利用空间原子层沉积进行无缝间隙充填
专利汇可以提供利用空间原子层沉积进行无缝间隙充填专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本文中揭示的 实施例 一般是关于在高深宽比特征中形成 电介质 材料。在一个实施例中，揭示一种用于在一个处理腔室中充填高深宽比沟槽的方法。所述方法包括将 基板 置于处理腔室内部，在所述腔室中，基板具有一表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面向气体/ 等离子体 分配组件。所述方法进一步包括执行以下序列：在基板表面上及数个沟槽中的每一个内侧沉积电介质材料层，在此情况下，电介质材料层位于每一沟槽底部及 侧壁 上；并去除安置在基板表面上的电介质材料层的一部分，在此情况下，每一沟槽的开口被扩大。重复进行所述序列，直至利用电介质材料无缝充填了沟槽为止。，下面是利用空间原子层沉积进行无缝间隙充填专利的具体信息内容。
1.一种用于充填高深宽比沟槽的方法，所述方法包括：
将数个基板置于处理腔室内部，其中所述数个基板中的每一基板具有表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面向气体/等离子体分配组件；
执行以下序列：
在所述基板的所述表面上及所述数个沟槽的每一者内侧沉积电介质材料层，其中所述电介质材料层位于每一沟槽的底部与侧壁上；及
去除安置在所述基板的所述表面上的所述电介质材料层的一部分，其中每一沟槽的开口被扩大；和
重复所述序列，直至利用所述电介质材料无缝充填了所述沟槽为止，其中在所述处理腔室中执行所述序列。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板置于基座组件上。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基座组件具有顶表面与形成于所述顶表面中的数个凹槽，其中每一凹槽被配置以支撑一个基板。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述数个凹槽包括六个凹槽。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述气体/等离子体分配组件包括面向所述基座组件的表面，其中数个口在所述气体/等离子体组件的所述表面中形成。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述气体/等离子体分配组件包括八个口。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质材料层具有一厚度，所述厚度的范围自约50埃至约75埃。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述电介质材料层具有约50埃的厚度。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述电介质材料层的一部分包括去除约10％至30％的所述电介质材料层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，去除所述电介质材料层的一部分包括去除约10％的所述电介质材料层。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述序列重复4次至6次。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述序列重复6次。
13.一种用于充填高深宽比沟槽的方法，所述方法包括：
将数个基板置于处理腔室内部，其中所述数个基板中的每一基板具有表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面向气体/等离子体分配组件；
执行以下序列：
将每一基板置于所述气体/等离子体分配组件中的第一组一或更多个口下方，以在所述基板的所述表面上及所述数个沟槽的每一个内侧形成电介质材料层，其中所述电介质材料层位于所述每一沟槽的底部与侧壁上；及
将每一基板置于所述气体/等离子体分配组件中的第二组一或更多个口下方，以去除安置在所述基板的所述表面上的所述电介质材料层的一部分，所述第二组一或更多个口不同于所述第一组一或更多个口，其中每一沟槽的开口被扩大；及
重复所述序列，直至利用所述电介质材料无缝充填所述沟槽为止，其中在所述处理腔室中执行所述序列。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述气体/等离子体分配组件包括面向每一基板的所述表面的表面，其中所述第一组一或更多个口与所述第二组一或更多个口在所述气体/等离子体组件的所述表面中形成。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述气体/等离子体分配组件包括八个口。
16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述电介质材料层具有厚度，所述厚度的范围自约50埃至约75埃。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述电介质材料层具有约50埃的厚度。
18.如权利要求13所述的方法，其特征在于，去除所述电介质材料层的一部分包括去除约10％至30％的所述电介质材料层。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，去除所述电介质材料层的一部分包括去除约10％的所述电介质材料层。
20.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述序列重复4次至6次。
利用空间原子层沉积进行无缝间隙充填
技术领域
背景技术
具体实施方式
在此配置中，分区160的下部部分与基板表面61分隔达一距离，所述距离足以容许在气流与基板表面61反应之后，气流围绕下部部分流向真空口155。箭头198指示气流方向。因为分区160作为气流的物理阻挡层进行操作，因此分区160亦限制前体之间的交叉污染。数个加热器90可被安置在基板60下方以协助在处理腔室100中执行的一或更多个处理。
135、165、175具有相同作用，净化气体口304可与净化气体口145具有相同作用，及真空口
306可与真空口155具有相同作用。在一个实施例中，表面301中安置有八个气体/等离子体口302。在一个实施例中，有八个区段252，所述区段形成气体/等离子体分配组件250，每一区段具有一个气体/等离子体口302。图3中图示的气体/等离子体分配组件250的部分可为两个区段252的组合。在一个实施例中，一个气体/等离子体口302用于分配等离子体以执行等离子体蚀刻，而剩余七个气体/等离子体口302则用于分配前体气体以用于将电介质材料沉积至在基板60上形成的沟槽内。在另一实施例中，两个气体/等离子体口302用于分配等离子体，而剩余六个气体/等离子体口302则用于分配前体气体。在另一实施例中，三个气体/等离子体口302用来分配等离子体，而剩余五个气体/等离子体口
302则用来分配前体气体。在另一实施例中，四个气体/等离子体口302用来分配等离子体，而剩余四个气体/等离子体口302则用来分配前体气体。相同的前体气体可进入一个以上的气体口302，且一或更多个前体可进入一个气体口302。
10％至30％被去除。安置在沟槽底部与侧壁上的第一层的部分不受影响，因为沟槽内侧存在低的自由基浓度。安置在基板表面上的第一层的部分被去除，沟槽开口被扩大，从而使得沟槽易于充填。
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