电容器及存储装置
阅读：88发布：2020-05-11
专利汇可以提供电容器及存储装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本公开是关于一种电容器及存储装置，所述电容器包括：基底、 接触 层、 支撑 层、第一 电极 、第二电极和介质层；接触层设于所述基底，所述接触层包括至少一个接触区，各所述接触区远离所述基底的表面具有至少两级阶梯结构；支撑层设于所述基底，并且 覆盖 所述接触层，所述接触层上形成有一一对应的露出各所述接触区的容置孔；第一 电极形成 于所述容置孔内，并且和对应的所述接触区的所述阶梯结构接触；第二电极和所述第一电极相对设置；介质层形成于所述第一电极和第二电极之间。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利，下面是电容器及存储装置专利的具体信息内容。
1.一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：
基底；
接触层，设于所述基底，所述接触层包括至少一个接触区，各所述接触区远离所述基底的表面具有至少两级阶梯结构；
支撑层，设于所述基底，并且覆盖所述接触层，所述接触层上形成有一一对应的露出各所述接触区的容置孔；
第一电极，形成于所述容置孔内，并且和对应的所述接触区的所述阶梯结构接触；
第二电极，和所述第一电极相对设置；
介质层，形成于所述第一电极和第二电极之间。
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极包括：
第一子电极，为顶部开口的空心桶状结构，其底部闭合且和所述接触层连接；
第二子电极，设置于所述第一子电极内，所述第一子电极和所述第二子电极之间具有间隙；
第三子电极，设于所述第一子电极的顶部，用于连接所述第一子电极和第二子电极。
3.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述介质层包括：
第一介质层，形成于所述第一子电极的内壁；
第二介质层，形成于所述第二子电极的表面，所述第一介质层和所述第二介质层之间具有间隙。
4.如权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述第二电极包括：
第四子电极，所述第四子电极设于所述第一介质层和所述第二介质层之间的所述间隙内；
第五子电极，所述第五子电极和所述第四子电极连接，且设于所述第四子电极的顶部。
5.如权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述第五子电极和所述第三子电极之间设置有第一绝缘层；所述第五子电极和所述第一子电极之间设置有第二绝缘层；所述第四子电极与所述第三子电极之间设置有第三绝缘层。
6.一种存储装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的电容器。
电容器及存储装置
技术领域
[0001] 本公开涉及存储器技术领域，具体而言，涉及一种电容器及存储装置。
背景技术
[0002] 动态随机存取存储器(DRAM)单元包括用于存储电荷的电容器和存取电容器的晶体管。随着技术的发展和进步动态随机存取存储器的尺寸呈现小型化趋势，其内部的电容器随着几何尺寸按照摩尔定律不断减小，电容接触点与电容电极的接触电阻不断增大。由于电容接触点和电容电极接触电阻的增大，导致电容器的性能降低，比如容电量减小、能耗增加等问题。
[0004] 本公开的目的在于提供一种电容器及存储装置，进而至少在一定程度上克服由于相关技术中电容接触点和电容电极接触电阻的增大，导致电容器的性能降低的问题。
[0005] 根据本公开的一个方面，提供一种电容器，所述电容器包括：
[0006] 基底；
[0007] 接触层，设于所述基底，所述接触层包括至少一个接触区，各所述接触区远离所述基底的表面具有至少两级阶梯结构；
[0009] 第一电极，形成于所述容置孔内，并且和对应的所述接触区的所述阶梯结构接触；
[0010] 第二电极，和所述第一电极相对设置；
[0011] 介质层，形成于所述第一电极和第二电极之间。
[0012] 根据本公开的一实施方式，所述第一电极包括：
[0013] 第一子电极，为顶部开口的空心桶状结构，其底部闭合且和所述接触层连接；
