1.一种数据存储器件，包括：
多个单元选择部，形成在基板中；
板导电图案，覆盖所述单元选择部，所述板导电图案电连接到所述单元选择部的第一端子；
多个贯通柱，穿透所述板导电图案，所述多个贯通柱与所述板导电图案绝缘；以及多个数据存储部，分别直接连接到所述多个贯通柱，
其中所述数据存储部分别电连接到所述单元选择部的第二端子。
2.根据权利要求1所述的数据存储器件，其中在平面图中，每个所述贯通柱与连接到所述贯通柱的所述数据存储部重叠。
3.根据权利要求1所述的数据存储器件，其中每个所述数据存储部直接连接到相应的贯通柱的顶表面；
其中每个所述数据存储部通过相应的贯通柱电连接到单元选择部的第二端子；以及其中所述数据存储部设置在所述板导电图案上方。
4.根据权利要求3所述的数据存储器件，还包括：
设置在所述数据存储部上的位线，
其中在平面图中，所述数据存储部沿行和列布置，以及
其中每条所述位线电连接到构成每个所述行的所述数据存储部。
5.根据权利要求1所述的数据存储器件，其中每个所述数据存储部设置在相应的贯通柱下面，使得每个所述数据存储部直接连接到相应的贯通柱的底表面；以及其中所述板导电图案覆盖所述数据存储部。
6.根据权利要求5所述的数据存储器件，还包括：
设置在所述贯通柱上的位线，
其中在平面图中，所述贯通柱沿行和列布置，以及
其中每条所述位线连接到构成每个所述行的所述贯通柱的顶表面。
7.根据权利要求1所述的数据存储器件，其中所述板导电图案具有多个板孔；
其中所述多个贯通柱分别穿过所述多个板孔；以及
其中所述板孔彼此间隔开。
8.根据权利要求1所述的数据存储器件，其中每个所述单元选择部是场效应晶体管；
其中每个所述单元选择部的第一源/漏区和第二源/漏区分别与所述第一端子和所述第二端子相应；以及
其中每个所述单元选择部的栅电极设置在形成于所述基板中的凹陷区中。
9.一种数据存储器件，包括：
多个单元选择部，至少部分地形成在基板中；
第一层间电介质层、板导电图案和第二层间电介质层，顺序地层叠在所述单元选择部上，所述板导电图案覆盖所述单元选择部，所述板导电图案电连接到所述单元选择部的第一端子；
多个贯通柱，依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层，所述多个贯通柱分别电连接到所述单元选择部的第二端子，所述多个贯通柱与所述板导电图案绝缘；以及
多个数据存储部，设置在所述第二层间电介质层上，所述多个数据存储部分别连接到所述贯通柱的顶表面。
10.根据权利要求9所述的数据存储器件，还包括：
位线，设置在所述数据存储部上，
其中在平面图中，所述数据存储部沿行和列布置，以及
其中每条所述位线电连接到构成每个所述行的所述数据存储部的顶表面。
11.根据权利要求9所述的数据存储器件，其中所述多个贯通柱分别设置在依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层的多个通孔中，以及其中每个所述贯通柱通过设置在每个所述通孔的内部侧壁与每个所述贯通柱之间的绝缘间隔物而与所述板导电图案绝缘。
12.根据权利要求9所述的数据存储器件，其中所述多个贯通柱分别设置在依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层的多个通孔中，其中每个所述贯通柱通过设置在每个所述贯通柱与所述板导电图案之间的绝缘体而与所述板导电图案绝缘；以及
其中所述绝缘体包括通过对经每个所述通孔的内部侧壁暴露的所述板导电图案执行处理工艺而形成的材料。
13.根据权利要求9所述的数据存储器件，其中所述单元选择部包括：
多个单元有源部分，定义在所述基板中且沿行和列布置；
成对的单元栅电极，分别设置在与构成每个所述列的所述单元有源部分交叉的成对的单元凹陷区中；
单元栅电介质层，设置在每个所述单元栅电极与所述基板之间；
第一源/漏区，形成在所述成对的单元栅电极之间的每个所述单元有源部分中，所述第一源/漏区与所述第一端子相应；以及
