1.一种制备纳米线-材料复合体的方法，该方法包括：
(a)提供衬底，其具有与至少一个表面的一部分粘附的纳米线：和
(b)在所述部分上刮涂材料，以形成所述的纳米线-材料复合体，使得所述纳米线在所述衬底上平行于它们的长轴排列。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述的衬底是硅晶片。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述的衬底包含半导体、玻璃、陶瓷、聚合物、金属中至少一种。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述的半导体是第IV族半导体、第II-VI族半导体或第III-V族半导体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中(a)包括：
提供具有由分离层覆盖的至少一个表面的衬底以及与所述的分离层的一部分粘附的纳米线。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述的分离层是聚合物、玻璃、金属或半导体。
7.权利要求6所述的方法，该方法还包括：
(c)从所述的衬底和所述的复合体中去除所述的分离层，以形成独立式纳米线-材料复合体。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述的去除包括：
使所述的分离层与流体接触，使得所述流体去除所述的分离层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述的材料包含聚合物、预聚物、陶瓷、玻璃、金属中至少一种。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述的材料包括至少两种或多种不同聚合物的混合物。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述的材料包括聚合物和溶剂的混合物。
12.根据权利要求1所述的方法，所述的材料是纯聚合物。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述的材料包括至少两种或多种环氧预聚物的混合物。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述的材料包括单体和引发剂的混合物。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述的引发剂是光引发剂或热活化引发剂。
16.根据权利要求1所述的方法，在(b)之后还包括：
硬化所述的材料。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述的硬化包括：
从所述的材料中蒸发溶剂。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述的硬化包括：
将至少两种或多种环氧预聚物混合，以形成环氧聚合物。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述的硬化包括：
聚合所述的预聚物。
20.根据权利要求1所述的方法，在(b)之后还包括：
(c)将所述的纳米线-材料复合体与所述的衬底分离，以形成独立式纳米线-材料复合体。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述的分离包括：
使用刀片将所述的纳米线-材料复合体与所述的衬底分离。
22.根据权利要求20所述的方法，其中所述的分离包括：
溶解所述的衬底，以由此形成所述的独立式纳米线-材料复合体。
23.根据权利要求20所述的方法，其中所述的分离包括：
电化学蚀刻掉所述的衬底，以由此形成所述的独立式纳米线-材料复合体。
24.根据权利要求20的方法，该方法还包括：
(d)从所述的独立式纳米线-材料复合体中分离所述的纳米线。
25.根据权利要求24所述的方法，其中(d)包括：
使所述的独立式纳米线-材料复合体与流体接触，使得所述的材料溶解在所述的流体中。
26.根据权利要求24所述的方法，其中(d)包括：
加热所述的独立式纳米线-材料复合体至足以焚烧所述材料的温度。
27.根据权利要求20所述的方法，该方法还包括(d)：
在第二独立式纳米线-材料复合体上层压所述的独立式纳米线-材料复合体。
28.一种用于制备电子衬底的方法，该方法包括：
(a)提供衬底，其具有与至少一个表面的一部分粘附的纳米线：和
(b)在所述部分上刮涂材料，以形成所述的纳米线-材料复合体，使得所述纳米线在所述衬底上平行于它们的长轴排列；
(c)将包括许多纳米线的纳米线-材料复合体与衬底的一部分粘附，使得所述纳米线在所述衬底上平行于它们的长轴排列；
