1.一种DC-DC电源模块的技术成熟度评价方法，其特征在于：该方法的具体步骤如下：
步骤一：第一层为系统层，即DC-DC电源模块的技术成熟度，其技术成熟度评价是一项结构复杂的系统工程；
第二层为评价维度层，包括技术维度A、材料维度B、设计维度C、制造维度D和认证与检测维度E，评价维度层从属于系统层，其中，A、B、C、D分别代表技术、材料、设计和制造四个维度；
第三层为技术要素层，包括芯片组装技术T1、互连技术T2、基板部分T3、互连材料T4、封装材料T5、元器件选型T6、可靠性设计T7、工艺流程设计T8、工艺参数T9、生产能力T10、认证与检测TE，从11个技术要素着手对其技术成熟度进行综合评价，技术要素层从属于评价维度层其中，Ti表示技术要素层的技术成熟度，i＝1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,E；
第四层为评价要素层，包括2D-MCMT11、3D-MCMT12、SIP系统级封装技术T13、低温共烧陶瓷技术T14、有铅回流焊技术T21、无铅回流焊技术T22、共晶焊接技术T23、厚膜浆料T31、基片材料T32、引线材料T41、导电胶T42、粘接材料T43、底座材料与镀层T51、盖板材料与镀层T52、引线材料与镀层T53、绝缘子T54、集成电路芯片T61、半导体分立器件T62、无源器件T63、降额设计T71、热设计T72、限用工艺T81、多层布线工艺T91、引线键合工艺T92、制造成熟度T10，1、合格产品目录(即QPL)TE1、合格制造商目录即QML、TE2和破坏性物理分析即DPA、TE3，其中Tij表示从属技术要素的评价要素的技术成熟度，j＝1,2,3,4；i＝1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,E；
T、Ti、Tij的取值范围均为[0，1]，DC-DC电源模块的技术成熟度的评价通过评价要素的量值开展；T∈[0，0.5)，表示应用该器件风险很大，不能选用；T∈[0.5，0.7)，表示应用该器件风险较大，慎重选用；T∈[0.7，0.9)，表示应用该器件风险较小，能选用；T∈[0.9，1]，表示应用该器件风险很小，推荐选用；
步骤二：建立DC-DC电源模块的技术成熟度评价模型：以技术成熟度评价体系框架为基础，用AHP得到DC-DC电源模块各维度的技术成熟度；用KPA结合成熟度模型、 产品化和鉴定检验等之间的关联，对认证与检测维度，制定相对应的关键过程域，以AHP所得结果为主，结合KPA中设定的上限或下限对技术成熟度进行最终的判定；
其中，用AHP得到DC-DC电源模块各维度的技术成熟度的具体步骤如下：
(1)把DC-DC电源模块的技术成熟度评价分层：分为目标层、准则层和决策层，目标层为DC-DC电源模块的技术成熟度，准则层包括技术维度、材料维度、设计维度、制造维度共四个要素，决策层为需要进行评价的某一款DC-DC电源模块；
(2)比较尺度：对准则层中的四个维度对目标层的影响程度进行两两比较，A、B、C、D分别对应技术、材料、设计和制造四个维度；比较结果分九个等级，其中五个明确的表述等级：
A与B相比影响相同；A与B相比影响稍强；A与B相比影响强；A与B相比影响明显强；A与B相比影响极端强；另外四个等级为介于上述两个相邻等级之间；比较结果填写在如表1所示的关系表中；
表1 准则层中四个维度的关系表
准则 技术维度A 材料维度B 设计维度C 制造维度D
技术维度A －      
材料维度B － －    
设计维度C － － －  
制造维度D － － － －
(3)构建比较矩阵：以aij表示第i个要素与第j个要素相比影响的强弱程度，将各维度之间影响比较结果按表2中的对应关系量化，并由此构建成对比较矩阵A＝(aij)4×4；其中，i＝
1,2,3,4；j＝1,2,3,4；i＝j时，aij＝1；aij×aji＝1；
表2 描述语句与量化原则
(4)计算各维度权重向量，即 设 为技术、材料、设计、
制造四个维度的权重向量，本发明采用算数平均法，权重向量的计算如公式(1)所示；

式(1)中：aij表示第i个要素与第j个要素相比影响的强弱程度；i＝1,2,3,4；j＝1,2,3,
4；k＝1,2,3,4；
(5)一致性检验：以上述权重向量 作为特征向量求出与之相对应的成
对比较矩阵A的特征值λ，定义一致性指标 其中n为A的对角线元素之和；定义随
机一致性指标RI，其中，RI的取值如表3所示，N表示矩阵A的阶数；当一致性比率
时，认定A的不一致程度符合要求，A的归一化特征向量  即为
技术成熟度综合评价所需的四个维度的权重向量  当一致性比率
时，则需要重新进行尺度比较，对成对比较矩阵A进行调整；
表3 随机一致性指标RI的取值
N 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

