一种化学气相沉积工艺
阅读：513发布：2020-05-12
专利汇可以提供一种化学气相沉积工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 涉及 半导体 技术领域，具体地涉及一种 化学气相沉积 工艺。所述工艺包括：升温阶段，将反应腔的 温度 提升到设定温度；反应阶段，所述反应阶段包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高；降温阶段，将反应腔的温度降低到常温。通过阶段式调整反应温度来调整CVD 薄膜 厚度均匀度，改善了产品良率，增加了产品良率的稳定度。，下面是一种化学气相沉积工艺专利的具体信息内容。
1.一种化学气相沉积工艺，其特征在于，包括：
升温阶段，将反应腔的温度提升到设定温度；
反应阶段，所述反应阶段包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高；
降温阶段，将反应腔的温度降低到常温。
2.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述升温阶段的温度提升速率为每分钟2摄氏度至5摄氏度。
3.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述升温阶段的设定温度为500摄氏度至800摄氏度。
4.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述反应阶段的反应时间为5分钟至60分钟。
5.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述至少两个子反应阶段中任意一个子反应阶段的反应温度为500摄氏度至800摄氏度。
6.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次改变的幅度为3摄氏度至50摄氏度。
7.如权利要求1所述工艺，其特征在于，所述反应阶段包括五个子反应阶段。
8.如权利要求7所述工艺，其特征在于，所述五个子反应阶段的反应温度为500摄氏度至800摄氏度。
9.如权利要求7所述工艺，其特征在于，所述反应为放热反应，所述五个子反应阶段的反应温度依次降低。
10.如权利要求7所述工艺，其特征在于，所述五个子反应阶段的反应温度依次降低的幅度为3摄氏度至50摄氏度。
一种化学气相沉积工艺
技术领域
背景技术
[0002] 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。典型的CVD制程是将反应物质在气态条件下以一定的流量和流速通过化学气相沉积室，并在瞬间通过化学反应生成固态物质沉积在加热的晶圆(基板)表面，进而制得固体材料的工艺技术。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔中。目前，在半导体产业中，广泛采用化学气相沉积技术作为主要的薄膜制备工艺来形成介质膜。
[0003] 随着半导体技术的发展，集成电路向着高集成度的方向发展。高集成度的要求使半导体器件的线宽越来越小，CVD沉积的薄膜越来越薄，进而对薄膜厚度均匀性的要求也越来越高。改善CVD薄膜厚度均匀度就能改善产品良率，增加产品良率的稳定度。
[0004] 因此，有必要开发一种新的化学气相沉积工艺，能够改善CVD薄膜厚度均匀度。发明内容
[0005] 本申请提供一种化学气相沉积工艺，能够调整CVD薄膜的厚度均匀度，改善产品良率，增加产品良率的稳定度。
[0006] 本申请提供一种化学气相沉积工艺，包括：升温阶段，将反应腔的温度提升到设定温度；反应阶段，所述反应阶段包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高；降温阶段，将反应腔的温度降低到常温。
[0007] 在本申请的一些实施例中，所述升温阶段的温度提升速率为每分钟2摄氏度至5摄氏度。
[0008] 在本申请的一些实施例中，所述升温阶段的设定温度为500摄氏度至800摄氏度。
[0009] 在本申请的一些实施例中，所述反应阶段的反应时间为5分钟至60分钟。
[0010] 在本申请的一些实施例中，所述至少两个子反应阶段中任意一个子反应阶段的反应温度为500摄氏度至800摄氏度。
