技术领域
[0001] 本
专利文件大体上涉及一种用于制造MRAM装置的方法，且更特定地说涉及一种用于制造具有改善
密度及
质量规格的MTJ存储器装置的MTJ柱的方法。
背景技术
[0002] 磁阻
随机存取存储器(“MRAM”)是通过
磁性存储元件存储数据的
非易失性存储器技术。这些元件是可保持
磁场且由非磁性材料(即，势垒层)(例如非磁性金属或绝缘体)分离的两个
铁磁板或
电极。一般来说，板极中的一者的磁化被钉扎(即，“参考层”)，这意味着此层具有高于另一层的矫顽磁性且需要较大的磁场或自旋极化
电流以改变其磁化定向。第二板极通常被称为自由层且其磁化方向可由小于参考层的磁场或自旋极化电流而改变。
[0003] MRAM装置通过改变自由层的磁化定向来存储信息。特定地说，基于自由层相对于参考层是平行对准还是反向平行对准，“1”或“0”可存储在每一MRAM单元中。归因于自旋极化
电子穿隧效应，单元的
电阻归因于两层的磁场的定向而改变。单元的电阻对于平行及反向平行状态来说将是不同的，且因此单元的电阻可用于区分“1”及“0”。MRAM装置的一个重要特征是其是非易失性存储器装置，因为其即使在断电时也保存信息。
[0004] MRAM装置被视为广泛范围的存储器应用的下一代结构。磁性隧道结(“MTJ”)层堆叠及将MTJ层堆叠处理成MTJ存储器装置的柱是MRAM技术发展的两个最重要方面。然而，在常规的制造方案下，在无分流的情况下以类DRAM密度形成柱状MTJ装置是不可制造的。
[0005] 图1中说明当前处理技术的一个限制。一旦形成光掩模及硬掩模，就使用定向离子束110蚀刻MTJ堆叠。在蚀刻过程期间，在MTJ柱120的侧上重新沉积从MTJ柱的基部移除的材料。此经重新沉积材料130含有例如铱(Ir)、铂(Pt)、钌(Ru)金属等的金属，且所述金属不形成绝缘
氧化物。结果，金属存在于MTJ柱120的势垒层的边缘122处明显不利于装置的操作。具体来说，此导电经重新沉积材料130使势垒
短路且致使MTJ结构的隧道结不可操作。常规的制造工艺通过以极高离子束
角度(通常70°)执行侧清洗以移除MTJ柱的势垒层的侧122上的经重新沉积材料130来缓解此问题。然而，此移除过程给装置密度带来了不可接受的限制。例如，如图1中所示，对于100nm的MTJ装置结构，离子束清洗需要大约270nm的间隔，这显著大于相邻MTJ柱之间的100nm或更小的密度要求。此外，以高的离子束角度进行的
侧壁清洗显著增加了对薄MTJ层的束损坏，这只会进一步折损MTJ性能。虽然MRAM开发公司消耗大量资源及努
力来开发离子束清洗技术以及其它制造工艺(例如
反应性离子蚀刻)，但是现有的制造工艺没有产生令人满意的用于MTJ柱的工艺及加工技术。
[0006] 因此，迫切需要一种满足未来MTJ存储器产品应用的密度及质量要求的用于MTJ存储器装置的MTJ柱的制造方法。
发明内容
[0007] 本发明提供了解决当今所面临的这些关键的MRAM装置处理问题的MTJ柱形成处理步骤及制造方法。本文中预期的制造方法使用薄的绝缘体层及离子束蚀刻及
反应性离子蚀刻的组合以界定MTJ柱。所述方法包含在衬底上沉积多个MTJ层、在衬底上沉积硬掩模且在硬掩模上涂布光致抗蚀剂。此外，执行反应性离子蚀刻及离子束蚀刻的交替步骤以隔离MTJ柱并暴露MTJ层的侧表面。施加绝缘层以保护MTJ层的侧表面。在使用化学机械
抛光平坦化所述装置之前沉积第二绝缘层。
