本发明涉及一种交流电驱动型等离子体显示装置，该装置的特征性特点是 具有一介电材料层，本发明还涉及其生产方法。

人们以各种方式研究了平式屏幕(平板式)显示装置，作为可以替代目前 主流阴极射线管(CRT)的影像显示装置。这种平板式显示装置包括液晶显示 器(LCD)、电致发光显示器(ELD)和等离子体显示装置(PDP)。其中，等 离子体显示装置的优点是相对容易形成较大的银幕和达到较宽的视角，具有耐 诸如温度、磁性、振动等环境因素的优异的耐用性以及具有较长的使用期。因 此等离子体显示装置可期望不仅用于家用壁挂式电视机，而且可用于大型的公 共信息终端。

在等离子体显示装置中，给具有放电空间的放电单元施加电压，其中所说 的放电空间被由稀有气体组成的放电气体所充电，并且由放电气体中辉光放电 所产生的紫外线来激发每个放电单元中的荧光层，以提供光放射。也就是说， 每个放电单元的驱动原理与荧光灯相似，并且总地来说，放电单元被成百成千 数量级地装配在一起，以构成显示屏幕。等离子体显示装置根据给放电单元施 加电压的方法可被大致分成直流电驱动型(DC型)和交流电驱动型(此后简 称″AC″型)，并且每种类型都有优点和缺点。AC等离子体显示装置适合达到 较高的精细度，这是因为可以形成在显示屏幕内起分离单个放电单元作用的分 离墙，例如以条的形式。此外，其优点是用于放电的电极较少用坏，并且具有 较长的使用期，这是因为电极表面覆盖有一介电材料层。

图7为一部件分解透视图，显示了AC等离子体显示装置典型结构的一部 分。该AC等离子体显示装置是所谓的三电极型，并且辉光放电主要发生在一 对持续电极12A和12B之间。在如图7所示的AC等离子体显示装置中，第 一面板(前板)10和第二面板(后板)20在其周边部分彼此接合。透过第一 面板10可看到由第二面板20中的荧光层24发出的光。

第一面板10中包含透明第一基片11；成对的持续电极(第一持续电极12A 和第二持续电极12B)，其由透明电导材料构成，并且以条的形式形成在第一 基片11上；总线电极(第一总线电极13A和第二总线电极13B)，其由电阻率 比持续电极12A和12B小的材料构成，并且为降低持续电极12A和12B的阻 抗而设；介电材料层14，其形成在第一基片11、持续电极12A和12B以及总 线电极13A和13B上；介电材料层14上形成的保护层115。通常来说，介电 材料层14由例如低熔点玻璃糊的煅烧产物组成，并且保护层115由氧化镁 (MgO)组成。

第二面板20中包含第二基片21；第二电极(也称作地址电极或数据电极) 22，其以条的形式形成在第二基片21上；介电物质层23，其形成在第二基片 21和第二电极22上；绝缘分离墙25，其形成在介电物质层23上和相邻的第 二电极22之间的区域，并且与第二电极22平行延伸；以及荧光层24，其形成 在介电物质层23的上表面并且从该上表面延伸，并且其还形成在分离墙25的 侧壁上。每个荧光层24由红色荧光层24R、绿色荧光层24G和蓝色荧光层24B 组成，并且这些颜色的荧光层24R、24G和24B按预定的顺序形成。图7是一 部件分解透视图，并且在一个实际的实施方案中，第二面板上的分离墙25的 顶部部分于第一面板上的保护层115相接触。一对持续电极12A和12B与位 于两个分离墙25之间的第二电极22所重叠的区域相当于放电单元。稀有气体 被封在由两个相邻分离墙25、荧光层24和保护层115所包围的每个空间中。 第一面板10和第二面板20在其周边部分被彼此接合。

总线电极13A和13B的投影图象延伸方向与第二电极22的投影图象延伸 方向呈90°角，并且一对持续电极12A和12B与发三原色光用的一组荧光层 24R、24G和24B所重叠的区域相当于一个像素。由于辉光放电发生在一对持 续电极12A和12B之间，这种类型的等离子体显示装置被称作″表面放电型″。 在每个放电单元中，通过稀有气体辉光放电所产生的真空紫外线的照射来激发 荧光层，被激发的荧光层可发出荧光材料种类的特征性颜色。产生的真空紫外 线的波长取决于被封稀有气体的种类。

图6显示了图7所示等离子体显示装置中持续电极12A和12B、总线电极 13A和13B和分离墙25的布局。虚线所包围的区域相当于一个像素。为清楚 显示每个组件，在图6中添加了斜线。总体来说，一个像素具有正方形。一个 像素被分离墙25分成三个部分(放电单元)，并且从一个部分中发出三原色(R、 G、B)中之一种的光。图23显示了具有上述结构的第一面板10当沿图6所 示B-B箭头切割第一面板10时的部分端视图。

图14图式显示了另一种变化方案，其中改变了等离子体显示装置中的持续 电极12A和12B、总线电极13A和13B和分离墙25布局。JP-A-9-167565公 开了这种变化方案，其结构为持续电极12A和12B从一对总线电极13A和13B 向总线电极13B和13A延伸。当沿与图6所示B-B箭头方向的同一方向切割 时，具有上述结构的第一面板10呈图23所示的部分端视图。

通常来说，在放电空间中充电的放电气体由诸如氖(Ne)气、氦(He)气或氩(Ar) 气的惰性气体与大约4％体积氙(Xe)气的混合物组成，并且该气体混合物的总 压强为大约6×104至7×104pa，并且氙(Xe)气的分压为大约3×103Pa。此外， 一对持续电极12A和12B的距离为彼此大约100μm。

目前商业化AC等离子体显示装置的问题在于其亮度较低。例如，一42英 寸型AC等离子体显示装置的亮度最亮为大约500cd/m2。此外，对实际商业化 的AC等离子体显示装置来说，需要例如附上一层薄片或薄膜作为抵抗电磁波 或外来光的对第一面板10外表面的防护罩，并且AC等离子体显示装置作为 真正的屏幕会变得相当暗。

AC等离子体显示装置的第一面板10具有例如由诸如低熔点玻璃糊的介电 材料组成的介电材料层14。介电材料层14通常是通过丝网印刷法形成的。当 AC等离子体显示装置被驱动时，介电材料层14被允许积聚电荷，并且给持续 电极施加反方向电压以便使积聚的电荷放电，由此产生等离子体。亮度取决于 等离子体所产生的真空紫外线的数量。因此，为改进亮度，需要让介电材料层 14尽可能多地积聚电荷。

此外，日益要求AC等离子体显示装置能够满足较高密度的像素、较高的 精细度和在较低电压下的可驱动性。为达到较高的像素密度和较低电压下的可 驱动性，需要降低一对持续电极12A和12B之间的距离(放电间隙)。如果要 降低放电间隙，则不可避免地需要降低介电材料层14的厚度。也就是说，当 介电材料层14相对于放电间隙具有大的厚度时，大部分电流线会穿过介电材 料层14，结果在放电间隙上面的空间中不容易发生辉光放电。

同时，如果介电材料层14的厚度被降低的话，电阻自然而然地降低。此外， 总线电极13A和13B的厚度大于持续电极12A和12B的厚度，并且总线电极 13A和13B顶部表面到第二电极22顶部表面的距离小于持续电极12A和12B 顶部表面到第二电极22的距离。因此，如果介电材料层14的厚度被降低的话， 会在总线电极13A或13B的顶部表面边缘部分与第二电极22之间发生不正常 放电的倾向，并且最怀情况时，总线电极13A或13B被摧毁。

因此，本发明的第一个目的是提供一种交流电驱动型等离子体显示装置， 其结构为可增加电荷积聚量以便改进亮度，以及其生产方法。

本发明的第二个目的是提供一种交流电驱动型等离子体显示装置，其结构 为在总线电极和作为地址电极的第二电极之间不容易发生不正常的放电，甚至 当一对持续电极之间的放电间隙和介电材料层的厚度被降低以满足较高密度像 素和较低电压下的可驱动性要求时，以及其生产方法。

为实现上述第一个目的的本发明第一个方面的交流电驱动型等离子体显示 装置(此后在某些情况中简称作″等离子体显示装置″)是一种包含第一面板和 第二面板的交流电驱动型等离子体显示装置，所说的第一面板具有形成在第一 基片上的持续电极以及形成在第一基片和持续电极上的介电材料层，其中第一 面板和第二面板在其周边部分彼此接合。

其特征在于介电材料层的厚度为1.5×10-5m或更薄，优选1.0×10-5m或 更薄。

在本发明第一个方面的等离子体显示装置中，合意的是介电材料层的下限 为例如5×10-7m，优选1×10-6m。介电材料层可以具有单层结构或可以具有 多层结构。

在本发明第一个方面的等离子体显示装置中，由于介电材料层与常规AC 等离子体显示装置的介电材料层(通常为大约2.5×10-5m厚度)相比具有足 够薄的厚度，介电材料层的电容可以得到增加。结果驱动电压得到降低，并且 电荷积聚量可以得到降低，从而可以改进等离子体显示装置的亮度和可以降低 驱动功率。

为实现上述第一个目的的本发明第二个方面的等离子体显示装置是一种包 含第一面板和第二面板的交流电驱动型等离子体显示装置，所说的第一面板具 有形成在第一基片上的持续电极以及形成在第一基片和持续电极上的介电材料 层，其中第一面板和第二面板在其周边部分彼此接合。

其特征在于介电材料层至少由一层氧化铝层构成。

本发明第二个方面的等离子体显示装置中的介电材料层可以具有两层结 构，包含由一层氧化铝层构成的第一介电材料膜和形成在第一介电材料膜上的 第二介电材料膜，或可以具有由氧化铝层构成的单层结构。构成第二介电材料 膜的材料包括氧化镁(MgO)、氟化镁(MgF2)和氟化钙(CaF2)。其中，氧 化镁是适宜材料，其具有诸如次级电子高发射率、低溅射率、在荧光层发出的 光的波长下的高透光率以及低放电引发电压的性能。第二介电材料膜可以具有 堆栈状结构，至少由选自这些材料中的两种材料组成。以下将作解释的本发明 交流电驱动型等离子体显示装置的第二介电材料膜也可以由上述材料组成。

为实现本发明上述第一个目的的本发明第三个方面的等离子体显示装置是 一种包含第一面板和第二面板的交流电驱动型等离子体显示装置，所说的第一 面板具有形成在第一基片上的持续电极以及形成在第一基片和持续电极上的介 电材料层，其中第一面板和第二面板在其周边部分彼此接合。

其特征在于介电材料层具有至少由氧化铝层和氧化硅层构成的堆栈状结 构。

在本发明第三个方面的等离子体显示装置中，堆栈结构可以由一层氧化铝 层和一层氧化硅层按此顺序从底部堆叠而构成；可以由一层氧化硅层和一层氧 化铝层按此顺序从底部堆叠而构成；或者可以由多层氧化铝层和氧化硅层交替 堆叠而构成。此时，堆叠的层数可以是偶数也可以是奇数。此外，介电材料层 可以具有多层结构，包含由一层氧化铝层和一层氧化硅层构成的第一介电材料 膜和形成在第一介电材料膜上的第二介电材料膜。当介电材料层具有由氧化铝 层和氧化硅层构成的堆栈结构时，可以降低介电材料层中的应力，并且可以防 止介电材料层断裂。

为实现本发明上述第一个目的的本发明第四个方面的等离子体显示装置是 一种包含第一面板和第二面板的交流电驱动型等离子体显示装置，所说的第一 面板具有形成在第一基片上的持续电极以及形成在第一基片和持续电极上的介 电材料层，其中第一面板和第二面板在其周边部分彼此接合。

其特征在于介电材料层至少由一层氧化硅层构成。

在本发明第四个方面的等离子体显示装置中，介电材料层也可以具有两层 结构，包含由一层氧化硅层构成的第一介电材料膜和形成在第一介电材料膜上 的第二介电材料膜。

为实现本发明上述第一个目的的本发明第五个方面的等离子体显示装置是 一种包含第一面板和第二面板的交流电驱动型等离子体显示装置，所说的第一 面板具有形成在第一基片上的持续电极以及形成在第一基片和持续电极上的介 电材料层，其中第一面板和第二面板在其周边部分彼此接合。

其特征在于介电材料层至少由一层金刚石类碳层、氮化硼层或氧化铬(Ⅲ) 层构成。

在本发明第五个方面的等离子体显示装置中，介电材料层也可以还有两层 结构，包含由一层金刚石类碳层、氮化硼层或氧化铬(Ⅲ)层构成的第一介电 材料膜和形成在第一介电材料膜上的第二介电材料膜。

