1.一种发光器件，包括：
衬底，其具有平行于一晶面的第一表面和平行于另一不同晶面的第二表面；以及
布置在所述第二表面上的、用以发光的发光层，所述发光层具有不平行于所述第一表面的发光表面。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述衬底的所述(100)晶面，并且其中所述发光层平行于所述衬底的所述(111)晶面。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括量子阱层，所述量子阱层被配置为在所述量子阱层中通过电流时发光。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述量子阱层包括由从由InN、
InGaN、GaN、InAlN、AlInGaN、AlGaN和InGaAlP构成的组中选择的材料形成的层。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括所述衬底和所述发光层之间的缓冲层。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述缓冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于30％的反射系数。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述缓冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于50％的反射系数。
8.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述缓冲层的厚度为200到200,000埃。
9.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述缓冲层包括从由铝、氧化铝、银、氧化银、氮化银、金、氧化金、氮化金、包括铝、银或金的合金、GaN、ZnO、AlN、HfN、AlAs、SiCN、TaN和SiC构成的组中选择的材料。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：
所述衬底和所述发光层之间的下III-V族化合物层；以及
所述发光层上的上III-V族化合物层。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有在所述第一表面中形成的沟槽，并且其中所述发光层布置在所述沟槽内。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺寸。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有在所述第一表面上形成的突起，并且其中所述发光层布置在所述突起上。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，所述突起外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺寸。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括硅、氮化镓、碳化硅、氧化硅、蓝宝石、砷化镓、氮化硅或氧化锌。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括绝缘体上硅结构或具有玻璃衬底上的硅层的双层结构。
17.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层具有封装区域和大于所述封装区域的表面区域。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括在所述第一表面中限定的沟槽，并且其中所述发光层布置在所述沟槽内。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺寸。
20.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有在所述第一表面上形成的突起，并且其中所述发光层布置在所述突起上。
21.根据权利要求20所述的发光器件，其特征在于，所述突起外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺寸。
22.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述(100)晶面，并且其中所述发光层平行于所述衬底的所述(111)晶面。
23.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括量子阱层，所述量子阱层被配置为在所述量子阱层中通过电流时发光。
24.根据权利要求23所述的发光器件，其特征在于，所述量子阱层包括由从由InN、InGaN、GaN、InAlN、AlInGaN、AlGaN和InGaAlP构成的组中选择的材料形成的层。
25.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，还包括所述衬底和所述发光层之间的缓冲层。
26.根据权利要求25所述的发光器件，其特征在于，所述缓冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于30％的反射系数。
27.根据权利要求26所述的发光器件，其特征在于，所述缓冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于50％的反射系数。
28.根据权利要求25所述的发光器件，其特征在于，所述缓冲层的厚度为200到
200,000埃。
29.根据权利要求25所述的发光器件，其特征在于，所述缓冲层包括从由铝、氧化铝、银、氧化银、氮化银、金、氧化金、氮化金、包括铝、银或金的合金、GaN、ZnO、AlN、HfN、AlAs、SiCN、TaN和SiC构成的组中选择的材料。
30.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括硅、氮化镓、碳化硅、氧化硅、蓝宝石、砷化镓、氮化硅或氧化锌。
31.根据权利要求29所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括绝缘体上硅结构或具有玻璃衬底上的硅层的双层结构。
32.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括布置在所述发光层的至少一部分下的反射缓冲层，用于反射从所述发光层发射的光，其中所述反射缓冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于30％的反射系数。