(d)使所述的纳米线-材料复合体形成图案，以限定一个或多个半导体器件区域；和(e)在所述的半导体器件区域形成接触，以由此提供与所述的器件区域的电连通性。
29.根据权利要求28的方法，其中(c)包括：
层压所述的纳米线-材料复合体至所述的衬底上。
30.根据权利要求28所述的方法，其中所述的纳米线-材料复合体包括许多纳米线，所述的纳米线具有达到操作电流水平的足够密度。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述的纳米线长度为10至20微米长。
32.根据权利要求28的方法，其中所述衬底包含半导体、玻璃、陶瓷、聚合物、金属中至少一种。
33.根据权利要求28所述的方法，其中所述的纳米线-材料复合体的所述材料包含聚合物、预聚物、陶瓷、玻璃、金属中至少一种。
34.根据权利要求28所述的方法，其中所述的粘附包括：
在所述的衬底上涂布所述的纳米线-材料复合体。
35.根据权利要求28所述的方法，该方法在(c)之后还包括：
平面化所述的纳米线-材料复合体，以暴露所述的纳米线的一部分。
36.根据权利要求35所述的方法，其中所述的平面化包括：
由等离子体蚀刻来平面化所述的纳米线-材料复合体。
37.根据权利要求28的方法，其中(d)包括：
(1)在所述的纳米线-材料复合体上沉积介电层。
38.根据权利要求37的方法，其中所述的介电层是SiN。
39.根据权利要求37所述的方法，其中(d)包括：
(2)蚀刻所述的介电层，以形成所述的介电层图案和形成暴露的纳米线-材料复合体的图案，以限定一个或多个半导体器件区域。
40.根据权利要求39所述的方法，其中(d)包括：
(3)掺杂所述的暴露的纳米线-材料复合体。
41.根据权利要求40的所述方法，其中(d)包括：
(4)去除所述的介电层。
42.根据权利要求28所述的方法，其中(e)包括：
金属化所述的半导体器件区域，以形成与所述的器件区域的电连通性。
43.根据权利要求42所述的方法，其中所述的金属化包括：
通过电子束蒸发，金属化所述的半导体器件区域。
44.根据权利要求42所述的方法，其中所述的金属化包括：
(1)形成源极电极和漏极电极，由此纳米线形成长度在相应的源极电极之间或漏极电极之间的沟道。
45.根据权利要求44所述的方法，其中所述的金属化还包括：
(2)形成栅极电极。
46.根据权利要求44所述的方法，其中所述的纳米线基本上平行于源极和漏极接触之间的轴排列。
47.根据权利要求42所述的方法，其中所述的金属化包括：
形成阳极电极和阴极电极。
48.根据权利要求45所述的方法，其中(2)包括：
在所述的纳米线-材料复合体表面上形成栅极电极，使得所述的栅极和所述的纳米线之间的距离等于或小于100纳米。
49.根据权利要求45所述的方法，其中(2)包括：
在所述的纳米线-材料复合体表面上形成栅极电极，使得所述的栅极和所述的纳米线之间的距离等于或小于5纳米。
50.根据权利要求28所述的方法，该方法还包括：
(f)在(a)之前，形成所述的纳米线。
51.根据权利要求50的方法，其中步骤(f)包括：
(1)形成所述的纳米线-材料复合体以包括p-n结。
52.根据权利要求51所述的方法，其中步骤(f)还包括：
(2)由至少一种发光半导体材料形成所述的纳米线，使得所述的p-n结在操作期间发光。
53.根据权利要求52所述的方法，其中步骤(2)包括：
由至少一种发光半导体材料形成所述的纳米线，所述的发光半导体材料包括GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、ZnO和其组合中的至少一种。
54.根据权利要求52所述的方法，该方法还包括：
(g)由多层纳米线-材料复合体层形成所述的纳米线-材料复合体，
其中每层所述的纳米线-材料复合体层包括：所选择的所述至少一种发光半导体材料的至少一种，以发射不同于所述的多层纳米线-材料复合体层的其它层的波长的光。
55.根据权利要求54所述的方法，该方法还包括：
(h)由所选择的至少一种发光半导体材料形成所述的许多纳米线-材料复合体层的第一纳米线-材料复合体层，以发射蓝光波长的光；
(i)由所选择的至少一种发光半导体材料形成所述的许多纳米线-材料复合体层的第二纳米线-材料复合体层，以发射绿光波长的光；和
(j)由所选择的至少一种发光半导体材料形成所述的许多纳米线-材料复合体层的第三纳米线-材料复合体层，以发射红光波长的光。
56.根据权利要求55所述的方法，其中步骤(f)包括：
将所述的第一纳米线-材料复合体层与所述第二纳米线-材料复合体层的第一表面耦合；和
将所述的第二纳米线-材料复合体层的第二表面与所述的第三纳米线-材料复合体层的第一表面耦合；
其中步骤(c)包括将所述的第三纳米线-材料复合体层的第二表面与所述的衬底粘附。
57.一种用于形成复合体的系统，其包括：
衬底；
在所述的衬底的一部分上生长的许多纳米线，每根纳米线具有与所述部分粘附的末端；