为实现本发明上述第一个目的的本发明第六个方面的等离子体显示装置是 一种包含第一面板和第二面板的交流电驱动型等离子体显示装置，所说的第一 面板具有形成在第一基片上的持续电极以及形成在第一基片和持续电极上的介 电材料层，其中第一面板和第二面板在其周边部分彼此接合。

其特征在于介电材料层具有堆栈结构，其构成为至少有一层由金刚石类碳、 氮化硼或氧化铬(Ⅲ)组成的层和一层由氧化硅或氧化铝组成的层。

在本发明第六个方面的等离子体显示装置中，介电材料层的结构包括从底 部起A层和B层的两层结构；从底部起A层、B层和A层的三层结构以及从 底部起A层、B层、A层、B层……的多层结构。当上述的A层是金刚石类 碳层、氮化硼层或氧化铬(Ⅲ)层时，B层是氧化硅或氧化铝层或是具有氧化 硅层和氧化铝层堆栈结构的层。当使用两层或多层A层时，A层可以由一种材 料或不同材料组成，并且当使用两层或多层B层时，B层可以由一种或不同材 料组成。当A层是氧化铝或氧化硅层或具有氧化硅层和氧化铝层堆栈结构的层 时，B层是一层金刚石类碳层、氮化硼层或氧化铬(Ⅲ)层。此时，当使用两 层或多层A层时，A层可以由一种材料或不同材料组成，并且当使用两层或多 层B层时，B层可以由一种或不同材料组成。当使用上述氧化硅或氧化铝层或 上述具有氧化硅层和氧化铝层堆栈结构的层作为构成介电材料层的构件时，可 以降低介电材料层中的应力，并且可以防止介电材料层断裂。

在本发明第六个方面的等离子体显示装置中，介电材料层也可以具有多层 结构，包含由上述堆栈结构构成的第一介电材料膜和形成在第一介电材料膜上 的第二介电材料膜。

为实现本发明第一个目的的本发明第七个方面的等离子体显示装置是一种 包含第一面板和第二面板的交流电驱动型等离子体显示装置，所说的第一面板 具有形成在第一基片上的持续电极以及形成在第一基片和持续电极上的介电材 料层，其中第一面板和第二面板在其周边部分彼此接合。

其特征在于介电材料层至少由两层选自金刚石类碳层、氮化硼层或氧化铬 (Ⅲ)层的层构成。

在本发明第七个方面的等离子体显示装置中，介电材料层的结构包括从底 部起A层和B层的两层结构；从底部起A层、B层和C层的三层结构以及从 底部起A层、B层、C层、D层……的多层结构。出于方便将上述的金刚石类 碳层、氮化硼层或氧化铬(Ⅲ)层称作″材料层″。构成相邻材料层的材料(例 如A层和B层)彼此不同。构成不相邻材料层的材料(例如A层和C层)可 以彼此不同也可以彼此相同。

在本发明第七个方面的等离子体显示装置中，介电材料层还可以具有氧化 硅层或氧化铝层，或者可以还具有氧化硅层和氧化铝层的堆栈结构。在上述的 实施方案中，当介电材料层还具有例如氧化硅层时，介电材料层的结构包括从 底部起的氧化硅层、A层和B层的三层结构；A层、氧化硅层和B层的三层 结构以及A层、B层和氧化硅层的三层结构。在A层、B层和C层的三层结 构或A层、B层、C层、D层……的多层结构中，可以在任何两材料层之间至 少插入一层氧化硅层或者将氧化硅层作为最顶材料层或最底材料层。当使用氧 化硅层、氧化铝层或氧化硅和氧化铝层的堆栈结构如上所述作为构成介电材料 层的构件时，可以降低介电材料层中的应力，并且可以防止介电材料层断裂。

在本发明第七个方面的等离子体显示装置中，介电材料层可以具有多层结 构，包含由上述堆栈结构构成的第一介电材料膜和形成在第一介电材料膜上的 第二介电材料膜。

在本发明第二至第七方面的任一方面的等离子体显示装置中，合意的是介 电材料层的厚度为1.5×10-5m或更薄，优选1.O×10-5m或更薄。合意地，介 电材料层厚度的下限为例如5×10-5m，优选1×10-6m。当介电材料层包括第 一介电材料膜和第二介电材料膜时，介电材料层的厚度是第一介电材料膜和第 二介电材料膜的总厚度。当介电材料层包括第一介电材料膜和第二介电材料膜 时，第二介电材料膜的厚度优选为1×10-6m至1×10-5m。当介电材料层的厚 度如上定义时，可以提高介电材料层的电容。结果，可以降低驱动电压，并且 可以提高电荷积聚量，从而可以改进等离子体显示装置的亮度并且可以降低其 驱动功率。

在本发明第一至第七个方面任一方面的等离子体显示装置中，第一面板中 形成的持续电极可以是成对的结构。构成每对的持续电极之间的距离可以是任 何距离，只要所需要的辉光放电发生在预定放电电压处。合意地，一对持续电 极之间的距离小于5×10-5m，优选小于5.0×10-5m，更优选2×10-5m或更 小。当一对持续电极之间的距离为大约1×10-4m时，并且当介电材料层的厚 度太大时，在介电材料层中会发生一些放电击穿和电荷不容易积聚在介电材料 层中的情况。在本发明第一个方面的等离子体显示装置中，由于介电材料层与 常规的装置相比具有较薄的厚度，并且在本发明第二至第七方面任一方面的等 离子体显示装置中，当介电材料层与常规装置相比具有较薄的厚度时，也就是 说，将介电材料层的厚度定义为1.5×10-5m或更薄，合意地1.0×10-5m或更 薄时，可以可靠地防止上述现象。

在本发明第二至第七个方面任一方面的等离子体显示装置中，介电材料层 由具有相对大特定介电常数的材料组成(例如，通过溅射法形成的氧化铝层的 特定介电常数为9-10)，由此可以提高介电材料层的电容。结果，可以提高电 荷积聚量，从而可以改进等离子体显示装置的亮度并且可以降低其驱动功率。

在本发明的等离子体显示装置中(包括后面描述的本发明第八个方面的交 流电驱动型等离子体显示装置)，由于形成了介电材料层，可以防止离子或电 子与持续电极的直接接触。结果，可以防止持续电极的耗损。介电材料层不仅 起积聚墙电荷的作用，而且起限制过量放电流的电阻材料和起存储器以持续放 电状态的作用。

在本发明第一至第七个方面任一方面的等离子体显示装置中，可以使用一 对持续电极中的一个电极形成在第一面板中而另一个形成在第二面板中的结 构。出于方便将如此结构的等离子体显示装置称作″双电极型″。在此情况中， 一个持续电极的投影图象沿第一方向延伸，另一个的投影图象沿不同于第一方 向的第二方向延伸，并且一对持续电极安排成一个持续电极面对另一个持续电 极。或者，可以使用一对持续电极形成在第一面板中而所谓的地址电极(第二 电极)形成在第二面板中的结构。出于方便将如此结构的等离子体显示装置称 作″三电极型″。在此情况中，可以使用一对持续电极的投影图象沿彼此平行的 第一方向延伸、地址电极(第二电极)的投影图象沿第二方向延伸并且一对持 续电极和地址电极(第二电极)安排成一对持续电极面对地址电极的结构，但 结构应当不限于此。在这些情况中，鉴于将等离子体显示装置结构简单化，优 选第一方向和第二方向彼此直角交叉。

在本发明第一至第七个方面任一方面的等离子体显示装置中，在第一面板 中形成的一对持续电极的相面对的边部分之间的间隙的形式可以是直线。或 者，上述间隙的形式可以是沿持续电极宽度方向呈弯曲或曲线的式样。此时， 可以增加持续电极中用于提供放电的部分的面积。

为实现上述第二个目的的本发明第八个方面的等离子体显示装置是一种交 流电驱动型等离子体显示装置，其包含：

(1)具有第一基片的第一面板；由多个第一电极所组成的第一电极组，所说 的第一电极形成在第一基片上；和覆盖第一电极并且由第一介电材料层和第二 介电材料层构成的介电材料层，和

(2)具有第二基片的第二面板；由多个第二电极所组成的第二电极组，所说 的第二电极的延伸方向与第一电极的延伸方向呈预定角度，所说的第二电极形 成在第二基片上；分离墙，每个分离墙形成在一个第二电极和另一个相邻第二 电极之间；和荧光层，其形成在第二电极上或形成在第二电极以上，

其中每个第一电极包含：

(A)一个第一总线电极，

(B)一个与第一总线电极相接触的第一持续电极，

(C)一个与第一总线电极相平行延伸的第二总线电极；

(D)一个与第二总线电极相接触并且面对第一持续电极的第二持续电 极，

并且其中放电发生在第一持续电极和第二持续电极之间。

所说的等离子体显示装置的特征在于介电材料层的覆盖第一总线电极和第 二总线电极的第一部分包含第一介电材料层和第二介电材料层，并且介电材料 层的覆盖第一持续电极和第二持续电极的第二部分包含第一介电材料层。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置中，或在后面描述的本发明第三 方面的生产方法中，由于介电材料层的覆盖第一总线电极和第二总线电极的第 一部分包含第一介电材料层和第二介电材料层，例如可以可靠地防止总线电极 和第二电极的顶部表面之间的不正常放电。整个介电材料层起积聚墙电荷的作 用，起限制过量放电流的电阻材料和起存储器以持续放电状态的作用。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置中，可以使用其中构成第一总线 电极的构件、和构成在所说第一总线电极上相邻之第一电极的构件相互独立的 结构，或者可以使用其中构成第一电极的第一总线电极、和构成在所说第一电 极上相邻之第一电极的第二总线电极为共有的结构(即所说的第一总线电极和 所说的第二电极由一种导电材料层构成，如以条纹形式)。将具有前一种结构 的等离子体显示装置称作第一结构等离子体显示装置，而将具有后一种结构的 等离子体显示装置称作第二结构等离子体显示装置。在本发明的第二结构等离 子体显示装置中，介电材料层的覆盖构成第一电极的第一总线电极的第一部 分、和介电材料层的覆盖构成在所说第一电极上相邻之第一电极的第二总线电 极的第一部分为共有。后面将要描述的″本发明第八方面的等离子体显示装置″ 包括本发明的第一结构等离子体显示装置和第二结构的等离子体显示装置。在 本发明的第二结构等离子体显示装置中，有时将所共有的第一总线电极和第二 总线电极称作″公共总线电极″，并且当在后面解释第一总线电极和第二总线电 极时，可以在解释中叫做公共总线电极。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置中，介电材料层的第一部分可以 通过将第一介电材料层和第二介电材料层按此顺序从第一基片起堆叠来形成， 或者通过将第二介电材料层和第一介电材料层按此顺序从第一基片起堆叠来形 成。

本发明第八个方面的等离子体显示装置是所谓的三电极型表面放电型等离 子体显示装置。本发明第八个方面的等离子体显示装置的结构如下。第一面板 和第二面板被安排成使介电材料层和荧光层彼此面对，第一电极(更具体说总 线电极)投影图象的延伸方向和第二电极投影图象的延伸方向呈预定角度(如 90°)，被介电材料层、荧光层和一对分离墙所包围的空间被稀有气体充电，并 且当被基于在一对相面对持续电极之间的稀有气体中AC辉光放电所产生的真 空紫外线照射时，荧光层发射出光。其中一个第一电极(一对第一持续电极和 第二持续电极与一对第一总线电极和第二总线电极的组合)与一对分离墙所重 叠的区域相当于一个放电单元(一个亚像素)。此后，将第一电极(更具体说 总线电极)的延伸方向称作″第一方向″，并且将第二电极的延伸方向称作″第二 方向″。

为实现上述第一个目的的本发明第一个方面的等离子体显示装置生产方法 是一种用于生产包含第一面板和第二面板的交流电驱动型等离子体显示装置的 方法，所说的第一面板具有形成在第一基片上的持续电极以及形成在第一基片 和持续电极上的介电材料层，其中第一面板和第二面板在其周边部分彼此接 合。

所说的方法包括通过物理蒸发沉积法(PVD法)如溅射法、真空沉积法 或离子喷镀法或化学蒸发沉积法(CVD法)在第一基片和持续电极上形成厚 度为1.5×10-5m或更薄、优选1.0×10-5m或更薄的介电材料层的步骤。上述 PVD法或CVD法使形成具有薄且均匀厚度的介电材料层成为可能。

