1.一种制造晶体管的方法，包括以下步骤：
(a)提供衬底，该衬底包括单晶金刚石材料，该单晶金刚石材料具有生长表面，在该生长表面上可以沉积其它金刚石材料层，该生长表面或其区域具有3纳米或更低的均方根粗糙度或者没有大于3纳米的台阶或凸起；
(b)在该衬底生长表面上沉积多个其它金刚石层；以及
(c)将合适的接触贴附到相应的金刚石层，从而限定出晶体管结构，
其中在该衬底上沉积的所述其它金刚石层包括至少一个Δ掺杂层和至少一个相邻的器件级或本征金刚石层，其中在各层之间具有清晰限定的界面，并且所述Δ掺杂层包括硼。
2.根据权利要求1所述的方法，其中该生长表面或其区域具有低于0.5纳米的均方根粗糙度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中该生长表面或其区域具有低于0.1纳米的均方根粗糙度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中该生长表面上任何台阶或凸起的高度小于最薄的相邻层厚度的50％，所述台阶或凸起的高度被定义为该生长表面的高度在一定距离上的变化，该距离平行于该生长表面并且等于或大于最薄的相邻层的厚度。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述台阶或凸起的高度被定义为该生长表面的高度在一定距离上的变化，该距离平行于该生长表面并且等于最薄的相邻层的厚度的至少两倍。
6.根据权利要求1至5中任何一项所述的方法，其中该生长表面或其区域具有小于
3 -2
5×10mm 的位错密度。
17 -3
7.根据权利要求1至5中任何一项所述的方法，其中该衬底包括浓度小于5×10 cm的单原子替代氮。
15 -3
8.根据权利要求1至5中任何一项所述的方法，其中该衬底包括浓度大于3×10 cm的单原子替代氮。
9.根据权利要求1至5中任何一项所述的方法，其中该衬底具有小于0.9的双折射率，它由相移的正弦的模数来例证。
10.根据权利要求1至5中任何一项所述的方法，其中该衬底材料包括通过HPHT或CVD工艺制造出的金刚石。
11.根据权利要求1至5中任何一项所述的方法，还包括在衬底表面或者邻近衬底表面形成n+屏蔽层。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括利用氮或磷掺杂该屏蔽层。
20 -3
13.根据权利要求12所述的方法，其中屏蔽层中的掺杂剂浓度小于1×10 cm ，并且该屏蔽层的厚度小于150微米。
14.根据权利要求1至5中任何一项所述的方法，其中通过受控蚀刻和/或生长技术将该衬底表面处理到所需平滑度。
15.根据权利要求14所述的方法，其中该受控蚀刻和/或生长技术包括等离子体蚀刻和低速生长。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括机械抛光该衬底表面。
17.根据权利要求1至5中任何一项所述的方法，其中通过与受控蚀刻和/或生长结合的离轴抛光将该衬底表面处理到所需平滑度。
18.根据权利要求17所述的方法，其中该衬底的表面平滑度沿不同方向不相同。
19.根据权利要求1至5中任何一项所述的方法，还包括：在包括单个生长扇区的金刚石衬底材料上构造至少一个将用作晶体管结构的有源区域的区域，并且控制该生长扇区。
20.根据权利要求19所述的方法，其中用于构造多个晶体管结构的有源区域的晶片的整个表面由单个生长扇区形成，并且该生长扇区被控制。
21.根据权利要求19所述的方法，其中该衬底表面以及被选择以构造晶体管结构的有源区域的生长扇区的取向对应于任何一个用于CVD金刚石合成的初级生长扇区，即生长扇区{100}、{110}、{113}、或{111}。
22.根据权利要求19所述的方法，其中该衬底表面以及被选择以构造晶体管结构的有源区域的生长扇区的取向位于初级CVD生长扇区{100}、{110}、{113}、或{111}中的一个的15°之内。
23.根据权利要求22所述的方法，其中该初级生长扇区是{100}扇区。
24.根据权利要求22所述的方法，其中该初级生长扇区是{111}扇区。
25.根据权利要求22所述的方法，其中衬底表面相对于所选择的初级生长扇区偏移的方向位于通过其它初级生长扇区中的一个和所选择的初级生长扇区的大圆弧的15°之内。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所选择的初级生长扇区是(001)扇区，并且衬底表面相对于所选择的(001)初级生长扇区偏移的方向位于：