[0008] 所揭示方法通过减少材料在MTJ柱的侧上的重新沉积、阻止在隧道势垒层的边缘处形成分流且减小由使用高角度离子束清洗而在MTJ层的边缘处引起的损坏来解决常规的MTJ装置制造的问题。
[0009] 在一个
实施例中，本发明涉及一种制造磁性隧道结“MTJ”装置的方法，所述方法包括：在衬底晶片上沉积多个MTJ层，所述多个MTJ层包含参考层、安置在所述参考层上的势垒层及安置在所述势垒层上的自由层；在所述多个MTJ层上沉积硬掩模；在所述硬掩模的部分上形成第一光致抗蚀剂层；蚀刻所述硬掩模及所述多个MTJ层以在所述第一光致抗蚀剂层下方形成MTJ柱，其中所述自由层及势垒层经蚀刻以暴露所述自由层及所述势垒层的侧表面以及邻近于所述MTJ结构的所述参考层的表面；在所述MTJ柱上、所述自由层及所述势垒层的所述经暴露侧表面上以及所述参考层的所述经暴露表面上沉积第一绝缘层；对所述MTJ柱进行离子束蚀刻以移除安置在所述MTJ柱的
水平表面及所述参考层的所述经暴露表面上的所述第一绝缘层的部分；将所述MTJ层蚀刻到所述衬底晶片以将所述MTJ柱与相邻MTJ柱
电隔离；及平坦化所述衬底晶片，其中蚀刻所述MTJ层的所述步骤包含至少一个反应性离子蚀刻及至少一个离子束蚀刻。
[0010] 优选的，沉积多个MTJ层的所述步骤进一步包括：在所述自由层上沉积氮化钽
覆盖层；及在所述氮化钽覆盖层上沉积垂直极化器。
[0011] 优选的，蚀刻所述MTJ层的所述步骤进一步包括：对所述硬掩模进行反应性离子蚀刻；对所述垂直极化器进行离子束蚀刻；对所述氮化钽覆盖层进行反应性离子蚀刻；及对所述自由层及势垒层进行离子束蚀刻。
[0012] 优选的，所述自由层包括CoFeB
薄膜，其充当所述氮化钽覆盖层的所述反应性离子蚀刻的蚀刻停止层。
[0013] 优选的，在对所述垂直极化器进行离子束蚀刻的所述步骤之后，在所述MTJ柱上保形地沉积第三绝缘层。
[0014] 优选的，所述制造方法进一步包括蚀刻所述MTJ柱以移除安置在所述MTJ结构的水平表面上的所述第三绝缘层的部分。
[0015] 优选的，对所述MTJ柱进行离子束蚀刻的所述步骤包括以相对于所述衬底晶片的法线角施加离子束。
[0016] 优选的，所述制造方法进一步包括在对所述MTJ柱进行离子束蚀刻的所述步骤之后在所述MTJ柱上保形地沉积第二绝缘层。
[0017] 优选的，所述势垒层包括镁的氧化物。
[0018] 优选的，所述制造方法进一步包括使用二次离子质谱端点检测停止所述势垒层的所述离子束蚀刻。
[0019] 优选的，所述制造方法进一步包括在对所述MTJ柱进行离子束蚀刻的所述步骤之前在所述MTJ柱上的所述第一绝缘层上形成第二光致抗蚀剂层。
[0020] 优选的，所述第二光致抗蚀剂层在所述MTJ柱上方具有大于所述第一光致抗蚀剂层的宽度的宽度。
[0021] 在另一个实施例中，本发明涉及一种制造磁性隧道结“MTJ”装置的方法，所述方法包括：在衬底晶片上沉积至少一个下层；在所述至少一个下层上沉积反铁
磁层；在所述反铁磁层上沉积合成反铁磁结构，所述合成反铁磁结构包含参考层；在所述参考层上沉积势垒层；在所述势垒层上沉积自由层；在所述自由层上沉积氮化钽覆盖层；在所述氮化钽覆盖层上沉积至少一个上层；在所述至少一个上层上沉积硬掩模；在所述硬掩模的部分上形成第一光致抗蚀剂层；对所述硬掩模进行反应性离子蚀刻；对所述至少一个上层进行离子束蚀刻；对所述氮化钽覆盖层进行反应性离子蚀刻；对所述自由层及势垒层进行离子束蚀刻以暴露所述自由层及势垒层的侧表面以及邻近于所述势垒层的所述侧表面的所述参考层的表面；在所述MTJ柱上、所述自由层及所述势垒层的所述经暴露侧表面上以及所述参考层的所述经暴露表面上沉积第一绝缘层；以法向于所述衬底晶片的角度进行离子束蚀刻以隔离至少一个MTJ柱；沉积第二绝缘层；及平坦化所述衬底晶片。