成对的第二源/漏区，分别形成在每个所述单元有源部分的两个边缘区域中，其中所述第二源/漏区与所述第二端子相应，所述成对的单元栅电极设置在所述成对的第二源/漏区之间。
14.根据权利要求13所述的数据存储器件，其中形成在每个所述单元有源部分中的所述成对的单元栅电极、所述第一源/漏区和所述成对的第二源/漏区构成成对的所述单元选择部；以及
其中所述成对的所述单元选择部共用形成在每个所述单元有源部分中的所述第一源/漏区。
15.根据权利要求13所述的数据存储器件，还包括：
器件隔离图案，设置在所述基板中以定义平行于所述行延伸的多个有源线图案；
多个隔离栅电极，分别设置在交叉所述有源线图案和所述器件隔离图案的多个隔离凹陷区中；以及
隔离栅电介质层，设置在每个所述隔离栅电极与每个所述隔离凹陷区的内表面之间，其中所述隔离凹陷区将每个所述有源线图案划分为所述单元有源部分。
16.根据权利要求15所述的数据存储器件，其中隔离电压在操作期间被施加到所述隔离栅电极；以及
其中所述隔离电压防止沟道形成在所述隔离凹陷区的所述内表面下面的所述有源线图案中。
17.根据权利要求15所述的数据存储器件，其中所述隔离栅电极由与所述单元栅电极相同的材料形成；以及
其中所述隔离栅电极平行于所述单元栅电极延伸。
18.根据权利要求15所述的数据存储器件，还包括：
盖电介质图案，分别设置在所述单元栅电极上的所述单元凹陷区中以及所述隔离栅电极上的所述隔离凹陷区中。
19.根据权利要求13所述的数据存储器件，还包括：
接触线图案，穿透所述第一层间电介质层，所述接触线图案连接到构成每个所述列的所述单元有源部分中的所述第一源/漏区，
其中所述接触线图案平行于所述列延伸，所述板导电图案通过所述接触线图案电连接到所述第一源/漏区。
20.根据权利要求13所述的数据存储器件，还包括：
多个接触柱，穿透所述第一层间电介质层，所述多个接触柱分别连接到所述第一源/漏区，
其中所述板导电图案通过所述接触柱电连接到所述第一源/漏区。
21.一种数据存储器件，包括：
多个单元选择部，至少部分地形成在基板中；
下电介质层，设置在所述单元选择部上；
多个数据存储部，设置在所述下电介质层上；
第一层间电介质层、板导电图案和第二层间电介质层，顺序地层叠在所述数据存储部上；以及
多个贯通柱，依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层，所述多个贯通柱分别连接到所述数据存储部的顶表面，
其中所述贯通柱与所述板导电图案绝缘，所述板导电图案电连接到所述单元选择部的第一端子，所述数据存储部分别电连接到所述单元选择部的第二端子。
22.根据权利要求21所述的数据存储器件，还包括：
位线，设置在所述第二层间电介质层上，
其中在平面图中，所述贯通柱沿行和列布置；以及
其中每条所述位线连接到构成每个所述行的所述贯通柱的顶表面。
23.根据权利要求21所述的数据存储器件，还包括：
多个下柱，穿透所述下电介质层，
其中每个所述下柱将每个所述数据存储部连接到相应的单元选择部的所述第二端子。
24.根据权利要求21所述的数据存储器件，其中所述多个贯通柱分别设置在依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层的多个通孔中，并且分别暴露所述数据存储部；以及
其中每个所述贯通柱通过设置在每个所述通孔的内部侧壁与相应的贯通柱之间的绝缘间隔物而与所述板导电图案绝缘。
25.根据权利要求21所述的数据存储器件，其中所述多个贯通柱分别设置在依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层并且分别暴露所述数据存储部的多个通孔中；以及
其中每个所述贯通柱通过设置在每个所述贯通柱与所述板导电图案之间的绝缘体而与所述板导电图案绝缘；以及