[0014] 第二子电极，设置于所述第一子电极内，所述第一子电极和所述第二子电极之间具有间隙；
[0015] 第三子电极，设于所述第一子电极的顶部，用于连接所述第一子电极和第二子电极。
[0016] 根据本公开的一实施方式，所述介质层包括：
[0017] 第一介质层，形成于所述第一子电极的内壁；
[0018] 第二介质层，形成于所述第二子电极的表面，所述第一介质层和所述第二介质层之间具有间隙。
[0019] 根据本公开的一实施方式，所述第二电极包括：
[0020] 第四子电极，所述第四子电极设于所述第一介质层和所述第二介质层之间的所述间隙内；
[0021] 第五子电极，所述第五子电极和所述第四子电极连接，且设于所述第四子电极的顶部。
[0022] 根据本公开的一实施方式，所述第五子电极和所述第三子电极之间设置有第一绝缘层；所述第五子电极和所述第一子电极之间设置有第二绝缘层；所述第四子电极与所述第三子电极之间设置有第三绝缘层。
[0023] 根据本公开的另一方面，提供一种存储装置，包括上述的电容器。
[0024] 本公开提供的电容器，通过在基底上的接触层上设置接触区，在接触区远离基底的表面形成至少两级阶梯结构，第一电极和所述接触区远离基底的表面接触，通过至少两级阶梯结构增大了接触区和第一电极的接触面积，进而使得第一电极和接触区的接触电阻减小，提升了电容器的性能。并且本公开提供的电容器制作方法不需要采用湿法刻蚀去除电容结构的支撑层，同样制备了电容，增加了电容结构的稳定性。
[0026] 此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027] 图1为本公开示例性实施例提供的第一种电容制作方法的流程图。
[0028] 图2为本公开示例性实施例提供的第二种电容制作方法的流程图。
[0029] 图3为本公开示例性实施例提供的第三种电容制作方法的流程图。
[0030] 图4为本公开示例性实施例提供的一种电容器的结构示意图。
[0031] 图5～20为本公开示例性实施例提供的一种电容器制作过程的工艺图。
[0032] 图21为本公开示例性实施例提供的一种第一电极的结构示意图。
[0033] 图22为本公开示例性实施例提供的一种介质层的结构示意图。
[0034] 图23为本公开示例性实施例提供的一种第二电极的结构示意图。
[0035] 图中：
[0036] 100、基底；200、接触层；300、支撑层；310、第一支撑层；320、第二支撑层；330、第三支撑层；400、第一电极；410、第一子电极；420、第二子电极；430、第三子电极；500、介质层；510、第一介质层；520、第二介质层；600、第二电极；610、第四子电极；620、第五子电极；710、第一绝缘层；720、第二绝缘层；740、支撑绝缘层；750、第三绝缘层。
[0037] 10、光刻胶；20、接触层材料；40、第一电极材料层；50、介质材料层；60、第二电极材料层；70、绝缘材料。
具体实施方式
[0038] 现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0039] 虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
[0040] 用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
[0041] 本示例实施方式中首先提供了一种电容器的制作方法，如图1所示，所述电容器制作方法包括：
[0042] 步骤S110，提供一基底100，并在所述基底100上形成接触层200，所述接触层200包括至少一个接触区，各所述接触区远离所述基底100的表面均具有至少两级阶梯结构；
[0043] 步骤S120，形成覆盖所述接触层200的支撑层300；
[0044] 步骤S130，在所述支撑层300上形成一一对应的露出各所述接触区的容置孔350；
[0045] 步骤S140，在各所述容置孔350内形成第一电极400、第二电极600以及分隔第一电极400和第二电极600的介质层500，所述第一电极400和所述接触区接触。