[0022] 优选的，所述制造方法进一步包括在对所述至少一个上层进行离子束蚀刻的所述步骤之后保形地沉积第三绝缘层。
[0023] 优选的，所述制造方法进一步包括进行反应性离子蚀刻以移除所述第三绝缘层的水平表面的进一步步骤。
[0024] 优选的，所述制造方法进一步包括在对所述MTJ柱进行离子束蚀刻的所述步骤之前在所述MTJ柱的所述第一绝缘层上涂布第二光致抗蚀剂层。
[0025] 优选的，所述第二光致抗蚀剂层在所述MTJ柱上方具有大于所述第一光致抗蚀剂层的宽度的宽度。
[0026] 在另一实施例中，本发明涉及一种制造磁性隧道结“MTJ”装置的方法，所述方法包括：在衬底晶片上沉积多个MTJ层，所述多个MTJ层包含参考层、安置在所述参考层上的势垒层及安置在所述势垒层上的自由层；在所述多个MTJ层上沉积硬掩模；在所述硬掩模的部分上形成第一光致抗蚀剂层；蚀刻所述硬掩模及所述多个MTJ层以在所述第一光致抗蚀剂层下方形成MTJ柱，其中所述自由层及势垒层经蚀刻以暴露所述自由层及势垒层的侧表面以及邻近于所述MTJ柱的所述参考层的表面；在所述MTJ柱上、所述自由层及所述势垒层的所述经暴露侧表面上以及所述参考层的所述经暴露表面上沉积第一绝缘层；在所述MTJ柱上的所述第一绝缘层上及所述参考层的所述经暴露表面的部分上形成第二光致抗蚀剂层；以法向于所述衬底晶片的角度进行离子束蚀刻以隔离所述MTJ柱；沉积第二绝缘层；及平坦化所述衬底晶片。
[0027] 优选的，所述第二光致抗蚀剂层在所述MTJ柱上方具有大于所述第一光致抗蚀剂层的宽度的宽度。
[0028] 在另一实施例中，本发明涉及一种制造用于读头应用的磁性隧道结“MTJ”装置的方法，所述方法包括：在衬底晶片上沉积多个MTJ层，所述多个MTJ层包含参考层、安置在所述参考层上的势垒层及安置在所述势垒层上的自由层；在所述多个MTJ层上沉积硬掩模；在所述硬掩模的部分上形成第一光致抗蚀剂层；蚀刻所述硬掩模及所述多个MTJ层以在所述第一光致抗蚀剂层下方形成MTJ柱，其中所述自由层及势垒层经蚀刻以暴露所述自由层及势垒层的侧表面以及邻近于所述MTJ结构的所述参考层的表面；在所述MTJ柱上、所述自由层及所述势垒层的所述经暴露侧表面上以及所述参考层的所述经暴露表面上沉积第一绝缘层；对所述MTJ柱进行离子束蚀刻以移除安置在所述MTJ柱的水平表面及所述参考层的所述经暴露表面上的所述第一绝缘层的部分；在所述MTJ柱上沉积第二绝缘层；在所述第二绝缘层上沉积稳定磁性层；及平坦化所述衬底晶片，其中所述蚀刻步骤包含至少一个反应性离子蚀刻及至少一个离子束蚀刻。
[0029] 通过使用离散离子束蚀刻步骤，本文中揭示的制造方法限制或消除了对高角度离子束清洗的需要，提供了解决MTJ MRAM技术中的最大制造障碍中的一者—高密度或间隔紧密的MTJ柱的处理—且使得能够使用当前工艺加工/技术来界定MTJ柱的一种处理方法。
附图说明
[0030] 被包含作为本
说明书的部分的附图说明了当前优选实施例，且连同上文给定的一般描述及下文给定的详述一起用来解释并教示本文中描述的MTJ装置制造方法的原理。
[0031] 图1说明MTJ装置的常规制造方法。
[0032] 图2说明根据本文中描述的制造方法的示范性实施例使用的示范性MTJ层堆叠(
正交自旋转移MTJ)。