尽管取决于介电材料层所用的材料而可能有所区别，但具体说上述的PVD 法包括：

(a)各种真空沉积法，如电子束加热法，电阻加热法和闪蒸加热法，

(b)等离子体沉积方法，

(c)各种溅射法，例如二极管溅射法、DC溅射法、DC磁控管溅射法、高 频溅射法、磁控管溅射法、离子束溅射法和偏流(bias)溅射法、

(d)各种离子喷镀法，如DC(直流)法、RF法、多阴极法、活化反应法、 电场沉积法、高频离子喷镀法和活性离子喷镀法。

尽管取决于介电材料层所用的材料而可能有所区别，CVD法包括大气压 CVD法(APCVD法)、减压CVD法(LPCVD法)、低温CVD法、高温CVD 法、等离子体CVD法(PCVD法、PECVD法)、ECR等离子体CVD法、照 相CVD法和MOCVD法。

为实现上述第一个目的的本发明第二个方面的等离子体显示装置生产方法 是一种用于生产包含第一面板和第二面板的交流电驱动型等离子体显示装置的 方法，所说的第一面板具有形成在第一基片上的持续电极以及形成在第一基片 和持续电极上的介电材料层，其中第一面板和第二面板在其周边部分彼此接 合。

所说的方法包括用含有介电材料的溶液在第一基片和持续电极上形成厚度 为1.5×10-5m或更薄、优选1.0×10-5m或更薄的介电材料层的步骤。

在本发明第二个方面的等离子体显示装置生产方法中，形成介电材料层的 步骤可以包括将含有介电材料的溶液通过旋涂法涂敷到第一基片和持续电极上 的步骤。或者，在上述方法中，形成介电材料层的步骤可以包括在第一基片和 持续电极上丝网印刷含有介电材料的溶液(包括糊状物)。含介电材料的溶液 包括水玻璃和玻璃粉的悬浮液。尽管取决于介电材料层所用的材料而可能有所 区别，在涂敷完含介电材料的溶液后是干燥，并且煅烧或烧结，由此可以获得 介电材料层。

上述水玻璃可以选自日本工业标准(JIS)K1408中规定的1号至4号水 玻璃，或其等同物。1号至4号是指每摩尔氧化钠(Na2O)的氧化硅(SiO2) 摩尔量(作为水玻璃的组分)不同的四种级别，并且1号至4号水玻璃的粘度 彼此有很大差别。因此，当使用水玻璃时，选择粘度适合丝网印刷的最佳级别 的水玻璃，或者制备等同于这种级别的水玻璃。水玻璃中用的溶剂包括水和诸 如醇类的有机溶剂。为达到适合丝网印刷的粘度，优选添加分散剂或表面活性 剂。

为实现上述第二个目的的本发明第三个方面的等离子体显示装置生产方法 是用于生产本发明第八个方面的等离子体显示装置的方法，其中本发明第八个 方面的等离子体显示装置包括本发明的第一结构等离子体显示装置或第二结构 等离子体显示装置。也就是说，上述方法用于生产交流电驱动型等离子体显示 装置，所说的装置包含：

(1)具有第一基片的第一面板；由多个第一电极所组成的第一电极组，所说 的第一电极形成在第一基片上；和覆盖第一电极并且由第一介电材料层和第二 介电材料层构成的介电材料层，和

(2)具有第二基片的第二面板；由多个第二电极所组成的第二电极组，所说 的第二电极的延伸方向与第一电极的延伸方向呈预定角度，所说的第二电极形 成在第二基片上；分离墙，每个分离墙形成在一个第二电极和另一个相邻第二 电极之间；和荧光层，其形成在第二电极上或形成在第二电极以上，

其中每个第一电极包含：

(A)一个第一总线电极，

(B)一个与第一总线电极相接触的第一持续电极，

(C)一个与第一总线电极相平行延伸的第二总线电极；

(D)一个与第二总线电极相接触并且面对第一持续电极的第二持续电 极，

并且其中放电发生在第一持续电极和第二持续电极之间，

所说的方法包括以下步骤：

(a)在第一基片上形成第一电极组，并且

(b)或者用第一介电材料层覆盖第一电极，接着在第一介电材料层的位于第 一总线电极和第二总线电极上面的部分上形成第二介电材料层；或者用第二介 电材料层覆盖第一总线电极和第二总线电极，接着用第一介电材料层覆盖第一 电极。

在本发明第三个方面的交流电驱动型等离子体显示装置生产方法的步骤(b) 中，用第一介电材料层覆盖第一电极，然后在第一介电材料层的位于第一总线 电极和第二总线电极上面的部分上形成第二介电材料层。此时，介电材料层的 第一部分具有其中第一介电材料层和第二介电材料层按此顺序从第一基片面上 堆叠的结构。上述″用第一介电材料层覆盖第一电极″意思是在构成第一电极的 第一持续电极、第一总线电极、第二持续电极和第二总线电极上(上表面和表 面)形成第一介电材料层。″在第一介电材料层的位于第一总线电极和第二总 线电极上面的部分上形成第二介电材料层″意思是在第一总线电极和第二总线 电极的穿过第一介电材料层的顶表面和表面上形成第二介电材料层。

另外，在本发明第三个方面的等离子体显示装置生产方法的步骤(b)中，用 第二介电材料层覆盖第一总线电极和第二总线电极，然后用第一介电材料层覆 盖第一电极。此时，介电材料层的第一部分具有其中第二介电材料层和第一介 电材料层按此顺序从第一基片面上堆叠的结构。上述″用第一介电材料层覆盖 第一电极″意思是在第一持续电极、第一总线电极、第二持续电极和构成第一 电极的第二总线电极上(上表面和表面)形成第一介电材料层。此外，″在第 一介电材料层的位于第一总线电极和第二总线电极上面的部分上形成第二介电 材料层″意思是在第一总线电极和第二总线电极的穿过第一介电材料层的顶表 面和表面上形成第二介电材料层。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置或本发明第三个方面的生产方法 中，优选介电材料层的覆盖第一和第二持续电极的第二部分的厚度为1×10-5m 或更薄，以便符合较高像素密度和较低驱动电压的要求。覆盖第一和第二持续 电极的介电材料层第二部分的厚度是指第一和第二持续电极顶表面的厚度。介 电材料层第二部分厚度的下限可以为在第一持续电极和第二持续电极之间不会 发生不正常放电的厚度，并且下限为例如1×10-6m是合意的，优选2×10-6m。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置或本发明第三个方面的生产方法 中，从防止总线电极和第二电极之间发生不正常放电的观点，第一总线电极和 第二总线电极顶表面的第二介电材料层的厚度(t2)为5×10-6m至3×10-5m 是合意的，优选1×10-5m至2×10-5m。

在本发明第一结构的等离子体显示装置及其生产方法中，第一介电材料层 和第二介电材料层可以形成在第一总线电极与第二总线电极之间的第一基片 上，其中所说的第一总线电极构成第一电极，第二总线电极构成在所说第一电 极上相邻的第一电极。这个结构可以有效防止构成第一电极的第一总线电极与 构成在所说第一电极上相邻之第一电极的第二总线电极之间的不正常放电。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置或本发明第三个方面的生产方法 的步骤(b)中，第二介电材料层可以还形成在第一面板中的相当于形成在第二面 板中的分离墙的部分上，或者在该部分以上。该结构可以可靠防止所谓光学串 扰现象，其中辉光放电对相邻的放电单元有影响。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置或本发明第三个方面的生产方法 中，优选构成第一介电材料层的材料与构成第二介电材料层的材料不同。可以 使用其中第一介电材料层由氧化硅(SiO2)组成且第二介电材料层由煅烧或烧 结的玻璃板产物(更具体说，低熔点玻璃糊)组成的结构。在此结构中，优选第 一介电材料层通过化学蒸发沉积法(CVD法)或物理蒸发沉积法(PVD法) 来形成，例如溅射法和真空沉积法，并且第二介电材料层通过印刷法(丝网印 刷)来形成。如果通过CVD法形成第一介电材料层的话，可以可靠地形成正 形且步级覆盖率优越和层厚度均匀的第一介电材料层。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置或本发明第三个方面的生产方法 中，第二介电材料层可以是带颜色的。此时，第二介电材料层可以显出黑色矩 阵的功能，并且可以改进沿第二方向的像素间的对比度。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置或本发明第三个方面的生产方法 中，第一总线电极和第二总线电极共用沿第一方向彼此相邻的放电单元。第一 持续电极和第二持续电极共用沿第一方向彼此相邻的放电单元(也就是说第一持 续电极可以与第一总线电极平行延伸，并且第二持续电极可以与第二总线电极 平行延伸)，或者可以形成在一对分离墙之间(也就是说，它们可以形成各自的 放电单元)。第一持续电极面对第二持续电极的部分和第二持续电极面对第一 持续电极的部分可以是直线，或可以是之字形(例如，″折线″形组合、″S″字母 形组合、弧形组合或任何曲线形组合)。当第一持续电极和第二持续电极形成 在一对分离墙之间时，所设计的第一持续电极和第二持续电极的形式可以具有 其中如图14所示第一持续电极从第一总线电极向第二总线电极与第二方向平 行延伸、第二持续电极从第二总线电极向第一总线电极与第二方向平行延伸、 并且放电如辉光放电发生在第一持续电极顶端部分和第二持续电极顶端部分之 间的结构。或者，可以使用其中如图15或16所示第一持续电极从第一总线电 极向第二总线电极延伸并且与第二方向平行延伸达不到第二总线电极、第二持 续电极从第二总线电极向第一总线电极并且与第二方向平行延伸达不到第一总 线电极以便面对第一持续电极(或沿着第一持续电极)、并且放电如辉光放电 发生在第一持续电极面对第二持续电极的部分(侧表面)和第二持续电极面对 第一持续电极的部分(侧表面)之间的结构。

在本发明第八个方面的等离子体显示装置或本发明第三个方面的生产方法 中，第一持续电极和第二持续电极之间的距离(L1)可以是任意值。然而，其 是1×10-4m或更短是合意的，优选小于5×10-5m，更优选4×10-5m或更短， 更优选2.5×10-5m或更短。第一持续电极和第二持续电极之间距离(L1)的 下限可以确定为任何值，同时考虑介电材料层等的厚度，以致在第一持续电极 和第二持续电极之间没有发生介电击穿。

本发明第一至第八方面任一方面的等离子体显示装置例如称作三电极型等 离子体显示装置，将在以下作详细描述。对双电极型等离子体显示装置而言， 第二电极在下面的解释中可以叫做″其它持续电极″。

本发明第一至第七方面任一方面的等离子体显示装置或本发明第一至第二 方面任一方面的生产方法中，还可以使用其中除持续电极外、由电阻率比持续 电极低的材料组成的总线电极形成与持续电极接触以便整个降低持续电极阻抗 的结构。在本发明第一至第八方面任一方面的等离子体显示装置或本发明第一 至第三方面任一方面的生产方法中，优选使用其中用于持续电极的导电材料和 用于总线电极的导电材料彼此不同的结构。一般来说，总线电极可以由例如 Ag、Au、Al、Ni、Cu、Mo、Cr或Cr/Cu/Cr堆叠膜构成。由以上金属材料组 成的总线电极在反射型等离子体显示装置中减少了从荧光层发出并透过第一基 片的可见光投射光的数量，以便降低显示屏幕的亮度。因此，优选形成尽可能 窄的总线电极，只要可以获得总线电极所必需的电阻值。例如，可以根据所用 的导电材料按需要通过沉积法、溅射法、印刷法(丝网印刷法)、喷砂法、喷 镀法或卸下(lift-off)法来形成总线电极。也就是说，可以从开始便用合适的遮蔽 罩或网板形成预定式样的总线电极，或可以通过在整个表面上形成导电材料层 然后将导电材料层式样化来形成总线电极。

在本发明第一至第八方面任一方面的等离子体显示装置或本发明第一至第 三方面任一方面的生产方法中，用于持续电极的导电材料取决于等离子体显示 装置是透射型还是反射型而不同。在透射型等离子体显示装置中，从荧光层发 出的光据观察可透过第二面板，从而构成持续电极的导电材料无所谓是透明的 还是非透明的。然而，由于第二电极(地址电极)形成在第二基片上，第二电 极最好是透明的。在反射型等离子体显示装置中，从荧光层发出的光据观察可 透过第一基片，从而构成第二电极(地址电极)的导电材料无所谓是透明的还 是非透明的。然而，构成持续电极的导电材料最好是透明的。术语″透明或非 透明的″是基于导电材料对具有荧光材料发出光的固有波长(可见光区)的光 的透射率。也就是说，当构成持续电极的导电材料对荧光层发出的光是透明的 时，便可以说该导电材料是透明的。非透明导电材料包括Ni、Al、Au、Ag、Pd/Ag、 Cr、Ta、Cu、Ba、LaB6、Ca0.2La0.8CrO3等，并且这些材料可以单独使用也可以 组合使用。透明导电材料包括ITO(铟锡氧化物)和SnO2。持续电极例如可以 根据所用的导电材料按需要通过沉积法、溅射法、印刷法(丝网印刷法)、喷 砂法、喷镀法或卸下(lift-off)法来形成。也就是说，可以从开始便用合适的遮蔽 罩或网板形成预定式样的持续电极，或可以通过在整个表面上形成导电材料层 然后将导电材料层式样化来形成持续电极。