[0046] 本公开实施例提供的电容器的制作方法，通过在基底100上的接触层200上设置接触区，在接触区远离基底100的表面形成至少两级阶梯结构，第一电极400和所述接触区远离基底100的表面接触，通过至少两级阶梯结构增大了接触区和第一电极400的接触面积，进而使得第一电极400和接触区的接触电阻减小，提升了电容器的性能。并且本公开提供的电容器制作方法不需要采用湿法刻蚀去除电容结构的支撑层300，增加了电容结构的稳定性。
[0047] 下面将对本公开实施例提供的电容器制作方法的各个步骤进行详细说明：
[0048] 在步骤S110中，可以提供一基底100，并在所述基底100上形成接触层200，所述接触层200远离所述基底100的表面包括至少一个接触区。
[0049] 其中，如图2所示，在所述基底100上形成接触层200，可以包括：
[0050] 步骤S210，在所述基底100上沉积所述接触层材料20；
[0051] 步骤S220，对所述接触层材料20图案化，在远离所述基底100的表面形成具有至少两级阶梯结构的若干所述接触区以构成所述接触层200。
[0052] 接触层材料20可以是钨，通过化学气相沉积的方式形成于基底100的表面。如图5和6所示，通过化学气相沉积的方式在基底100上沉积形成接触层200后，在接触层200远离基底100的一侧涂覆光刻胶10，进行光刻，使得接触层200形成多个接触区。接触区可以是圆柱状，通过光刻形成多个相互独立圆柱的接触区，当然在实际应用中，接触区也可以是棱柱等其他结构本公开实施例并不以此为限。接触区可以是接触点塞远离基底的侧面，多个接触点塞之间填充有支撑绝缘层740。
[0053] 随着技术的发展和进步动态随机存取存储器的尺寸呈现小型化趋势，其内部电容器随着几何尺寸按照摩尔定律不断减小，电容接触点与电容电极的接触电阻不断增大。由于电容接触点和电容电极接触电阻的增大，导致电容器的性能降低，为了解决这一问题公开实施例通过在接触层200和第一电极400的接触面上设置至少两级阶梯，增大接触层200和第一电极400的接触面积，减小接触电阻。
[0054] 其中，如图7所示，可以在接触区通过光刻的方式形成阶梯结构。比如，形成两级阶梯结构，可以在接触区表面中一半区域涂覆光刻胶10，对于另一半区域进行刻蚀，进而形成两级阶梯。当然在实际应用中，也可以通过多次光刻形成多级阶梯，本公开在此不复一一举例说明。
[0055] 在步骤S120中，可以形成覆盖所述接触层200的支撑层300，其中，支撑层300可以是一体成型也可以是分层成型。比如，如图8所示，支撑层300包括多层，按照远离基底100的顺序以此为第一支撑层310、第二支撑层320和第三支撑层330，其中，第二支撑层320中嵌入有氮化硅层340，第三支撑层330远离基底100的一侧设置有氮化硅层340。第一支撑层310、第二支撑层320和第三支撑层330为功能层，采用电介质材料制成，氮化硅层为骨架层，用于支撑作用。在形成支撑层300之前，可以向接触层200非接触区的区域填充绝缘材料，使得多个接触区相互绝缘。支撑层300可以通过化学气相沉积的方法形成，支撑层300材料可以是硼磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass，BPSG)等，本公开实施例对此不做具体限定。
[0056] 在步骤S130中，可以在所述支撑层300上形成一一对应的露出各所述接触区的容置孔350。
[0057] 如图9所示，容置孔350的数量和接触区的数量相同并且位置和接触区一一对应，当然在实际应用中容置孔350和接触区的数量也可以不相同，本公开实施例对此不做具体限定。其中，容置孔350可以通过光刻的方法形成，在支撑层300远离基底100的一侧图案化光刻胶10，进行光刻，直至暴露出接触区。
[0058] 在步骤S140中，可以在各所述容置孔350内形成第一电极400、第二电极600以及分隔第一电极400和第二电极600的介质层500，所述第一电极400和所述接触区接触。
[0059] 其中，如图3所示，在各所述容置孔350内形成第一电极400、第二电极600以及分隔第一电极400和第二电极600的介质层500，包括：
[0060] 步骤S310，在所述容置孔350内壁和所述支撑层300远离所述基底100的一面依次沉积第一电极材料层40、介质材料层50、第二电极材料层60、介质材料层50和第一电极材料层40，形成第一中间电容；
[0061] 步骤S320，在所述第一中间电容远离所述基底100的一端面进行减薄，直至暴露出所述支撑层300，形成第一子电极410、第一介质层510、第四子电极610、第二介质层520和第二子电极420；