a)通过所选择的(001)初级生长扇区以及(111)和(110)晶体取向的大圆弧的15°之内；或者
b)通过所选择的(001)初级生长扇区以及(-111)和(-110)晶体取向的大圆弧的15°之内。
27.根据权利要求26所述的方法，其中晶体管的栅极长度的取向在情况a)中沿[-110]方向，或者在情况b)中沿[110]方向。
28.根据权利要求1所述的方法，其中限定沟道的至少一个器件级或本征金刚石材料层沉积在该Δ掺杂金刚石材料层上。
29.根据权利要求1或权利要求28所述的方法，其中该Δ掺杂层的掺杂剂浓度大于
17 -3
1×10 原子cm 。
21
30.根据权利要求1或28所述的方法，其中该Δ掺杂层的掺杂剂浓度小于5×10 原-3
子cm 。
31.根据权利要求1或28所述的方法，其中该器件级或本征金刚石包括具有小于
16 -3
1×10 cm 的残留杂质浓度的高纯度金刚石。
32.根据权利要求1或28所述的方法，其中在其上沉积其它层的层的表面上的任何台阶或凸起的高度小于最薄的相邻层的厚度的50％，所述台阶或凸起的高度被定义为在其上沉积其它层的该层的该表面的高度在一定距离上的变化，该距离平行于在其上沉积其它层的该层的该表面并且等于最薄的相邻层的厚度。
33.根据权利要求1或28所述的方法，其中在其上沉积其它层的任何层的表面具有3纳米或更低的均方根粗糙度或者没有大于3纳米的台阶或凸起。
34.根据权利要求1或28所述的方法，其中至少一个本征层沉积在相邻Δ掺杂层上，并且掺杂浓度在该Δ掺杂层和该本征层之间小于该本征层的层厚的20％的距离中下降至少1个数量级。
35.根据权利要求1或28所述的方法，其中至少一个本征层沉积在相邻Δ掺杂层上，
18 -3
并且掺杂浓度在小于10纳米的距离中升高到至少1×10 cm 。
36.根据权利要求1或28所述的方法，其中每个Δ掺杂层的厚度小于100纳米。
37.根据权利要求36所述的方法，其中每个Δ掺杂层的厚度小于20纳米。
38.根据权利要求37所述的方法，其中每个Δ掺杂层的厚度小于5纳米。
39.根据权利要求38所述的方法，其中每个Δ掺杂层的厚度小于1纳米。
40.根据权利要求28所述的方法，其中限定沟道的该器件级或本征金刚石材料层具有小于1000纳米的厚度。
41.根据权利要求40所述的方法，其中限定沟道的该器件级或本征金刚石材料层具有小于100纳米的厚度。
42.根据权利要求41所述的方法，其中限定沟道的该器件级或本征金刚石材料层具有小于10纳米的厚度。
43.根据权利要求42所述的方法，其中限定沟道的该器件级或本征金刚石材料层具有小于2纳米的厚度。
44.根据权利要求28所述的方法，还包括在邻近该沟道的凹陷中形成肖特基栅极接触。
45.根据权利要求44所述的方法，还包括利用激光烧蚀、感生石墨化和化学蚀刻、反应离子蚀刻、或电感耦合等离子体处理结合光刻工艺来形成和暴露该沟道。
46.根据权利要求44或权利要求45所述的方法，还包括通过在所述限定沟道的器件级或本征金刚石材料层上沉积金属化层来形成该栅极接触，其中该金属化层包括铝、金或铂。
47.根据权利要求1或28所述的方法，还包括在相应金刚石层上沉积欧姆源极接触和欧姆漏极接触。
48.根据权利要求47所述的方法，其中所述欧姆源极接触和所述欧姆漏极接触均直接沉积在所述至少一个Δ掺杂层中的第一Δ掺杂层上。
49.根据权利要求1或28所述的方法，其中沉积在衬底上的所述其它金刚石层包括第一Δ掺杂层和第二Δ掺杂层，它们被本征金刚石层分隔开，其中因为从这些Δ掺杂层向外扩散的电荷载流子的重叠而产生的电流流过该本征金刚石层，其中第二Δ掺杂层用于或者可容易地到达以用于形成将该晶体管连接到外部电路的接触，并且在该晶体管的栅极区中断。
50.根据权利要求49所述的方法，还包括通过金属碳化物界面形成至少一个隧道接触。
51.根据权利要求50所述的方法，其中该隧道接触的金属包括钛、铬、镍或WSi。
52.根据权利要求50所述的方法，其中该隧道接触的金属被从铂、金和铝中选择的另一金属封罩。
53.根据权利要求44所述的方法，还包括在该沟道上沉积金刚石或非金刚石钝化材料层，以在肖特基栅极接触和该沟道之间提供附加隔离。
54.根据权利要求53所述的方法，其中该钝化材料是宽带隙材料，所述宽带隙材料选自以下材料：蓝宝石、n型金刚石、本征金刚石、碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化镓铝和氮化硼。
