DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法
专利汇可以提供DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及材料 表面处理 技术领域，具体公开了一种DBD低温 等离子体 产生装置及 聚合物 薄膜 表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间 位置 的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜， 覆盖 在两个 电极 上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。，下面是DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法专利的具体信息内容。
1.DBD低温等离子体产生装置，包括功率源（1）和DBD等离子体反应器（2），所述DBD等离子体反应器（2）的反应室内设置有2个金属电极（21），其中一个金属电极（21）连接功率源（1）的高压输出端，另一个金属电极（21）接地，2个金属电极（21）相对的两个端面相互平行，其特征在于，两个金属电极（21）之间设置有至少3层介质板（22），相邻介质板（22）之间具有间隙。
2.根据权利要求1所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，所述间隙的宽度为
0.5mm-3mm。
3.根据权利要求1所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，相邻介质板（22）之间设置有垫片（23）。
4.根据权利要求3所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，所述介质板（22）呈矩形状，相邻介质板（22）之间设置有4个垫片（23），4个垫片（23）分别位于介质板（22）的四个角上。
5.根据权利要求1至4任一所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，所述金属电极（21）为平板电极或圆柱形电极。
6.根据权利要求1至4任一所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，所述金属电极（21）为圆形平板状铜电极，直径为120mm-140mm，电极边缘具有3mm-6mm倒角，所述介质板（22）采用石英介质板。
7.根据权利要求1至4任一所述的DBD低温等离子体产生装置，其特征在于，还包括气瓶（3）、电阻分压器（5）和取样电阻（6）；所述DBD等离子体反应器（2）的反应室设置有进气口（25）和排气口（26），该进气口（25）通过进气管路与气瓶（3）相连，进气管路上还设置有流量计（4）；所述电阻分压器（5）的输入端连接在功率源（1）的高压输出端和与功率源（1）的高压输出端相连的金属电极（21）之间；未与功率源（1）的高压输出端相连的金属电极（21）通过取样电阻（6）接地。
8.聚合物薄膜表面处理方法，其特征在于，采用权利要求 1至4中任一所述的DBD低温等离子体产生装置进行处理，具体包括以下步骤：
S1、DBD等离子体反应器（2）通电，在所有介质板（22）之间形成稳定的放电低温等离子体；
S2、DBD等离子体反应器（2）断电，取出介质板（22），将待处理的聚合物薄膜贴到介质板（22）表面上，其中，靠近金属电极（21）的2个介质板（22）仅在远离金属电极（21）的一个表面上贴聚合物薄膜，其余介质板（22）两个表面均贴聚合物薄膜，聚合物薄膜与介质板（22）之间无气泡；
S3、将贴好聚合物薄膜的介质板（22）放回到DBD等离子体反应器（2）的反应室中；
S4、DBD等离子体反应器（2）再次通电，对聚合物薄膜进行表面处理；
S5、处理完毕后，取出介质板（22），取下聚合物薄膜。
9.根据权利要求8所述的聚合物薄膜表面处理方法，其特征在于，在将待处理的聚合物薄膜在贴到介质板（10）表面之前还进行了以下处理：
（1）将待处理的聚合物薄膜采用酒精超声清洗5分钟；
（2）将采用酒精超声清洗后的聚合物薄膜真空干燥1小时。
10.根据权利要求8所述的聚合物薄膜表面处理方法，其特征在于，步骤S5中，取下聚合物薄膜时还对与等离子体接触的一面进行标记，步骤S5之后还进行了如下处理：
（a）将步骤S5中取下的聚合物薄膜采用酒精超声清洗5分钟；
（b）将步骤（a）中采用酒精超声清洗后的聚合物薄膜真空干燥1小时。
DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法
技术领域
背景技术
发明内容