[0033] 图3到13说明根据本文中描述的示范性实施例的制造方法的所选择处理步骤的横截面图。
[0034] 图式不一定按比例绘制，且具有类似结构或功能的元件出于说明性目的而在所有图式中大体上由相同参考数字来表示。图式只旨在促进本文中描述的各个实施例的描述；图式并未描述本文中揭示的教示的每个方面且不限制
权利要求书的范围。
具体实施方式
[0035] 本文中揭示了一种用于制造磁性隧道结(“MTJ”)存储器装置的方法。本文中揭示的特征及教示中的每一者可单独或结合其它特征及教示来利用。参考附图进一步详细地描述单独及组合地利用这些额外特征及教示的典型实例。此详述仅仅旨在向所属领域的技术人员教示用于实践本教示的优选方面的进一步细节且不旨在限制权利要求书的范围。因此，以下详述中揭示的特征的组合可能并非实践最广泛意义中的教示所必需，反而仅仅经教示以描述本教示的特别典型的实例。
[0036] 在以下描述中，仅出于解释目的，阐述特定术语以提供对如本文中描述的MTJ存储器装置及其制造方法的彻底理解。典型实例及附属权利要求的各个特征可以并未具体且明确枚举的方式来组合以提供本教示的额外有用实施例。还应明确注意，实体群组的所有值范围或指展示于原始揭示内容的目的以及出于限制所主张的标的物的目的揭示了每个可能的中间值或中间实体。还应明确注意，图中所示的组件的尺寸及形状经设计以帮助理解如何实践本教示，但是不旨在限制实例中所示的尺寸及形状。
[0037] 图2说明了用于本文中预期的MTJ存储器装置的示范性MTJ层堆叠200。示范性MTJ层堆叠200在2014年4月1日
申请的第14/242,419号申请案中详细地描述，所述申请案的内容特此以引用方式并入。应明白，本文中描述的示范性制造方法经提供以由MTJ层堆叠200制造MTJ存储器装置。然而，本文中描述的示范性过程可应用于具有替代层堆叠的MTJ存储器装置。
[0038] 如图2中所示，MTJ层堆叠200包含提供在堆叠200的底部处以起始上方沉积层中的所需晶体生长的一或多个晶种层210。钉扎层212及合成反铁磁(“SAF”)结构220在晶种层210上方。根据示范性实施例，钉扎层212是铂锰PtMn
合金，且SAF结构220是由三层(层222、层224及参考层232)(下文讨论)组成。优选地，层222是钴铁合金且层224是钌金属。MTJ结构
230形成在SAF结构220的顶部上。MTJ结构230包含三个单独层，即，形成在SAF结构220中的参考层232、势垒层234及自由层236。在示范性实施例中，参考层232及自由层236是钴-铁-
硼(Co-Fe-B)合金薄膜。此外，势垒层234由镁的氧化物MgO形成。如所示，MgO势垒层234安置在参考层232与自由层236之间且充当如上文讨论的两层之间的绝缘体。
[0039] 如图2中进一步所示，氮化钽TaN覆盖材料238的极薄层安置在自由层236的顶部上。MTJ层堆叠200进一步包含安置在氮化钽TaN覆盖材料238上的非磁性间隔件240及安置在非磁性间隔件240上的垂直极化器250。垂直极化器250包括两个叠层252及254且经提供以将施加于MTJ装置的电子(“自旋对准电子”)的电流极化，这继而又通过施加于自由层236上的来自携带垂直于自由层236的磁化方向的
角动量的极化电子的转矩来改变的MTJ结构的自由层236的磁化定向。非磁性间隔件240经提供以将垂直极化器250与MTJ结构230隔离。此外，一或多个覆盖层260(即，层262及264)提供在垂直极化器250的顶部上以保护MTJ层堆叠200下方的层。硬掩模270沉积在覆盖层260上方且可包括例如钽Ta的金属。
