1.一种制造圆筒形掩膜的方法，所述方法包括：
将中空浇注圆筒和掩膜圆筒同轴地组装，其中所述浇注圆筒和所述掩膜圆筒中的一个具有比所述浇注圆筒和所述掩膜圆筒中的另一个的外径大的内径；
将液体聚合物前体注入在所述浇注圆筒与所述掩膜圆筒之间的空间内；
固化在所述浇注圆筒与所述掩膜圆筒之间的所述空间内的所述液体聚合物前体，由此形成固化聚合物的层；
移除所述浇注圆筒，从而在所述掩膜圆筒的表面上留下所述固化聚合物的层；以及将所述固化聚合物的表面图案化。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述同轴地组装包括使用具有第一板件、第二板件和销的组装设备，其中所述销被构造来将所述第一板件和所述第二板件在所述浇注圆筒和所述掩膜圆筒的相对的端部处保持在一起，其中所述将液体聚合物前体注入包括将所述液体聚合物前体倾注通过所述第一板件中的孔。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一板件具有与所述掩膜圆筒对准的第一沟槽和与所述浇注圆筒对准的第二沟槽，并且所述第二板件具有与所述掩膜圆筒对准的第一沟槽和与所述浇注圆筒对准的第二沟槽。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述浇注圆筒具有比所述掩膜圆筒的外径大的内径，其中所述浇注圆筒具有图案化的内表面，其中所述将所述聚合物图案化包括使用所述图案化的内表面，以将所述图案化的内表面上的图案转移至所述聚合物的表面。
5.如权利要求4所述的方法，其进一步包括在所述同轴地组装之前，将所述浇注圆筒的所述内表面图案化。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述将所述浇注圆筒的所述内表面图案化包括执行阳极化工艺以产生纳米多孔表面。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述浇注圆筒是由铝制成。
8.如权利要求6所述的方法，其中所述浇注圆筒具有沉积在其内表面上的铝。
9.如权利要求5所述的方法，其中所述将所述浇注圆筒的所述内表面图案化包括：
将自组装的纳米颗粒沉积在所述浇注圆筒的所述内表面上；
使用所述纳米颗粒作为蚀刻掩膜来蚀刻所述浇注圆筒的所述内表面；以及移除所述纳米颗粒。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述纳米颗粒为纳米球。
11.如权利要求5所述的方法，其中所述将所述浇注圆筒的所述内表面图案化包括以具有图案的较小面积的母掩膜连续地压印所述浇注圆筒的所述内表面。
12.如权利要求5所述的方法，其中所述将所述浇注圆筒的所述内表面图案化包括执行纳米压印光刻。
13.如权利要求5所述的方法，其中所述将所述浇注圆筒的所述内表面图案化包括执行纳米接触光刻。
14.如权利要求5所述的方法，其中所述将所述浇注圆筒的所述内表面图案化包括执行光刻。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述将所述聚合物图案化包括在所述移除之后将所述聚合物的所述外表面图案化。
16.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化包括使用具有图案化的外表面的掩膜圆筒，使得所述图案化的外表面的图案在所述制造圆筒形掩膜的方法期间被转移至所述聚合物的所述内表面。