S2、DBD等离子体反应器断电，取出介质板，将待处理的聚合物薄膜贴到介质板表面上，其中，靠近金属电极的2个介质板仅在远离金属电极的一个表面上贴聚合物薄膜，其余介质板两个表面均贴聚合物薄膜，聚合物薄膜与介质板之间无气泡；
S3、将贴好聚合物薄膜的介质板放回到DBD等离子体反应器的反应室中；
S4、DBD等离子体反应器再次通电，对聚合物薄膜进行表面处理；
S5、处理完毕后，取出介质板，取下聚合物薄膜。
（b）将步骤（a）中采用酒精超声清洗后的聚合物薄膜真空干燥1小时。
2、本发明的DBD低温等离子体产生装置能够获得大面积大体积的低温放电等离子体，通过驱动功率源的功率、气体间隙距离、工作气体种类的调节，在每两个介质板之间的气体间隙获得均匀良好的低温等离子体，并用于薄膜材料表面处理，实现薄膜表面水接触角的减小、薄膜表面亲水性的改善；
3、本发明对工作条件及驱动功率源没有特殊严苛的要求，总体可产生大面积的均匀放电，对薄膜、介质及电极均无损伤，保证材料的基体特性即可，通用性强。
具体实施方式
120mm-140mm之间，电极边缘倒角选取在3mm-6mm之间即可。
本实施例中，采用的功率源1为单极性亚微秒级脉冲电源，脉冲重复频率130Hz~1kHz可调，电压幅值0~-100kV可调，脉冲宽度约230ns，脉冲上升沿约120ns；下述的DBD等离子体反应器2通电是指给DBD等离子体反应器2的反应室施加该功率源1，断电即停止施加该功率源1。
S2、DBD等离子体反应器2断电，断开电源后，取出介质板22，使用透明胶带，将待处理的聚合物薄膜四周紧贴到介质板22表面上，使聚合物薄膜位于介质板22的中间区域，通过调整胶带粘贴方法使聚合物薄膜与介质板22之间没有气泡，平整地贴在介质板22表面，其中，靠近金属电极21的2个介质板22仅在远离金属电极21的一个表面上贴聚合物薄膜，其余介质板22两个表面均贴聚合物薄膜，并对不同位置的聚合物薄膜编号；
S3、将贴好聚合物薄膜的介质板22按原位置放回到DBD等离子体反应器2的反应室中，使粘有聚合物薄膜的区域处于金属电极21之间的中间区域；
S4、DBD等离子体反应器2再次通电，对聚合物薄膜进行表面处理；
S5、在选定的处理时间后取出介质板22，此时表面处理结束，对聚合物薄膜与等离子体接触的一面（即未与介质板22贴合的一面）做标记，取下聚合物薄膜。本实施例中低温等离子体选定的处理时间为30s，处理时间30s时聚四氟乙烯薄膜表面水接触角最小，大于或小于30s时薄膜表面水接触角均会增加。
在其他外加条件不变的情况下增加气隙间距的情况下，放电等离子体的特性如功率、模式都会发生变化，图3中，分别显示了a号聚四氟乙烯薄膜和c号聚四氟乙烯薄膜处理后经酒精清洗和未经酒精清洗的情况下在不同气隙间距的DBD等离子体反应器1中处理后的平均水接触角，填充左斜线的矩形框代表未经清洗的a号聚四氟乙烯薄膜的水接触角、填充右斜线的矩形框代表未经清洗的c号聚四氟乙烯薄膜的水接触角、填充横线的矩形框代表清洗后的a号聚四氟乙烯薄膜的水接触角、填充竖线的矩形框代表清洗后的c号聚四氟乙烯薄膜的水接触角，可以看出，无论是否经清洗，a号聚四氟乙烯薄膜和c号聚四氟乙烯在不同的气隙间距下，其处理后的水接触角变化不大，表明在反应室内依然为均匀放电模式，也就是说增加介质板22数量、减小气隙间距并不会对反应室内的放大造成较大影响，因此可以在反应室内设置多层介质板22增加每次处理的聚合物薄膜的数量，从而增加单次处理的所有薄膜面积。从图3中还可以看出，a、c号聚四氟乙烯薄膜经酒精清洗后其表面水接触角并未增加太多，说明处理后的薄膜表面水接触角特性比较稳定，增加介质板22数量时，也不会对聚四氟乙烯薄膜的处理造成影响，从而可以设置多层介质板22增加一次处理薄膜的数量，从而增加单次处理的所有薄膜面积，提高处理效率。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 无铬金属表面处理剂、金属表面处理方法和金属基材 | 2020-05-11 | 54 |
| 一种镀锌钢板表面处理工艺 | 2020-05-12 | 58 |
| 铝制热交换器的表面处理方法 | 2020-05-11 | 922 |
| 表面处理 | 2020-05-13 | 987 |
| 表面处理 | 2020-05-13 | 675 |
| 铝制热交换器的表面处理方法 | 2020-05-12 | 81 |
| 金属表面处理剂及金属表面处理方法 | 2020-05-11 | 366 |
| 一种金属表面处理剂 | 2020-05-11 | 789 |
| 镀锡钢材用表面处理剂组合物以及表面处理过的镀锡钢材 | 2020-05-11 | 235 |
| 表面处理 | 2020-05-13 | 931 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