[0040] 图3到13说明根据本文中揭示的制造方法的示范性实施例的由MTJ层堆叠200组成的MTJ存储器装置的制造的所选择过程阶段的横截面图。图中的横截面图通常是在垂直于晶片表面的平面中贯穿存储器单元的近似中心而截取的。应明白，虽然图中只展示了一个或几个MTJ柱，但是所述方法可用于在晶片上以阵列形式制造许多装置。此外，具有相关联的
电路的多个阵列可制造在单个晶片上，所述晶片接着可被切割为较小芯片以进一步处理成最终操作装置。
[0041] 图3是根据示范性实施例的说明用于制造MTJ存储器装置的方法的初始分层步骤的截面图。图3说明对应于上文关于图2描述的MTJ层堆叠200的MTJ层结构300的形成。如将进一步解释，图3中没有详细说明上文描述的MTJ层200的某些层。
[0042] 如图3中所示，提供衬底311且使用沉积技术(例如薄膜溅
镀沉积等)在衬底311上沉积MTJ层堆叠的额外层。从下而上，下层/底部
接触件312可沉积在衬底311上，其中下层/底部接触件312包含一或多个晶种层(例如，图2的晶种层210)以起始上方沉积层中的所需晶体生长。此外，反铁磁层313(例如，图2的钉扎层212)沉积在下层/底部接触件312上且合成反铁磁层314(例如，图2的层222、224及参考层232)沉积在反铁磁层313上。势垒层315(即，图2的势垒层234)沉积在合成反铁磁层314上，且自由层316(即，图2的自由层236)沉积在势垒层315上。如上文提及，参考层232、势垒层234及自由层236共同地形成MTJ结构，其中极薄的TaN覆盖层238形成在自由层236上。如图3中进一步所示，可包含图2中所示的非磁性间隔件240、垂直极化器250及一或多个覆盖层260的上层317沉积在TaN覆盖层238上。一旦MTJ堆叠的所有层均沉积在衬底311上，就将硬掩模318(例如，图2的硬掩模270)沉积在上层317上方，且提供硬掩模318以使用如下文将描述的反应性离子蚀刻(“RIE”)工艺
图案化MTJ层堆叠的下伏层。这里重申，图2及3描述了相同的MTJ层堆叠，其中唯一区别是图2中所示的一些个别层出于清楚目的已被组合为图3中的单个层。
[0043] 在形成图3的层堆叠之后，制造方法继续进行到在硬掩模318上涂布光致抗蚀剂319的下一个步骤，光致抗蚀剂319经图案化或显影以保持光致抗蚀剂319覆盖硬掩模318的部分，在所述部分处将形成MTJ存储器装置的MTJ柱。优选地，使用电子束或其它
光刻工具使光致抗蚀剂319曝光。如果使用深紫外光，那么可使用反应性离子蚀刻工艺或类似工艺减小光致抗蚀剂319的临界尺寸。
[0044] 图5说明用于将MTJ层堆叠蚀刻到MTJ结构的势垒层315的替代实施例。特定地说，图5说明蚀刻步骤的第一实施例。如所示，蚀刻步骤导致形成具有由光致抗蚀剂319的宽度界定的宽度的MTJ柱330。如上文提及，在示范性实施例中，势垒层315是由镁的氧化物(MgO)形成。应明白，将MTJ层堆叠处理成MTJ柱状结构需要精确控制穿过所有堆叠层的蚀刻厚度。势垒电阻控制是部分基于自由层316及势垒层315上的蚀刻的
精度而确定。为了消除分流及减少自由层316的边缘损坏，必须在跨晶片的势垒层315处停止以消除势垒层315上的重新沉积。此外，应明白，如果需要蚀刻更多层来到达自由层316，那么在势垒层315处停止更加困难，正如OST-MTJ结构的情况。