17.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述同轴地组装之前，将液体聚合物沉积在所述浇注圆筒的所述内表面上；以及在所述同轴地组装之前，固化在所述浇注圆筒的所述内表面上的所述聚合物，使得所述将液体聚合物前体注入包括将所述液体聚合物前体注入在所述掩膜圆筒的所述外表面与所述固化聚合物的所述内表面之间的空间内。
18.一种由如权利要求1所述的方法制造的圆筒形掩膜，所述圆筒形掩膜包括：
掩膜圆筒；以及
在所述掩膜圆筒的外表面上的无接缝聚合物层，
其中所述无接缝聚合物层具有在所述无接缝聚合物层的表面上的图案。
19.如权利要求18所述的圆筒形掩膜，其中所述图案是无接缝的。
20.一种由如权利要求17所述的方法制造的圆筒形掩膜，所述掩膜包括：
掩膜圆筒；
在所述掩膜圆筒的外表面上的无接缝第一聚合物层；以及
在所述第一聚合物层的所述外表面上的无接缝第二聚合物层，
其中所述第二聚合物层比所述第一聚合物层硬，并且所述第二聚合物层在其外表面上具有图案。
21.如权利要求20所述的圆筒形掩膜，其中所述图案是无接缝的。
22.一种圆筒形掩膜，其包括：
掩膜圆筒；
在所述掩膜圆筒的表面上的无接缝适形层，所述适形层在表面上具有图案。
23.如权利要求22所述的圆筒形掩膜，其中所述图案是在所述适形层的外表面上。
24.如权利要求22所述的圆筒形掩膜，其中所述图案是无接缝的。
25.如权利要求22所述的圆筒形掩膜，其中所述适形层包括内聚合物层和外聚合物层，其中所述内聚合物层是在所述掩膜圆筒的外表面上，并且所述外聚合物层是在所述内聚合物层的外表面上。
26.如权利要求24所述的圆筒形掩膜，其中所述外聚合物层为比所述内聚合物层硬的材料，并且所述外聚合物层比所述内聚合物层薄。
27.如权利要求22所述的圆筒形掩膜，其中所述图案包括纳米尺度特征。
28.如权利要求22所述的圆筒形掩膜，其中所述适形层具有均匀的厚度。
29.一种光刻方法，其包括通过将如权利要求22所述的圆筒形掩膜在衬底上滚动来将所述衬底重复地图案化。
30.一种衬底，其通过如权利要求58所述的方法而图案化。
31.一种通过包括以下的方法制成的可旋转掩膜：
轴向对称的衬底；
在所述衬底的外表面上的适形层；以及
在所述适形层的外表面上的无接缝图案，
其中所述可旋转掩膜是由以下制成：
a)将第一浇注部件同轴地组装在第一母掩膜的内部，其中所述第一母掩膜包括比所述第一浇注部件的外径大的内径，其中所述第一母掩膜的内表面包括图案；
b)将第一聚合物前体液体沉积在所述第一浇注部件的外表面与所述第一母掩膜的所述内表面之间的空间内；
c)固化所述第一聚合物前体液体以产生第一固化聚合物，借以使所述第一固化聚合物的所述外表面包括对应于所述第一母掩膜的所述图案的图案；
d)将所述第一浇注部件从所述第一固化聚合物移除；
e)将所述第一固化聚合物从所述第一母掩膜移除；
f)将所述第一固化聚合物组装在第二浇注部件的内部；
g)将所述第二浇注部件同轴地组装在所述第一固化聚合物的内部，其中所述第二浇注部件具有小于所述第一固化聚合物的内径的外径；
h)将第二聚合物前体液体沉积在所述第二浇注部件的外表面与所述第一固化聚合物的内表面之间的空间内；
i)固化所述第二聚合物前体液体以产生第二固化聚合物，借以使所述第二固化聚合物与所述第一固化聚合物一起形成所述可旋转掩膜的所述适形层。
32.一种制造可旋转掩膜的方法，所述方法包括：
a)将第一聚合物前体液体沉积在第一母掩膜的第一表面上，其中所述第一母掩膜的所述第一表面包括图案；
b)固化所述第一聚合物前体液体以产生第一固化聚合物，其中所述第一固化聚合物和所述第一母掩膜一起形成层压体；
c)将所述层压体的第一端部构造成使所述第一固化聚合物缺失狭条，并且将所述层压体的第二端部构造成使所述第一母掩膜缺失狭条；
d)将所述层压体卷在第一浇注部件的内部；