33.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述反射缓冲层的厚度为200到
200,000埃。
34.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述反射缓冲层包括从由铝、氧化铝、银、氧化银、氮化银、金、氧化金、氮化金、包括铝、银或金的合金、GaN、ZnO、AlN、HfN、AlAs、SiCN、TaN和SiC构成的组中选择的材料。
35.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述反射缓冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于50％的反射系数。
36.根据权利要求35所述的发光器件，其特征在于，所述反射缓冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于70％的反射系数。
37.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述(100)晶面，并且其中所述发光表面平行于所述(111)晶面。
38.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述(111)晶面，并且其中所述发光表面平行于所述(100)晶面。
39.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括在所述第一表面中限定的沟槽，并且其中所述发光层布置在所述沟槽内。
40.根据权利要求39所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺寸。
41.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有在所述第一表面上形成的突起，并且其中所述发光层布置在所述突起上。
42.根据权利要求41所述的发光器件，其特征在于，所述突起外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺寸。
43.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括量子阱层，所述量子阱层被配置为在所述量子阱层中通过电流时发光。
44.根据权利要求43所述的发光器件，其特征在于，所述量子阱层包括由从由InN、InGaN、GaN、InAlN、AlInGaN、AlGaN和InGaAlP构成的组中选择的材料形成的层。
45.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述发光表面相对于所述第一表面成10度到90度的角。
46.根据权利要求45所述的发光器件，其特征在于，所述发光表面相对于所述第一表面成30度到60度的角。
47.根据权利要求32所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括硅、氮化镓、碳化硅、氧化硅、蓝宝石、砷化镓、氮化硅或氧化锌。
48.根据权利要求47所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括绝缘体上硅结构或具有玻璃衬底上的硅层的双层结构。
49.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在所述第一表面的一部分中形成沟槽，所述发光层布置在所述沟槽内并用以发光，以及所述沟槽外部的所述第一表面的部分包括至少一个窄于1000微米的宽度尺寸。
50.根据权利要求49所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽一部分由不平行于所述第一表面的第一沟槽表面限定。
51.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述(100)晶面，并且其中所述第一沟槽表面平行于所述(111)晶面。
52.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述衬底的所述(111)晶面，并且其中所述第一沟槽表面平行于所述衬底的所述(100)晶面。
53.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述第一沟槽表面相对于所述第一表面成10度到90度的角。
54.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括绝缘体上硅结构或具有玻璃衬底上的硅层的双层结构。
55.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽包括在所述沟槽底部的第二沟槽表面，所述第二沟槽表面平行于所述第一表面。
56.根据权利要求55所述的发光器件，其特征在于，所述第二沟槽表面与所述第一沟槽表面的面积比小于50％。
57.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有(111)晶面，并且其中所述沟槽至少一部分由平行于所述(111)晶面的四个所述第一沟槽表面限定。
58.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽具有倒金字塔形状或截顶倒金字塔形状。
59.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽具有所述衬底的所述第一表面中的开口，其中所述开口的宽度为100微米到100毫米。
60.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽具有所述衬底的所述第一表面中的开口，其中所述开口为矩形形状。
61.根据权利要求50所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括量子阱层，所述量子阱层被配置为在所述量子阱层中通过电流时发光。
62.根据权利要求49所述的发光器件，其特征在于，还包括所述衬底和所述发光层之间的缓冲层。
63.根据权利要求49所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括硅、氮化镓、碳化硅、氧化硅、蓝宝石、砷化镓、氮化硅或氧化锌。
64.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括在所述第一表面上形成的突起，其中所述发光层布置在所述突起上并用以发光。