[0045] 如上文提及，图5说明其中执行离子碾磨以将MTJ层堆叠蚀刻到势垒层315的步骤的第一实施例。蚀刻步骤导致形成具有由光致抗蚀剂319的宽度界定的宽度的MTJ柱330。在此第一实施例中，在对MTJ层堆叠进行离子碾磨之后，制造工艺进行到如下文将关于图6描述的薄的保形绝缘体的沉积。
[0046] 根据第一实施例(图5)执行蚀刻之后，下一个步骤涉及如图6中所示般在MTJ柱330上沉积保护性绝缘层320。优选地，保护性绝缘层320是
二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)或类似物。在示范性实施例中，保护性绝缘层320可使用
原子层沉积(“ALD”)或
等离子体增强
化学气相沉积(“PECVD”)方法保形地沉积在MTJ柱330上。重要的是，保护性绝缘层320是沉积在MTJ柱330的水平表面及垂直表面上，且优选地经均匀或大致上均匀沉积。在示范性实施例中，保护性绝缘层320优选地具有介于几纳米(例如，1纳米到2纳米)与100之间的厚度。在一个实施例中，保护性绝缘层320的厚度是近似10nm。
[0047] 预期对于具有低密度的MTJ存储器装置的制造，可以在有或没有保护性绝缘层的柱周围形成额外的光致抗蚀剂步骤，且可使用离子束蚀刻以隔离MTJ装置。
[0048] 在如图6中所示般在MTJ柱330上沉积保护性绝缘层320之后，示范性方法执行两个过程步骤中的一者以隔离MTJ结构中的每一存储器装置。图7说明其中在装置的每一MTJ柱上方形成第二光致抗蚀剂的一个实施例。特定地说，分别在MTJ柱330a、330b、330c上方形成光致抗蚀剂层331a、331b及331c。光致抗蚀剂层331a、331b及331c形成(即，沉积、图案化及显影)在保护性绝缘层320上方，从而覆盖每一MTJ柱330a、330b、330c。在示范性实施例中，预期每一光致抗蚀剂层331a、331b及331c具有宽于经沉积以如上文讨论般形成每一MTJ柱的原始光致抗蚀剂319的宽度。结果，每一MTJ柱330a、330b、330c的下层/底部接触件312、反铁磁层313及合成反铁磁层314中的每一者将具有近似等于经沉积第二光致抗蚀剂层331a、331b及331c的宽度，且此宽度宽于每一MTJ柱的上方沉积层(即，层315到319)。
[0049] 进一步如图7中所示，一旦第二光致抗蚀剂层331a、331b及331c沉积在每一MTJ柱330a、330b、330c上方，根据此实施例的制造方法就预期执行离子束蚀刻的步骤以蚀刻没有被第二光致抗蚀剂层331a、331b及331c覆盖的合成反铁磁层314、反铁磁层313及下层/底部接触件312。如所示，离子束蚀刻的此步骤导致MTJ柱330a、330b、330c中的每一者之间的隔离。
[0050] 图8说明图7中所展示的处理步骤的替代，其中每一存储器装置形成在MTJ结构中。势垒层的边缘及自由层边缘如图8中所示般完全受保护性绝缘材料320a及320b保护。优选地，离子束蚀刻继续进行直到每一MTJ柱与每一相邻MTJ柱电隔离为止。
[0051] 图8说明对三个MTJ柱330a、330b、330c进行离子束蚀刻的所得结构。归因于MTJ柱330a、330b、330c中的每一者的垂直表面上的保护性绝缘材料320a及320b，在此蚀刻步骤期间势垒层315上未重新沉积经蚀刻材料或不存在任何损坏。此外，防止难以移除且导致分流的材料(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钌(Ru)金属及类似材料)接触势垒层315，这是至关重要的，因为这些金属不容易氧化且因此即使在势垒层315上重新沉积微量也会显著地损坏装置性能。因为保护性绝缘材料320a及320b完全隔离势垒层315的边缘，所以重新沉积在绝缘层