e)将第二聚合物前体液体沉积于对应于所述第一固化聚合物的所述狭条的所卷层压体的间隙内；
f)固化所述第二聚合物前体液体以形成第二固化聚合物，借以使所述第一固化聚合物和所述第二固化聚合物一起形成用于所述可旋转掩膜的适形层，借以使所述适形层的外表面包括对应于所述第一母掩膜的所述图案的图案。
33.如权利要求32所述的方法，其进一步包括：
g)在所述f)之后将所述第一浇注部件从所述层压体移除。
34.如权利要求32所述的方法，其进一步包括：
h)在所述f)之后将所述第一母掩膜从所述适形层移除。
35.如权利要求32所述的方法，其中所述第一浇注部件为圆筒形形状。
36.如权利要求32所述的方法，其中所述第一母掩膜的所述图案包括纳米尺度特征。
37.如权利要求32所述的方法，其中所述c)包括在所述b)之后移除所述第一固化聚合物的狭条。
38.如权利要求32所述的方法，其中所述c)包括在执行所述a)时使所述第一母掩膜的所述第一表面的狭条暴露。
39.如权利要求32所述的方法，其中所述d)包括使所述层压体的所述端部重叠。
40.如权利要求32所述的方法，其中所述层压体的所述第一端部与所述层压体的所述第二端部相对。
41.如权利要求32所述的方法，其中所述第一母掩膜包括PET衬底。
42.如权利要求32所述的方法，其进一步包括：
i)在所述a)之前将所述图案形成在所述第一母掩膜的所述第一表面上。
43.如权利要求42所述的方法，其中所述将所述图案形成在所述第一母掩膜的所述第一表面上包括：
用具有图案的第二母掩膜压印衬底，所述第二母掩膜的所述图案具有比所述衬底小的面积；
连续地重复所述压印，直到所述衬底的所需的区域被图案化，每次所述连续地重复都重叠所述衬底的先前被压印部分的一部分；
其中所述用所述第二母掩膜压印所述衬底包括：
沉积第三聚合物前体液体；
挤压所述母掩膜与所述衬底之间的所述第三聚合物前体液体；以及
固化所述第三聚合物前体液体。
44.如权利要求32所述的方法，其中所述聚合物前体液体包括PDMS。
45.如权利要求32所述的方法，其中所述方法被执行来使得所述适形层的厚度在1mm与3mm之间。
46.如权利要求32所述的方法，其中所述第一浇注部件为牺牲浇注部件。
47.如权利要求33所述的方法，其中所述第一浇注部件为牺牲浇注部件，其中所述g)包括使所述第一浇注部件破裂、溶解或放气。
48.如权利要求32所述的方法，其中所述d)是以所述母掩膜的第二表面相邻于所述第一浇注部件的内表面的方式来执行。
49.一种制造可旋转掩膜的方法，所述方法包括：
a)将第一浇注部件同轴地组装在第一母掩膜的内部，其中所述第一母掩膜包括比所述第一浇注部件的外径大的内径，其中所述第一母掩膜的内表面包括图案；
b)将第一聚合物前体液体沉积在所述第一浇注部件的外表面与所述第一母掩膜的所述内表面之间的空间内；
c)固化所述第一聚合物前体液体以产生第一固化聚合物，借以使所述第一固化聚合物的外表面包括对应于所述母掩膜的所述图案的图案；
d)将所述第一浇注部件从所述第一固化聚合物移除；
e)将所述第一固化聚合物从所述第一母掩膜移除；
f)将所述第一固化聚合物组装在第二浇注部件的内部；
g)将所述第二浇注部件同轴地组装在所述第一固化聚合物的内部，其中所述第二浇注部件具有小于所述第一固化聚合物的内径的外径；
h)将第二聚合物前体液体沉积在所述第二浇注部件的外表面与所述第一固化聚合物的内表面之间的空间内；
i)固化所述第二聚合物前体液体以产生第二固化聚合物，借以使所述第二固化聚合物与所述第一固化聚合物一起形成用于所述可旋转掩膜的适形层。
50.如权利要求49所述的方法，其进一步包括：
j)在所述f)之前用保护层覆盖所述第一固化聚合物的所述外表面。