[0011] 在本申请的一些实施例中，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次改变的幅度为3摄氏度至50摄氏度。
[0012] 在本申请的一些实施例中，所述反应阶段包括五个子反应阶段。
[0013] 在本申请的一些实施例中，所述五个子反应阶段的反应温度为500摄氏度至800摄氏度。
[0014] 在本申请的一些实施例中，所述反应为放热反应，所述五个子反应阶段的反应温度依次降低。
[0015] 在本申请的一些实施例中，所述五个子反应阶段的反应温度依次降低的幅度为3摄氏度至50摄氏度。
[0016] 本申请提供的一种化学气相沉积工艺，所述反应阶段包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高，通过阶段式调整反应温度来调整CVD薄膜厚度均匀度，改善了产品良率，增加了产品良率的稳定度。附图说明
[0017] 以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本公开的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的发明意图。应当理解，附图未按比例绘制。其中：
[0018] 图1为本申请所述实施例一种化学气相沉积工艺中反应温度与沉积时间的关系图。
[0019] 图2为一种化学气相沉积工艺中反应温度与沉积时间的关系图。
[0020] 图3为本申请所述实施例中所述五个子反应阶段分别对应的薄膜形状示意图。
具体实施方式
[0021] 以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本公开不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。
[0022] 下面结合实施例和附图对本发明技术方案进行详细说明。
[0023] 化学气相沉积包括常压化学气相沉积(Atmospheric-pressureCVD，APCVD)、低压化学气相沉积(Low-pressureCVD，LPVCD)。这两种CVD方法各有优点和局限性，因而应用在不同的工艺技术中。LPCVD拥有极佳的台阶覆盖性、良好的组成成分和结构控制性、较高的沉积速率等，并且这种方法不需要载离子气体，因而大大降低了颗粒污染源，所以被广泛应用在半导体产业的薄膜沉积工艺中，其缺点是工艺温度稍高。APCVD具有反应器结构简单、沉积速度快、沉积温度低等优点，其缺点是台阶覆盖性差、粒子污染严重。
[0024] 需要注意的是，本申请提供的一种化学气相沉积工艺适用所有化学气相沉积工艺。由于不同类型的化学气相沉积工艺中的各类参数不同，为了方便描述，本申请实施例仅以LPCVD为案例进行说明，并不限制本申请的适用范围。
[0025] 本申请实施例提供一种化学气相沉积工艺，参考图1，包括：升温阶段100，将反应腔的温度提升到设定温度；反应阶段200，所述反应阶段200包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高；降温阶段300，将反应腔的温度降低到常温。
[0026] 本申请实施例所述的化学气相沉积工艺，还包括预备阶段。例如，晶圆清洗，如果晶圆有污染，将会影响CVD薄膜的质量和性能，所以在开始CVD沉积前，必须清洗掉晶圆上的微尘颗粒、残留物等杂质，确保晶圆的洁净度。
[0028] 确保所述晶圆清洗干净后，将清洗干净的晶圆通过进料系统送至反应腔，所述晶圆与气流方向垂直。在本申请的一些实施例中，可以一次性对50至100片晶圆进行沉积。
[0029] 在本申请的一些实施例中，所述反应腔为立式反应腔。根据反应腔的结构，反应腔分为水平式和立式两种，不过目前前者已很少使用，后者又分为平板式和桶式。立式反应腔，在进行沉积时基座不断转动，故均匀性好、生产量大。
[0030] 晶圆送入反应腔后，通过真空系统将反应腔内的气体抽出，使反应腔内处于真空条件下。在本申请的一些实施例中，所述反应腔内的压强为0.05mmHg至0.3mmHg。
[0032] 在LPCVD中，对反应温度要求较高，反应物大多需要在高温条件下才能开始化学反应，因此反应腔的温度必须要高于反应物发生反应需要的温度。在本申请的一些实施例中，所述设定温度为500摄氏度至800摄氏度。
