硅蚀刻与清洁
专利汇可以提供硅蚀刻与清洁专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及 硅 蚀刻与清洁。提供了一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法。将蚀刻层放置到 等离子体 处理室 中。使蚀刻气体流入所述等离子体处理室。使蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅层中，留下含硅残留物。使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室。使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH3和NF3。使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中使所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体的等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些或全部形成含铵化合物。使所述干燥的清洁气体的流动停止。使铵化合物从膜 升华 。，下面是硅蚀刻与清洁专利的具体信息内容。
1.一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法，其包括：
将所述蚀刻层放置到等离子体处理室中；
使蚀刻气体流入所述等离子体处理室；
使所述蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中所述含硅蚀刻层暴露于所述蚀刻等离子体，并且其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅层中，留下含硅残留物；
使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室；
使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH3和NF3；
使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体的等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些形成含铵化合物；
使所述干燥的清洁气体的流动停止；以及
从所述等离子体处理室去除所述蚀刻层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述干燥的清洁气体还包括惰性气体。
3.根据权利要求2所述的方法，其还包括在从所述等离子体处理室去除所述层之前使所述含铵化合物升华。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述干燥的清洁气体具有介于1：1到20：1之间的NH3比NF3的流量比。
5.根据权利要求4所述的方法，在使所述干燥的清洁气体形成等离子体期间，提供介于
0至1000伏之间的偏压。
6.根据权利要求5所述的方法，其中在使所述含铵化合物升华期间，使所述蚀刻层保持在60℃至220℃之间的温度下。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述蚀刻层是硅衬底、硅晶片、栅极、浅沟槽隔离层、源极层、漏极层、或者多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述蚀刻气体是含卤素的蚀刻气体。
9.根据权利要求1所述的方法，其还包括从所述等离子体处理室去除所述层之前使所述含铵化合物升华。
10.根据权利要求9所述的方法，其中在使所述含铵化合物升华期间，使所述蚀刻层保持在60℃至220℃之间的温度下。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述干燥的清洁气体具有介于1：1到20：1之间的NH3比NF3的流量比。
12.根据权利要求1所述的方法，在使所述干燥的清洁气体形成等离子体期间，提供介于0至1000伏之间的偏压。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻层是硅衬底、硅晶片、栅极、浅沟槽隔离层、源极层、漏极层、或者多晶硅层。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体是含卤素的蚀刻气体。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅残留物包含氧化硅，SiBrx、SiClx、SiON、SiOxFy、SiCO、SiOxCly、或SiOxBry中的至少一种，其中x和y为正整数。
16.一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法，其包括：
将所述蚀刻层放置到等离子体处理室中；
使含卤素的蚀刻气体流入所述等离子体处理室；
使所述含卤素的蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中所述含硅蚀刻层暴露于所述蚀刻等离子体，并且其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅层中，留下含硅残留物，其中所述含硅残留物包含氧化硅，SiBrx、SiClx、SiON、SiOxFy、SiCO、SiOxCly、或SiOxBry中的至少一种，其中x和y为正整数；
使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室；
使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH3和NF3，其中所述干燥的清洁气体具有介于1：1到20：1之间的NH3比NF3的流量比；
使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体的等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些形成含铵化合物；
使所述干燥的清洁气体的流动停止；
在60℃至220℃之间的温度下，使所述含铵化合物升华；以及
从所述等离子体处理室去除所述蚀刻层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述蚀刻层是硅衬底、硅晶片、栅极、浅沟槽隔离层、源极层、漏极层、或者多晶硅层。
18.一种用于将特征蚀刻到硅含蚀刻层中的装置，其包括：
等离子体处理室，其包括：
形成等离子体处理室外壳的室壁；
用于支撑在所述等离子体处理室外壳内的晶片的衬底支撑件；
用于调节所述等离子体处理室外壳内的压力的压力调节器；
用于提供功率至所述等离子体处理室外壳内以维持等离子体的至少一个电极；
用于提供气体到所述等离子体处理室外壳内的气体入口；以及
用于从所述等离子体处理室外壳排出气体的气体出口；
电连接到所述至少一个电极的至少一个RF功率源；
用于加热所述含硅蚀刻层的加热器；
与所述气体入口流体连接的气体源，所述气体源包括：
蚀刻气体源；
NH3气体源；和
NF3气体源；和
可控地连接到所述气体源和所述至少一个RF功率源的控制器，其包括：
至少一个处理器；和
计算机可读介质，其包括：
用于使蚀刻气体从所述蚀刻气体源流入所述等离子体处理室的计算机可读代码；
用于将所述蚀刻气体转化成蚀刻等离子体的计算机可读代码，所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅蚀刻层中，留下含硅残留物；
用于使所述蚀刻气体停止流动的计算机可读代码；
用于使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室中的计算机可读代码，所述干燥的清洁气体包括来自所述NH3气体源的NH3和来自所述NF3气体源的NF3；
用于使所述干燥的清洁气体转化成干燥的清洁等离子体的计算机可读代码，所述干燥的清洁等离子体使所述含硅残留物中的至少一些转化成含铵化合物；
用于使所述干燥的清洁气体的流动停止的计算机可读代码；以及
用于加热所述含硅蚀刻层从而使所述含铵化合物升华的计算机可读代码。
硅蚀刻与清洁
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
实施例
NH4F或NH4F.HF+SiO2→(NH4)2SiF6(固体)+H2O
(NH4)2SiF6(固体)→SiF4(气体)+NH3(气体)+HF(气体)
优选地，干燥清洁工艺提供介于0至1000伏特之间的偏压。更优选地，干燥清洁工艺提供介于0到500伏之间的偏压。优选地，在干燥清洁期间，NH3具有50sccm至1500sccm的流速。
优选的是，在干燥清洁期间，NF3具有10sccm至500sccm的流速。优选地，NH3比NF3的流量比为
1：1到20：1。更优选地，NH3比NF3的流量比为1：1到15：1。优选地，干燥清洁工艺在介于-20℃至120℃之间的温度下完成。
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