技术领域
本发明涉及光波导器件,尤其是涉及具有使用叠层技术和光刻技术 形成的高分子树脂材料制的光波导的光波导器件。
背景技术
具有使用了高分子树脂材料制的分支光波导构造的分支光波导器件 与
石英制的分支光波导器件相比虽然光传播特性低,但却具有生产效率 特别优良、制造成本也相当低的优点,广泛用于构成光模
块的零部件。
为了说明的方便,下面对使用高分子树脂材料制的分支光波导器件 的制造工艺予以说明。实际上,使用叠层技术和光刻技术将多个分支光 波导以矩阵状制作在
硅晶片上,最后通过对硅晶片划片分割成单片来制 造。在此,对制作单个的分支光波导进行说明。设Z1-Z2为长度方向, X1-X2为宽度方向,Y1-Y2为厚度方向。
Y分支光波导器件经图9(A)、(B)、(C),图10(A)、(B)、(C), 图11(A)所示的工序制造。图11(B)表示已制成的Y分支光波导器 件1。Y分支光波导器件1的结构为高分子树脂材料制的Y分支光波导 2形成在硅基片3的上表面。Y分支光波导2由高分子树脂材料例如氟 化聚酰亚胺树脂构成的芯4和包围该芯4由相同的氟化聚酰亚胺树脂构 成的下部包层5及上部包层6构成。芯4具有Y字型,具有入射侧芯4a 和形成分支的2个分支芯4b、4c。
首先,如图9(A)所示,在硅基片3的上表面涂布氟化聚酰亚胺树 脂形成折射率为n1的下部包层5;进而,如图9(B)所示,在下部包层 5上涂布氟化聚酰亚胺树脂形成折射率为n2(>n1)的芯层10;进而, 如图9(C)所示,涂布含硅的光致抗蚀剂形成抗蚀剂层11。20为掩模 部件,其结构为在石英板21的下表面以铬形成Y字形的掩模图案22。 其次,如图10(A)所示,使掩模部件20与抗蚀剂层11密合,照射紫 外线25进行曝光并对抗蚀层11进行显像,如图10(B)所示,形成反 应性离子蚀刻(RIE)装置干蚀刻用的抗蚀层掩模12。随后,进行RIE 干蚀刻处理,如图10(C)所示,形成Y字形的芯4。在上述的干蚀刻 处理中,在将RIE装置的反应室内的
氧分压设定为例如0.6Pa的条件下 进行,以形成芯4并使其两侧面相对于硅基片3的上表面为垂直面。接 着,如图11(A)所示,除去抗蚀层掩模12,最后,涂布折射率为n1 的氟化聚酰亚胺树脂以形成
覆盖芯4的上部包层6,从而制得图11(B) 所示的Y分支光波导器件1。
发明人经研究发现,所制得的Y分支光波导器件1的一部分如图12 (A)、(B)所示那样,在下部包层5中沿芯4的侧面的下端部分中的单 侧或两侧产生裂纹30,并同时存在芯4的断面的
变形。此外,裂纹30 往往形成在下部包层5中、芯4的单侧侧面中沿芯4的分
支点附近的侧 面部分的那部分。图12(A)、(B)是分别沿图11(C)中的XIIA-XIIA 线、XIIB-XIIB线的剖面图。
当芯4的断面变形时,存在的问题是入射到入射侧芯4a的光未被均 匀地分支到分支芯4b、4c而使分支均匀性降低。
另外的问题是,在通过粘结将光纤连接在Y分支光波导器件1上而 制成的Y分支光波导器件模块中,如图12(B)所示,芯4的端部与光 纤100的端部的中心存在偏离的关系,在Y分支光波导器件1和光纤100 的连接部分中,通过分支芯4C传播来的光的一部分不进入到光纤100 内而引起光学损失。
另外,发明人在观察利用图10(C)所示的RIE装置进行干蚀刻处 理后的制品时发现,如图13所示,在下部包层5中与芯4的侧面的下端 相对应的部分中的单侧或两侧同时存在产生裂纹30的制品。图13是沿 图10(C)中的XIII-XIII线的剖面。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种分支光波导器件,它在利用RIE 装置进行干蚀刻的工序中不会形成裂纹,解决了上述芯的断面有时出现 变形的问题。
为了实现上述发明目的,解决上述存在的问题,本发明的光波导器 件具有基片上的高分子树脂材料制的下侧包层、该下侧包层上的高分子 树脂材料制的芯和覆盖该芯的高分子树脂材料制的上侧包层。在由该下 侧包层和上侧包层包围的上述芯形成的光波导结构即光波导器件中,其 特征是:该芯的断面形状的下面一侧的宽度尺寸(W2)大于上面一侧的 宽度尺寸(W1)。
采用本发明,由于芯的断面形状的下面一侧的宽度尺寸大于上面一 侧的宽度尺寸,因而在利用
反应性离子蚀刻装置等进行干蚀刻工序中, 下侧包层不会产生裂纹,垂直于芯的光轴的断面形状也不会出现变形。