在反射型等离子体显示装置中，要求用于介电材料层的材料是透明的，这 是因为从荧光层发出的光据观察可透过第一基片。

在本发明第八方面的等离子体显示装置或本发明第三方面的生产方法中， 优选在介电材料层的覆盖第一持续电极和第二持续电极的第二部分的表面上至 少形成一层保护层。保护层不仅可以形成在第二部分上，还可以形成在介电材 料层的覆盖第一总线电极和第二总线电极的第一部分的表面上。保护层可以具 有单层结构或堆栈层状结构。在本发明第三方面的等离子体显示装置生产方法 中，可以在步骤(b)之后，或在步骤(b)中形成保护层，可以在用第一介电材料层 覆盖第一电极之后形成保护层，接着在第一介电材料层的位于第一总线电极和 第二总线电极上面的部分上(更具体说，在保护层上)形成第二介电材料层。 具有单层结构的保护层的材料包括氧化镁(MgO)、氟化镁(MgF2)、氟化钙 (CaF2)和氧化铝(Al2O3)。其中，氧化镁是适宜材料，其具有诸如化学稳定 性、低溅射率、在荧光层发出的光的波长下的高透光率以及低放电引发电压的 性能。保护层可以具有由至少两种选自氧化镁、氟化镁和氧化铝的材料组成的 堆栈层状结构。当形成保护层时，可以防止离子或电子与第一电极组的直接接 触，结果可以防止第一电极的损耗。保护层还起放射辉光放电所必需的次级电 子的作用。

在本发明第八方面的等离子体显示装置或本发明第三方面的生产方法中， 第二电极形成在第二基片上。如果荧光层作为介电物质层的功能不足，可以在 第二电极组和荧光层之间形成介电物质层。用于介电物质层的材料可以选自低 熔点玻璃或SiO2。

荧光层由荧光材料组成，所说的荧光材料选自发红光的荧光材料、发绿光 的荧光材料和发蓝光的荧光材料。荧光层形成在第二基片(或第二电极)上， 或者在其上面。具体说，由发红色光荧光材料组成的荧光层(红色荧光层)形 成在第二电极上或其上面，由发绿色光荧光材料组成的荧光层(绿色荧光层) 形成在另一个第二电极上或其上面，并且由发蓝色光荧光材料组成的荧光层(蓝 色荧光层)形成在再一个第二电极上或其上面。这三层发三原色的荧光层形成 一组，并且以规定的顺序形成这些组。一个第一电极(一对第一总线电极和第 二总线电极以及一对第一持续电极和第二持续电极的组合)与一组发三原色光 的荧光层重叠的区域相当于一个像素。红色荧光层、绿色荧光层和蓝色荧光层 可以形成条纹状的形式，或者可以形成点状的形式。当红色荧光层、绿色荧光 层和蓝色荧光层形成条纹状形式时，在一个第二电极上或其上面形成一层红色 荧光层，在一个第二电极上或其上面形成一层绿色荧光层，在一个第二电极上 或其上面形成一层蓝色荧光层。当红色荧光层、绿色荧光层和蓝色荧光层形成 点状形式时，红色荧光层、绿色荧光层和蓝色荧光层按预定的顺序形成在一个 第二电极上或其上面。此外，荧光层可以仅仅形成在持续电极和第二电极重叠 的区域上。

荧光层可以直接形成在第二电极上，或者可以形成在第二电极上和在分离 墙的侧壁上。或者，荧光层可以形成在形成于第二电极上的介电物质层上，或 可以形成在形成于第二电极上和分离墙侧壁上的介电物质层上。或者，荧光层 可以仅仅形成在分离墙的侧壁上。荧光层形成在第二电极上或其上面包括所有 上述的各种实施方案。

用于介电物质层的材料包括低熔点玻璃和氧化硅，并且可以通过丝网印刷 法、溅射法或真空沉积法来形成。在一些情况中，由氧化镁(MgO)、氟化镁 (MgF2)和氟化钙(CaF2)组成的保护层可以形成在荧光层和分离墙上。

作为用于构成荧光层的荧光材料，具有高量子效率并引起真空紫外线较低 饱和的荧光材料可以按需要选自己知的荧光材料。当使用等离子体显示装置作 为彩色显示器时，优选将那些按NTSC定义具有颜色纯度接近三原色的荧光材 料、当将三原色混合具有优异白色平衡的荧光材料、显出低滞光时间的荧光材 料和可以确保三原色滞光时间几乎相等的荧光材料合并。当被真空紫外线照射 时发出红色光的荧光材料的实例包括(Y2O3:Eu)、(YBO3EU)、(YVO4:Eu)、 (Y0.96P0.60V0.4O4:Eu0.04)、[(Y2Gd)BO3:Eu]、(GdBO3:Eu)、(ScBO3:EU)和 (3.5MgO0.5MgF2GeO2:Mn)。当被真空紫外线照射时发出绿色光的荧光材料的 实例包括(ZnSiO2:Mn)、(BaAl12O19:Mn)、(BaMg2Al16O27:Mn)、(MgGa2O4:Mn)、 (YBO3:Tb)、(LuBO3:Tb)和(Sr4Si3O8Cl4:Eu)。当被真空紫外线照射时发出蓝色光 的荧光材料的实例包括(Y2SiO5:Ce)、(CaWO4:Pb)、CaWO4、YP0.85V0.15O4、 (BaMgAl14O23:Eu)、(Sr2P2O7:Eu)和(Sr2P2O7:Sn)。形成荧光层的方法包括厚膜印 刷法、喷洒荧光材料颗粒的方法、给待形成荧光层的区域涂敷粘合物质并且允 许荧光颗粒粘附的方法、提供感光荧光糊剂并且通过将感光荧光糊剂曝光和显 影使荧光层图像化的方法、以及在整个表面上形成荧光层并且通过喷砂法去除 其中不必须部分的方法。

分离墙可以具有其中它们在与第二电极平行的相邻第二电极之间的区域中 延伸的结构。也就是说，可以使用其中一个第二电极在一对分离墙之间延伸的 结构。在一些情况中，分离墙可以具有其中第一分离墙在与总线电极平行的相 邻总线电极之间的区域延伸、并且第二分离墙在与第二电极平行的相邻第二电 极之间的区域中延伸的结构(即格子的形式)。呈格子形式(点阵)的分离墙 可以按常规用于DC驱动型等离子体显示装置，因此它们可以用于本发明的等 离子体显示装置。当介电物质层形成在第二基片上和地址电极上时，一些情况 中分离墙可以形成在介电物质层上。

用于分离墙的材料可以选自已知的绝缘性材料。例如，可以使用广泛使用 的低熔点玻璃与金属氧化物如氧化铝的混合物。分离墙可以通过丝网印刷法、 喷砂法、干成膜法和感光法来形成。上述的丝网印刷法是指在网板的相当于将 要形成分离墙部分的那些部分中作出开口部分，通过挤压使网板上的分离墙形 成用的材料穿过开口部分，在第二基片或介电物质层上(此后概括地称作″第 二基片等″)形成分离墙形成用的材料层，然后将该分离墙形成用的材料层煅 烧或烧结。上述的干成膜法是指将感光膜层压到第二基片等上，通过曝光和显 影除去待要形成分离墙的区域上的感光膜，在通过除去形成的开口部分填充分 离墙形成用的材料，并且将该分离墙形成用的材料煅烧或烧结。将通过煅烧或 烧结燃烧和去除的感光膜和在开口部分填充的分离墙形成用材料放置，以形成 分离墙。上述的感光法是指在第二基片等上形成用于形成分离墙的感光材料 层，通过曝光和显影使感光材料层图像化，然后将图像化的感光材料层煅烧或 烧结。上述的喷砂法是指在第二基片等上形成用于形成分离墙的分离墙形成材 料层，例如通过丝网印刷或用辊式涂布器、刮片或喷嘴涂布器，并且干燥，然 后用遮蔽层覆盖分离墙形成材料层中的待要形成分离墙的那些部分，并且通过 喷砂法除去分离墙形成材料层的暴露部分。可以形成黑色的分离墙，以形成所 谓的黑色矩阵。在这种情况中，可以形成高对比度的显示屏幕。形成黑色分离 墙的方法包括在每个分离墙的顶部部分上形成吸光层如感光银糊层或低反射铬 层的方法，和用呈黑色的耐色材料形成分离墙的方法。

构成用于第一面板的第一基片和用于第二面板的第二基片的材料包括高失 真点玻璃、钠玻璃(Na2OCaOSiO2)、硼硅酸盐玻璃(Na2OB2O3SiO2)、镁橄 榄石(2MgO2SiO2)和铅玻璃(Na2OPbOSiO2)。构成第一基片的材料和构成 第二基片的材料可以彼此相同或不同。

一个放电单元由形成在第二面板上面的一对分离墙、占据被一对分离墙所 包围之区域的持续电极和第二电极、和荧光层(例如一层红色荧光层、绿色荧 光层和蓝色荧光层的荧光层)所构成。由混合气体组成的放电气体被封在上述 的放电单元中，更具体说，被分离墙所包围的放电空间，并且当被通过放电空 间中放电气体发生AC辉光放电所产生的真空紫外线照射时，荧光层发出光。

在本发明的等离子体显示装置中，由介电材料层、荧光层和一对分离墙所 包围的空间中所充的稀有气体的压力为1.0×102Pa(0.001大气压)至5×105Pa(5 大气压)是合意的，优选1×103pa(0.01大气压）至4×105Pa(4大气压)。当一对 持续电极之间的距离L1小于5×10-5m时，空间中稀有气体的压力为1.0× 102Pa(0.001大气压)至3.0×105Pa(3大气压)是合意的，优选1.0×103pa(0.01大 气压)至2.0×105Pa(2大气压)，更优选1.0×104a(0.1大气压)至1.0×105Pa(1大 气压)。当将稀有气体的压力调至上述压力范围时，用真空紫外线照射时荧光层 发出光，其中所说的真空紫外线的产生主要基于稀有气体中的阴极辉光。随着 压力在上述压力范围内增加，构成等离子体显示装置的各种构件的溅射比降 低，造成等离子体显示装置的使用期增加。

被封在空间中的稀有气体需要满足以下条件：

(1)稀有气体是化学稳定的，并且从达到较长等离子体显示装置使用期的观 点允许设定高气压。

(2)从达到较高显示屏幕亮度的观点，稀有气体允许真空紫外线的高放射强 度。

(3)从增加由真空紫外线到可见光的能量转化效率的观点，被放射的真空紫 外线具有长的波长。

(4)从降低功率消耗的观点，放电引发电压是低的。

稀有气体包括He(共振线波长=58.4nm)、Ne(共振线波长=74.4nm)、Ar(共 振线波长=107nm)、Kr(共振线波长=124nm)和Xe(共振线波长=147nm)。这 些稀有气体可以单独使用也可以作为混合物使用，混合气体是特别有利的，因 为基于钉住效应可以预料到放电引发电压降低。上述混合气体的实例包括 Ne-Ar混合气体、He-Xe混合气体、Ne-Xe混合气体、He-Kr混合气体、Ne-Kr混 合气体和Xe-Kr混合气体。这些稀有气体中，具有最长共振线波长的Xe是适 宜的，因为它还放射波长172nm的强烈真空紫外线。

下面将参考图21A、21B、22A和22B解释放电单元中的辉光放电的光发 射状态。图21A图示了当DC辉光放电的光发射状态是在放电管中由其中密封 的稀有气体完成的。从阴极到阳极，接连出现阿斯顿暗区A、阴极辉光B、阴 极暗区(Crookes暗区)C、阴电辉光D、法拉第暗区E、阳极柱F和阳极辉光 G。在AC辉光放电中，据认为由于阴极和阳极以一定的频率重复倒置，阳极 柱F位于电极之间的中央区，并且法拉第暗区E、阴电辉光D、阴极暗区C、 阴极辉光B和阿斯顿暗区A接连对称地出现在阳极柱F的两侧。当电极之间 的距离像荧光灯一样足够大时，观察到图21B中所示的状态。

随着电极之间的距离降低，阳极柱F的长度减少。当电极之间的距离进一 步降低时，据推测，阳极柱F会消失，阴电辉光D位于电极之间的中央区域， 并且阴极暗区C、阴极辉光B和阿斯顿暗区A按此顺序接连对称地出现在阴 电辉光D的两侧，如图22A所示。当电极之间距离为大约1×10-4m时，观察 到图22A所示的状态。在三电极型等离子体显示装置中，阴电辉光形成在介电 材料层覆盖一个持续电极(相当于阴极)的表面部分附近的空间中，或形成在 介电材料层覆盖另一个持续电极(相当于阴极)的表面部分附近的空间中。