其中所述绝缘体包括通过对经每个所述通孔的内部侧壁暴露的所述板导电图案执行处理工艺而形成的材料。
26.根据权利要求21所述的数据存储器件，还包括：
接触线图案，依次穿透所述第一层间电介质层和所述下电介质层，
其中在平面图中，所述接触线图案沿一个方向延伸，并连接到沿所述一个方向布置的所述第一端子；以及
其中所述板导电图案通过所述接触线图案电连接到所述第一端子。
27.根据权利要求21所述的数据存储器件，还包括：
接触柱，依次穿透所述第一层间电介质层和所述下电介质层，
其中所述接触柱分别连接到所述第一端子；以及
其中所述板导电图案通过所述接触柱电连接到所述第一端子。
28.一种制造数据存储器件的方法，所述方法包括：
在基板中形成单元选择部；
相继形成第一层间电介质层、板导电图案和第二层间电介质层，所述板导电图案电连接到所述单元选择部的第一端子；
形成依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层的多个贯通柱，所述多个贯通柱与所述板导电图案绝缘；以及
形成分别直接连接到所述多个贯通柱的多个数据存储部，
其中所述数据存储部分别电连接到所述单元选择部的第二端子。
29.根据权利要求28所述的方法，其中所述数据存储部形成在所述第二层间电介质层上；以及
其中所述数据存储部分别与所述贯通柱的顶表面接触。
30.根据权利要求29所述的方法，还包括：
形成填充所述数据存储部之间的空间的第三层间电介质层；以及
在所述第三层间电介质层上形成位线，
其中在平面图中，所述数据存储部沿行和列布置，以及
其中每条所述位线电连接到构成每个所述行的所述数据存储部。
31.根据权利要求29所述的方法，在形成所述板导电图案之前，该方法还包括：
形成穿透所述第一层间电介质层的接触线图案或接触柱，
其中所述板导电图案通过所述接触线图案或所述接触柱电连接到所述单元选择部的所述第一端子。
32.根据权利要求28所述的方法，其中所述数据存储部在形成所述第一层间电介质层之前形成；
其中所述板导电图案覆盖所述数据存储部；以及
其中所述多个贯通柱分别设置在依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层并且分别暴露所述数据存储部的多个通孔中。
33.根据权利要求32所述的方法，在形成所述数据存储部之前，该方法还包括：
在所述单元选择部上形成下电介质层；以及
形成穿透所述下电介质层的下柱，所述下柱分别连接到所述单元选择部的所述第二端子，
其中所述数据存储部分别连接到所述下柱的顶表面。
34.根据权利要求33所述的方法，还包括：
在形成所述板导电图案之前，形成依次穿透所述第一层间电介质层和所述下电介质层的接触线图案或接触柱，
其中所述板导电图案通过所述接触线图案或所述接触柱电连接到所述单元选择部的所述第一端子。
35.根据权利要求32所述的方法，还包括：
在所述第二层间电介质层上形成位线，
其中在平面图中，所述贯通柱沿行和列布置；以及
其中每条所述位线电连接到构成每个所述行的所述贯通柱。
36.根据权利要求28所述的方法，其中形成所述贯通柱包括：
形成依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层的通孔，所述通孔彼此间隔开；
分别在所述通孔的内部侧壁上形成绝缘间隔物；以及
分别在具有所述绝缘间隔物的所述通孔中形成所述贯通柱。
37.根据权利要求28所述的方法，其中形成所述贯通柱包括：
形成依次穿透所述第二层间电介质层、所述板导电图案和所述第一层间电介质层的通孔，所述通孔彼此间隔开；
对通过所述通孔的内部侧壁暴露的所述板导电图案执行处理工艺以形成绝缘体；以及分别在具有所述绝缘体的所述通孔中形成所述贯通柱，
其中所述处理工艺包括氧化工艺和氮化工艺中的至少一种。
38.根据权利要求37所述的方法，还包括：
在执行所述处理工艺之后并且在形成所述贯通柱之前，执行各向异性蚀刻工艺以去除在所述通孔的底表面上的副产物，