51.如权利要求49所述的方法，其中所述第二浇注部件为用于所述可旋转掩膜的衬底。
52.如权利要求49所述的方法，其中所述第二浇注部件包含熔融二氧化硅。
53.如权利要求49所述的方法，其中所述浇注部件为圆筒形形状。
54.如权利要求49所述的方法，其进一步包括：
k)在所述a)之前将所述第一母掩膜的所述内表面图案化，其中所述k)包括：
使结构化多孔层形成在所述第一母掩膜的所述内表面之上，其中所述第一母掩膜对光学辐射是透明的；
用充填材料充填所述结构化多孔层中的多个孔隙；
移除所述充填材料的不在所述孔隙中的一个内的部分；以及
由所述孔隙内的所述充填材料形成多个突出部，其中所述突出部延伸超过所述结构化多孔层。
55.如权利要求49所述的方法，其中所述聚合物前体液体包括PDMS。
56.如权利要求49所述的方法，其中所述d)包括使所述第一浇注部件破裂、溶解或放气。
57.如权利要求49所述的方法，其中所述第一母掩膜的所述内径与所述第一浇注部件的所述外径之间的差值在2mm与6mm之间。
58.如权利要求49所述的方法，其中所述第一母掩膜的所述图案包括纳米尺度特征。
59.一种可旋转掩膜，其包括：
轴向对称的衬底；
在所述衬底的外表面上的适形层；以及
在所述适形层的外表面上的无接缝图案，
其中所述可旋转掩膜是通过如权利要求32所述的方法来制成。
60.一种将衬底图案化的方法，所述方法包括：
(a)用具有图案的母掩膜压印衬底，所述图案具有比所述衬底小的面积；以及(b)连续地重复所述(a)直到所述衬底的所需区域被图案化，每一次所述连续地重复都重叠所述衬底的先前被压印部分的一部分，
其中所述用母掩膜压印衬底包括：
(i)沉积聚合物前体液体；
(ii)挤压所述母掩膜与所述衬底之间的所述聚合物前体液体；以及
(iii)固化所述聚合物前体液体。
61.如权利要求60所述的方法，其进一步包括在所述压印之前在所述母掩膜上形成所述图案。
62.如权利要求61所述的方法，其中所述形成所述图案包括通过电子束光刻将所述母掩膜图案化。
63.如权利要求61所述的方法，其中所述形成所述图案包括通过光刻将所述母掩膜图案化。
64.如权利要求61所述的方法，其中所述形成所述图案包括通过干涉光刻将所述母掩膜图案化。
65.如权利要求61所述的方法，其中所述形成所述图案包括通过自组装将所述母掩膜图案化。
66.如权利要求61所述的方法，其中所述形成所述图案包括通过阳极铝氧化将所述母掩膜图案化。
67.如权利要求61所述的方法，其中所述形成所述图案包括通过纳米球光刻而将所述母掩膜图案化。
68.如权利要求61所述的方法，其中所述形成所述图案包括通过纳米压印光刻将所述母掩膜图案化。
69.如权利要求60所述的方法，其中沉积所述聚合物前体液体包括将所述聚合物前体液体沉积在所述母掩膜上。
70.如权利要求60所述的方法，其中沉积所述聚合物前体液体包括将所述聚合物前体液体沉积在所述衬底上。
71.如权利要求60所述的方法，其中沉积所述聚合物前体液体包括将聚合物前体液体的一个或多个离散液滴沉积在要压印的区域内。
72.如权利要求60所述的方法，其中沉积所述聚合物前体液体包括通过浸涂、旋涂、喷涂、刀刃涂覆、凹板涂覆等连续地沉积聚合物前体液体。
73.如权利要求60所述的方法，其中挤压所述母掩膜与所述衬底之间的所述聚合物前体液体包括控制所述聚合物前体液体在所述母掩膜与所述衬底之间的铺展。
74.如权利要求73所述的方法，其中所述控制铺展包括沿着所述母掩膜与所述衬底之间的接触线维持机械压力，以及将所述接触线朝向所述母掩膜的一端连续地移动。
75.如权利要求60所述的方法，其中挤压所述母掩膜与所述衬底之间的所述聚合物前体液体包括将所述母掩膜压靠于所述衬底。