55.根据权利要求28所述的方法，其中另一个固体层施加到限定该沟道的本征金刚石层。
56.根据权利要求55所述的方法，该另一个固体层是接触金属化的形式。
57.根据权利要求55所述的方法，该另一个固体层是栅极电介质的形式。
58.根据权利要求55所述的方法，该另一个固体层是另一个金刚石层。
59.根据权利要求1或28所述的方法，其中该Δ掺杂层是沉积在本征金刚石层上的中断Δ掺杂层。
60.根据权利要求59所述的方法，其中通过该中断Δ掺杂层和该本征金刚石层之间的界面处的栅极凹陷来限定台阶，该凹陷具有小于5纳米的深度。
61.根据权利要求1或28所述的方法，还包括将场板结合到该晶体管中。
62.根据权利要求1或28所述的方法，还包括利用n型导电衬底将后接触结合到该晶体管中。
63.根据权利要求62所述的方法，其中使用N作为用于形成该n型导电衬底的掺杂剂。
64.根据权利要求1至5中任何一项或权利要求28所述的方法，其中该晶体管结构限定场效应晶体管。
65.一种通过权利要求1的方法制造的高频晶体管，其中阈值频率FT处于0.1GHz至
500GHz的范围内，并且最大输出功率Pmax处于0.05W/mm至1000W/mm的范围内，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W/mm的最大输出功率的乘积FT×Pmax超过0.005。
66.根据权利要求65所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W/mm的最大输出功率的乘积FT×Pmax超过0.05。
67.根据权利要求66所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W/mm的最大输出功率的乘积FT×Pmax超过50000。
68.一种通过权利要求1的方法制造的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位
6
为W/mm的最大输出功率的乘积FT×Pmax不超过10。
69.根据权利要求68所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W/mm的
5
最大输出功率的乘积FT×Pmax不超过10。
70.根据权利要求69所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W/mm的
4
最大输出功率的乘积FT×Pmax不超过10。
71.根据权利要求70所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W/mm的
3
最大输出功率的乘积FT×Pmax不超过10。
72.一种通过权利要求1的方法制造的高频晶体管，其中阈值频率FT处于0.1GHz至
500GHz的范围内，并且最大输出功率Pmax处于0.05W/mm至1000W/mm的范围内，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W的器件总功率Pdev的乘积FT×Pdev超过0.005。
73.根据权利要求72所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W的器件总功率Pdev的乘积FT×Pdev超过5。
74.根据权利要求73所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W的器件总功率Pdev的乘积FT×Pdev超过50000。
75.一种通过权利要求1的方法制造的高频晶体管，其中阈值频率FT处于0.1GHz至
500GHz的范围内，并且功率Pmax处于0.05W/mm至1000W/mm的范围内，其中单位为GHz的阈
6
值频率与单位为W的器件总功率Pdev的乘积FT×Pdev不超过10。
76.根据权利要求75所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W的器
5
件总功率Pdev的乘积FT×Pdev不超过10。
77.根据权利要求76所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W的器
4
件总功率Pdev的乘积FT×Pdev不超过10。
78.根据权利要求77所述的高频晶体管，其中单位为GHz的阈值频率与单位为W的器
3
件总功率Pdev的乘积FT×Pdev不超过10。