RI 0 0 0.58 0.90 1.12 1.24 1.32 1.41 1.45 1.49 1.51
其中，应用KPA中设定的上限或下限对技术成熟度进行最终的判定的具体步骤为：
(1)应用KPA的理论对最终结果进行上下限的限定：应用KAP对认证与检测维度下属三个评价要素——QPL、QML和DPA进行量化，量化原则如表4所示；
表4 评价要素量化原则及其关键过程域量化原则
TE的评价要素 量化原则
是否为QPL产品 是：TE1＝1；否：TE1＝0
是否为QML生产线生产的产品 是：TE2＝1；否：TE2＝0
是否做过完整的DPA 是：TE3＝1；否：TE3＝0
(2)计算认证与检测的技术成熟度TE：其技术成熟度如公式(2)所示，
TE＝max(TE1，TE2，TE3)   (2)
式(2)中：TE1，TE2，TE3分别为QPL、QML和DPA的技术成熟度；
QPL、QML和DPA是元器件选型的重要依据，满足三项中的任何一项，该电路的技术成熟度不应低于0.8；不满足这三项要求，该电路的技术成熟度不应高于0.8；运用KAP，将该项准则对DC-DC电源模块的技术成熟度进行上下限的限制，具体量化原则如表5所示；
表5 关键过程域所对应的上下限及其量化关系
步骤三：计算DC-DC电源模块的技术成熟度：得到技术维度、材料维度、设计维度和制造维度的技术要素的成熟度量值，从而计算得到DC-DC的技术成熟度，进而对DC-DC电源模块的技术成熟度的结果进行分析和评价；
计算各维度的成熟度量值的具体步骤如下：
(1)基于文献统计的技术成熟度评价模型，对各技术维度的要素进行技术成熟度评价，得到各技术的文献累计量以后，应用logistic函数 对各个子技术的文献统计
数量进行最小二乘法拟合，拟合的结果中最小值为各技术维度的成熟度 量值，即：
T1＝min(T1j)，T2＝min(T2j)   (3)
式(3)中：T1和T2分别表示芯片组装技术和互连技术的成熟度量值，Tij表示从属技术维度的评价要素的技术成熟度，i＝1，2；j＝1,2,3,4；
(2)基于模糊层次综合优选模型，对材料维度的基板部分、互连材料和封装材料，设计维度的元器件选型、可靠性设计和工艺流程设计进行语言描述，将描述语句进行量化得到对应的成熟度量值，即：
T3＝min(T3j)，T4＝min(T4j)，T5＝min(T5j)   (4)
式(4)中：T3、T4和T5分别表示基板部分、互连材料和封装材料的成熟度量值，Tij表示从属材料维度的评价要素的技术成熟度，i＝3,4,5；j＝1,2,3,4；

式(5)中：T6表示元器件选型的技术成熟度；n表示电子元器件的个数；ti表示单个元器件的技术成熟度；
T7＝min(T71，T72)   (6)
式(6)中：T7表示可靠性设计的技术成熟度；T71表示降额设计的技术成熟度；T72表示热设计的技术成熟度；

式(7)中：T8表示工艺流程设计的技术成熟度；m表示限用工艺和不合理工艺顺序的数量；
(3)计算制造维度的综合工艺参数和生产能力的技术成熟度量值，即：
综合工艺参数成熟度量值T9的计算方法为：
T9＝min(T91，T92)   (8)
式(8)中：T91表示多层布线工艺的成熟度量值；T92表示引线键合工艺的成熟度量值；
生产能力成熟度量值的计算方法为：针对DC-DC电源模块的选用，考虑生产厂家 的生产能力，并根据其生产能力相对应的制造成熟度等级即MRL进行量化，即生产能力成熟度量值T10和制造成熟度T10，1相等，T10，1量化值如表6所示；
表6 制造成熟度量值表
其中，计算DC-DC电源模块的技术成熟度并对其结果进行分析和评价的具体步骤为：
(1)应用AHP计算DC-DC电源模块的技术成熟度量值：由步骤二把维度层的权重指标传递到技术要素层，设第i个技术要素的权重指标为ωi ，则有
由步骤三得到各技术要素的技术成熟
度Ti＝min(Tij)及对应的权重向量 计算能得DC-DC电源模块的技术成熟
度量值T0，即：