[0033] 在本申请的一些实施例中，所述升温阶段的温度提升速率为每分钟2摄氏度至5摄氏度。
[0034] 继续参考图1，反应腔内的温度达到设定温度并稳定后，通过进气系统通入反应物，进入反应阶段200，所述反应阶段200包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高。
[0035] CVD的反应物有气体、固体和液体三种形态。所述反应物为气态的，直接通入反应腔。所述反应物为固态的，需要先将反应物加热变为气态，或者溶于无污染溶剂中变为液态通过载气传输进反应腔。所述反应物为液态的，可将反应物蒸发成气态，或通过载气传输以及鼓泡方式进入反应腔。
[0037] 在化学反应中，反应温度可以影响反应速率。提高温度可以增加反应速率，降低温度可以降低反应速率。而在CVD工艺中，反应速率可以影响沉积速率，反应速率越高，沉积速率越高。因此，温度可以影响沉积速率，温度越高，沉积速率越快。
[0038] 图2为一种化学气相沉积工艺中反应温度与沉积时间的关系图以及通过此化学沉积工艺沉积的薄膜形状示意图。
[0039] 参考图2，在CVD工艺中，反应腔内的温度通常是保持稳定的，反应速率也相对保持稳定。但是，当反应腔内的反应为放热反应时，反应会放出大量的热量，临时提高反应腔内局部的温度，由于反应物是由晶圆的一侧进入的，反应物在晶圆的边缘先开始反应，产生热量，提高晶圆边缘的温度，提高晶圆边缘的沉积速率，因此晶圆边缘的沉积速率高于晶圆中心的沉积速率，薄膜呈凹状(如图2(a))。
[0040] 当反应腔内的反应为吸热反应时，反应会吸收大量的热量，临时降低反应腔内局部的温度，由于反应物是由晶圆的一侧进入的，反应物在晶圆的边缘先开始反应，吸收热量，降低晶圆边缘的温度，降低晶圆边缘的沉积速率，因此晶圆边缘的沉积速率低于晶圆中心的沉积速率，薄膜呈凸状(如图2(b))。
[0041] 为了能够调整CVD薄膜的厚度均匀度，本申请将反应阶段200分为至少两个子反应阶段，通过调整子反应阶段的反应温度来调整CVD薄膜的厚度均匀度。当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高。
[0042] 当所述反应为放热反应时，晶圆边缘的沉积速率高于晶圆中心的沉积速率，因此在第一个子反应阶段结束后，薄膜呈凹状，此时降低第二个子反应阶段的温度，由于所述反应腔的加热方式为辐射传导方式，加热炉管设置于晶圆四周，因此晶圆边缘比晶圆中心先感受到温度降低，导致晶圆边缘沉积速率先降低，晶圆边缘的沉积速率会比晶圆中心的沉积速率降低的幅度大，第二个子反应阶段结束后，薄膜中心和薄膜边缘的厚度差会变小。
[0043] 当所述反应为吸热反应时，晶圆边缘的沉积速率低于晶圆中心的沉积速率，因此在第一个子反应阶段结束后，薄膜呈凸状，此时提高第二个子反应阶段的温度，由于所述反应腔的加热方式为辐射传导方式，加热炉管设置于晶圆四周，因此晶圆边缘比晶圆中心先感受到温度升高，导致晶圆边缘沉积速率先增加，晶圆边缘的沉积速率会比晶圆中心的沉积速率增加的幅度大，第二个子反应阶段结束后，薄膜中心和薄膜边缘的厚度差会变小。
[0044] 在本申请的一些实施例中，所述反应阶段的总反应时间为5分钟至60分钟，例如10分钟，15分钟，20分钟，25分钟，30分钟，35分钟，40分钟，45分钟，50分钟等。
[0045] 在本申请的一些实施例中，所述至少两个子反应阶段中任意一个子反应阶段的反应温度为500摄氏度至800摄氏度。无论如何调整各个子反应阶段的反应温度，任意一个子反应阶段的反应温度仍然应该在500摄氏度至800摄氏度之间，保证反应的正常进行。在本申请的一些实施例中，所采用的反应温度例如为550摄氏度，600摄氏度，700摄氏度，780摄氏度等。
[0046] 在本申请的一些实施例中，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次改变的幅度为3摄氏度至50摄氏度，例如10摄氏度，15摄氏度，28摄氏度，36摄氏度，45摄氏度等。相邻子反应阶段之间反应温度调整幅度不能太低，否则温差太低，对反应速率以及沉积速率的影响太小，没有起到调整厚度均匀度的作用；相邻子反应阶段之间反应温度调整幅度不能太高，否则温差太大，可能影响反应的正常进行。