65.根据权利要求64所述的发光器件，其特征在于，所述突起外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺寸。
66.根据权利要求64所述的发光器件，其特征在于，所述突起一部分由不平行于所述第一表面的第一突起表面限定。
67.根据权利要求66所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述(100)晶面，并且其中所述第一突起表面平行于所述(111)晶面。
68.根据权利要求66所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述衬底的所述(111)晶面，并且其中所述第一突起表面平行于所述衬底的所述(100)晶面。
69.根据权利要求66所述的发光器件，其特征在于，所述第一突起表面相对于所述第一表面成10度到90度的角。
70.根据权利要求69所述的发光器件，其特征在于，所述第一突起表面相对于所述衬底的所述第一表面成50度到60度的角。
71.根据权利要求64所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括硅、氮化镓、碳化硅、氧化硅、蓝宝石、砷化镓、氮化硅或氧化锌。
72.根据权利要求71所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括绝缘体上硅结构或具有玻璃衬底上的硅层的双层结构。
73.根据权利要求64所述的发光器件，其特征在于，所述突起具有金字塔形状或截顶金字塔形状。
74.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽一部分由不平行于所述第一表面的多个第一沟槽表面限定；
所述发光器件还包括所述第一表面的至少一部分上和所述多个第一沟槽表面上的反射缓冲层；以及
所述发光层位于所述反射缓冲层上并被配置为以使光离开所述反射缓冲层的方式发射光，以及其中所发射的光被限制在小于180度的立体角内。
75.根据权利要求74所述的发光器件，其特征在于，所发射的光被限制在窄于160度立体角的角度范围内。
76.根据权利要求75所述的发光器件，其特征在于，所发射的光被限制在窄于120度立体角的角度范围内。
77.根据权利要求76所述的发光器件，其特征在于，所发射的光被限制在窄于100度立体角的角度范围内。
78.根据权利要求74所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述(100)晶面，并且其中所述第一沟槽表面平行于所述(111)晶面。
79.根据权利要求78所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度。
80.根据权利要求74所述的发光器件，其特征在于，所述第一沟槽表面相对于所述衬底的所述第一表面成10度到90度的角。
81.根据权利要求74所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽具有所述衬底的所述第一表面中的开口，其中所述开口的宽度为100微米到100毫米。
82.根据权利要求74所述的发光器件，其特征在于，所述沟槽具有所述衬底的所述第一表面中的开口，其中所述开口为矩形形状。
83.根据权利要求74所述的发光器件，其特征在于，所述衬底包括硅、氮化镓、碳化硅、氧化硅、蓝宝石、砷化镓、氮化硅或氧化锌。
84.一种用于制造发光器件的方法，包括：
在具有平行于一晶面的第一表面和不平行于所述第一表面且平行于另一不同晶面的第二表面的衬底上形成发光层，其中所述发光层具有不平行于所述第一表面的发光表面并被配置为发光。
85.根据权利要求84所述的方法，其特征在于，还包括在所述第一表面中形成沟槽，其中所述沟槽一部分由所述第二表面限定。
86.根据权利要求84所述的方法，其特征在于，还包括在所述第一表面上形成突起，其中所述突起一部分由所述第二表面限定。
87.根据权利要求86所述的方法，其特征在于，所述衬底包括绝缘体上硅结构或具有玻璃衬底上的硅层的双层结构。
88.根据权利要求84所述的方法，其特征在于，还包括：在形成发光层的步骤之前，在所述第二表面的至少一部分上形成缓冲层。
89.根据权利要求88所述的方法，其特征在于，通过原子层沉积、金属有机化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、化学气相沉积、分子束外延或物理气相沉积，来形成所述缓冲层。
90.根据权利要求88所述的方法，其特征在于，在550℃到850℃或850℃到1250℃的温度下在所述衬底上沉积所述缓冲层。
91.根据权利要求88所述的方法，其特征在于，所述缓冲层包括从由铝、氧化铝、银、氧化银、氮化银、金、氧化金、氮化金、包括铝、银或金的合金、GaN、ZnO、AlN、HfN、AlAs、SiCN、TaN和SiC构成的组中选择的材料。
92.根据权利要求88所述的方法，其特征在于，所述缓冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于30％的反射系数。
93.根据权利要求88所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成发光层的步骤之前在所述缓冲层上形成下III-V族化合物层；以及
在所述发光层上形成上III-V族化合物层。
94.根据权利要求93所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述下III-V族化合物层上形成下电极；以及
在氧化锡层上形成上电极。
95.根据权利要求84所述的方法，其特征在于，所述发光层包括一个或多个量子阱层，所述一个或多个量子阱层被配置为在所述量子阱层中通过电流时发光。
96.根据权利要求95所述的方法，其特征在于，所述量子阱层包括由从由InN、InGaN、GaN、InAlN、AlInGaN、AlGaN和InGaAlP构成的组中选择的材料形成的层。
97.根据权利要求84所述的方法，其特征在于，所述衬底具有(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述(100)晶面，并且其中所述第二表面平行于所述(111)晶面。
98.根据权利要求84所述的方法，其特征在于，所述第二表面相对于所述第一表面成
10度到90度的角。
99.根据权利要求84所述的方法，其特征在于，所述衬底包括玻璃衬底、绝缘体上硅以及玻璃衬底上的硅层。
100.根据权利要求84所述的方法，其特征在于，所述衬底包括硅、氮化镓、碳化硅、氧化硅、蓝宝石、砷化镓、氮化硅或氧化锌。