式(9)中：ωi表示第i个技术要素的权重指标；Ti表示各技术要素的技术成熟度；i＝1,
2,…,10；
(2)应用KAP确定DC-DC电源模块的技术成熟度量值：由步骤二认证与检测的技术成熟度TE＝max(TEi)对所得的T0进行上下限的界定，根据步骤一中所述的评价内容对DC-DC电源模块的技术成熟度进行分析评价；
通过以上所述步骤，能分析得到一款DC-DC电源模块的技术成熟度评价体系框架，得到其与技术成熟度相关的关键技术参数，运用AHP和KPA相结合的方法，构建DC-DC电源模块的技术成熟度评价模型，将半定性、半定量的问题转化为定量计算，准确得到DC-DC电源模块的技术成熟度量值，通过所得到的结果对DC-DC技术成熟度进行评价，即各项技术是否已成熟，各项材料的使用是否得到应用验证，工艺能力是否得到验证，元器件选型是否合理，设计是否符合规范，是否使用限用工艺和禁用工艺，是否具有较高的可靠性，是否存在应用风险，解决了用户对元器件存在的“不敢选”、“选不好”、“用不对”、“不好用”问题，为用户选用提供了有效且可靠的依据。
2.根据权利要求1所述的一种DC-DC电源模块的技术成熟度评价方法，其特征在于：
在步骤三式(4)中所述“Tij表示从属材料维度的评价要素的技术成熟度”的计算方法是：
基板部分、互连材料和封装材料的描述语句如表7所示：
表7 材料技术成熟度模型描述语句
材料描述语句量化方法为：描述语句为“广泛应用”：Ai＝1；描述语句为“偶有应用”：Ai＝0.67；描述语句为“少有应用”：Ai＝0.33；描述语句为“未曾应用”：Ai＝0.1；描述语句为“是”：A5＝1，A6＝1，A7＝1；描述语句为“否”：A5＝0，A6＝0，A7＝0；另外，若A7＝0，则该要素的技术成熟度T5j＝0，因此，
对于D级电路，该材料的技术成熟度为：
Tij＝max(A1，A2，A3，A4，0.7A5)-0.3A6  (10)
对于G级电路，该材料的技术成熟度为：
Tij＝max(A1，A2，A3，0.6A4，0.7A5)-0.3A6  (11)
对于H级电路，该材料的技术成熟度为：
Tij＝max(A1，A2，0.6A3，0.5A4，0.7A5)-0.3A6  (12)
对于K级电路，该材料的技术成熟度为：
Tij＝max(A1，0.6A2，0.5A3，0.4A4，0.7A5)-0.3A6  (13)
式(10)～(13)中：Tij表示基板部分、互连材料和封装材料的技术成熟度，i＝3,4,5；j＝
1,2,3,4。
3.根据权利要求1所述的一种DC-DC电源模块的技术成熟度评价方法，其特征在于：
在步骤三式(5)中所述“ti表示单个元器件的技术成熟度”的计算方法是：
以问题答案的百分比来表征元器件选型成熟度的等级，在一个DC-DC电源模块中往往会包含数十个电子元器件，把每一个电子元器件的技术成熟度ti看作一个问题，则单个元器件的技术成熟度为：
ti＝a4×[max(a1，0.7a2，0.5a3)]  (14)
式(14)中a1、a2、a3、a4分别表示“是否军用元器件”、“是否经过二筛且DPA合格的军温级元器件”、“是否工业级元器件或更高等级的元器件”和“是否为禁用元器件”表达的量值，其中，a1、a2、a3、a4的量化原则如表8所示；ti表示单个元器件的技术成熟度；
表8 元器件选型的量化原则
评价要素 量化原则
是否军用元器件a1 是，a1＝1；否，a1＝0
是否经过二筛且DPA合格的军温级元器件a2 是，a2＝1；否，a2＝0
是否工业级元器件或更高等级的元器件a3 是，a3＝1；否，a3＝0
是否为禁用元器件a4 是，a4＝1；否，a4＝0
。
4.根据权利要求1所述的一种DC-DC电源模块的技术成熟度评价方法，其特征在于：
在步骤三式(6)中所述“T71表示降额设计的技术成熟度”、“T72表示热设计的技术成熟度”的计算方法是：
可靠性设计的描述语句如表9所示：
表9 可靠性设计综合评价所需数据
设计描述语句量化方法为：对“Ⅰ级降额”、“Ⅱ级降额”、“Ⅲ级降额”和“没有降额”四种情况进行赋值，分别为1，0.9，0.7，0.1，因此，
集成电路芯片降额设计的技术成熟度为

式(15)中：XA为集成电路芯片降额设计的技术成熟度；A1、A2、A3分别为集成电路芯片中Ⅰ级降额、Ⅱ级降额和Ⅲ级降额的数量，nA为集成电路芯片总数量；
集成电路芯片热设计的技术成熟度为：

式(16)中：YA为集成电路芯片热设计的技术成熟度；A4为集成电路芯片中确定其工作温度在额定温度以下的芯片数量；nA为集成电路芯片总数量；
半导体分立器件降额设计的技术成熟度为：