当电极之间的距离变得小于5×10-5m时，据推测，阴极辉光B位于电极 之间的中央区域，并且阿斯顿暗区A出现在阴极辉光B的两侧，如图22B所 示。在一些情况中，阴电辉光可以部分地存在。在三电极型等离子体显示装置 中，阴极辉光形成在介电材料层覆盖一个持续电极(相当于阴极)的表面部分 附近的空间中，或形成在介电材料层覆盖另一个持续电极(相当于阴极)的表 面部分附近的空间中。当一对持续电极之间的距离如上所述被安排成小于5× 10-5m时，并且当空间中的压力被调整至1.0×102Pa(0.001大气压)至3.0× 105Pa(3大气压)时，可以使用阴极辉光作为放电模式。由此可以达到高AC辉 光放电效率，结果可以在等离子体显示装置中达到高发光效率和高亮度。

本发明将参考以下附图进行解释。

图1是三电极型等离子体显示装置普通结构的部件分解透视图。

图2是测试实施例1制造的等离子体显示装置的亮度测定结果显示图。

图3是测试实施例1制造的等离子体显示装置的放电电压测定结果显示 图。

图4是测试实施例2制造的等离子体显示装置(第一介电材料膜厚度3μm) 的亮度测定结果显示图。

图5是测试实施例2制造的等离子体显示装置(第一介电材料膜厚度 10μm)的亮度测定结果显示图。

图6是实施例8等离子体显示装置中的持续电极、总线电极和分离墙布局 图。

图7是实施例8等离子体显示装置一部分的部件分解透视图。

图8A和8B是通过在实施例8的等离子体显示装置及其变化方案中沿类 似图6中的箭头B-B切割第一面板所取的第一面板的部分端视图。

图9A和9B是通过在实施例9的等离子体显示装置及其变化方案中沿类 似图6中的箭头B-B切割第一面板所取的第一面板的部分端视图。

图10是实施例10等离子体显示装置中的持续电极、总线电极和分离墙布 局图。

图11是实施例10等离子体显示装置一部分的部件分解透视图。

图12A和12B是实施例10等离子体显示装置中第一面板的部分端视图。

图13A、13B和13C是一对持续电极的部分平面图，所说持续电极的相面 对的边缘部分具有沿本发明等离子体显示装置中持续电极宽度方向弯曲或曲线 的式样。

图14是本发明等离子体显示装置中持续电极、总线电极和分离墙布局变 化方案的视图。

图15是本发明等离子体显示装置中持续电极、总线电极和分离墙布局另 一个变化方案的视图。

图16是本发明等离子体显示装置中持续电极、总线电极和分离墙布局再 一个变化方案的视图。

图17是具有图15所示布局的等离子体显示装置的部分分解透视图。

图18是当将图14所示持续电极与实施例解释的总线电极组合时，持续电 极、总线电极和分离墙的布局图。

图19是当将图15所示持续电极与实施例解释的总线电极组合时，持续电 极、总线电极和分离墙的布局图。

图20是当将图15所示持续电极与实施例10解释的总线电极组合时，持 续电极、总线电极和分离墙的布局的变化方案。

图21A和21B是放电单元中辉光放电的光发射状态示意图。

图22A和22B是放电单元中辉光放电的光发射状态示意图。

图23是通过在常规等离子体显示装置中沿类似图6中的箭头B-B切割第 一面板所取的第一面板的部分端视图。

实施例1

实施例1涉及本发明第一和第四方面的交流电驱动型等离子体显示装置 (此后称作″等离子体显示装置″)。实施例1的等离子体显示装置的特征性特点 在于介电材料的厚度为1.5×10-5m或更薄。介电材料层包含由氧化硅(SiO2) 组成的第一介电材料膜和由MgO组成的第二介电材料膜。根据本发明第一个 方面的三电极型等离子体显示装置，其具有图1所示的结构，通过以下描述的 方法生产。

通过以下方法生产第一面板10。首先，在由高失真点玻璃或钠玻璃组成 的第一基片11的整个表面上通过溅射法形成ITO层，并且通过照相平版印刷 法或蚀刻法将ITO层式样化成条纹的形式，以便形成多对的持续电极12。持 续电极12沿第一方向延伸。然后，在整个表面上形成铝膜或铜膜，例如通过 沉积法，并且通过照相平版印刷法或蚀刻法将铝膜或铜膜式样化，以便沿持续 电极12边缘部分形成总线电极13。在每对持续电极12中，持续电极12之间 的距离为2×10-5m(20μm)。

然后，通过溅射法使用高频磁控管溅射装置在下表1所示的条件下，在整 个表面上形成由氧化硅组成的第一介电材料膜14。此时，作为第一介电材料膜 14，形成厚度为1μm、3μm和6μm的介电材料膜。此外，作为第一介电材料 膜14，通过丝网印刷法在整个表面形成主要由氧化硅组成的介电材料膜。使用 糊剂作为含介电材料的溶液。此时，第一介电材料膜14的厚度为10μm。此外， 作为对照目的，通过丝网印刷法形成一20μm厚度的由氧化硅组成的第一介电 材料膜，作为第一介电材料膜14。 表1 对象 SiO2 加工气体 Ar/O2=500/100sccm Ar气压 5×10-1Pa RF功率 1 KW

然后，在第一介电材料膜14上通过电子束沉积法形成由氧化镁(MgO) 组成的0.6μm厚的第二介电材料膜(保护层)15。通过上述步骤，完成第一面 板10。

通过以下方法生产第二面板20。首先，通过例如丝网印刷法将银糊以条 纹的形式印刷在由高失真点玻璃或钠玻璃制造的第二基片21上，并且煅烧或 烧结，以形成地址电极22。地址电极22沿与第一方向呈直角交叉的第二方向 延伸。通过丝网印刷法在整个表面上形成低熔点玻璃糊层，并且将该低熔点玻 璃糊层煅烧或烧结，形成介电物质层23。然后，将低熔点玻璃糊印刷在位于相 邻地址电极22之间区域以上的介电物质层23上，例如通过丝网印刷，并且煅 烧和烧结形成分离墙25。分离墙的平均高度为130μm。然后，在分离墙25之 间的介电物质层23上和在分离墙25的侧壁上，接连印刷三原色的荧光材料浆 液并且煅烧或烧结，形成荧光层24R、24G和24B。通过上述步骤，完成第二 面板20。

然后，装配等离子体显示装置。即首先在第二面板20的周边部分中形成 半熔玻璃层，例如通过丝网印刷。然后，将第一面板10和第二面板20彼此接 合，并且煅烧或烧结以固化半熔的玻璃层。将第一面板10和第二面板20之间 形成的空间真空化，然后填充Ne-Xe混合气体，并且将空间密封以完成等离子 体显示装置。

测试如此生产的等离子体显示装置的亮度。施加150伏的电压以便放电。 图2显示了结果。此外，测定通过形成20μm厚由氧化硅组成的第一介电材料 膜14(通过丝网印刷法)获得的等离子体显示装置的亮度，并且将测定值称作 对照值。

亮度测定的结果清楚证明了当介电材料层的厚度为1.5×10-5m(15μm) 或更薄，优选1.0×10-5m(10μm)或更薄时，亮度得到改进。

此外，测试如此生产的等离子体显示装置的放电电压。图3显示了结果。

放电电压的测定结果清楚证明了当介电材料层的厚度为1.5×10-5m (15μm)或更薄，优选1.0×10-5m(10μm)或更薄时，放电电压降低。

由氧化硅组成的第一介电材料膜可以例如通过减压CVD法使用SiH4/O2作为气体源和Ag气体作为载气并且使用420℃作为沉积温度来形成。或者， 由氧化硅组成的第一介电材料膜可以通过电子束加热法使用夹板化 (palletized)SiO2作为对象和O2作为加工气体来形成。此外，由氧化硅组成的第 一介电材料膜可以通过离子喷镀法使用SiO2、SiO或Si作为沉积源和O2作为 活性气体来形成。此外，由氧化硅组成的第一介电材料膜还可以通过自旋涂布 法使用含氧化硅的溶液来形成。

实施例2

实施例2也涉及本发明第一和第四方面的等离子体显示装置。在实施例2 中，改变一对持续电极12之间的距离，并且研究如此获得的等离子体显示装 置之亮度与一对持续电极12之间距离的关系。在实施例2或实施例3至7中， 生产图1所示的三电极型等离子体显示装置。

在实施例2中，通过以下方法生产第一面板10。首先，按与实施例1相 同的方式完成到形成总线电极13的过程。然后，按与实施例1相同的方式在 整个表面上形成一3μm厚由氧化硅组成的第一介电材料膜14。另外，通过丝 网印刷法在整个表面上形成一10μm厚由氧化硅组成的第一介电材料膜14。然 后，在第一介电材料膜14上通过电子束沉积法形成一0.6μm厚的由氧化镁 (MgO)组成的第二介电材料膜(保护膜)15。通过上述步骤，完成第一面板 10。按与实施例1相同的方式完成第二面板20的生产和等离子体显示装置的 装配。将一对持续电极12之间的距离(d)改变成10μm、20μm、40μm和70μm。

测试如此生产的等离子体显示装置的亮度。所施加的电压设定到与实施例 1相同的程度。图4和5显示了结果。

图4和5清楚显示了，随着第一介电材料膜厚度的降低，等离子体显示装 置的亮度增加，并且随着一对持续电极之间距离的降低，等离子体显示装置的 亮度增加。

实施例3

实施例3涉及本发明第二个方面的等离子体显示装置。在实施例3的等离 子体显示装置中，介电材料层包含由氧化铝层构成的第一介电材料膜和由MgO组成的第二介电材料膜。

通过以下方法生产第一面板10。首先，按与实施例1相同的方式完成到 形成总线电极13的过程。然后，通过电子束加热法在下表2所示的条件下， 形成由氧化铝组成的第一介电材料膜14。此时，第一介电材料膜14的厚度为 1μm至20μm。然后，在第一介电材料膜14上通过电子束沉积法形成一0.6μm 厚的由氧化镁(MgO)组成的第二介电材料膜(保护膜)15。通过上述步骤， 完成第一面板10。按与实施例1相同的方式完成第二面板20的生产和等离子 体显示装置的装配。

表2 沉积源 Al2O3 加工气体 O2  O2分压 1×10-2Pa  RF功率 1 KW 加热温度 200℃

测试如此生产的等离子体显示装置的亮度。所施加的电压设定到与实施例 1相同的程度。结果，等离子体显示装置显出比对照值高的值，即使当第一介 电材料膜14的厚度为20μm。此外，随着第一介电材料膜的厚度降低，等离子 体显示装置显出较高的亮度值，并且当介电材料层的厚度具体为15μm或更薄 时，等离子体显示装置显出非常较高的亮度值。

由氧化铝组成的第一介电材料膜还可以通过溅射法使用Al2O3或Al作为 对象和O2作为加工气体来形成。此外，由氧化铝组成的第一介电材料膜还可 以通过溶胶-凝胶法来形成。

实施例4

实施例4涉及本发明第三个方面的等离子体显示装置。在实施例4的等离 子体显示装置中，介电材料层包含具有由氧化铝层和氧化硅层构成的堆栈状结 构的第一介电材料膜和由MgO组成的第二介电材料膜。

通过以下方法生产第一面板10。首先，按与实施例1相同的方式完成到 形成总线电极13的过程。然后，通过电子束加热法在上表2所示的条件下， 在整个表面上形成一氧化铝层(3μm厚度)，然后按实施例1中的解释在其上 形成一氧化硅层(3μm厚度)。然后，在第一介电材料膜14上通过电子束沉积 法形成一0.6μm厚的由氧化镁(MgO)组成的第二介电材料膜(保护膜)15。 通过上述步骤，完成第一面板10。按与实施例1相同的方式完成第二面板20 的生产和等离子体显示装置的装配。

测试如此生产的等离子体显示装置的亮度。所施加的电压设定到与实施例 1相同的程度。结果，实施例4中的等离子体显示装置显出比对照值高的值。

实施例5

实施例5涉及本发明第五个方面的等离子体显示装置。在实施例5的等离 子体显示装置中，介电材料层包含由金刚石类碳(DLC)层构成的第一介电材 料膜和由MgO组成的第二介电材料膜。

