四电极。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中第一电极和第三电极通过对沉积在基板上的由相同材料构成的导电层进行图案化而被分离。
7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中第二电极和第四电极共同地通过单个导电层图案来形成。
8.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中第一供电单元包括：与第一电极相连接的、接收第一能量供应的第一供电线路，第二供电单元包括：与第三电极相连接的、接收第二能量供应的第二供电线路。
9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中第一供电线路和所述第二供电线路通过对由与用于位线的导电层相同的材料构成的导电层进行图案化而被分离。
10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中第一供电线路是电源电压线路、高电压线路、核心电压线路和位线预充电电压线路之一。
11.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中第二供电线路是地电压线路或负偏压线路。
12.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中第一电介质和第二电介质均为高电介质薄膜或铁电薄膜。
13.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中所述MOS电容器具有在ηF范围内的电容。
14.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中所述MOS电容器具有在基板上方形成的栅极、源极和漏极，所述源极和漏极与第二供电单元相连接，所述栅极与第一供电单元相连接。
15.一种半导体存储器件，包括：
具有单元电容器的存储单元；以及
具有存储电容器的外围电路，其中所述存储电容器包括：
具有多个并联的大容量电容器的第一电容器组；以及
具有多个并联的大容量电容器的第二电容器组，
其中所述第一电容器组和第二电容器组串联在第一供电单元与第二供电单元之间，所述第一电容器组和第二电容器组中的所述大容量电容器中的每个大容量电容器具有与所述单元电容器相同的电容，
其中所述大容量电容器具有在μF范围内的电容。
16.根据权利要求15所述的半导体存储器件，还包括：
与第一电容器组和第二电容器组相并联的MOS电容器。
17.根据权利要求15所述的半导体存储器件，其中所述单元电容器在基板上的位线上方形成。
18.根据权利要求16所述的半导体存储器件，其中所述大容量电容器被布置在基板上的MOS电容器上方。
19.根据权利要求15所述的半导体存储器件，其中所述单元电容器包括：存储节点，在所述存储节点上方形成的第一电介质，以及在第一电介质上方形成的板电极，其中所述大容量电容器包括：具有与所述存储节点相同的材料和相同的表面积的第一电极，在所述第一电极上方形成的、具有与第一电介质相同的材料的第二电介质，以及在第二电介质上方形成的、具有与所述板电极相同的材料的第二电极。
20.根据权利要求15所述的半导体存储器件，其中所述第一电容器组中的所述多个大容量电容器中的每个大容量电容器包括：与第一供电单元相连接的第一电极，在第一电极上方形成的第一电介质，以及在第一电介质上方形成的第二电极，以及
其中所述第二电容器组中的所述多个大容量电容器中的每个大容量电容器包括：与第二供电单元相连接的第三电极，在第三电极上方形成的第二电介质，以及在第二电介质上方形成的第四电极。
21.根据权利要求20所述的半导体存储器件，其中第一供电单元包括：与第一电极相连接的、接收第一能量供应的第一供电线路，第二供电单元包括：与第三电极相连接的、接收第二能量供应的第二供电线路。
22.根据权利要求21所述的半导体存储器件，其中第一供电线路和第二供电线路通过对与位线相同材料的导电层进行图案化而被分离。
23.根据权利要求20所述的半导体存储器件，其中所述第二电极和所述第四电极共同地通过单个导电图案来形成。
24.根据权利要求22所述的半导体存储器件，其中所述第一供电线路是电源电压线路、高电压线路、核心电压线路和位线预充电电压线路之一。
25.根据权利要求24所述的半导体存储器件，其中所述第二供电线路是地电压线路或负偏压线路。
26.根据权利要求20所述的半导体存储器件，其中所述第一电介质和第二电介质均为由高电介质薄膜或铁电薄膜构成的层。
27.根据权利要求16所述的半导体存储器件，其中所述MOS电容器具有在ηF范围内的电容。
28.根据权利要求16所述的半导体存储器件，其中所述MOS电容器具有在基板上方形成的栅极、源极和漏极，所述源极和漏极与第二供电单元相连接，所述栅极与第一供电单元相连接。
存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件
背景技术
170具有在ηF范围内(例如，数十ηF)的电容。大容量电容器160和180各具有在μF范围内(例如，数个μF)的电容。大容量电容器160和180各具有由第一电极(存储节点)、电介质和第二电极(板)构成的堆叠结构。可以使用多晶硅或金属薄膜来形成大容量电容器160和180中的每个大容量电容器的第一电极和第二电极。可以使用高电介质或铁电材料来形成所述电介质。
在包括第一电极363A、363B、383A和383B的基板310上方形成电介质364。在电介质364上方形成第二电极365。电介质364和第二电极365各自可以针对本实施例中的所有大容量电容器而共同地通过同一薄膜来形成。或者，可以针对每个大容量电容器而单独地形成电介质364和第二电极365。
726B，该第二电极726B在电介质724B上方形成，并由与板电极726A的材料相同的材料构成。因此，单元电容器720A和第一大容量电容器720B各具有基本上相同的电容。第二大容量电容器的第一电极722C、电介质724C和第二电极726C可以基本上与第一大容量电容器720B的第一电极722B、电介质724B和第二电极726B相同。
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