在所述的衬底上刮涂以覆盖所述部分的材料，使得所述纳米线在所述衬底上平行于它们的长轴排列，其中所述的材料嵌入在所述部分上的所述的许多纳米线，以形成纳米线-材料复合体层。
58.根据权利要求57所述的系统，其还包括：
在所述的衬底上刮涂所述材料的材料敷料器。
59.根据权利要求58所述的系统，其中所述的材料敷料器使所述的材料向所述的衬底上流动，以排列所述的许多纳米线。
60.根据权利要求57所述的系统，其还包括：
将在所述部分上的所述材料硬化的复合体硬化器。
61.根据权利要求57所述的系统，其还包括：
复合体加工机。
62.根据权利要求57所述的系统，其还包括：
将所述的纳米线-材料复合体与所述的衬底分离的分离器。
63.一种用于形成纳米线阵列的方法，该方法包括：
通过下列步骤提供纳米线-材料复合体：
在衬底上形成多个纳米线；和
在所述多个纳米线的一部分上刮涂材料，以形成纳米线-材料复合体，使得所述纳米线在所述衬底表面上基本上平行于它们的长轴排列；
向所述的纳米线-材料复合体涂覆包括图案的掩模，以形成掩模复合体；
从所述的复合体中去除材料的一部分，以暴露在该部分嵌入的纳米线并且在所述的纳米线-材料复合体中形成暴露纳米线的阵列。
64.根据权利要求63所述的方法，其中所述的掩模包括金属箔。
65.根据权利要求64所述的方法，其中所述的掩模还包括允许选择性去除所述材料的图案。
66.根据权利要求65所述的方法，其中所述的图案包括圆形、正方形、矩形或三角形的阵列。
67.根据权利要求65所述的方法，其中所述的图案包括不规则图案。
68.根据权利要求63所述的方法，其中所述的去除步骤包括：
使用等离子体蚀刻或有机溶剂去除所述的材料。
69.一种根据权利要求63的方法制备的纳米线阵列。
70.一种制备高容量电容器的方法，该方法包括：
通过下列步骤提供独立式纳米线-材料复合体：
在衬底上形成多个纳米线；和
在所述多个纳米线的一部分上刮涂材料，以形成纳米线-材料复合体，使得所述纳米线在所述衬底的表面上基本上平行于它们的长轴排列；
在所述的复合体的两个表面上沉积金属；
在金属表面上沉积绝缘体，以形成电容器膜；和
组装电容器。
71.根据权利要求70所述的方法，其中所述的金属包括镍、铜、银、金或铂。
72.根据权利要求71所述的方法，其中所述的绝缘体是氧化铝。
73.根据权利要求70所述的方法，其中所述的组装步骤包括：
将引线与所述的金属表面粘附。
74.根据权利要求73所述的方法，其中所述的组装步骤还包括：
卷起所述的电容器膜；和
在罐中密封所述的卷起的电容器膜。
75.根据权利要求70所述的方法，其中在所述的复合体中的所述纳米线基本上垂直于所述的复合体表面定向。
76.一种根据权利要求70的方法制备的高容量电容器。
77.一种制备高容量电容器的方法，包括：
提供一侧涂布有绝缘体的金属箔；
在所述的绝缘体的一部分上沉积金纳米粒子；
在所述的部分上生长纳米线；
在所述的部分上涂布材料，以嵌入所述的纳米线和形成纳米线-材料复合体，使得所述纳米线在所述绝缘体的所述部分的表面上基本上平行于它们的长轴排列；
在所述的纳米线-材料复合体上沉积金属，以形成电容器膜；和
组装所述的电容器。
78.根据权利要求77所述的方法，其中所述的金属是铝和所述的绝缘体是氧化铝。
79.根据权利要求77所述的方法，其中所述的纳米粒子是直径为1nm至50nm的金纳米粒子。
80.根据权利要求77所述的方法，其中所述的纳米线垂直于所述的绝缘体表面生长。
81.根据权利要求77所述的方法，该方法在所述的沉积步骤后还包括：
硬化所述的材料。
82.根据权利要求81所述的方法，其中所述的硬化步骤包括去除溶剂或聚合所述的材料。
83.根据权利要求77所述的方法，其中所述的组装步骤还包括：
将引线与两个金属表面粘附；
卷起所述的电容器膜；和
在罐中密封所述卷起的电容器膜。
84.一种根据权利要求77所述的方法制备的高容量电容器。
85.一种包括聚合物片材的纳米线-材料复合体，所述的聚合物片材具有嵌入其中的纳米线，其中所述纳米线-材料复合体包括在纳米线的一部分上刮涂的材料，使得所述纳米线在所述的衬底上平行于它们的长轴排列。
86.根据权利要求85所述的纳米线-材料复合体，其中所述的聚合物片材是聚芳撑、聚芳基亚乙烯基、聚杂芳撑、聚杂芳基亚乙烯基、聚链烷、聚卤代链烷、聚烯烃、聚炔烃、聚醚、聚酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚氨酯、聚砜、聚酮、多糖、聚胺、多肽、聚亚胺、聚磷酸酯、聚膦酸酯、聚磺酸酯、聚磺酰胺、聚磷腈、聚硅氧烷、苯酚-甲醛树脂、环氧树脂、苯氧基树脂、尿素-甲醛树脂、三聚氰胺-甲醛树脂或它们的共聚物。
87.根据权利要求85所述的纳米线-材料复合体，其中所述的纳米线的一部分是暴露的。
88.根据权利要求87所述的纳米线-材料复合体，其中所述的纳米线的一部分暴露在圆形井阵列中。