一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法
专利汇可以提供一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种制备基于CdSe 纳米棒 阵列的光 调制器 的方法。该方法包括以下步骤：选用衬底，清洗干净后备用；在洁净的衬底上 镀 一层ITO 薄膜 ；在ITO薄膜层上制备PVK复合薄膜，所述PVK复合薄膜中均匀混有CdSe纳米棒；在PVK复合薄膜上方放置 铜 薄片，与ITO薄膜构成平板电容器，通电使样品置于18KV/mm的 电场 条件中，用488nm的激光垂直电场方向入射，样品在170oC保持10分钟后开始降温，当 温度 低于95oC后撤去电场。极化完毕在PVK复合薄膜上蒸镀 二 氧 化 硅 层，然后再蒸镀ITO薄膜，即得光调制器。本发明基于CdSe纳米棒阵列的光调制器利用量子限制斯塔克效应，采用了膜式结构中的微小稳定的 电流 来控制光电离所产生的随机电场，继而可以通过改变外场 电压 来改变光在膜层中的吸收率，对光的强度调制效果，进而达到 开关 的效果和可控滤波效果。，下面是一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法专利的具体信息内容。
1.一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤
1，选用衬底，清洗干净后备用；步骤2，在洁净的衬底上镀一层ITO薄膜；步骤3，在ITO薄膜层上制备PVK复合薄膜，所述PVK复合薄膜中均匀混有CdSe纳米棒；步骤4，在170oC﹑18KV/mm的条件下对PVK复合薄膜中的CdSe纳米棒极化排列；步骤5，在ITO薄膜上镀二氧化硅层；步骤
6，在复合薄膜上蒸镀ITO薄膜，即得光调制器。
2.根据权利要求1所述的一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法，其特征在于，步骤1中衬底为石英。
3.根据权利要求1所述的一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法，其特征在于，步骤2中采用电子束蒸发法在洁净的衬底上制备ITO薄膜，所述ITO薄膜的厚度为100nm，方块电阻为15-25Ω。
4.根据权利要求1所述的一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法，其特征在于，步骤5中二氧化硅层的厚度为5nm。
5.根据权利要求1所述的一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法，其特征在于，步骤4中复合薄膜通过采用旋转涂敷法制备在ITO薄膜层上；所述复合薄膜的厚度为
900nm。
6.根据权利要求1所述的一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法，其特征在于，步骤5中ITO薄膜的厚度为100nm。
一种制备基于CdSe纳米棒阵列的光调制器的方法
技术领域
背景技术
发明内容
步骤2，在洁净的衬底上镀一层ITO薄膜；
步骤3，在ITO薄膜上制备PVK复合薄膜，所述PVK复合薄膜含有CdSe纳米棒；
步骤4，在PVK复合薄膜上镀二氧化硅层；
步骤5，在二氧化硅层上蒸镀ITO薄膜，即得光调制器。
图3为实施例2的光调制器在不同电压下吸收系数的变化情况；
图4为实施例2的光调制器在不同电压下荧光强度的变化情况。
具体实施方式
步骤1，选用石英，清洗干净后备用；
步骤2，在洁净的衬底上镀一层ITO薄膜；所述ITO薄膜的厚度为100nm，方块电阻为15-
25Ω；
步骤3，在ITO层上制备厚度为900nm为PVK：CdSe复合薄膜；
步骤4，在复合薄膜上蒸度厚度为5nm二氧化硅薄膜；
步骤5，在二氧化硅薄膜上蒸镀厚度为100nm的ITO薄膜，即得光调制器。
CdSe纳米棒阵列的光调制器实现可控滤波器的功能，是指该光调制器中复合薄膜在电压产生的电场作用下发生量子限制斯塔克效应，光在材料中吸收率发生红移现象。也就是说，我们可以运用电压对光的透过率进行调控。所以通过改变光调制器中电极上的电压，可以对光强度进行调制。当在两电极上加上V的电压时，斯塔克迁移会随外加电压的变化而变化，二次线性方程为
其中 材料两能级的能量的变化，V为外加电压，d是含有CdSe纳米棒的PVK薄膜层的厚度，是材料的极化率。材料的能级产生变化时，就会对光的吸收率产生一定变化。可以看出通过电极两端电压的改变，我们可以得到一定波长的光波在量子线材料中吸收率的变化。由于SiO2是很好非极化材料，所以很好防止电流的击穿，并可以达到稳定的电流效果。
利用QW型的材料制备光调制器，将此光调制器与实施例1的光调制器的性能进行对比，结果如下所示。
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