附图说明
图1是表示本发明
实施例1的Y分支光波导器件图。
图2是沿图1的IIA-IIA线、IIB-IIB线的剖面图。
图3是表示图1的Y分支光波导器件的最初的制造工序图。
图4是表示图3的制造工序之后的工序图。
图5是表示
反应性离子蚀刻装置图。
图6是沿图4(C)的VIA-VIA线、VIB-VIB线的剖面图。
图7是表示本发明的实施例2的Y分支光波导器件图。
图8是沿图7的VIIIA-VIIIA线、VIIIB-VIIIB线的剖面图。
图9是表示
现有技术的Y分支光波导器件的最初的制造工序图。
图10是表示图9的制造工序之后的工序图。
图11是表示图10的制造工序之后的工序图。
图12是沿图11(B)的XIIA-XIIA、XIIB-XIIB线的剖面图。
图13是沿图10(C)的XIII-XIII线的剖面图。
具体实施方式
下面,对本发明的实施例进行说明。
图1表示本发明实施例1的Y分支光波导器件41。Y分支光波导器 件41的结构是高分子树脂材料制的Y分支光波导42形成在硅基片43 的上表面。Y分支光波导42由折射率为n2的例如氟化聚酰亚胺树脂制 成的芯44和包围它的折射率为n1(<n2)的相同的氟化聚酰亚胺树脂制 成的下部包层45及上部包层46构成。芯44具有Y字形,具有入射侧 芯44a和分成两支的分支芯44b、44c。入射侧芯44a,分支芯44b、44c 的尺寸细小到宽度W1为5μm左右,高度H1为5μm左右,为单模用。 Z1端的分支芯44b、44c的间隔A为125-250μm左右,设定为光纤的 直径,分支
角θ1设定为能以相同的比例将光分支的角度0.5°-3°。
如图2(A)、(B)所示,入射侧芯44a及分支芯44b、44c具有带下 边扩大的侧面50的断面形状。即,入射侧芯44a和分支芯44b、44c具 有下面51的宽度W2比上面52的宽度W1大的形状。
入射侧芯44a和分支芯44b、44c的断面未变形时,使得入射到入射 侧芯44a的光均匀地分支到分支芯44b、44c,其分支均匀性良好。
另外,在通过粘结将光纤连接到Y分支光波导器件1上的Y分支光 波导器件模块中,如图2(B)所示,芯44的端部与光纤100的端部具 有基本一致的关系,通过分支芯44b、44c传播来的光可良好地进入到光 纤100内,其连接部分的损失受到抑制而光学特性良好。
上述的Y分支光波导器件31经图3(A)至图3(C)、图4(A)至 图4(D)所示的工序制造。除了改变使用了图4(C)的RIE装置的干 蚀刻工序的条件之外,其余与图9、图10、图11所示的工序相同。
图4(C)所示的RIE工序中将图5所示的RIE装置60的反应室61 内的氧分压设定为通常压
力0.6Pa的约10倍即5Pa。由此,发明人确认 了如下事实:如图6(A)、图6(B)所示,芯层10被除去,形成了带 下边扩大的侧面50的芯44。62是上部
电极,63是下部电极。图6(A)、 图6(B)是沿图4(C)的VIA-VIA线、VIB-VIB线的剖面图。发明 人在观察了RIE工序后的晶片上各芯的情况后,确认了以下事实:下部 包层45中与入射侧芯44a及分支芯44b、44c的侧面50的下端相对的部 分中未出现裂纹。
另外,发明人观察制成的Y分支光波导器件41后确认:如图12所 示,入射侧芯34a及分支34b、34c的断面未掺杂有变形的情况。
因此,通过上述制造工序制造Y分支光波导器件41,可以稳定地制 得具有高品质而且品质
波动小的Y分支光波导器件41。
图7表示本发明的实施例2的Y分支光波导器件41A。Y分支光波 导器件41A除芯44A外,其余与上述的Y分支光波导器件41相同。入 射侧芯44Aa和分成2个分支的分支芯44Ab、44Ac,如图8(A)、(B)、 (C)所示,带有为斜面的侧面50A,其断面具有梯形形状。该芯44A 也是通过以规定的条件进行RIE而形成。
该Y分支光波导器件41A具有改善了的分支特性,而且,通过粘结 将光纤连接到该Y分支光波导器件41A上构成的Y分支光波导器件模块 的连接部分的损失受到抑制而光学特性予以改善。
另外,本发明的将芯的断面形状作成下面一侧的宽度尺寸比上面一 侧的宽度尺寸大的形状的结构不限于Y分支光波导器件,也可以适用于 带Y字形以外的形状的分支光波导器件及带没有分支功能的光波导器 件,与上述具有相同的效果。