76.如权利要求60所述的方法，其中挤压所述母掩膜与所述衬底之间的所述聚合物前体液体包括将所述衬底压靠于所述母掩膜。
77.如权利要求60所述的方法，其中所述衬底具有平坦表面。
78.如权利要求60所述的方法，其中所述衬底具有弯曲表面。
79.如权利要求60所述的方法，其中所述衬底为刚性的。
80.如权利要求60所述的方法，其中所述衬底为柔性的。
81.如权利要求60所述的方法，其中所述图案包括纳米尺度特征。
82.如权利要求60所述的方法，其中所述母掩膜的所述图案包括支柱的阵列。
83.如权利要求82所述的方法，其中所述支柱为纳米尺度。
84.如权利要求83所述的方法，其中所述支柱具有在1nm与1000nm之间的特性尺寸(CD)，以及在10nm与10000nm之间的深度。
85.如权利要求83所述的方法，其中所述支柱具有在50nm与400nm之间的CD，以及在
100nm与1000nm之间的深度。
86.如权利要求84所述的方法，其中所述阵列具有为所述CD的两倍的节距。
87.如权利要求60所述的方法，其中所述母掩膜的所述图案包括孔的阵列。
88.如权利要求60所述的方法，其中所述母掩膜的所述图案为一维连续表面浮雕轮廓。
89.如权利要求88所述的方法，其中所述连续表面浮雕轮廓为正弦表面浮雕轮廓。
90.如权利要求60所述的方法，其中所述母掩膜的所述图案为二维连续表面浮雕轮廓。
91.如权利要求90所述的方法，其中所述连续表面浮雕轮廓为正弦表面浮雕轮廓。
92.如权利要求60所述的方法，其中所述衬底为塑料膜。
93.如权利要求60所述的方法，其中所述衬底为金属膜。
94.如权利要求60所述的方法，其中所述衬底为薄玻璃片。
95.如权利要求60所述的方法，其中所述衬底为玻璃面板。
96.如权利要求60所述的方法，其中所述衬底为半导体晶圆。
97.如权利要求60所述的方法，其中所述(b)包括以产生压印部分的随机布置的随机方式重复所述压印所述衬底。
98.一种通过如权利要求60所述的方法图案化的衬底，所述衬底包括：
第一表面；以及
设置在所述第一表面上的图案化层，
其中所述图案化层包括多个印记，并且所述多个印记之间的每一个边界包括与另一个印记的一部分重叠的印记。
99.一种图案化衬底，其包括：
第一表面；以及
设置在所述第一表面上的图案化层，
其中所述图案化层包括多个印记，并且所述多个印记之间的每一个边界包括与另一个印记的一部分重叠的印记。
100.如权利要求99所述的衬底，其中所述第一表面包括弯曲表面。
101.如权利要求99所述的衬底，其中所述第一表面为平坦表面。
102.如权利要求99所述的衬底，其中所述衬底为塑料膜。
103.如权利要求99所述的衬底，其中所述衬底为玻璃面板。
104.如权利要求103所述的衬底，其中所述图案化衬底为光刻掩膜。
105.如权利要求99所述的衬底，其中所述衬底为纳米压印光刻模。
106.如权利要求99所述的衬底，其中所述图案化层包括具有纳米尺度特征的图案。
107.如权利要求99所述的衬底，其中所述图案化层包括具有支柱的阵列的图案。
108.如权利要求99所述的衬底，其中所述支柱为纳米尺度。
109.如权利要求108所述的衬底，其中所述支柱具有在1nm与10000nm之间的CD，以及在10nm与1000nm之间的深度。
110.如权利要求109所述的衬底，其中所述阵列具有为所述CD的两倍的节距。
111.如权利要求99所述的衬底，其中所述图案化层包括具有孔的阵列的图案。
2
112.如权利要求99所述的衬底，其中所述图案化层的面积大于20,000mm。
2
113.如权利要求99所述的衬底，其中所述图案化层的面积大于400,000mm。
2
114.如权利要求99所述的衬底，其中每一个印记的面积小于2500mm。