[0062] 步骤S330，对部分第四子电极610进行减薄，并在减薄区域填充绝缘材料，形成第三绝缘层750；
[0063] 步骤S340，在所述第一子电极410和所述第二子电极420远离所述基底100的端面沉积第一电极400材料，形成第三子电极430，以连接第一子电极410和第二子电极420。
[0064] 在步骤S310中，可以在所述容置孔350内壁和所述支撑层300远离所述基底100的一面依次沉积第一电极材料层40、介质材料层50、第二电极材料层60、介质材料层50和第一电极材料层40，形成第一中间电容。
[0065] 其中，如图10所示，在沉积第一电极材料层40、介质材料层50、第二电极材料层60、介质材料层50和第一电极材料层40时，在支撑层300远离基底100的一侧也依次形成第一电极材料层40、介质材料层50、第二电极材料层60、介质材料层50和第一电极材料层40，也即是多个容置孔350中的电极和介质层500分别连接。第一电极材料层40、介质材料层50、第二电极材料层60、介质材料层50和第一电极材料层40将容置孔350填充为实心结构。
[0066] 在步骤S320中，可以在所述第一中间电容远离所述基底100的一端面进行减薄，直至暴露出所述支撑层300，形成第一子电极410、第一介质层510、第四子电极610、第二介质层520和第二子电极420。
[0067] 如图11所示，可以通过化学机械抛光对第一中间电容进行减薄，直至暴露出所述支撑层300，以将第一中间电容中各容置孔350内的第一电极400材料、介质层500材料和第二电极600材料形成的隔层分隔，使其相互绝缘。在步骤S310中依次沉积的第一电极材料层40、介质材料层50、第二电极材料层60、介质材料层50和第一电极材料层40，分别形成第一子电极410、第一介质层510、第四子电极610、第二介质层520和第二子电极420。
[0068] 示例的，第一子电极410、第一介质层510、第四子电极610和第二介质层520均为空心薄壁柱状结构，按照第一子电极410、第一介质层510、第四子电极610和第二介质层520的顺序嵌套，第二子电极420为实心柱状结构，设于第二介质层520的内部。
[0069] 在步骤S330中，可以对部分第四子电极610进行减薄，并在减薄区域填充绝缘材料70，形成第三绝缘层750。
[0070] 如图12所示，对部分第四子电极610进行减薄，可以通过光刻胶10遮盖部分的第四子电极610，然后进行光刻，将第四子电极610的另一部分进行回刻减薄。完成回刻减薄之后，如图13所示，在光刻胶10定义之外的区域沉积绝缘材料70，比如氮化硅。如图14所示，填充绝缘材料70完成后，进行回刻，回刻时保留第四子电极610减薄区的绝缘材料70和光刻胶10两侧的绝缘材料70。
[0071] 在步骤S340中，如图15至17所示，可以在所述第一子电极410和所述第二子电极420远离所述基底100的端面沉积第一电极400材料，形成第三子电极430，以连接第一子电极410和第二子电极420。在第一子电极410和第二子电极420远离基底100的端面设置连接区，该连接区用于沉积第三子电极430，第三子电极430电连接第一子电极410和第二子电极
420。连接区可以通过光刻胶10进行定义。
420。连接区可以通过光刻胶10进行定义。
[0072] 进一步的，如图18所示，所述电容制作方法还包括：在所述第三子电极430表面形成第一绝缘层710；如图19和20所示，对所述第一子电极410预设区域进行减薄，并在减薄区沉积绝缘材料形成第二绝缘层720，其中预设区域可以是第一子电极410远离基底100一端上暴露于第一绝缘层710之外的区域；在所述第一绝缘层710远离所述基底100的一侧沉积第五子电极620，第五子电极620和所述第四子电极610连接，第五子电极620为公共电极，和多个第四子电极610连接，为第二电极600供电。
[0073] 其中，在所述第三子电极430表面形成第一绝缘层710，包括：在第三子电极430两侧形成第一子绝缘层，第一子绝缘层可以是氮化硅层，在实际应用中第一子绝缘层可以是步骤S330中光刻胶10两侧的绝缘材料所形成的；在所述第三子电极430远离所述基底100的一侧形成第二子绝缘层，所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层连接，第二子绝缘层首先通过光刻胶10定义位置，然后进行沉积。第二子绝缘层包覆第三子电极430，以使第三子电极430和第五子电极620之间绝缘，其材料可以是氮化硅。