式(17)中：XB为半导体分立器件降额设计的技术成熟度；B1、B2、B3分别为半导体分立器件中Ⅰ级降额、Ⅱ级降额和Ⅲ级降额的数量；nB为半导体分立器件总数量；
半导体分立器件热设计的技术成熟度为：

式(18)中：YB为半导体分立器件热设计的技术成熟度；B4为半导体分立器件中确定其工作温度在额定温度以下的芯片数量；nB为半导体分立器件总数量；
无源元件降额设计的技术成熟度为

式(19)中：XC为无源元件降额设计的技术成熟度；C1、C2、C3分别为无源元件 中Ⅰ级降额、Ⅱ级降额和Ⅲ级降额的数量；nC为无源元件总数量；
无源元件热设计的技术成熟度为：

式(20)中：YC为无源元件热设计的技术成熟度；C4为无源元件中确定其工作温度在额定温度以下的元件数量；nC为无源元件总数量；
因此，降额设计的技术成熟度为：
T71＝0.5XA+0.4XB+0.1XC  (21)
式(21)中：T71为降额设计的技术成熟度；XA、XB、XC分别表示集成电路芯片降额设计、半导体分立器件降额设计和无源元件降额设计的技术成熟度；
热设计的技术成熟度为：
T72＝0.5YA+0.3YB+0.2YC  (22)
式(22)中：T72为热设计的技术成熟度；XA、XB、XC分别表示集成电路芯片热设计、半导体分立器件热设计和无源元件热设计的技术成熟度。
5.根据权利要求1所述的一种DC-DC电源模块的技术成熟度评价方法，其特征在于：
在步骤三式(7)所述的“限用工艺”、“不合理工艺顺序”，通过统计为：
常见的限用工艺有：①元件叠装即一个器件装在另一个上；②用导电环氧进行电连接；
③铝金属区上涂充银环氧；④用导电环氧作为导体，尤其是不能用导电环氧代替线焊；⑤用导电环氧做线圈的电连接，线圈应该用微缝熔焊焊到基片上，再用环氧增加机械强度；⑥在混合电路中使用有助焊剂的焊锡，建议使用真空焊接系统，以避免使用助焊剂；⑦含有金-铝键合点；⑧在气密封装中使用有机灌封或涂覆材料；⑨在密封混合电路封装中使用带壳器件；⑩引线中心距不标准的混合电路封装； 从一个元件到另一个元件直接线焊； 高元件间线焊； 直接对高的元件，器件及封装壁线焊；
直接关系到DC-DC的应用风险的不合理工艺顺序现已明确且危害较大的有：①铝线键合经历回流焊；②元器件经历超声波清洗。
6.根据权利要求1所述的一种DC-DC电源模块的技术成熟度评价方法，其特征在于：
在步骤三式(8)中所述的“T91表示多层布线工艺的成熟度量值”的计算方法是：
多层布线工艺分为厚膜多层布线工艺、LTCC基板多层布线工艺和AlN基板多层布线工艺共三种，各类工艺的技术成熟度为：
厚膜多层布线工艺的计算方法如表10所示，该工艺技术成熟度为：

式(23)中：T91表示厚膜混合集成电路的多层布线工艺技术成熟度；X1、X2、X3为风险因子，表征该项参数不超出生产厂家工艺水平的程度；
表10 厚膜多层布线工艺技术成熟度计算方法
LTCC基板多层布线工艺的计算方法如表11所示，该工艺技术成熟度为：

式(24)中：T91表示LTCC基板的多层布线工艺的技术成熟度；X1、X2、X3为风险因子，表征该项参数不超出生产厂家工艺水平的程度；
表11 LTCC基板多层布线工艺技术成熟度计算方法
AlN基板多层布线工艺的计算方法如表12所示，该工艺技术成熟度为：

式(25)中：T91表示AlN基板多层布线工艺的技术成熟度；X1、X2为风险因子，表征该项参数不超出生产厂家工艺水平的程度；
表12 AlN基板多层布线工艺技术成熟度计算方法
7.根据权利要求1所述的一种DC-DC电源模块的技术成熟度评价方法，其特征在于：
在步骤三式(8)中所述的“T92为引线键合工艺的成熟度量值”的计算方法是：
引线键合工艺中与技术成熟度相关的参数有，引线材料、焊盘间距、引线直径、Au-Al键合点和回流焊的影响，引线键合的计算方法如表13所示，其技术成熟度为：

式(26)中：T92表示引线键合工艺的技术成熟度；X1、X2、X3为风险因子，表征 该项参数不超出生产厂家工艺水平的程度；
表13 引线键合技术成熟度计算方法