2 2
115.如权利要求99所述的衬底，其中每一个印记的所述面积是在100mm 与2500mm 之间。
116.如权利要求99所述的衬底，其中所述印记是以规则性阵列来布置。
117.如权利要求116所述的衬底，其中所述印记是以矩形阵列来布置。
118.如权利要求116所述的衬底，其中所述印记是以六角形阵列来布置。
119.如权利要求99所述的衬底，其中所述印记是以随机布置来布置。
120.一种形成用于圆筒形光刻掩膜的母模的方法，所述方法包括：
使结构化多孔层形成在圆筒的内表面之上，其中所述圆筒对光学辐射为透明的；
用充填材料充填所述结构化多孔层中的一个或多个孔隙；
移除所述充填材料的不在所述一个或多个孔隙中的一个内的部分；以及
由所述一个或多个孔隙内的所述充填材料形成一个或多个突出部，其中所述突出部延伸超过所述结构化多孔层。
121.如权利要求120所述的方法，其中所述充填材料为辐射敏感性材料。
122.如权利要求121所述的方法，其中移除所述充填材料的不在所述一个或多个孔隙中的一个内的所述部分包括：
以辐射将所述圆筒的外表面曝光充分长度的持续时间，以固化在所述结构化多孔层的所述孔隙内的所述充填材料；以及
用配置来移除所述充填材料的未被固化的部分的显影剂来将所述充填材料显影。
123.如权利要求122所述的方法，其中所述辐射敏感性材料进一步包含硅。
124.如权利要求123所述的方法，其进一步包括：
将所固化的辐射敏感性材料退火。
125.如权利要求121所述的方法，其中形成所述一个或多个突出部包括蚀刻掉所述结构化多孔层的至少一部分。
126.如权利要求120所述的方法，其中所述圆筒的所述内表面为磊晶晶种层。
127.如权利要求126所述的方法，其中所述充填材料为所述磊晶晶种层的磊晶生长。
128.如权利要求127所述的方法，其中所述磊晶晶种层为半导体材料。
129.如权利要求128所述的方法，其中所述一个或多个突出部中的每一个被配置来充当发光二极管(LED)，借以存在一个或多个LED。
130.如权利要求129所述的方法，其中所述一个或多个LED中的每一个为可单独地寻址的。
131.如权利要求127所述的方法，其中容许在所述一个或多个孔隙内的所述充填材料形成延伸超过所述结构化多孔层的一个或多个突出部包括使所述磊晶生长成长超过所述结构化多孔层的厚度。
132.如权利要求120所述的方法，其中所述一个或多个突出部具有在1纳米与100微米之间的特征尺寸。
133.如权利要求120所述的方法，其中所述一个或多个突出部具有在10纳米与1微米之间的特征尺寸。
134.如权利要求120所述的方法，其中所述一个或多个突出部具有在50纳米与500纳米之间的特征尺寸。
135.一种用于圆筒形光掩膜的母模，所述母模包括：
对光学辐射为透明的圆筒，所述圆筒具有内表面及外表面；以及
一个或多个突出部，其从所述圆筒的所述内表面朝向所述圆筒的中心向内延伸。
136.如权利要求135所述的母模，其中所述一个或多个突出部具有在1纳米与100微米之间的特征尺寸。
137.如权利要求135所述的母模，其中所述一个或多个突出部具有在10纳米与1微米之间的特征尺寸。
138.如权利要求135所述的母模，其中所述一个或多个突出部具有在50纳米与500纳米之间的特征尺寸。
139.如权利要求135所述的母模，其中所述一个或多个突出部是由具有硅的退火光敏感性材料制成。
140.如权利要求135所述的母模，其中所述圆筒的所述内表面为磊晶晶种层。
141.如权利要求140所述的母模，其中所述一个或多个突出部为与所述磊晶晶种层相同的材料。
142.如权利要求141所述的母模，其中所述磊晶晶种层为半导体材料。