其中所述副产物由所述处理工艺产生。
39.根据权利要求28所述的方法，其中形成所述单元选择部包括：
在所述基板中形成器件隔离图案从而定义平行延伸的有源线图案；
形成交叉所述有源线图案和所述器件隔离图案的凹陷区，其中所述凹陷区包括将有源线图案划分为单元有源部分的隔离凹陷区以及交叉所述单元有源部分的单元凹陷区；
在每个所述隔离凹陷区的内表面上形成隔离栅电介质层以及在每个所述单元凹陷区的内表面上形成单元栅电介质层；
在每个所述隔离凹陷区中形成隔离栅电极以及在每个所述单元凹陷区中形成单元栅电极；以及
在每个栅电极的两侧在所述单元有源部分中形成源/漏区。
40.根据权利要求39所述的方法，其中成对的所述单元栅电极交叉彼此相邻的一对所述隔离凹陷区之间的所述单元有源部分以及所述器件隔离图案；
其中形成在每个所述单元有源部分中的所述成对的单元栅电极分别包括于成对的所述单元选择部中；
其中所述成对的单元选择部共用形成在所述成对的单元栅电极之间的所述单元有源部分中的第一源/漏区；
其中所述成对的单元选择部包括分别形成在所述单元有源部分的两个边缘区域的成对的第二源/漏区；以及
其中所述第一源/漏区与所述第一端子相应，所述第二源/漏区与所述第二端子相应。
41.一种数据存储器件，包括：
基板；
形成阵列的多个数据存储元件；
多个贯通柱，每个贯通柱将所述基板的多个第一源/漏区中的其中一个连接到所述数据存储元件的其中一个；以及
板导电图案，设置在所述基板的所述多个第一源/漏区与所述数据存储元件之间，其中所述板导电图案包括多个孔，其中所述多个贯通柱穿过所述多个孔。
42.根据权利要求41所述的数据存储器件，还包括：
多个导电接触图案，连接在所述板导电图案与所述基板的多个第二源/漏区之间，其中每个接触图案将所述板导电图案电连接到所述基板的所述第二源/漏区中的至少一个。
43.根据权利要求42所述的数据存储器件，其中：
所述多个第一源/漏区和所述多个第二源/漏区是形成存储器的单元选择部的晶体管的部分；以及
所述数据存储元件配置用于存储数据位。
44.根据权利要求41所述的数据存储器件，还包括：
位线，连接到所述多个数据存储元件。
45.根据权利要求41所述的数据存储器件，其中：
所述板导电图案与所述多个贯通柱电绝缘。
46.根据权利要求41所述的数据存储器件，其中：
所述多个贯通柱的每一个直接连接到所述多个数据存储元件的相应数据存储元件；以及
当在平面图看时，所述多个贯通柱的每一个重叠源/漏区以及与其连接的数据存储元件。
47.根据权利要求41所述的数据存储器件，其中所述多个数据存储元件包括各磁隧道结，所述数据存储器件是磁随机存取存储器装置。
48.一种数据存储器件，包括：
基板，包括多个单元选择部；
多个数据存储部，设置在所述多个单元选择部上方；
多个位线，电连接到所述多个数据存储部，并且设置在所述多个数据存储部上方；以及板导电图案，设置在所述基板与所述多条位线之间，其中：
所述板导电图案包括多个板孔，多个贯通柱穿过所述多个板孔延伸；以及所述板导电图案电连接到所述多个单元选择部并且与所述多个数据存储部电绝缘。
49.根据权利要求48所述的数据存储器件，其中：
所述多个贯通柱分别接触所述多个数据存储部。
50.根据权利要求49所述的数据存储器件，其中：
所述多个贯通柱的顶表面接触相应的数据存储部的底表面。
51.根据权利要求49所述的数据存储器件，其中：
所述多个贯通柱的底表面接触相应的数据存储部的顶表面。
52.根据权利要求48所述的数据存储器件，其中：
所述多个数据存储部形成阵列。
53.根据权利要求48所述的数据存储器件，其中所述多个单元选择部包括多个第一源/漏区，且还包括：
多个导电接触图案，连接在所述板导电图案与所述多个第一源/漏区之间。
54.根据权利要求48所述的数据存储器件，其中所述数据存储器件是磁随机存取存储器装置、相变随机存取存储器装置或电阻随机存取存储器的其中之一。