320a及320b层的侧上的任何材料不会导致分流。此过程消除了对高角度离子碾磨清洗的需要，这继而又消除了常规制造工艺在制造高密度装置时所面临的障碍。
[0052] 此外，预期定向反应性蚀刻可用于移除MTJ柱330a、330b、330c的水平表面上的保护性绝缘层320。继定向反应性蚀刻之后可进行剩余MTJ层的离子束蚀刻，或可使用这些技术的不同组合。
[0053] 一旦离子束蚀刻完成(即，在图7中)，就如图9中所示般再次使用ALD或PECVD方法在MTJ柱330a、330b、330c上沉积新的绝缘层321。此外，在一个实施例中，预期可在沉积新的绝缘层321之前通过反应性离子蚀刻移除每一MTJ柱330a、330b、330c的侧上的保护性绝缘材料320a及320b。
[0054] 图10说明通过平坦化晶片从而导致暴露每一MTJ柱330a、330b、330c的硬掩模318的MTJ柱的最终处理步骤。此平坦化可通过常规的
化学机械抛光而完成。如所属领域的技术人员应了解，在CMP步骤之后，接着可在晶片上沉积顶部接触层(未展示)。
[0055] 图11A到13说明制造用于
硬盘驱动器的读头应用的MTJ装置的方法的又另一示范性实施例。特定地说，图11A到13说明上文讨论的图9及10中揭示的步骤的替代步骤。换句话说，替代实施例预期上文讨论的相同初始制造步骤，其产生三个隔离的MTJ柱330a、330b、330c，每一者具有覆盖势垒层315及自由层316的边缘的保护性绝缘层。图11A到13遵循图7或图8中说明的离子束蚀刻步骤且提供用于控制施加于自由层316上的稳定磁场的方法。
[0056] 首先，如图11A中所示，在每一MTJ柱330a、330b、330c的水平表面及垂直表面上方沉积绝缘层322。优选地，绝缘层322是
二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)或类似物。替代地，在沉积绝缘层322之前可首先移除势垒层的边缘上的现有保护性绝缘材料320a及320b，这在图11B中加以说明。有利的是，在沉积新的绝缘层之前移除现有的保护性绝缘材料320a及320b导致更精确地界定分离自由层316及稳定磁性层的绝缘层322的厚度，如下文讨论。
[0057] 在任一实施例中，继沉积绝缘层322(图11A或11B中说明的步骤)之后，如图12中所示般在绝缘层322上方沉积稳定磁性层323。最后，图13说明通过平坦化晶片从而导致暴露每一MTJ柱330a、330b、330c的硬掩模318的MTJ读头装置的最终处理步骤。类似于上文揭示的示范性实施例，此平坦化可通过常规的化学机械抛光完成。如所属领域技术人员应了解，在CMP步骤之后，可在晶片上沉积用以钉扎稳定磁性层323及导电引线的磁化的另一磁性层(未展示)。通过改变及控制保护性绝缘层322的厚度，图11A到13中描述的实施例可有利地
修改使磁性层323稳定的稳定磁场。此制造变动在硬盘驱动器的MTJ读头应用的操作方面可能是重要的。
[0058] 以上描述及图式只被视为说明特定实施例，其实现本文中描述的特征及优点。可对特定工艺条件作出修改及替换。因此，本专利文件中的实施例不应被视为受前述描述及图式限制。