通过以下方法生产第一面板10。按与实施例1相同的方式完成到形成总 线电极13的过程。然后，通过高频CVD法或热解CVD法，由含碳气体源如 CH4在整个表面上形成一金刚石类碳层(厚度1-20μm)。然后，在第一介电材 料膜14上通过电子束沉积法形成一0.6μm厚的由氧化镁(MgO)组成的第二 介电材料膜(保护膜)15。通过上述步骤，完成第一面板10。按与实施例1相 同的方式完成第二面板20的生产和等离子体显示装置的装配。

测试如此生产的等离子体显示装置的亮度。所施加的电压设定到与实施例 1相同的程度。结果，等离子体显示装置显出比对照值高的值，即使当第一介 电材料膜14的厚度为20μm。此外，随着第一介电材料膜的厚度降低，等离子 体显示装置显出较高的亮度值，并且当介电材料层的厚度具体为15μm或更薄 时，等离子体显示装置显出非常较高的亮度值。此外，当用由氮化硼层或氧化 铬(Ⅲ)层组成的第一介电材料膜代替金刚石类碳层时，获得类似的结果。

由氮化硼组成的第一介电材料膜可以通过活性RF溅射法或高频CVD法 来形成。另外，可以通过将含氮化硼的糊剂丝网印刷并且将印刷的糊煅烧或烧 结的方法来形成，或者可以通过自旋涂布法或浸渍法使用含氮化硼的悬浮液来 形成。

由氧化铬(Ⅲ)组成的第一介电材料膜可以通过含氧化铬(Ⅲ)的糊剂丝 网印刷并且将印刷的糊煅烧或烧结的方法来形成，或者可以通过自旋涂布法或 浸渍法使用含氮化硼的悬浮液来形成、另外，可以通过RF溅射法使用氧化铬 (Ⅲ)作为对象以及Ar和O2作为加工气体，或高频CVD法来形成。

实施例6

实施例6涉及本发明第六个方面的等离子体显示装置。在实施例6的等离 子体显示装置中，介电材料层包含具有由金刚石类碳(DLC)层和氧化硅层构 成的堆栈状结构的第一介电材料膜和由MgO组成的第二介电材料膜。

通过以下方法生产第一面板10。按与实施例1相同的方式完成到形成总 线电极13的过程。然后，通过CVD法，在整个表面上形成一金刚石类碳层(厚 度1μm)，然后通过溅射法在其上形成一氧化硅层(厚度2μm)。然后，在第一 介电材料膜14上通过电子束沉积法形成一0.6μm厚的由氧化镁(MgO)组成 的第二介电材料膜(保护膜)15。通过上述步骤，完成第一面板10。按与实施 例1相同的方式完成第二面板20的生产和等离子体显示装置的装配。

测试如此生产的等离子体显示装置的亮度。所施加的电压设定到与实施例 1相同的程度。结果，实施例6的等离子体显示装置显出比对照值高的值。此 外，当用由氮化硼层或氧化铬(Ⅲ)层构成的第一介电材料膜代替金刚石类碳 层时，获得类似的结果。此外，按如上相同的方式生产等离子体显示装置，除 用氧化铝层代替氧化硅层，并且等离子体显示装置的亮度经测定显出比对照值 高的值。此外，按如上相同的方式生产等离子体显示装置，除用由氧化硅层/氧 化铝层的堆栈结构代替氧化硅层，并且等离子体显示装置的亮度经测定显出比 对照值高的值。

实施例7

实施例7涉及本发明第七个方面的等离子体显示装置。在实施例7的等离 子体显示装置中，介电材料层包含具有由金刚石类碳(DLC)层和氧化铝层构 成的堆栈状结构的第一介电材料膜和由MgO组成的第二介电材料膜。

通过以下方法生产第一面板10。按与实施例1相同的方式完成到形成总 线电极13的过程。然后，通过CVD法，在整个表面上形成一金刚石类碳层(厚 度1μm)，然后通过溅射法在其上形成一氧化铝层(厚度2μm)。然后，在第一 介电材料膜14上通过电子束沉积法形成一0.6μm厚的由氧化镁(MgO)组成 的第二介电材料膜(保护膜)15。通过上述步骤，完成第一面板10。按与实施 例1相同的方式完成第二面板20的生产和等离子体显示装置的装配。

测试如此生产的等离子体显示装置的亮度。所施加的电压设定到与实施例 1相同的程度。结果，实施例7的等离子体显示装置显出对照值高的值。此外， 当用由氮化硼层或氧化铬(Ⅲ)层构成的第一介电材料膜代替金刚石类碳层时， 获得类似的结果。此外，按如上相同的方式生产等离子体显示装置，除第一介 电材料膜具有由金刚石类碳层和氧化硅层构成的堆栈状结构，或具有由金刚石 类碳层、氧化铝层和氧化硅层构成的堆栈状结构，获得类似的结果。

实施例8

实施例8涉及本发明第八方面的等离子体显示装置的第一结构。该等离子 体显示装置是所谓的三电极型并且属于表面放电型。图7显示了实施例8等离 子体显示装置的部分分解透视图。等离子体显示装置具有第一面板10和第二 面板20。第一面板(前板)10包括由例如玻璃制成的第一基片11；由形成在 第一基片11上的多个第一电极组成的第一电极组；覆盖第一电极的介电材料 层，且包括第一介电材料层14A和第二介电材料层14B；以及由氧化镁(MgO) 组成并且形成在介电材料层上的保护层115。

图6显示了图7所示等离子体显示装置的持续电极12A和12B、总线电 极13A和13B和分离墙25的布局。被虚线包围的区域相当于一个像素。图6 中画有斜线以清楚表示每个构件。每个像素为正方形的形式。每个像素被分离 墙25分成三个部分(放电单元)，并且从每个部分中发出三原色(R、G、B) 中之一种的光。

每个第一电极包括第一总线电极13A、与第一总线电极13A接触的第一 持续电极12A、与第一总线电极13A平行延伸的第二总线电极13B、以及与第 二总线电极13B接触并且面对第一持续电极12A的的第二持续电极12B。呈 条状的第一持续电极12A与呈条状的第一总线电极13A平行延伸，并且呈条 状的第二持续电极12B沿第一方向与呈条状的第二总线电极13B平行延伸。 具体说，第一总线电极13A形成在第一持续电极12A邻近第一持续电极边缘 部分的部分上。第二总线电极13B形成在第二持续电极12B邻近第二持续电 极边缘部分的部分上。第一总线电极13A和第二总线电极13B共有放电单元， 其沿第一方向的彼此邻近，并且第一持续电极12A和第二持续电极12B共有 放电单元，其沿第一方向的彼此邻近。设置总线电极13A和13B是为降低持 续电极12A和12B的阻抗，并且由电阻率比持续电极12A和12B低的材料组 成。持续电极12A和12B由透明导电材料如ITO组成。总线电极13A和13B 可以由电阻率比ITO低的材料组成，如铬/铜/铬堆叠层。第一和第二总线电极 13A和13B优选形成为具有尽可能窄的线宽度(如50μm宽度)，只要在显示 屏幕(该实施例图中第一基片11的上表面)上获得所需的亮度。在本实施例 中，第一持续电极12A和第二持续电极12B之间的距离(侧表面12a和侧表 面12b之间的距离L1)经测定为小于5×10-5m(如20μm)。辉光放电发生在 第一持续电极12A和第二持续电极12B之间。

图8A显示了图6中沿箭头B-B切割第一面板10所获得的部分端视图。 介电材料层包括第一部分和第二部分。也就是说，介电材料层覆盖第一总线电 极13A和第二总线电极13B的第一部分包括第一介电材料层14A和第二介电 材料层14B，并且介电材料层覆盖第一持续电极12A和第二持续电极12B的 第二部分包括第一介电材料层14A。上述的介电材料层的第一部分可以通过将 第一介电材料层14A和第二介电材料层14B按此顺序从第一基片表面起堆叠 来形成。第一介电材料层14A由氧化硅(SiO2)组成，覆盖第一持续电极12A 和第二持续电极12B的表面和顶表面。第二介电材料层14B由低熔点玻璃糊 的煅烧或烧结产物组成，形成在覆盖第一总线电极13A和第二总线电极13B 的第一介电材料层14A的部分上。第一介电材料层14A在第一持续电极12A 顶表面上和在第二持续电极12B顶表面上的厚度为3μm。此外，第二介电材 料层14B在第一总线电极13A顶表面上和在第二总线电极13B顶表面上的厚 度为10μm。第一介电材料层14A形成在第一基片11上，位于构成第一电极 的第一总线电极13A和构成与上述第一电极相邻之第一电极的第二总线电极 13B之间。

第二面板(后板)20包括由例如玻璃制成的第二基片21；由多个第二电极 (也称作地址电极或数据电极)22组成的第二电极组，其由条状形式的银或铝 组成并且沿第二方向延伸，同时与第一电极的延伸方向呈一定的角度(如90°)； 形成相邻第二电极22之间的分离墙25；以及形成在第二电极22上面的荧光层 24。在第二基片21上和在第二电极22上形成介电物质层23。分离墙25形成 在介电物质层23上和相邻的第二电极22之间的区域，并且分离墙25与第二 电极22平行延伸。荧光层24形成在介电物质层23上并且还形成为覆盖分离 墙25的侧壁。荧光层24由发三原色光的红色荧光层24R、绿色荧光层24G和 蓝色荧光层24B构成，形成一组，并且按预定的顺序形成在第二电极22上。 第二电极22连同第一和第二持续电极12A和12B提供引发辉光放电，并且还 通过反射从荧光层24向显示屏幕表面发出的光来改进显示屏幕的亮度。

图7显示了部分分解透视图，并且在一个实际的实施方案中，第二面板表 面上的分离墙25的顶部部分与第一面板上的保护层115相接触。第一面板10 和第二面板20被安排成通过在其周边部分的密封层(未显示)彼此接合，以 致保护层115和荧光层24的位置彼此面对。一对总线电极13A和13B、一对 从总线电极13A和13B延伸的持续电极12A和12B与位于两个分离墙25之 间的第二电极22所重叠的区域相当于放电单元。此外，一对总线电极的第一 总线电极13A和第二总线电极13B、一对持续电极的第一持续电极12A和第 二持续电极12B与发三原色光用的一组荧光层24R、24G和24B所重叠的区域 相当于一个像素。给第一面板10和第二面板20形成的空间充电，例如用压力 8×104pa(0.8大气压)的Ne-Xe混合气(如Ne50％-Xe50％)。也就是说，用 稀有气体给由相邻分离墙25、荧光层24和保护层115所包围空间充电并且密 封。

下面解释上述结构等离子体显示装置的AC辉光放电操作的一个实例。首 先，给所有第一总线电极施加短时间的低于放电引发电压Vbd的脉冲电压。由 此发生辉光放电，以便在一对持续电极附近的第一介电材料层中由于电介质极 化而产生壁电荷，使壁电荷积聚，并且明显降低放电引发电压。之后，随着给 第二电极(地址电极)22施加电压，电压被施加到包含在放电单元中的一对总 线电极之一上，所说的放电单元允许不显示，由此在第二电极22和一对持续 电极中的一个电极之间引起辉光放电，以便取消积聚的壁电荷。这种取消放电 接连在第二电极22中进行。同时，没有电压被施加到包含在放电单元中的一 对总线电极之一上，所说的放电单元允许显示，由此保留积聚的壁电荷。然后， 在所有成对的总线电极13A和13B之间施加预定的脉冲电压。结果，在壁电 荷被积聚的放电单元中，在一对持续电极12A和12B之间开始辉光放电，并 且在放电单元中，由于稀有气体辉光放电所产生的真空紫外线的照射，荧光层 被激发，发出荧光材料特征类型颜色的光。施加给一个持续电极的放电持续电 压的相位和施加给另一个持续电极的放电持续电压的相位彼此偏离半个周期， 并且每个持续电极的极性根据交流电的频率而倒置。实施例1至7中解释的等 离子体显示装置也以类似原理为基础工作。

下面解释上述结构等离子体显示装置的AC辉光放电操作的另一个实例。 首先，对所有用于引发所有像素的像素进行取消放电，然后进行放电操作。放 电操作被分成地址阶段和放电持续阶段，其中地址阶段中第一介电材料层14 的表面上通过引发放电而产生壁电荷，放电持续阶段中辉光放电得到持续。在 地址阶段中，给所选择的一个总线电极和所选择的一个第二电极22短时间地 施加低于放电引发电压Vbd的脉冲电压。选择施加脉冲的一个总线电极和施加 脉冲的第二电极22的一个重叠区域作为一个显示像素，并且在重叠区域，在 介电材料层14的表面上由于电介质极化而产生壁电荷，由此使壁电荷积聚。 在继续的放电持续阶段中，给一对总线电极13A和13B施加低于Vbd的放电持 续电压Vsus当由壁电荷感应的壁电压Vw和放电持续电压Vsus的总和变得大于 放电引发电压Vbd(即Vw+Vsus＞Vbd)时，辉光放电被引发。施加给一个总线电 极的放电持续电压Vsus的相位和施加给另一个总线电极的放电持续电压Vsus的 相位彼此偏离半个周期，并且每个电极的极性根据交流电的频率而倒置。实施 例1至7中解释的等离子体显示装置也以类似原理为基础工作。