[0047] 参考图1，在本申请所述实施例中，所述反应阶段包括五个子反应阶段210、220、230、240以及250。
[0048] 在本申请的一些实施例中，所述五个子反应阶段的反应温度210、220、230、240以及250的反应温度为500摄氏度至800摄氏度。
[0049] 在本申请的一些实施例中，所述反应为放热反应，所述五个子反应阶段210、220、230、240以及250的反应温度依次降低。
[0050] 在本申请的一些实施例中，所述五个子反应阶段的反应温度依次降低的幅度为3摄氏度至50摄氏度。
[0051] 图3为本申请所述实施例中所述五个子反应阶段分别对应的薄膜形状示意图。
[0052] 参考图1，在本申请所述实施例中，第一个子反应阶段210的反应温度为750摄氏度，反应时间为10分钟。参考图3，由于所述反应为放热反应，所述子反应阶段210结束时形成的薄膜形状为凹状。
[0053] 继续参考图1，在本申请所述实施例中，第二个子反应阶段220的反应温度为740摄氏度，反应时间为10分钟。参考图3，所述子反应阶段220的温度比子反应阶段210低，由于所述反应腔的加热方式为辐射传导方式，加热炉管设置于晶圆四周，因此晶圆边缘比晶圆中心先感受到温度降低，导致晶圆边缘沉积速率先降低，晶圆边缘的沉积速率会比晶圆中心的沉积速率降低的幅度大，所述子反应阶段220结束后，薄膜中心和薄膜边缘的厚度差会变小。
[0054] 继续参考图1，在本申请所述实施例中，第三个子反应阶段230的反应温度为730摄氏度，反应时间为10分钟。参考图3，所述子反应阶段230的温度比子反应阶段220低，由于所述反应腔的加热方式为辐射传导方式，加热炉管设置于晶圆四周，因此晶圆边缘比晶圆中心先感受到温度降低，导致晶圆边缘沉积速率先降低，晶圆边缘的沉积速率会比晶圆中心的沉积速率降低的幅度大，所述子反应阶段220结束后，薄膜中心和薄膜边缘的厚度差继续变小甚至由凹面变成平面。
[0055] 继续参考图1，在本申请所述实施例中，第四个子反应阶段240的反应温度为720摄氏度，反应时间为10分钟。参考图3，所述子反应阶段240的温度比子反应阶段230低，由于所述反应腔的加热方式为辐射传导方式，加热炉管设置于晶圆四周，因此晶圆边缘比晶圆中心先感受到温度降低，导致晶圆边缘沉积速率先降低，晶圆边缘的沉积速率会比晶圆中心的沉积速率降低的幅度大，甚至晶圆边缘的沉积速率超过了晶圆中心的沉积速率，所述子反应阶段240结束后，薄膜形状由平面变成凸面。
[0056] 继续参考图1，在本申请所述实施例中，第五个子反应阶段250的反应温度为710摄氏度，反应时间为10分钟。参考图3，所述子反应阶段250的温度比子反应阶段240低，由于所述反应腔的加热方式为辐射传导方式，加热炉管设置于晶圆四周，因此晶圆边缘比晶圆中心先感受到温度降低，导致晶圆边缘沉积速率先降低，晶圆边缘的沉积速率会比晶圆中心的沉积速率降低的幅度大，所述子反应阶段240结束后，薄膜中心和薄膜边缘的厚度差变大。
[0057] 薄膜的厚度取决于沉积速率以及沉积时间，由于沉积速率与温度相关，即薄膜厚度取决于反应温度和沉积时间。
[0058] 在本申请的一些实施例中，所述各个子反应阶段的反应温度以及沉积时间可以根据想要的薄膜厚度以及薄膜形状进行调整，只要保证所述各个子反应阶段的反应温度均在500摄氏度至800摄氏度之间，所述各个子反应阶段的反应时间总和在5分钟至60分钟之间。
例如，需要所述薄膜表面平整时，可以将各个子反应阶段的反应温度以及反应时间调整为可以使薄膜形状与图3中子反应阶段230一致，在另一些情况下，需要所述薄膜表面为凸状时，可以将各个子反应阶段的反应温度以及反应时间调整为可以使薄膜形状与图3中子反应阶段230或者子反应阶段240一致。
例如，需要所述薄膜表面平整时，可以将各个子反应阶段的反应温度以及反应时间调整为可以使薄膜形状与图3中子反应阶段230一致，在另一些情况下，需要所述薄膜表面为凸状时，可以将各个子反应阶段的反应温度以及反应时间调整为可以使薄膜形状与图3中子反应阶段230或者子反应阶段240一致。
[0059] 反应结束后，进入降温阶段300，加热器开始降温，同时向反应腔内通入惰性气体，使反应腔回到常压条件，且反应腔的温度降低至固定温度，承载晶圆的晶舟慢慢移出加热器，然后取出晶圆，完成薄膜沉积。
[0060] 在本申请的一些实施例中，所述惰性气体为氮气。
