电熔丝及其制造方法
专利汇可以提供电熔丝及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种改进的电熔丝（e-熔丝）装置（200）包括：具有第一顶面（108）的 电介质 层（102）；嵌入到电介质层（102）中的两个导电元件（104、106）；以及熔丝元件（122）。每个导电元件（104、106）均具有第二顶面（110、112）和直接位于第二顶面（110、112）上的金属 覆盖 物（114、116）。每个金属覆盖物（114、116）均具有位于电介质层（102）的第一顶面（108）上方的第三顶面（118、120）。熔丝元件（122）位于每个金属覆盖物（114、116）的第三顶面（118、120）以及所述电介质层（102）的第一顶面（108）上。还提供一种制造该e-熔丝装置（200）的方法。，下面是电熔丝及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种电熔丝（e熔丝）装置（200），包括：
电介质层（102），具有第一顶面（108）；
嵌入到所述电介质层（102）中的两个导电元件（104、106），每个导电元件（104、106）均具有第二顶面（110、112）和直接位于所述第二顶面（110、112）上的金属覆盖物（114、116），每个金属覆盖物（114、116）均具有位于所述电介质层（102）的第一顶面（108）上方的第三顶面（118、120）；以及
熔丝元件（122），位于每个金属覆盖物（114、116）的第三顶面（118、120）以及所述电介质层（102）的第一顶面（108）上。
2.根据权利要求1所述的e熔丝器装置（200），其中，所述第一顶面（108）位于所述两个导电元件（104、106）之间。
3.根据权利要求2所述的e熔丝装置（200），其中，所述熔丝元件（122）与每个金属覆盖物（114、116）的第三顶面（118、120）和所述电介质层（102）的第一顶面（108）直接机械接触。
4.根据权利要求3所述的e熔丝装置（200），其中，所述熔丝元件（122）的与所述电介质层（102）的第一顶面（108）直接机械接触的部分的顶面（128）位于所述熔丝元件（122）的与每个所述金属覆盖物（114、116）的第三顶面（118、120）直接机械接触的部分的顶面（124、126）下方，从而在所述两个金属覆盖物（114、116）之间的熔丝元件122中形成凹陷部（130）。
5.根据权利要求4所述的e熔丝装置（200），其中，所述熔丝元件（122）与每个金属覆盖物（114、116）的侧壁（132、134）直接机械接触。
6.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），其中，所述电介质层（102）的第一顶面（108）与每个导电元件（104、106）的第二顶面（110、112）基本共面。
7.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），其中，所述熔丝元件（122）的材料选自由Cu、Al、Cr、Ta、Ti、W、Mo、上述金属中两种或更多种金属的合金以及硅化多晶硅组成的组。
8.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），其中，所述熔丝元件（122）是可编程材料。
9.根据权利要求8所述的e熔丝装置（200），其中，所述熔丝元件（122）的材料选自由掺杂和未掺杂的GexSbyTez、掺杂和未掺杂的GexSby、掺杂和未掺杂的SbxTey以及掺杂和未掺杂的GexTey组成的组。
10.根据权利要求8所述的e熔丝装置（200），其中，所述熔丝元件（122）的材料选自由TiO2、NiO、WxOy、和TaxOy组成的组。
11.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），其中，所述熔丝元件（122）具有约3nm至约100nm的厚度。
12.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），其中，所述两个金属覆盖物（114、116）的材料选自由Co、Ru、Ir、Rh、Pt、Ta、W、Mn、Mo、Ni、TaN、Ti、Al和包括上述金属中至少一种金属的合金组成的组。
13.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），其中，所述两个金属覆盖物（114、116）具有约1nm至约10nm的厚度。
14.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），其中，所述电介质层（102）具有约4.0或小于4.0的介电常数。
15.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），其中，所述两个导电元件（104、106）的材料选自由Cu、Al、W、Ag、Ti、Ta和包括上述金属中至少一种金属的合金组成的组。
16.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），还包括：位于所述两个导电元件（104、
106）与所述电介质层（102）之间的扩散阻挡层。
17.根据权利要求15所述的e熔丝装置（200），其中，所述扩散阻挡层的材料选自由Ta、TaN、Ti、TiN、Ru、RuN、RuTa、RuTaN、W、WN、Co、CoW、Mn、MnO和包括上述材料中两种或更多种材料的组合所组成的组。