143.如权利要求142所述的母模，其中所述一个或多个突出部中的每一个为LED。
144.如权利要求143所述的母模，其中所述一个或多个突出部中的每一个为可单独地寻址的。
145.一种形成用于圆筒形光掩膜的母模的方法，所述方法包括：
使辐射敏感性层形成在圆筒的内表面之上，其中所述圆筒对光学辐射是透明的；
形成自组装单层(SAM)，其中所述SAM覆盖所述辐射敏感性的第一部分，并且不覆盖所述SAM的第二部分；
用光学辐射将所述SAM的所述部分中的一个曝光，其中所述光学辐射被配置来固化所述辐射敏感性层的被曝光的所述部分；以及
用显影溶液将所述辐射敏感性材料显影，使得所述辐射敏感性层的所述第二部分被选择性地移除。
146.如权利要求145所述的方法，其中所述SAM形成在所述辐射敏感性层的所曝光表面上。
147.如权利要求146所述的方法，其中所述SAM包含金属纳米球。
148.如权利要求147所述的方法，其中所述光学辐射是从位于所述圆筒内的辐射源发射，并且其中所述光学辐射将所述辐射敏感性材料的所述第二部分曝光。
149.如权利要求148所述的方法，其中所述显影溶液选择性地移除所述辐射敏感性层的所固化部分。
150.如权利要求146所述的方法，其中所述SAM包含量子点。
151.如权利要求150所述的方法，其中所述光学辐射是从所述量子点发射，并且其中所述光学辐射将所述辐射敏感性层的所述第一部分曝光。
152.如权利要求151所述的方法，其中所述显影溶液选择性地移除所述辐射敏感性层的未被固化的部分。
153.如权利要求145所述的方法，其中所述SAM形成在所述圆筒的所述外表面上。
154.如权利要求153所述的方法，其中所述SAM包含金属纳米球。
155.如权利要求154所述的方法，其中所述光学辐射是从位于所述圆筒内的辐射源发射，并且其中所述光学辐射将所述辐射敏感性层的所述第二部分曝光。
156.如权利要求155所述的方法，其中所述显影溶液选择性地移除所述辐射敏感性层的所固化部分。
157.如权利要求153所述的方法，其中所述SAM包含量子点。
158.如权利要求157所述的方法，其中所述光学辐射是从所述量子点发射，并且其中所述光学辐射将所述辐射敏感性层的所述第一部分曝光。
159.如权利要求158所述的方法，其中所述显影溶液选择性地移除所述辐射敏感性层的未被固化的部分。
160.如权利要求153所述的方法，其中所述辐射敏感性材料进一步包含硅。
161.如权利要求160所述的方法，其进一步包括：
将所固化的辐射敏感性材料退火。
162.一种圆筒形母模组件，其包括：
图案化部件，其具有第一半径；以及
牺牲浇注部件，其具有第二半径，其中所述第二半径与所述第一半径不同，其中所述图案化部件和所述牺牲浇注部件被构造来使得所述二者中具有较小半径的所述部件可被同轴地嵌入至具有较大半径的所述部件的内部，并且其中面对所述牺牲浇注部件的所述图案化部件的表面具有一个或多个图案化特征。
163.如权利要求162所述的圆筒形母模组件，其中所述第一半径大于所述第二半径。
164.如权利要求163所述的圆筒形母模组件，其中所述牺牲浇注部件是由易于被破裂的材料制成。
165.如权利要求164所述的圆筒形母模组件，其中所述易于被破裂的材料为熔融二氧化硅或玻璃。
166.如权利要求163所述的圆筒形母模组件，其中所述牺牲浇注部件是由会溶解的材料制成。
167.如权利要求166所述的圆筒形母模组件，其中所述会溶解的材料为糖。
168.如权利要求163所述的圆筒形母模组件，其中所述牺牲浇注部件是由可延展材料制成。
169.如权利要求168所述的圆筒形母模组件，其中所述可延展材料为铝。
170.如权利要求168所述的圆筒形母模组件，其中所述可延展材料为塑料。
