技术领域
[0001] 本
发明涉及
半导体制造领域，尤其涉及一种化学气相沉积设备。
背景技术
[0002] 随着
电子技术的发展，为了缩小
电路的尺寸，常采用增加沉积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。这些增加的层在器件、电路中起着各种不同的作用，主要可作为栅
电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、
电阻、表面
钝化层等。这些增加的层中沉积
薄膜的
质量将对器件的电性能和机械性能产生影响，并进而影响到器件的成品率及产量。
[0003] 薄膜沉积的方法通常包括化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)法和
物理气相沉积(PVD，PhysicalVapor Deposition)两大类。其中，化学气相沉积是将含有薄膜所需的
原子或分子的气体混合物注入反应室，并在所述反应室中发生反应，其原子或分子沉积在
基板表面，聚集形成薄膜的过程。化学气相沉积因其工艺较为简单、不需高
真空、便于制备复合产物、沉积速率高，以及沉积的各种薄膜具有良好的阶梯
覆盖性能等优点在半导体器件的制造中被广泛使用。
[0004] 请参阅图1，并结合图2，图1、图2所示为一种现有的化学气相沉积设备。如图1、图2所示，该化学气相沉积设备包括：反应腔室1、设于所述反应腔室1内的加热平台2、设于所述加热平台2下方的加热
支撑座3、设于所述加热平台2下方的加热平台支撑杆4，在加热平台2上设有用于
定位放置在加热平台2上的基板的定位销孔7，位于所述加热平台支撑杆4下方连接至加热平台2的加热线7、及
热电偶8。沉积时，将反应气体喷洒至放置于所述加热平台2上的基板表面上，通过所述加热线7、及热电偶8对加热平台2加热，从而在所述基板表面沉积形成薄膜。其中，如图2所示，所述加热平台2、及加热平台支撑杆4为一体式结构，在拆卸加热平台2时需要连带加热平台支撑杆4整体拆卸，拆卸困难，并且经常拆装容易对底部密封点5造成损害，造成底部
密封性变差，同时加热平台支撑杆4易出现磨损、倾斜，造成部件损坏，不利于化学气相沉积设备的维护及清洗整形。
发明内容
[0005] 本发明的目的在于提供一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备的加热平台可单独拆卸，防止化学气相沉积设备的部件损坏，便于化学气相沉积设备维护及清洗整形，保证化学气相沉积设备沉积的薄膜的质量。
[0006] 为实现上述目的，本发明提供了一种化学气相沉积设备，包括：反应腔体、设于所述反应腔体内的加热平台、设于所述加热平台下方的加热平台支撑座、设于所述加热平台支撑座下方的加热平台支撑杆；
[0007] 所述加热平台与加热平台支撑座分别对应设有至少2个
螺纹孔，通过中空内六
角螺栓将加热平台固定于加热平台支撑座上；
[0008] 所述加热平台与加热平台支撑座还对应设有至少2个卡套结构，通过所述卡套结构将加热线、及热电偶连接至加热平台。
[0009] 所述化学气相沉积设备还包括分别对应设于加热平台、及加热平台支撑座的两个
接触面上的密封槽，所述密封槽内对应设有
密封圈。
[0010] 所述加热平台支撑座、及加热平台支撑杆为一体式结构，共同支撑所述加热平台。
[0011] 所述中空内六角螺栓包括：外壁、与外壁相对的内壁、由内壁围成的通孔、设于所述通孔底部的内六角凹槽。
[0012] 所述中空内六角螺栓的外壁为
铝合金材料，内壁为陶瓷材料。
[0013] 所述通孔用于放置用于基板定位的定位销。
[0014] 所述卡套结构包括：设于所述加热平台上的凹槽、及与所述卡套相对应的设置在所述加热平台支撑座上的
接线柱，所述接线柱的上端高于加热平台支撑座的上平面。
[0015] 所述接线柱内连接有加热线或热电偶。
[0016] 所述凹槽的内壁为陶瓷材料，所述接线柱位于所述加热平台支撑座中的该部分的外围设有一层陶瓷壁。
[0017] 本发明的有益效果：本发明提供了一种化学气相沉积设备，通过在加热平台及加热平台支撑板上分别设置对应的
螺纹孔，通过该螺纹孔用中空的内六角螺栓将加热平台及加热平台支撑板固定在一起，使得该加热平台能够单独拆卸，通过卡套结构将加热线及热电偶连接至加热平台，实现该加热平台的加热功能，克服了现有设备中拆卸加热平台时需要同时拆卸加热平台支撑杆，从而引起化学气相沉积设备的底部密封性变差，加热平台支撑杆损坏的问题，便于化学气相沉积设备维护及清洗整形，保证化学气相沉积设备沉积的薄膜的质量。
[0018] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与
附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
[0019] 下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0020] 附图中，