[0061] 在本申请的又一个实施例中，所述反应腔内的压强为0.1mmHg，所述反应物包括二氯二氢硅和氨气。所述第一个子反应阶段210的反应温度为600摄氏度，反应时间为8分钟；所述第二个子反应阶段220的反应温度为595摄氏度，反应时间为8分钟；所述第三个子反应阶段230的反应温度为590摄氏度，反应时间为8分钟；所述第四个子反应阶段240的反应温度为585摄氏度，反应时间为8分钟；所述第一个子反应阶段250的反应温度为580摄氏度，反应时间为8分钟。总反应时间为40分钟。
[0062] 在本申请的另一个实施例中，所述反应腔内的压强为0.2mmHg，所述反应物包括二氯二氢硅和氨气。所述第一个子反应阶段210的反应温度为700摄氏度，反应时间为6分钟；所述第二个子反应阶段220的反应温度为680摄氏度，反应时间为6分钟；所述第三个子反应阶段230的反应温度为660摄氏度，反应时间为6分钟；所述第四个子反应阶段240的反应温度为640摄氏度，反应时间为6分钟；所述第一个子反应阶段250的反应温度为620摄氏度，反应时间为6分钟。总反应时间为30分钟。
[0063] 在本申请的又一些实施例中，所述的CVD反应的反应阶段包括三个子反应阶段，所述反应腔内的压强为0.1mmHg，所述反应物包括二氯二氢硅和氨气。所述第一个子反应阶段210的反应温度为680摄氏度，反应时间为15分钟；所述第二个子反应阶段220的反应温度为
665摄氏度，反应时间为15分钟；所述第三个子反应阶段230的反应温度为650摄氏度，反应时间为15分钟。总反应时间为45分钟。
665摄氏度，反应时间为15分钟；所述第三个子反应阶段230的反应温度为650摄氏度，反应时间为15分钟。总反应时间为45分钟。
[0064] 本申请提供的一种化学气相沉积工艺，所述反应阶段200包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高，通过阶段式调整反应温度来调整CVD薄膜厚度均匀度，改善了产品良率，增加了产品良率的稳定度。
[0065] 综上所述，在阅读本详细公开内容之后，本领域技术人员可以明白，前述详细公开内容可以仅以示例的方式呈现，并且可以不是限制性的。尽管这里没有明确说明，本领域技术人员可以理解本申请意图囊括对实施例的各种合理改变，改进和修改。这些改变，改进和修改旨在由本公开提出，并且在本公开的示例性实施例的精神和范围内。
[0066] 应当理解，本实施例使用的术语″和/或″包括相关联的列出项目中的一个或多个的任意或全部组合。应当理解，当一个元件被称作″连接″或″耦接″至另一个元件时，其可以直接地连接或耦接至另一个元件，或者也可以存在中间元件。
[0067] 类似地，应当理解，当诸如层、区域或衬底之类的元件被称作在另一个元件″上″时，其可以直接在另一个元件上，或者也可以存在中间元件。与之相反，术语″直接地″表示没有中间元件。还应当理解，术语″包含″、″包含着″、″包括″和/或″包括着″，在此使用时，指明存在所记载的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但并不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0068] 还应当理解，尽管术语第一、第二、第三等可以在此用于描述各种元件，但是这些元件不应当被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在没有脱离本发明的教导的情况下，在一些实施例中的第一元件在其他实施例中可以被称为第二元件。相同的参考标号或相同的参考标志符在整个说明书中表示相同的元件。
[0069] 此外，通过参考作为理想化的示例性图示的截面图示和/或平面图示来描述示例性实施例。因此，由于例如制造技术和/或容差导致的与图示的形状的不同是可预见的。因此，不应当将示例性实施例解释为限于在此所示出的区域的形状，而是应当包括由例如制造所导致的形状中的偏差。例如，被示出为矩形的蚀刻区域通常会具有圆形的或弯曲的特征。因此，在图中示出的区域实质上是示意性的，其形状不是为了示出器件的区域的实际形状也不是为了限制示例性实施例的范围。
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