171.如权利要求163所述的圆筒形母模组件，其中所述牺牲浇注部件为密封圆筒。
172.如权利要求161所述的圆筒形母模组件，其中所述密封圆筒可被充气和放气。
173.如权利要求162所述的圆筒形母模组件，其中所述第二半径大于所述第一半径。
174.如权利要求173所述的圆筒形母模组件，其中所述牺牲浇注部件是由易于被破裂的材料制成。
175.如权利要求174所述的圆筒形母模组件，其中所述易于被破裂的材料为熔融二氧化硅或玻璃。
176.如权利要求173所述的圆筒形母模组件，其中所述第二半径比所述第一半径大不超过2毫米。
177.如权利要求162所述的圆筒形母模组件，其中所述一个或多个特征具有在1纳米与100微米之间的特征尺寸。
178.如权利要求162所述的圆筒形母模组件，其中所述一个或多个特征具有在10纳米与1微米之间的特征尺寸。
179.如权利要求162所述的圆筒形母模组件，其中所述一个或多个特征具有在50纳米与500纳米之间的特征尺寸。
180.一种用圆筒形母模组件形成圆筒形掩膜的方法，所述圆筒形掩膜被构造来具有形成在表面上的一个或多个特征，其中所述圆筒形母模组件包括具有第一半径的圆筒形图案化部件，以及具有第二半径的牺牲浇注部件，其中所述第二半径与所述第一半径不同，其中面对所述牺牲浇注部件的所述图案化部件的表面具有一个或多个图案化特征，所述方法包括：
a)将具有所述较小半径的所述部件同轴地嵌入至具有所述较大半径的所述部件内；
b)用液体前体充填所述圆筒形图案化部件与所述牺牲浇注部件之间的空间；
c)固化所述液体前体以形成弹性体材料；以及
d)移除所述牺牲浇注部件。
181.如权利要求180所述的方法，其中移除所述牺牲浇注部件包括使所述牺牲浇注部件破裂。
182.如权利要求180所述的方法，其中移除所述牺牲浇注部件包括用溶剂溶解所述牺牲浇注部件。
183.如权利要求182所述的方法，其中所述牺牲浇注部件是由以糖为基础的材料制成，并且其中所述溶剂为水。
184.如权利要求180所述的方法，其中所述第二半径小于所述第一半径。
185.如权利要求184所述的方法，其中移除所述牺牲浇注部件包括使所述牺牲浇注部件塑性变形。
186.如权利要求184所述的方法，其中所述牺牲浇注部件为密封圆筒，并且其中移除所述牺牲浇注部件包括将所述牺牲浇注部件放气。
187.如权利要求180所述的方法，其中所述第一半径小于所述第二半径。
188.如权利要求187所述的方法，其在d)之后进一步包括：
将所述弹性体材料在平行于所述图案化部件的轴线的方向上向后拉而覆在其本身之上，使得所述弹性体材料被从所述图案化部件移除并且使内部翻到外部。
189.如权利要求188所述的方法，其中所述第二半径与所述第一半径之间的差值不大于2毫米。
190.一种圆筒形掩膜，其包括：
具有内部半径的圆筒形弹性体部件，所述弹性体部件具有主表面，所述主表面中形成有纳米图案；以及
具有外部半径的刚性透明圆筒形部件，其中所述外部半径被尺寸设定成适配在所述圆筒形弹性体部件内；
气体保持件，其被构造来将一定体积的气体保持在所述弹性体部件的内表面与所述刚性透明圆筒形部件的外表面之间。
191.如权利要求190所述的圆筒形掩膜，其中所述气体保持件包括两个密封件，其中每一个密封件密封所述气体体积的对应端部。
192.如权利要求191所述的圆筒形掩膜，其中所述密封件为O形环或垫圈。
193.如权利要求190所述的圆筒形掩膜，其中所述气体保持件为气囊。
194.如权利要求190所述的圆筒形掩膜，其中所述圆筒形弹性体部件的所述主表面为圆筒形外表面。
195.如权利要求49所述的方法，其中所述第二浇注部件为牺牲浇注部件，其中所述方法进一步包括移除所述第二浇注部件。