[0021] 图1为现有的化学气相沉积设备的结构示意图；
[0022] 图2为现有的化学气相沉积设备的加热平台、及加热平台支撑杆结构示意图；
[0023] 图3为本发明的化学气相沉积设备的结构示意图；
[0024] 图4为本发明的化学气相沉积设备的加热部分的分体结构示意图；
[0025] 图5为本发明的化学气相沉积设备中的中空内六角螺栓示意图；
[0026] 图6为本发明的化学气相沉积设备中的卡套结构示意图。
具体实施方式
[0027] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选
实施例及其附图进行详细描述。
[0028] 本发明提供了一种化学气相沉积设备，包括：反应腔体100、设于所述反应腔体100内的加热平台200、设于所述加热平台200下方的加热平台支撑座301、设于所述加热平台支撑座301下方的加热平台支撑杆302。
[0029] 其中，所述加热平台200与加热平台支撑座301为分离的部件，所述加热平台200与加热平台支撑座301分别对应设有至少2个螺纹孔，通过该螺纹孔利用中空内六角螺栓400将加热平台200固定于加热平台支撑座301上。
[0030] 具体的，所述加热平台200上设置有至少2个螺纹孔，在所述加热平台支撑座301与之对应的
位置设有相同数量的螺纹孔，所述螺纹孔的公称直径、
螺距均相同。优选的，所述螺纹孔关于加热平台支撑杆302对称设置。
[0031] 所述中空内六角螺栓400包括：外壁401、与外壁401相对的内壁402、由内壁402围成的通孔403、设于所述通孔403底部的内六角凹槽404。所述中空内六角螺栓400的公称直径、螺距与所述螺纹孔相匹配。所述中空内六角螺栓400的外壁401为
铝合金材料，内壁402为陶瓷材料，由于反应腔室100内的
温度比较高，此外，还有射频电磁的干扰，而陶瓷是一种耐高温、耐射频干扰的材料，因此，内壁402选用陶瓷材料，可保证通孔403不发生
变形，保证基板定位的
精度。所述通孔403用于放置用于基板定位的定位销，具体的，所述定位销为顶针，所述定位销穿过通孔403而对放置在加热平台200上的基板进行定位。
[0032] 所述加热平台200与加热平台支撑座301还对应设有至少2个卡套结构500，通过所述卡套结构500将加热线700、及热电偶800连接至加热平台200。
[0033] 具体的，所述卡套结构500包括：设于所述加热平台200上的凹槽501、及与所述凹槽501相对应的设置在所述加热平台支撑座301上的接线柱502，所述接线柱502的上端高于加热平台支撑座301的上平面。
[0034] 优选的，所述凹槽501内部设有
弹簧，以对接线柱502进行卡合固定。
[0035] 优选的，所述凹槽501呈圆柱形，所述接线柱502为圆柱体结构，所述凹槽501的直径略大于所述接线柱502的直径，从而使所述接线柱502突出于加热平台支撑座301上表面的部分可以完全卡合到凹槽501内。
[0036] 具体的，所述接线柱502的材料为铝合金，所述接线柱502内连接有加热线700或热电偶800，通过所述接线柱502与凹槽501卡合，将加热线700或热电偶800连接至加热平台200，实现加热平台200的加热功能。
[0037] 优选的，所述凹槽501的内壁503为陶瓷材料，所述接线柱502位于所述加热平台支撑座301中的该部分的外围设有一层陶瓷壁504，以对接线柱502和对接线路提供绝缘保护。
[0038] 为进一步加强加热平台200与加热平台支撑板301的接触面之间的密封性，所述化学气相沉积设备还包括分别对应设于加热平台200、及加热平台支撑座301的两个接触面上的密封槽600，所述密封槽600内对应设有密封圈，具体的，所述密封槽600为O型密封槽，所述密封圈为O型密封圈。
[0039] 最后，加热平台支撑座301、及加热平台支撑杆302为一体式结构，共同支撑所述加热平台200。
[0040] 特别的，所述加热平台200在拆卸时，仅需打开反应腔体100，打开拧下中空内六角螺栓400，按下卡套结构500，即可将加热平台200单独取出，拆卸方法简单便捷，不影响其他部件，便于加热平台200的清洗维护。
[0041] 综上所述，本发明提供了一种化学气相沉积设备，通过在加热平台及加热平台支撑板上分别设置对应的螺纹孔，通过该螺纹孔用中空的内六角螺栓将加热平台及加热平台支撑板固定在一起，使得该加热平台能够单独拆卸，通过卡套结构将加热线及热电偶连接至加热平台，实现加热平台的加热功能，克服了现有设备中拆卸加热平台时需要同时拆卸加热平台支撑杆，从而引起化学气相沉积设备的底部密封性变差，加热平台支撑杆损坏的问题，便于化学气相沉积设备维护及清洗整形，保证化学气相沉积设备沉积的薄膜的质量。
[0042] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明
权利要求的保护范围。