[0074] 值得注意的是，本公开示例性实施例所制作的为双面电容，但在实际应用中，该方法也可以制作更多面的电容，比如三面电容、四面电容等，本公开实施例并不以此为限。
[0075] 本公开实施例提供的电容器的制作方法，通过在基底100上的接触层200上设置接触区，在接触区远离基底100的表面形成至少两级阶梯结构，第一电极400和所述接触区远离基底100的表面接触，通过至少两级阶梯结构增大了接触区和第一电极400的接触面积，进而使得第一电极400和接触区的接触电阻减小，提升了电容器的性能。并且本公开提供的电容器制作方法不需要采用湿法刻蚀去除电容结构的支撑层300，制作了了双面电容，避免了相关技术中需要采用湿法刻蚀去除电容结构的支撑层，增加了电容结构的稳定性。
[0076] 需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
[0077] 本公开示例性实施例还提供一种电容器，如图4所示，所述电容器包括：基底100、接触层200、支撑层300、第一电极400、第二电极600和介质层500；接触层200设于所述基底100，所述接触层200的表面包括至少一个接触区，所述接触区远离所述基底100的表面具有至少两级阶梯结构；支撑层300设于所述基底100，并且覆盖所述接触层200，所述接触层200上形成有一一对应的露出各所述接触区的容置孔350；第一电极400形成于所述容置孔350内，并且和对应的所述接触区远离所述基底100的阶梯结构接触；第二电极600和所述第一电极400相对设置；介质层500形成于所述第一电极400和第二电极600之间。
[0078] 本公开实施例提供的电容器，通过在基底100上的接触层200上设置接触区，在接触区远离基底100的表面形成至少两级阶梯结构，第一电极400和所述接触区远离基底100的表面接触，通过至少两级阶梯结构增大了接触区和第一电极400的接触面积，进而使得第一电极400和接触区的接触电阻减小，提升了电容器的性能。并且本公开提供的电容器制作方法不需要采用湿法刻蚀去除电容结构的支撑层300，增加了电容结构的稳定性。
[0079] 下面将对本公开实施例提供的电容器的各组成部分进行详细说明：
[0080] 如图21所示，第一电极400包括第一子电极410、第二子电极420和第三子电极430，第一子电极410为顶部开口的空心桶状结构，其另一端和所述接触层200连接；第二子电极420设置于所述第一子电极410内，所述第一子电极410和所述第二子电极420之间具有间隙；第三子电极430设于所述第一子电极410的顶部，用于连接所述第一子电极410和第二子电极420。
[0081] 其中，第一子电极410的截面可以是圆环，第二子电极420的截面可以是圆形，第一子电极410和第二子电极420同轴设置，以保证沿第二子电极420的圆周方向，第一子电极410和第二子电极420的间隙相同。当然在实际应用中，第一子电极410的截面也可以是矩形环状，相应的第二子电极420的截面可以是矩形等，本公开实施例对此不做具体限定。第三子电极430位于第一子电极410和第二子电极420远离基底100的一侧并且电连接第一子电极410和第二子电极420。
[0082] 第一电极400的材料可以为金属、金属氧化物、金属氮化物或者其他导电材料，本公开对此不做特殊的限定。举例而言，在一实施方式中，第一电极400的材料可以为氮化钛、钛或者钨。其中，第一子电极410、第二子电极420和第三子电极430的材料可以相同或者不同，本公开实施例对此不做具体限定。
[0083] 如图22所示，介质层500包括第一介质层510和第二介质层520，第一介质层510形成于所述第一子电极410的内壁，用于分隔第一子电极410和第二电极600；第二介质层520形成于所述第二子电极420的表面，所述第一介质层510和所述第二介质层520之间具有间隙，第二介质层520用于分隔第二子电极420和第二电极600。其中，第一介质层510和第二介质层520厚度均匀。所述介质层500的材料为氧化铝、氧化硅、氧化锆和氮化硅中的一种或者多种。
