一种用于互连的气隙结构及其制造方法
专利汇可以提供一种用于互连的气隙结构及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提出了一种用于互连的气隙结构，包括：依次排列的蚀刻终止层、填充层和第二 覆盖 层 ，填充层为相互不连通的多个通孔和沟槽结构，通孔和沟槽结构中填充有填充物，上述填充层之间具有气隙部。本发明的有益效果在于气体的 介电常数 较佳，远小于我们通常用的k约为2.5的材料，从而显著减小RC延迟，并且提高运行速度。通过该方法制造的气隙结构的 泄漏 通路较小，可以增加器件中金属线的可靠性，有利于 半导体 器件的品质。，下面是一种用于互连的气隙结构及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种用于互连的气隙结构，其特征在于包括：
依次排列的蚀刻终止层、填充层和第二覆盖层，填充层为相互不连通的多个通孔和沟槽结构，通孔和沟槽结构中填充有填充物，上述填充层之间具有气隙部，上述第二覆盖层为多孔覆盖层；
该气隙结构还包括蚀刻终止层下方依次排列的第一金属层、第一覆盖层和第一介电层，通孔和沟槽结构延伸至第一金属层，气隙部延伸至第二覆盖层中。
2.根据权利要求1所述的一种用于互连的气隙结构，其特征在于上述填充物为金属，上述气隙部内为真空或充有气体。
3.根据权利要求1所述的一种用于互连的气隙结构，其特征在于上述第二覆盖层上方还具有第三覆盖层。
4.一种用于互连的气隙结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1、提供一具有通孔的半导体衬底，包括依次排列的蚀刻终止层和第二介电层，其中，第二介电层中具有沟槽，沟槽下部填充有填充物；
步骤2、沉积第二覆盖层，而后对该第二覆盖层进行蚀刻，并且蚀刻形成穿过该第二覆盖层和第二介电层的孔洞，其中该第二覆盖层为多孔覆盖层；
步骤3、蚀刻去除该孔洞周围的介电层材料形成气隙部；
其中，步骤1中的半导体衬底还包括蚀刻停止层下方依次排列的第一金属层、第一覆盖层、第一介电层，以及第二介电层上方的化学机械研磨停止层，其中，第一覆盖层和第一介电层中还具有通孔，化学机械研磨停止层中还具有与第二介电层连通的沟槽，通孔与沟槽在蚀刻停止层连通。
5.根据权利要求4所述的一种用于互连的气隙结构的制造方法，其特征在于还包括步骤4、将第二覆盖层上部具有孔洞的部分去除，在气隙部和填充层上方的第二覆盖层上沉积一层第三覆盖层。
6.根据权利要求4所述的一种用于互连的气隙结构的制造方法，其特征在于步骤1中通过在通孔和沟槽中填充该填充物并进行化学机械研磨，去除化学机械研磨停止层和沟槽上部的填充物，使得沟槽下方具有填充物。
7.根据权利要求4所述的一种用于互连的气隙结构的制造方法，其特征在于上述气隙部内为真空或充有气体。
8.根据权利要求4所述的一种用于互连的气隙结构的制造方法，其特征在于步骤2中对该第二覆盖层进行全面蚀刻。
一种用于互连的气隙结构及其制造方法
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
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