在其中AC辉光放电被持续的像素中，由于空间中稀有气体激发所产生的 真空紫外线的照射，荧光层24被激发，并且它们发出荧光材料特征类型颜色 的光。

下面将概述生产实施例8等离子体显示装置的方法。

如下生产第一面板10。首先，在第一基片11的整个表面上形成ITO层， 例如通过溅射法，并且通过照相平版印刷法和蚀刻法将ITO层式样化成条纹的 形式，以便形成第一和第二持续电极12A和12B。然后，通过溅射法在整个表 面上形成铬/铜/铬堆栈膜，并且通过照相平版印刷法和蚀刻法将该铬/铜/铬堆栈 膜式样化，以便形成第一和第二总线电极13A和13B

然后，用第一介电材料层14A覆盖第一电极(12A、13A、12B、13B)， 然后在第一介电材料层14A的位于第一总线电极13A和第二总线电极13B上 面的部分上形成第二介电材料层14B。具体说，通过CVD法在整个表面上形 成由SiO2组成并且厚度为3μm的第一介电材料层14A。然后，通过丝网印刷 法在第一介电材料层14A上形成条纹形式的低熔点玻璃糊，并且将低熔点玻璃 糊暂时煅烧或烧结，并且完全煅烧或烧结，获得由低熔点玻璃糊的煅烧或烧结 产物组成的第二介电材料层14B。然后，通过电子束沉积法在整个表面上形成 大约0.6μm厚且由氧化镁(MgO)组成的保护层115。通过上述步骤，完成 第一面板10。

如下生产第二面板20。首先，将银糊以条纹的形式印刷在第二基片21上， 并且煅烧或烧结，以形成第二电极22。然后通过丝网印刷法在整个表面上形成 低熔点玻璃糊层，并且将该低熔点玻璃糊层煅烧或烧结，形成介电物质层23。 然后，将低熔点玻璃糊印刷在位于相邻第二电极22之间区域以上的介电物质 层23上，例如通过丝网印刷，并且煅烧和烧结形成分离墙25。分离墙的高度 为例如1×10-4m(100μm)至2×10-4m(200μm)。然后，接连印刷三原色的荧光 材料浆液并且将它们煅烧或烧结，形成荧光层24R、24G和24B。通过上述步 骤，完成第二面板20。

然后，装配等离子体显示装置。首先，在第二面板20的周边部分中形成 密封层(未显示)，例如通过丝网印刷。然后，将第一面板10和第二面板20 彼此接合，并且将密封层煅烧或烧结以固化密封层。然后，将第一面板10和 第二面板20之间形成的空间真空化，然后填充压力为8×104Pa(0.8大气压) 的Ne-Xe混合气体(例如Ne50％-Xe50％)，并且将空间密封以完成等离子体 显示装置。如果在填充压力为8×104pa(0.8大气压)的Ne-Xe混合气体的室 中将第一面板10和第二面板20彼此接合，则可以取消真空化空间和填充 Ne-Xe混合气体的步骤。

图8B显示了图6中沿箭头B-B切割第一面板10所获得的第一面板10的 部分端视图。如图8B中所示，第一介电材料层14A和第二介电材料层14B可 以按此顺序从第一基片表面起形成在第一基片11上，位于构成第一电极的第 一总线电极13A和构成与上述第一电极相邻之第一电极的第二总线电极13B 之间。上述结构可以通过，当通过丝网印刷法将低熔点玻璃糊以条纹状形式形 成在第一介电材料层14A上时，提供具有合适式样的低熔点玻璃糊来获得。

在图8A和8B所示的实施方案中，第二介电材料层14B还可以形成在第 一面板10的相当于形成在第二面板20中的分离墙25的区域中。也就是说， 第二介电材料层14B可以形成格子的形式(点阵)作为平面形式。此时具体地 说，第一电极(12A、13A、12B、13B)、第一介电材料层14A和第二介电材 料层14B形成在第一面板10的相当于形成在第二面板20中的分离墙25的区 域中。上述结构可以可靠地防止所谓光学串扰现象，其中辉光放电对相邻的放 电单元有影响。

实施例9

实施例9是实施例8等离子体显示装置的变化方案。实施例9的等离子体 显示装置与实施例8的等离子体显示装置不同之处在于通过将第二介电材料层 14B和第一介电材料层14按此顺序从第一基片表面上起堆叠形成介电材料层 的第一部分，如图9A和9B所示，其显示了图6中沿箭头B-B切割第一面板 10所获得的第一面板10的部分端视图。实施例9的等离子体显示装置和实施 例8的等离子体显示装置除上述点外结构上相同。

在实施例9的等离子体显示装置中，由低熔点玻璃糊的煅烧或烧结产物组 成的第二介电材料层14B覆盖第一总线电极13A和第二总线电极13B的表面 和顶表面。此外，由氧化硅(SiO2)组成的第一介电材料层14A形成在覆盖第 一总线电极13A和第二总线电极13B的第二介电材料层14B上和在第一持续 电极12A和第二持续电极12B的顶表面和侧表面上。在图9A所示的实施方案 中，第一介电材料层14A形成在第一基片11上，位于构成第一电极的第一总 线电极13A和构成与上述第一电极相邻之第一电极的第二总线电极13B之间。

图9A所示的结构可以通过用第二介电材料层14B覆盖第一总线电极13A 和第二总线电极13B，然后用第一介电材料层14A覆盖第一电极来获得。具体 说，通过丝网印刷法在第一和第二总线电极13A和13B上形成条纹形式的低 熔点玻璃糊，并且将低熔点玻璃糊暂时煅烧或烧结，并且完全煅烧或烧结，获 得由低熔点玻璃糊的煅烧或烧结产物组成的第二介电材料层14B。然后，通过 CVD法在整个表面上形成由SiO2组成且厚度为3μm的第一介电材料层14A。

如图9B所示，第二介电材料层14B和第一介电材料层14A按此顺序从第 一基片表面上，位于构成第一电极的第一总线电极13A和构成与上述第一电极 相邻之第一电极的第二总线电极13B之间。上述结构可以通过，当通过丝网印 刷法将低熔点玻璃糊以条纹状形式形成在第一总线电极和第二总线电极13A和 13B上时，提供具有合适式样的低熔点玻璃糊来获得。

在图9A和9B所示的实施方案中，第二介电材料层14B还可以形成在第 一面板10的相当于形成在第二面板20中的分离墙25的区域中。也就是说， 第二介电材料层14B可以形成格子的形式(点阵)作为平面形式。此时，具体 地说，第一电极(12A、13A、12B、13B)、第一介电材料层14A和第二介电 材料层14B形成在第一面板10的相当于形成在第二面板20中的分离墙25的 区域中。上述结构可以可靠地防止所谓光学串扰现象，其中辉光放电对相邻的 放电单元有影响。

实施例10

实施例10涉及本发明第八方面的等离子体显示装置的第二结构。该等离子 体显示装置也是所谓的三电极型并且属于表面放电型。实施例10的等离子体 显示装置也称作ALIS(表面交互发光(Altemate Lighting of Surfaces))型等离子 体显示装置。图10显示了实施例10的等离子体显示装置的持续电极12A和 12B、总线电极13A和13B以及分离墙25的布局。被虚线包围的区域相当于 一个像素。图10中画有斜线以清楚表示每个构件。图10显示了一个矩形形式 的像素，每个像素事实上具有普通正方形的外部形式。每个像素被分离墙25 分成三个部分(放电单元)，并且从每个部分中发出三原色(R、G、B)中之 一种的光。图11显示了实施例10等离子体显示装置的部分分解透视图。等离 子体显示装置具有第一面板10和第二面板20。第一面板(前板)10包括由例 如玻璃制成的第一基片11；由形成在第一基片11上的多个第一电极组成的第 一电极组；覆盖第一电极的介电材料层，且包括第一介电材料层14A和第二介 电材料层14B；以及由氧化镁(MgO)组成并且形成在介电材料层上的保护层 115。

在实施例10的等离子体显示装置中，构成第一电极的第一总线电极和构 成与上述第一电极相邻之第一电极的第二总线电极由一个公共构件构成。也就 是说，这些总线电极包括一个条纹状形式的导电材料层(称作″总线-电极-构成 导电材料层″)。第一总线电极和第二总线电极如上所述共有，显示成公共总线 电极113。每个第一电极包括第一总线电极(公共总线电极)113、与公共总线 电极113相接触的第一持续电极12A、与上述公共总线电极113平行延伸的第 二总线电极(相邻公共总线电极113)和与公共总线电极相接触并且面对第一 持续电极12A的第二持续电极12B。构成第一电极的第一持续电极12A和构 成上述第一电极相邻之第一电极的第二持续电极12B由一个条状的导电材料层 构成(称作″持续-电极-构成导电材料层″)。公共总线电极113形成在持续电极 构成导电层的中央。总线-电极-构成导电材料层和持续-电极-构成导电材料层沿 第一方向延伸。此外，公共总线电极113对沿第一方向相邻的放电单元是公共 的，并且第一持续电极12A和第二持续电极12B对沿第一方向相邻的放电单 元也是公共的。总线-电极-构成导电材料层和持续-电极-构成导电材料层可以例 如像实施例8分别由铬/铜/铬堆叠层和ITO来形成。第一持续电极12A和第二 持续电极12B之间的距离(侧表面12a侧表面12a和侧表面12b之间的距离L1) 经测定为小于5×10-5m(如20μm)。辉光放电发生在第一持续电极12A和第 二持续电极12B之间。

图12A显示了图10中沿箭头B-B切割第一面板10所获得的第1面板10 的部分端视图。介电材料层包括第一部分和第二部分。也就是说，介电材料层 覆盖公共总线电极113的第一部分包括第一介电材料层14A和第二介电材料层 14B，并且介电材料层覆盖第一持续电极12A和第二持续电极12B的第二部分 包括第一介电材料层14A。在上述的介电材料层的第一部分中，第一介电材料 层14A和第二介电材料层14B按此顺序从第一基片表面起堆叠。第一介电材 料层14A由氧化硅(SiO2)组成，覆盖第一持续电极12A和第二持续电极12B 的表面和顶表面。第二介电材料层14B由低熔点玻璃糊的煅烧或烧结产物组 成，形成在第一介电材料层14A的覆盖公共总线电极113的部分上。第一介电 材料层14A在第一持续电极12A顶表面上和在第二持续电极12B顶表面上的 厚度为3μm。第二介电材料层14B在公共总线电极113顶表面上的厚度为10 μm。

第二面板20和等离子体显示装置的其它结构可以与实施例8的相同，从而 省略其的详细解释。一对公共持续电极113、一对由上述公共总线电极113延 伸的持续电极12A和12B以及位于两个分离墙25之间的第二电极22的重叠 部分相当于一个放电单元。一对公共总线电极113、一对第一持续电极12A和 第二持续电极12B以及一组三原色光的荧光层24R、24G和24B的重叠部分相 当于一个像素。

实施例10的等离子体显示装置可以按实施例8中所解释的等离子体显示装 置生产方法来生产，从而省略其的详细解释。

在驱动上述结构的等离子体显示装置中，以一条线形式的持续-电极-构成 导电材料层相当于两个上持续电极和下持续电极。并且，奇数显示线和偶数显 示线被分开场化和显示，并且交替重复之，由此显示等离子体显示装置的满屏。 作为细节，可参考JP-A-9-160525。

类似实施例9，可以使用通过将第二介电材料层14B和第一介电材料层14A 按此顺序从第一基片11表面上起堆叠形成介电材料层的第一部分的结构。图 12B显示了图10中沿线B-B切割第一面板10所获得的上述结构的等离子体显 示装置的第一面板10的部分端视图。在此等离子体显示装置中，由低熔点玻 璃糊的煅烧或烧结产物组成的第二介电材料层14B覆盖公共总线电极113的表 面和顶表面。此外，由氧化硅(SiO2)组成的第一介电材料层14A形成在覆盖 公共总线电极113的第二介电材料层14B上和在第一持续电极12A和第二持 续电极12B的顶表面和侧表面上。

图12B所示的结构可以通过用第二介电材料层14B覆盖公共总线电极113， 然后用第一介电材料层14A覆盖第一电极来获得。具体说，通过丝网印刷法在 公共总线电极113上形成条纹形式的低熔点玻璃糊，暂时煅烧或烧结，然后完 全煅烧或烧结，获得由低熔点玻璃糊的煅烧或烧结产物组成的第二介电材料层 14B。然后，通过CVD法在整个表面上形成由SiO2组成且厚度为3μm的第一 介电材料层14A。