[0084] 如图23所示，所述第二电极600包括第四子电极610和第五子电极620，所述第四子电极610设于所述第一介质层510和所述第二介质层520之间的间隙内。所述第五子电极620和所述第四子电极610连接，设于所述第四电极610的顶部。第五子电极620为公共电极，和多个第四子电极610连接，为第二电极600供电。第三子电极430和第四子电极610之间填充有第三绝缘层750。举例而言，在一实施方式中，第二电极600的材料可以为氮化钛、钛或者钨。
[0085] 进一步的为了保证第一电极400和第二电极600绝缘，所述第五子电极620和所述第三子电极430之间设置有第一绝缘层710。所述第五子电极620和所述第一子电极410之间设置有第二绝缘层720。在第三子电极430两侧形成第一子绝缘层，第一子绝缘层可以是氮化硅层在所述第三子电极430远离所述基底100的一侧形成第二子绝缘层，所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层连接，第二子绝缘层首先通过光刻胶10定义位置，然后进行沉积。第二子绝缘层包覆第三子电极430，以使第三子电极430和第五子电极620之间绝缘，其材料可以是氮化硅。
[0086] 基底100包括衬底和支撑绝缘层740；支撑绝缘层740设于所述衬底，具有容置区，所述接触层200设于所述容置区。在实际用用中，基底100还可以包括位线、字线和阵列式分布的开关元件等。在所述衬底中形成多个有源区，在衬底中形成多条字元线沟槽，沟槽贯穿有源区，对沟槽进行电介质和导线的填充，形成字元线。在上述衬底上覆盖阻挡层、导线层、介质层，利用光刻定义出位元线的线宽，再进行蚀刻，形成位元线。
[0087] 当容置孔350为圆柱状时，接触层200可以包括多个阵列式分布的圆柱状接触点塞，接触点塞远离基底100的一侧设置有至少两级阶梯，进而增大接触层200和第一电极400的接触面积，减小接触电阻。多个接触点塞之间填充有支撑绝缘层740，比如氮化硅，以使多个接触点塞相互绝缘。当然在实际应用中，接触点塞也可以是矩形柱等结构，本公开实施例并不以此为限。
[0088] 如图8所示，支撑层300可以是一体成型也可以是分层成型。比如，支撑层300包括多层，按照远离基底100的顺序以此为第一支撑层310、第二支撑层320和第三支撑层330，其中，第二支撑层320中嵌入有氮化硅层，第三支撑层330远离基底100的一侧设置有氮化硅层。第一支撑层310、第二支撑层320和第三支撑层330为功能层，采用电介质材料制成，氮化硅层为骨架层，用于支撑作用。在形成支撑层之前，可以向接触层200非接触区的区域填充绝缘材料，使得多个接触区相互绝缘。支撑层300可以通过化学气相沉积的方法形成，支撑层300材料可以是硼磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass，BPSG)等，本公开实施例对此不做具体限定。
[0089] 本公开示例性实施方式还提供一种存储装置，包括上述的电容器。本公开实施方式的存储装置采用的电容器与上述嵌入式电容结构的实施方式中的电容器结构相同，因此，具有相同的有益效果，在此不再赘述。该存储装置可以为DRAM(动态随机存取存储器)或者其他存储装置。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 具有存储电容器的成像像素 | 2020-05-12 | 809 |
| 利用铁电电容器的模拟存储器 | 2020-05-12 | 752 |
| 半导体存储元件的电容器的形成方法 | 2020-05-13 | 631 |
| 固/气双层电容器及电存储器件 | 2020-05-13 | 135 |
| 存储电容器的制造方法 | 2020-05-11 | 224 |
| 用于半导体器件的存储电容器及形成该存储电容器的方法 | 2020-05-12 | 569 |
| 薄膜存储器技术的L形电容器 | 2020-05-12 | 815 |
| 与闪速存储器集成的梳形电容器 | 2020-05-12 | 719 |
| 存储电容器、使用存储电容器的显示装置及其制造方法 | 2020-05-12 | 288 |
| 电容器薄膜的存储机构 | 2020-05-11 | 703 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