18.根据权利要求1所述的e熔丝装置（200），还包括：位于所述熔丝元件（122）下方的扩散阻挡衬垫层。
19.一种制造电熔丝（e熔丝）装置（200）的方法，包括：
提供嵌入有两个导电元件（104、106）的电介质层（102），所述电介质层（102）具有第一顶面（108），每个导电元件（104、106）具有第二顶面（110、112）；
在每个导电元件（104、106）的第二顶面（110、112）正上方选择性地形成金属覆盖物（114、116），每个金属覆盖物（114、116）具有位于所述电介质层（102）的第一顶面（108）上方的第三顶面（118、120）；以及
在每个金属覆盖物（114、116）的第三顶面（118、120）以及所述电介质层（102）的第一顶面（108）上形成熔丝元件（122）。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一顶面（108）位于所述两个导电元件（104、106）之间。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述熔丝元件（122）与每个金属覆盖物（114、
116）的第三顶面（118、120）和所述电介质层（102）的第一顶面（108）直接机械接触。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述熔丝元件（122）的与所述电介质层（102）的第一顶面（108）直接机械接触的部分的顶面（128）位于所述熔丝元件（122）的与每个金属覆盖物（114、116）的第三顶面（118、120）直接机械接触的部分的顶面（124、126）下方，从而在所述两个金属覆盖物（114、116）之间的熔丝元件122中形成凹陷部（130）。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述熔丝元件（122）与每个金属覆盖物（114、
116）的侧壁（132、134）直接机械接触。
24.根据权利要求19所述的方法，其中，所述电介质层（102）的所述第一顶面（108）与每个导电元件（104、106）的所述第二顶面（110、112）基本共面。
25.根据权利要求19所述的方法，其中，所述金属覆盖物（114、116）具有约1nm至约
10nm的厚度。
26.根据权利要求19所述的方法，其中，所述熔丝元件（122）具有约3nm至约100nm的厚度。
27.根据权利要求19所述的方法，其中，利用化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、化学镀或选择性电解电镀来形成所述两个金属覆盖物（114、116）。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，所述两个金属覆盖物（114、116）的材料选自由Co、Ru、Ir、Rh、Pt、Ta、W、Mn、Mo、Ni、TaN、Ti、Al和包括上述金属中至少一种金属的合金组成的组。
29.根据权利要求19所述的方法，其中，利用气相沉积法（CVD）、等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）、物理气相沉积法（PVD）、原子层沉积法（ALD）、蒸镀法、分子束外延生长法（MBE）、或溶胶－凝胶法来形成所述熔丝元件（122）。
30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述熔丝元件（122）的材料选自由Cu、Al、Cr、Ta、Ti、W、Mo、上述金属中两种或更多种金属的合金以及硅化多晶硅组成的组。
31.根据权利要求29所述的方法，其中，所述熔丝元件（122）是可编程材料。
32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述熔丝元件（122）的材料选自由掺杂和未掺杂的GexSbyTez、掺杂和未掺杂的GexSby、掺杂和未掺杂的SbxTey以及掺杂和未掺杂的GexTey组成的组。
33.根据权利要求31所述的方法，其中，所述熔丝元件（122）的材料选自由TiO2、NiO、WxOy和TaxOy组成的组。
34.根据权利要求19所述的方法，其中，所述电介质层（102）具有约4.0或小于4.0的介电常数。
35.根据权利要求19所述的方法，其中，所述两个导电元件（104、106）的材料选自由Cu、Al、W、Ag、Ti、Ta和包括上述金属中至少一种金属的合金组成的组。
36.根据权利要求19所述的方法，还包括：
采用光刻技术图案化所述熔丝元件（122）。
37.根据权利要求19所述的方法，还包括：
在所述两个导电元件（104、106）与所述电介质层（102）之间形成扩散阻挡层。
38.根据权利要求19所述的方法，还包括：
在形成所述熔丝元件（122）之前，在每个金属覆盖物（114、116）的第三顶面（118、120）和所述电介质层（102）的第一顶面（108）上形成扩散阻挡衬垫层。
电熔丝及其制造方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
132和金属覆盖物116的侧壁134直接机械接触。
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