在图12A和12B所示的实施方案中，第二介电材料层14B可以形成在第 一面板10的相当于形成在第二面板20中的分离墙25的区域中。也就是说， 第二介电材料层14B可以形成格子的形式(点阵)作为平面形式。此时，具体 地说，第一电极(12A、12B、113)、第二介电材料层14B和第一介电材料层14A 形成在第一面板10的相当于形成在第二面板20中的分离墙25的区域中。上 述结构可以可靠地防止所谓光学串扰现象，其中辉光放电对相邻的放电单元有 影响。

本发明通过参考以上的实施例作了解释，但本发明不应当限制于此。实施 例中所用或解释的等离子体显示装置的结构和构成、材料、尺寸和生产方法是 出于举例说明的目的，并且可以按需要进行变化或改变。介电材料层(第一介 电材料膜、第二介电材料膜、第一介电材料层和第二介电材料层)的形成方法 示于实施例中作为实例，并且取决于用于构成介电材料层的材料，并且介电材 料层可以通过适合用于构成介电材料层的材料的方法来形成。例如，可以通过 自旋涂布法或丝网印刷法在第一基片和持续电极上用水玻璃或玻璃粉末的悬浮 液来形成介电材料层。

在本发明第一至第七个方面任一方面的等离子体显示装置中，透射型等离 子体显示装置(其中从荧光层发出的光可透过第二面板观察到)可以运用于本 发明。实施例是使用其中等离子体显示装置包括一对彼此平行延伸的持续电极 的结构。然而，该结构可以通过其中一对总线电极沿第一方向延伸、一个持续 电极沿第二方向从一个总线电极于一对总线电极间延伸达不到另一个总线电 极、且另一个持续电极沿第二方向从另一个总线电极于一对总线电极间延伸达 不到一个总线电极的结构来替换。可以使用其中一对持续电极、一个沿第一方 向延伸的持续电极形成在第一基片上，并且另一个持续电极形成在分离墙侧壁 上部分，以便与地址电极相平行的结构。本发明的等离子体显示装置可以是双 电极型等离子体显示装置。此外，地址电极可以形成在第一基片上。如此结构 的等离子体显示装置可以包括例如沿第一方向延伸的一对持续电极和沿一对持 续电极中一个并且形成在其附近的地址电极(假设沿一对持续电极中一个的地 址电极的长度不超过第一方向中的放电单元的长度)。通过其中用于地址电极 的布线通过绝缘层来形成、布线沿第二方向延伸、并且用于地址电极的布线和 地址电极电连接或地址电极从用于地址电极的布线延伸的结构，可防止持续电 极的短路。

在实施例1至7中，由一对相面对的持续电极的边缘部分形成的间隙具有 直线形式。然而，由一对相面对的持续电极的边缘部分形成的间隙可以具有在 持续电极的宽度方向上呈弯曲或曲线式样的形式(例如，任何形式的组合，如 ″折线″形、″S″字母形或弧形)。在这种结构中，可以增加一对相面对的持续电 极的各边缘部分的长度，以便可以改进放电效率。图13A、13B和13C显示了 两组具有上述结构的一对持续电极的部分平面图。

在实施例8至10中，可以在一对分离墙之间形成第一持续电极12A和第 二持续电极12B，不必为沿第一方向相邻的放电单元所共有(也就是说，它们 可以形成各自的放电单元)。

图14至16显示了实施例1至10的持续电极、总线电极和分离墙的布局， 其中数字12A和12B表示持续电极，而数字13A和13B表示总线电极。在图 14所示的实施方案中，第一持续电极12A从第一总线电极13A向第二总线电 极13B以与第二方向平行延伸并且在分离墙25之间延伸，并且第二持续电极 12B从第二总线电极13B向第一总线电极13A以与第二方向平行延伸并且在 分离墙25之间延伸，并且辉光放电发生在第一持续电极12A的顶部末端部分 12a′和第二持续电极12B的顶部末端部分12b′之间。第一持续电极12A的顶部 末端部分12a′和第二持续电极12B的顶部末端部分12b′可以是直线或可以是之 字形(例如，″折线″形组合、″S″字母形组合、弧形组合或任何曲线形组合)。 在上述结构中，可以降低持续电极的面积，结果可以降低电极电容，从而可以 减少功率消耗。

或者，图15显示了持续电极12A和12B、总线电极13A和13B以及分离 墙25的布局，并且图17显示了它们的部分分解透视图。如这些附图所示，每 个第一电极可以由(A)沿第一方向延伸的第一总线电极13A、(B)与第一总线 电极13A平行延伸的第二总线电极13B、(C)在分离墙25之间并且从第一总 线电极13A向第二总线电极13B与第二方向平行延伸但达不到第二总线电极 13B的第一持续电极12A以及(D)在分离墙25之间并且从第二总线电极13B 向第一总线电极13A与第二方向平行延伸但达不到第一总线电极13A同时面 对第一持续电极12A的第二持续电极12B构成。并且，辉光放电发生在第一 持续电极12A面对第二持续电极12B的部分12a″与第二持续电极12B面对第 一持续电极12A的部分12b″之间。

在一对分离墙25之间的区域中，从第一总线电极13A延伸的第一持续电 极12A的数量计作N1，并且从第二总线电极13B延伸的第二持续电极12B的 数量计作N2。此时，可以使用条件N1=N2=1。当n是1或大于1的整数时， 可以使用条件N1=2n-1且N2=2n，或者N1=2n且N2=2n-1，或者条件 N1=N2=2n。

在图15所示的等离子体显示装置的构成中，第一持续电极12A和第二持 续电极12B延伸同时彼此面对。第一持续电极12A和第二持续电极12B之间 的距离优选是规定的距离，更优选是恒定的距离。每个第一持续电极12A和第 二持续电极12B的平面图形式可以通常是矩形(也就是说，第一持续电极12A 和第二持续电极12B可以具有直线形式)(参见图15)，或者它们可以是之字 形(例如，″折线″形组合、″S″字母形组合、弧形组合或任何曲线形组合)。在 后一种情况中，为防止第一持续电极12A和第二持续电极12B之间的不正常 放电，优选第一持续电极12A和第二持续电极12B的相面对部分12a″和12b″ 没有角度部分。为防止第一持续电极12A顶端角或第二持续电极12B顶端角 的不正常放电，优选第一持续电极12A的顶端部分和第二持续电极12B的顶 端部分具有钝角或圆形。也就是说，如图16所示，优选第一持续电极12A的 顶端部分和第二持续电极12B的顶端部分具有钝角或圆形。

此外，为防止第一持续电极12A的顶端部分和第二总线电极13B之间的 不正常放电，或防止第二持续电极12B的顶端部分和第一总线电极13A之间 的不正常放电，优选满足L1＜L2，其中L1是第一持续电极12A和第二持续电 极12B之间距离，而L2是第一总线电极13A和第二持续电极12B顶端部分之 间或第二总线电极13B和第一持续电极12A顶端部分之间的距离。具体说， 如L1=5×10-5m(50μm)且L2=8×10-5m(80μm)。

在图15或16所示的结构中，第一持续电极12A和第二持续电极12B被 面对面地放置并且与第二方向平行延伸，从总线电极13A和13B。每个像素通 常具有正方形形式，每个像素被分离墙分成三部分(单元)，并且每个部分发 出三原色(R、G、B)中的一种颜色。当一个像素的外尺寸为L0时，每个部 分的尺寸略微小于(L0/3)×L0。因此，在一对持续电极12A和12B中，持续 电极12A和12B的提供辉光放电的部分的长度接近(L0)值。也就是说，那 些提供辉光放电的部分可以是图6至12所示等离子体显示装置相应部分的3 倍长，结果放电区域放宽。因此该等离子体显示装置可以大大改进亮度。在上 述结构中，可以减少持续电极的面积，结果可以降低电极电容，从而可以减少 功率消耗。

实施例1至10任一实施例中解释的介电材料层可以运用于图14至16所 示的实施方案。实施例10中解释的公共总线电极的结构可以运用于图14至16 所示的实施方案中。图18显示了当将图14所示的持续电极与实施例10中解 释的公共总线电极113组合时，持续电极12A和12B、公共总线电极113和分 离墙25的布局。图19和20显示了当将图15所示的持续电极与实施例10中 解释的公共总线电极113组合时，持续电极12A和12B、公共总线电极113和 分离墙25的布局。

或者，在图14至20所示的实施方案中，第二介电材料层14B可以形成 在第一面板10的相当于形成在第二面板20中的分离墙25的区域中。也就是 说，第二介电材料层14B可以形成格子的形式(点阵)作为平面形式。具体说， 此时，第一电极(更具体地说，总线电极13A和13B以及公共总线电极113)、 第二介电材料层14B和第一介电材料层14A按此顺序形成并且形成在第一面 板10的相当于形成在第二面板20中的分离墙25的区域中。另外，第一电极 (更具体地说，总线电极13A和13B以及公共总线电极113)、第一介电材料 层14A和第二介电材料层14B按此顺序形成并且形成在第一面板10的相当于 形成在第二面板20中的分离墙25的区域中。上述结构可以可靠地防止所谓光 学串扰现象，其中辉光放电对相邻的放电单元有影响。

在本发明第一至第七方面任一方面的等离子体显示装置中，介电材料层与 任何常规AC等离子体显示装置相比具有足够薄的厚度，或介电材料层由高特 定介电常数的材料组成，从而可以降低介电材料层的电容。结果，由于可以增 加电荷积聚的量，可以减少驱动功率，即功率消耗，并且可以进一步改进等离 子体显示装置的亮度。此外，氧化铝层、金刚石类碳层、氮化硼层和氧化铬(Ⅲ) 层具有较高的层密度，几乎不会引起不正常的放电并且具有改进的放电稳定 性，从而等离子体显示装置可以变得非常牢靠。当使用包括氧化硅层等的堆栈 状结构时，可以减轻介电材料层中的应力，并且可以防止介电材料层的断裂。

在本发明第一至第七方面任一方面的等离子体显示装置中，当一对持续电 极之间的距离小于5×10-5m、优选小于5.0×10-5m、更优选2.0×10-5m或更 小时，与其中一对持续电极之间距离为大约100μm的任何常规等离子体显示 装置相比可以降低驱动功率。因此，不仅可以减少对等离子体显示装置驱动周 期的负担，而且可以改进放电时的稳定性。此外，当驱动功率等于或接近于常 规等离子体显示装置的驱动功率时，本发明的等离子体显示装置的光发射亮度 可被改进。此外，可以达到较高的精细度和较高密度的显示，或随荧光层面积 的增加而可以改进亮度。

在本发明第八方面的等离子体显示装置中，由于介电材料层覆盖第一总线 电极和第二总线电极的第一部分包括第一介电材料层和第二介电材料层，可以 可靠地防止例如总线电极顶表面边缘部分和第二电极之间的不正常放电。此 外，由于可以降低覆盖第一持续电极和第二持续电极的第一介电材料层的厚 度，可以降低一对持续电极层之间的距离(放电间隙)。结果，可以达到像素 的较高密度和在低电压下的驱动。透光率增加，从而改进光发射效率和可以实 现具有较高亮度的屏幕。

在本发明第八方面的等离子体显示装置中，由于介电材料层覆盖第一总线 电极和第二总线电极的第一部分包括第一介电材料层和第二介电材料层，可以 防止沿第二方向上相邻的放电单元的放电区域的加宽，并且可以防止沿第二方 向上彼此相邻的放电单元之间的光学串扰和像素之间亮度分布的恶化，导致稳 定操作和影像质量改进。此外，由于第一总线电极和第二总线电极被相对厚的 第二介电材料层所覆盖，因此电极电容降低并且可以降低功率消耗。

在本发明第八方面的等离子体显示装置中，当第一介电材料层和第二介电 材料层形成在第一基片上、位于构成第一电极的第一总线电极和构成与上述第 一电极相邻之第一电极的第二总线电极之间时，可以可靠地防止这些总线电极 之间的不正常放电。

在本发明第八方面的等离子体显示装置中，可以使用其中第一持续电极从 第一总线电极向第二总线电极延伸但达不到第二总线电极、第二持续电极从第 二总线电极向第一总线电极延伸但达不到第一总线电极同时置于与第一持续电 极面对面的结构，并且当辉光放电发生在面对第二持续电极的第一持续电极和 面对第一持续电极的第二持续电极之间时，持续电极的提供辉光放电的部分具 有足够长的长度。结果，可以加宽放电区域，并且可以改进等离子体显示装置 的亮度，尽管结构简单。